「Sem」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a scanning electron microscope device having a function to produce precisely and rapidly an imaging recipe having an equal or better performance than an imaging recipe produced manually by SEM operators based on their own unique know-how, and to provide an imaging method using the same.例文帳に追加

ＳＥＭオペレータが独自のノウハウに基づきマニュアルで生成した撮像レシピと同等あるいはそれ以上の性能をもつ撮像レシピを正確にかつ高速に生成する機能を備えた走査型電子顕微鏡装置ならびにそれを用いた撮像方法を提供する。 - 特許庁

In an SEM type wafer inspection device, when inspection using a charging control function is executed, acceleration voltage/control voltage/deceleration voltage are changed in conjunction with one another so as not to change incident energy defined by the acceleration voltage-deceleration voltage, and a bias voltage defined by the deceleration voltage-control voltage.例文帳に追加

ＳＥＭ式ウェハ検査装置において、帯電制御機能を用いた検査を行う際、加速電圧−減速電圧で決まる入射エネルギーと、減速電圧−制御電圧で決まるバイアス電圧が変わらない様、加速電圧・制御電圧・減速電圧を連動して変える。 - 特許庁

When it is determined that the pattern dimension is improper, a display device 37 issues warning so that it is possible to determine whether or not the development processing has been properly carried out without moving the substrate to a measuring device in order to measure the pattern dimension, and that it is possible to reduce costs by not using any SEM.例文帳に追加

パターン寸法が不適である場合にはディスプレイ装置３７が警報を発するので、パターン寸法測定のために基板を測定装置に移動させることなく現像処理が適切に行われたかを判断することができ、しかもＳＥＭを用いないのでコストを抑制できる。 - 特許庁

To provide a pattern size measuring method for a photomask in which mask transfer characteristics are accurately predicted and OPC is accurately adjusted by correcting a hole pattern measured value of the mask by an SEM into a value matching actual mask pattern transfer and which has practically high reliability, and the photomask.例文帳に追加

ＳＥＭによるマスクのホールパターン計測値を実際のマスクパターン転写に適応した値に補正することで、マスク転写特性の予想やＯＰＣの調整を正確に行うことができる実用的に信頼性が高いパターン寸法測定方法およびフォトマスクを提供する。 - 特許庁

When the sample observation by the SEM is finished (S1) to start the X-ray analysis (S2, S3), the sample position at the time when the sample observation is finished is detected, based on an excitation current of an objective lens under a focused condition, to determine whether the position is proper for the X-ray analysis or not(S4).例文帳に追加

ＳＥＭの試料観察が終了して（Ｓ１）Ｘ線分析が開始されると（Ｓ２、Ｓ３）、合焦状態となっている対物レンズの励磁電流に基づいて試料観察終了時の試料位置を検知し、その位置がＸ線分析に適切な位置であるか否かを判定する（Ｓ４）。 - 特許庁

To reduce the man-hour for creation steps of an operation program of an SEM (search engine marketing) test device and to improve maintenance efficiency by providing a master and a slave attributes with respect to an operation processing means and simultaneously describing processing of an operating means having the slave attribute with an operation processing means having the master attribute.例文帳に追加

演算処理手段に対するマスタ及びスレーブ属性を設け、マスタ属性を持つ演算処理手段でスレーブ属性を持つ演算手段の処理を一括して記述することで、ＳＥＭ式検査装置の演算プログラムの作成工数の削減、保守効率を向上する。 - 特許庁

According to the substrate inspection method, electron beams are irradiated by an optical axis E1 to the part on a semiconductor wafer W, where the defect D is present with the use of an SEM apparatus which detects by a single electron beam detector, secondary electron beams emitted, when electron beams are applied onto the semiconductor wafer W.例文帳に追加

本発明の基体検査方法は、半導体ウェハＷ上に電子ビームを照射することにより放出される二次電子線を単一の電子線検出器で検出するＳＥＭ装置を用い、半導体ウェハ上の欠陥Ｄが存在する部位に光軸Ｅ１で電子ビームを照射する。 - 特許庁

When the cross section in the thickness direction of both layers were observed under a SEM with magnification up to 100,000, one layer contains no recognizable grain boundary in the cross section and the other layer has the grain boundaries in the layer mainly oriented to the thickness direction of the layer.例文帳に追加

両層のうち一方の層は、該層の厚さ方向断面を、ＳＥＭによって１０００００倍迄の拡大倍率で観察したときに、該断面に結晶粒界が認められない層であり、他方の層は、該層中の粒界が、該層の主として厚さ方向に配向している層である。 - 特許庁

Patterns 30 for dense line evaluation are formed in such a way that patterns 31 as length measuring objects are surely included in them, even when detection visual fields 21 are set in any positions in a range 32 decided on the basis of a stage positioning accuracy 22 and the detection visual fields 21 of the length measuring SEM 10 on the substrate.例文帳に追加

基板上の、測長ＳＥＭのステージ位置決め精度２２及び検出視野２１に基づいて決定された範囲３２に、どの位置に検出視野２１が設定されたとしても、その中に必ず被測長物たるパタン３１が含まれるような、密集線評価用パターン３０を形成する。 - 特許庁

When a multi-axial stage 40 of a scanning electron microscope 10 is rotated horizontally, inclined or moved horizontally, an operation of rotating, inclining or horizontally moving an image for specification is performed by means of a mouse 62 while creating an image for specification from an SEM image obtained from a signal of a secondary electron detector 20 and displaying the image on an image display unit 61.例文帳に追加

走査電子顕微鏡１０の多軸ステージ４０を水平回転、傾斜、水平移動させるに際して、二次電子検出器２０の信号から得られるＳＥＭ像から指定用画像を作成して画像表示装置６１に表示しつつ、マウス６２で指定用画像を回転、傾斜、水平移動させる操作を行う。 - 特許庁

The method for photoresist characterization includes a step 102 of forming a photoresist on a supportive structure, a step 104 of baking the photoresist, a step 106 of staining the photoresist with a staining agent, and a step 108 of characterizing the photoresist using at least one of TEM, SEM and AFM.例文帳に追加

フォトレジストの特性化方法は、支持構造上にフォトレジストを形成する工程１０２と、フォトレジストをベーキングする工程１０４と、フォトレジストを染色剤により染色する工程１０６と、ＴＥＭ、ＳＥＭおよびＡＦＭのうちの少なくとも１つを利用し、フォトレジストを特性化する工程１０８と、を含む。 - 特許庁

Also, the composition containing the carbon nanotubes is a carbon nanotube dispersion, which contains a dispersion medium and carbon nanotubes having the average length of 0.4-5,000 nm calculated from values measured by SEM image analysis and the coefficient of variation (CV value) of the average length of at most 40%.例文帳に追加

また、本発明に係るカーボンナノチューブを含有する組成物は、ＳＥＭ画像解析による測定値から算出される平均長径が０．４〜５０００ｎｍであり、平均長径の変動係数（ＣＶ値）が４０％以下であるカーボンナノチューブと、分散媒体を含むカーボンナノチューブ分散体であることを特徴とする。 - 特許庁

A plurality of domains having patterns similar in shapes (similar domains) are extracted from SEM images of low resolutions which are picked up while suppressing the irradiation energy of an electron beam, and an image of one pattern of a high resolution is formed from a plurality of image data on the domains by image restoration processing.例文帳に追加

電子線の照射エネルギーを抑えて撮像した低分解能なＳＥＭ画像から形状が類似するパターンを持つ領域（類似領域）を複数抽出し、複数の前記領域の画像データから画像復元処理により一枚の高分解能な前記パターンの画像を生成することを特徴とする。 - 特許庁

An area size where existence of surrounding patterns is to be considered, based on an internal diffusion length of incident electron beam is decided, three-dimensional information of patterns in the area size is formed using design layout data, and a library correlating a cross-sectional shape of a SEM signal waveform and a cross-sectional shape is formed using the three-dimensional information.例文帳に追加

入射電子線の内部拡散長に基づいて周囲パターンの有無を考慮すべき領域のサイズを決定し，設計レイアウトデータを用いて，前記領域サイズ内のパターンの三次元情報を作成，この三次元情報を用いて，ＳＥＭ信号波形と断面形状とを関連づけるライブラリを作成する。 - 特許庁

To provide a standard sample for charged particle beam and a charged particle beam device using the same, allowing measurement of fine dimensions of an image in a submicrometer to tens of micrometers in high accuracy in TEM and/or STEM for observation by using electrons transmitted through a sample, or SEM.例文帳に追加

本発明の目的は、試料を透過した電子を用いて観察するＴＥＭやＳＴＥＭ、或いはＳＥＭにおいて、画像のサブミクロンから数１０μｍの微小寸法を高い精度で測定可能にする荷電粒子線用標準試料及びそれを用いる荷電粒子線装置を提供することにある。 - 特許庁

A group of recessive oncogenes, Fus1, 101F6, Gene 21 (NPRL2), Gene 26 (CACNA2D2), Luca 1 (HYAL1), Luca 2 (HYAL2), PL6, 123F2 (RaSSFI), SEM A3 and Beta* (BLU), as defined by homozygous deletions in lung cancers, have been located and isolated at 3p21.3.例文帳に追加

肺癌におけるホモ接合の欠失によって定義される、抑制性癌遺伝子の群であるＦｕｓ１、１０１Ｆ６、Ｇｅｎｅ２１（ＮＰＲＬ２）、Ｇｅｎｅ２６（ＣＡＣＮＡ２Ｄ）、Ｌｕｃａ １（ＨＹＡＬ１）、Ｌｕｃａ ２（ＨＹＡＬ２）、ＰＬ６、１２３Ｆ２（ＲａＳＳＦＩ）、ＳＥＭ Ａ３およびＢｅｔａ^＊（ＢＬＵ）は、３ｐ２１．３に位置し、そしてここで単離された。 - 特許庁

The observation step acquires the SEM image by selectively detecting a secondary electron within an energy range E1 which includes a peak P21 of an energy distribution G21 of the secondary electron emitted from the p-type semiconductor region and does not include a peak P22 of an energy distribution G22 of the secondary electron emitted from the n-type semiconductor region.例文帳に追加

観察工程の際、ｐ型半導体領域から放出される二次電子のエネルギー分布Ｇ２１のピークＰ２１を含み、且つｎ型半導体領域から放出される二次電子のエネルギー分布Ｇ２２のピークＰ２２を含まないエネルギー範囲Ｅ１の二次電子を選択的に検出することにより、ＳＥＭ像を取得する。 - 特許庁

To provide a manufacturing line of a semiconductor device or the like, that can execute processes with high resolution to semiconductor device make very fine, without being substantially affected by electromagnetic noise, viblations, and the like generated by a carrier device or the like in a charged particle beam process device, such as an SEM apparatus.例文帳に追加

ＳＥＭ装置などの荷電粒子ビームプロセス装置において、搬送装置等から発生する電磁波ノイズや振動等に対して影響を殆ど受けることなく超微細化された半導体デバイスなどに対して高分解能でプロセスを実行できるようにした半導体デバイス等の製造ラインを提供することにある。 - 特許庁

To provide an electron source which is used for a semiconductor wafer inspection device such as a scanning or transmission electron microscope, a surface analyzer like an Auger electron spectroscopic analyzer, an electron beam exposure apparatus, especially a scanning electron microscope using an electron beam accelerated with low voltage of 1 kV or less, a CD SEM, or a DRSEM.例文帳に追加

走査型又は透過型電子顕微鏡、オージェ電子分光装置等の表面分析装置、電子線露光機、特に、電子ビームの加速電圧が１ｋＶ以下の低加速で用いられる走査型電子顕微鏡、ＣＤ ＳＥＭ、ＤＲＳＥＭ等の半導体ウェハ検査装置に用いられる電子源を提供する。 - 特許庁

To provide an electron source used for a scanning or transmission electron microscope, a surface analyzer such as an Auger electron spectroscope, an electron beam exposure machine, in particular, a scanning electron microscope used at low acceleration where an acceleration voltage of an electron beam is not higer than 1kV, or a semiconductor wafer inspection device such as a CD SEM or a DRSEM.例文帳に追加

走査型又は透過型電子顕微鏡、オージェ電子分光装置等の表面分析装置、電子線露光機、特に、電子ビームの加速電圧が１ｋＶ以下の低加速で用いられる走査型電子顕微鏡、ＣＤ ＳＥＭ、ＤＲＳＥＭ等の半導体ウェハ検査装置に用いられる電子源を提供する。 - 特許庁

To provide an SEM-type defect-reviewing device that automatically classifies defects in continuity fail such as discontinuity and short-circuiting generated in conductor components such as a contact hole buried in a substrate to be inspected such as a semiconductor wafer to categories correlating closely with the causes of the defect.例文帳に追加

半導体ウエハ等の被検査対象基板内に埋もれたコンタクトホール等の導体部品に発生する導通不良（非導通、短絡など）欠陥について、その発生原因と直接相関の高いカテゴリに自動的に分類してユーザに提示するＳＥＭ式欠陥レビュー装置およびその方法を提供することにある。 - 特許庁

When the SEM observation is carried out under such a condition, secondary electrons emitted from the lower face of the sample support part 11 are pulled by the potential control part 14 in the optical axis direction of the electron beam, thus random emission of the secondary electrons is suppressed, and the high resolution of an obtained ISEC image can be achieved.例文帳に追加

このような条件でＳＥＭ観察を行なうと、電位制御部１４により、試料支持部１１の下面から出射された２次電子が電子線の光軸方向に引き寄せられるために２次電子のランダム放出が抑制され、得られるＩＳＥＣ画像の高分解能化を図ることができる。 - 特許庁

By providing a means changing the setting of the secondary signal converging lens 69 in response to an optical condition of the primary electron beam (for instance, a retarding voltage, a charge control electrode or the like), an SEM image always preventing occurrence of in-view shading caused by omission of a secondary signal can be provided.例文帳に追加

また、前記一次電子線の光学条件（たとえば、前記リターディング電圧や帯電制御電極など）に応じて上記二次信号収束用レンズ６９の設定を変更する手段を備えることで、常に視野内二次信号の取りこぼしに起因するシェーディングが発生しないＳＥＭ像を得ることを可能にする。 - 特許庁

The image display device is composed of an upper electrode AED continuing to a scanning signal wiring SED and an electron source ELS and an element separation part SEA on a part of the upper electrode AED, and the electron separation part SEA is arranged on an element separation member SEM which is arranged in contact with the scanning signal wiring SED.例文帳に追加

走査信号配線ＳＥＤ及び電子源ＥＬＳ上に連続した上部電極ＡＥＤを備え、この上部電極ＡＥＤの一部に素子分離部ＳＥＡを備えた構成で、この素子分離部ＳＥＡを前記走査信号配線ＳＥＤに接して配置した素子分離部材ＳＥＭ部分に配置した。 - 特許庁

When transferring a mask pattern to a photoresist film applied on a wafer principal surface, after transferring on an off-condition of under dose or defocus or both, a defective inspection is carried out through a process which inspects a transferred pattern to the photoresist film with a scanning electron microscope (SEM) for a voltage potential controlling type visual inspection.例文帳に追加

ウエハ主面上に塗布されたフォトレジスト膜にマスクパターンを転写する際、アンダードーズあるいはデフォーカスまたはその両方の、オフコンディション条件で転写をした後、フォトレジスト膜に転写されたパターンを電位制御型外観検査用走査型電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope：ＳＥＭ）で検査する工程を経て欠陥検査する。 - 特許庁

The SEM-type inspection apparatus for repeatedly scanning a sample with electron beams, generating inspection images and reference images based on secondary electrons or reflection electrons generated from the sample, and obtaining a defective section from the differential image has a function for varying the number of pixels in the repeated scanning direction of the electron beams in the images generated.例文帳に追加

試料に電子線ビームを繰り返し走査させ、試料から発生する２次電子または反射電子に基づき検査画像および参照画像を生成し、それらの差分画像から欠陥部を求めるＳＥＭ式検査装置において、生成画像における電子線ビームの繰り返し走査方向の画素数を可変にする機能を備える。 - 特許庁

To provide a resist pattern measuring method capable of determining automatically and measuring correctly a remaining part (line pattern) and a cut-out part (space pattern) as to a measuring-objective pattern in an image, and capable of measuring a true resist pattern corrected in a shrinkage amount, when measuring a resist pattern by a CD-SEM.例文帳に追加

ＣＤ−ＳＥＭによるレジストパターンの測定において、画像中の測定対象パターンが残し部（Ｌｉｎｅパターン）と抜き部（Ｓｐａｃｅパターン）を自動的に判定して正しく測定すると共に、レジストのシュリンク量を補正した真のレジストパターン寸法を測定することを可能にするレジストパターン測定方法及びレジストパターン測定装置を提供する。 - 特許庁

The measurement on the plurality of items is performed, in which the AMP (auto measurement parameter) registration is performed for the setting of the parameters regarding the preparation of a line profile from a SEM (scanning electron microscope) image, as the common condition to all measurement items, and in which the plurality of AMP registrations for the edge detection method and the distance measurement value calculation method are performed.例文帳に追加

本発明においては、ＳＥＭ画像からラインプロファイルを作成するときに関わるパラメータの設定を全測定項目において共通の条件としてＡＭＰ登録を行い、また、エッジ検出方法と測長値算出方法を複数のＡＭＰ登録を行うことによって、複数項目の測定を行うようにした。 - 特許庁

The polishing jig for physical analysis 1 comprises at least an observing block 2 having a sample attaching surface 5a to which the sample 11 is attached and insertable to an in-lens type scanning electron microscope (SEM), a sample mount 3 having a stepped guide part 6 by which the observing block 2 is positioned, and a sample mount holder 4 to which the sample mount 3 is attached.例文帳に追加

試料１１が貼付される試料貼付面５ａを有し、インレンズ方式の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）に挿入可能な観察用ブロック２と、観察用ブロック２が位置決めされる段差ガイド部６を有する試料マウント３と、試料マウント３が固定される試料マウントホルダ４とを少なくとも備える物理解析用研磨冶具１である。 - 特許庁

The resin composition foam having foam cells whose average cell diameter measured with a scanning electron microscope (SEM) is 100-3,000 nm is obtained by melt-mixing and foaming a mixture comprising an olefinic rubber (A) containing a functional group, a compound (B) having a group reactive with the functional group contained in the olefinic rubber (A), and a thermoplastic resin (C).例文帳に追加

官能基を含有するオレフィン系ゴム（Ａ）、該オレフィン系ゴム（Ａ）に含まれる官能基と反応しうる基を有する化合物（Ｂ）、および熱可塑性樹脂（Ｃ）を含む混合物を、溶融混合および発泡することにより得られる、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で測定した平均セル径１００〜３０００ｎｍの発泡セルを有する樹脂組成物発泡体。 - 特許庁

To provide a pattern data conversion method and a pattern data conversion device for, in the case of extracting an outline from an SEM image and converting the contour into polygon coordinate data such as GDSII (General Data Stream), reducing the number of coordinate points configuring the contour as much as possible, and at the same time, suppressing the fluctuation of a pattern shape so as to be an extent that transfer simulation is not affected.例文帳に追加

ＳＥＭ画像から輪郭線を抽出してＧＤＳＩＩなどのポリゴン座標データに変換する際に、輪郭を構成する座標点数をなるべく少なくすると同時に、パターン形状の変動を転写シミュレーションに影響がない程度に抑えるパターンデータ変換方法及びパターンデータ変換装置を提供する。 - 特許庁

In the sample holder having the substrate with the opening 20 covered with the film 10 for holding the sample and formed so as to perform SEM observation and inspection of the sample held on a part 10a of the film covering the opening 20, patterns 501, 502 for discriminating a located direction of the opening 20 are formed on the substrate.例文帳に追加

試料を保持するための膜１０により覆われた開口部２０を有する基板を備え、開口部２０を覆っている膜の部分１０ａに保持された試料のＳＥＭ観察・検査ができるように構成された試料保持体において、該基板上には、開口部２０の位置する方向を識別するためのパターン５０１，５０２が形成されている。 - 特許庁

This semiconductor device inspection apparatus 1 is equipped with a stage 141 disposed in a vacuum chamber 11 for setting the semiconductor device (sample S), a femto-second laser device 12 for generating a femto-second laser beam FSLB for cutting the semiconductor device, and a scanning electron microscope (SEM 17) for observing the cut face W of the semiconductor device cut by the laser beam.例文帳に追加

半導体デバイス検査装置１は、半導体デバイス（試料Ｓ）をセットする真空チャンバー１１内に配設されたステージ１４１と、半導体デバイスを切削するフェムト秒レーザビームＦＳＬＢを生成するフェムト秒レーザ装置１２と、当該レーザビームにより切削した半導体デバイスの切削面Ｗを観察する電子顕微鏡（ＳＥＭ１７）とを備えている。 - 特許庁

To provide a measurement method of a profile, an etching dispersion estimation method and a measurement device capable of previously estimating or reducing dimensional dispersion after etching by measuring resist pattern width with a plurality of threshold values to detect the difference of a resist profile in a length measurement SEM, and capable of improving the quality of a product and the manufacturing yield.例文帳に追加

測長ＳＥＭにおいて、複数の閾値でレジストパターン幅を測定し、レジストプロファイルの違いを検知し、エッチング後の寸法ばらつきを未然に予測または低減することができ、製品の品質向上および製造歩留まりを向上させることができるプロファイルの測定方法、エッチングばらつき予測方法および測定装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an imaging recipe generating apparatus and a method thereof in an SEM and the like having reduced a generation period by automatic generation of an imaging recipe for evaluating pattern shape through analysis using a CAD image converted from the CAD data, by measuring each kind of size value such as wiring width of pattern from the observed image.例文帳に追加

ＳＥＭ装置等において、観察画像からパターンの配線幅などの各種寸法値を計測してパターン形状の評価を行うための撮像レシピを、ＣＡＤデータから変換されたＣＡＤ画像を用いた解析により自動生成して生成時間の短縮を図った撮像レシピ作成装置及びその方法を提供する。 - 特許庁

To provide a carbon nano structure called CNT, CNF and GNF having superior durability, allowing high measuring accuracy and inexpensively and nonvariably manufacturable in a short time; its manufacturing method; its cutting method; a probe for STM and AFM having this structure or an electric field electron emitting source such as FED, an X-ray device, SEM and TEM.例文帳に追加

優れた耐久性を備え、高い測定精度を可能とし、短時間・低コストでばらつき無く作製できるＣＮＴ、ＣＮＦ、ＧＮＦという炭素ナノ構造体、その製造方法、その切断方法、それを有するＳＴＭやＡＦＭ用の探針あるいはＦＥＤ、Ｘ線装置、ＳＥＭ、ＴＥＭ等の電界電子放出源を提供する。 - 特許庁

Particles to be created by changing the ratio of different elements for indexing a probe are used; an SEM image is obtained by a scanning electron microscope for detecting the position and the size; and further, the position and the size of characteristic X rays generated, when electrons irradiated to the particles by the scanning electron microscope are obtained, by obtaining element analysis images, by using an energy dispersion type characteristic X-ray detector.例文帳に追加

プローブのインデクシング用に異なる元素の比率を変えて作成する粒子を用い、走査型電子顕微鏡でＳＥＭ像を得て容易にその位置と大きさを検出し、さらに、走査型電子顕微鏡で粒子に電子を照射する時に発生する特性Ｘ線をエネルギー分散型特性Ｘ線検出器により元素分析像を得ることで位置と大きさを得る。 - 特許庁

The control means is configured to extract the adjacent divided images in a predetermined order from one specified image, detect images in the same pattern formation area included in the overlapping area for each of the two adjacent divided images as a synthetic reference image, then, synthesize the two adjacent divided images based on the synthetic reference image, and then, form an SEM image in the entire observation area.例文帳に追加

制御手段は、指定された一つの分割画像から所定の順序で隣接する分割画像を抽出し、隣接する２つの分割画像毎に重複領域に含まれる同一のパターン形成領域の画像を検出して合成基準画像とし、合成基準画像を基に隣接する２つの分割画像を合成して、観察領域の全体のＳＥＭ画像を形成する。 - 特許庁

A beam irradiation axis of an FIB lens barrel 1, a beam irradiation axis of an SEM lens barrel 2, and a first rotating axis of a rotatable table cross each other at almost a right angle at a sample observation position, the rotatable table has a support rotatable on the first rotating axis as a center; and the support connects a sample 5 to a translational mechanism which can be arranged at a sample observation position.例文帳に追加

ＦＩＢ鏡筒１のビーム照射軸と、ＳＥＭ鏡筒２のビーム照射軸と、回転可能な台の第一の回転軸が、試料観察位置でそれぞれが互いに略直交に交わり、回転可能な台が第一の回転軸を中心に回転可能な支持部を有し、支持部が試料５を試料観察位置に配置可能な並進機構と接続する。 - 特許庁

A method for measuring impurity distribution of a semiconductor device provided with a p-type semiconductor region and an n-type semiconductor region includes an observation step of acquiring an SEM image of an observation face including the p-type semiconductor region and the n-type semiconduction region while applying a reverse bias voltage to the p-type semiconductor region and the n-type semiconductor region.例文帳に追加

この不純物分布測定方法は、ｐ型半導体領域及びｎ型半導体領域を備える半導体装置の不純物分布を測定する方法であって、ｐ型半導体領域及びｎ型半導体領域に逆バイアス電圧を印加しつつ、ｐ型半導体領域及びｎ型半導体領域を含む観察面のＳＥＭ像を取得する観察工程を含む。 - 特許庁

The aggregative structure of multiwall carbon nanotubes which are grown by an action of a catalyst microparticle on the surface of a substrate is observed as an aggregative structure which has a linearity of shape and an orientation vertical to the surface of the substrate and is aggregated to an ultra-high dense state as shown in SEM images taken by not only a designated magnification but also a higher magnification.例文帳に追加

基板表面上の触媒微粒子の作用で成長した多層カーボンナノチューブの集合構造であって、所定の倍率のＳＥＭ写真での観察結果も、さらに倍率が大きいＳＥＭ写真での観察結果でも形状の直線性と基板表面に対する垂直配向性とを備えて高密度に集合した多層カーボンナノチューブの集合構造である。 - 特許庁

In the imaging recipe generating apparatus for SEM observation of a semiconductor pattern using a scanning type electronic microscope, a CPU (CAD image generating unit) 1251 for generating a CAD image by conversion into the image on the basis of the CAD data is constituted with an image quantizing width determining processing unit 12511, a luminosity information assignment processing unit 12512, and a pattern shape conversion processing unit 12513.例文帳に追加

走査型電子顕微鏡を用いて半導体パターンをＳＥＭ観察するための撮像レシピ作成装置において、ＣＡＤデータを基に画像に変換してＣＡＤ画像を作成するＣＰＵ（ＣＡＤ画像作成部）１２５１を、画像量子化幅決定処理部１２５１１と明度情報付与処理部１２５１２とパターン形状変形処理部１２５１３とで構成する。 - 特許庁

To provide a scanning electron microscope that can concurrently perform SEM observation and sample processing in a single instrument, automatically return the specimen holder to its home position after the processing, and rapidly introduce it into the sample chamber.例文帳に追加

本発明は走査電子顕微鏡に関し、更に詳しくは試料加工室を持つ走査電子顕微鏡に関し、一つの装置でＳＥＭ観察と試料加工を同時進行で行なうことができ、かつ処理後の試料ホルダの位置を自動的にホームポジションに戻すことができ、試料室への導入を速やかに行なうことができる走査電子顕微鏡を提供することを目的としている。 - 特許庁

In SEM image comparison type inspection equipment, the potential contrast image is compared between a specified pattern being inspected and a reference pattern to generate a comparison image including one of two binarized contrasts, dimensions based on the contrast of the comparison image are measured and characterized dimensions being varied through fabrication of the semiconductor device are analyzed from the measurements.例文帳に追加

ＳＥＭ式画像比較型検査装置において、所定のパターンを有する被検査パターンとおよび参照パターンの電位コントラスト画像を比較することにより、二値化されているコントラストの一方のコントラストのみを含む比較画像を生成し、当該比較画像のコントラストに基づく寸法を測定し、当該測定結果から、前記半導体形成によりばらつきが生じる特性化寸法を解析する。 - 特許庁

An SEM image formed by signals obtained by scanning electrons on a sample is obtained by an electrooptical system composed of an electron source for generating the electrons on a silicon substrate with a part of a semiconductor integrated circuit formed thereon, and an electromagnetic lens or electrostatic lens; a reference image is obtained by averaging a plurality of images or by automatic generation from design data; and shape dispersion and superposition accuracy of a pattern are statistically calculated by comparing them.例文帳に追加

半導体集積回路の一部が形成されたシリコン基板上で、電子を発生させる電子源と電磁レンズあるいは静電レンズからなる電子光学系により試料上で上記電子を走査して得られる信号により構成したＳＥＭ画像を取得して、複数の画像を平均化あるいは設計データから自動生成によって参照画像をもとめ、比較して、パターンの形状ばらつきや重ねあわせ精度を統計的に算出する。 - 特許庁