「Sem」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a porous hollow-fiber membrane of polyetherimide based resin having a mesh-shaped cross sectional structure in the membrane cross section of a hollow fiber membrane observed by an SEM and having both properties of strength and flexibility as a result of improvement in strength.例文帳に追加

ＳＥＭ観察された中空糸膜の膜横断面が網目状の断面構造を有し、強度的に改善された結果、強度と柔軟性とが両立したポリエーテルイミド系樹脂多孔質中空糸膜を提供する。 - 特許庁

The standard sample for the charged particle beam containing different two samples for magnification or dimension calibration, and the charged particle beam device using the standard sample are formed, in a TEM, an STEM (scanning transmission electron microscope), or an SEM for observing a sample by using electrons transmitted through it.例文帳に追加

本発明では、上記目的を達成するために、倍率、或いは寸法校正のための異なる２つの試料が含まれている荷電粒子線用標準試料及びそれを用いる荷電粒子線装置を提供する。 - 特許庁

The low-vacuum SEM is provided with an objective diaphragm 7 of electron beams 2 in the electro-optic system 16, and a three-step objective diaphragm 11 used also as an orifice for differential exhausting for keeping a pressure ratio X to the sample room 17.例文帳に追加

低真空ＳＥＭは、電子光学系１６における電子ビーム２の対物絞り７と、試料室１７との圧力比Ｘを所定値に保つ差動排気用のオリフィスとを兼用した三段対物絞り１１を持つ。 - 特許庁

To provide a negative resist composition which retains solubility in an alkali developer while improving dry etching resistance and resistance to an electron beam from a scanning electron microscope (SEM) and further has high resolution.例文帳に追加

ドライエッチング耐性および走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）による電子線への耐性を向上させるとともにアルカリ現像液に対する溶解性を維持し、さらに高解像性を有するネガ型レジスト組成物を提供することを課題とする。 - 特許庁

Part of the flaw, which shows the intensity of the scattered light of the region held between the reference discrimination curve and the approximate curve, of the flaw is selected and a review SEM is used to decide whether part of the flaw is the contaminations or COP.例文帳に追加

その欠陥のうち、参照弁別線と近似線とに挟まれた領域の散乱光強度を示す一部の欠陥を選択し、レビューＳＥＭを用いて、その一部の欠陥が異物であるかＣＯＰであるかを判定する。 - 特許庁

The method performs data processing of the SEM image, calculates a parameter showing the height degree of pattern characteristic property in each area of a prescribed reference size and extracts the prescribed number of areas where a pattern is large and the pattern whose characteristic property is high is included.例文帳に追加

ＳＥＭ画像をデータ処理して、パターンの特徴性の高さの度合を示すパラメータを所定の基準サイズの領域毎に算出し、パラメータが大きく、特徴性が高いパターンを含む領域を所定数抽出する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device defect inspection method and a system thereof which inspects predetermined risky spots using a step-and-repeat type high resolution SEM and estimates a defect occurrence frequency at the risky spots statistically with high reliability.例文帳に追加

ステップ・アンド・リピート式の高解像度ＳＥＭを用いて予め定められた危険点を検査し、危険点での欠陥発生頻度を統計的かつ信頼性を持って推定する半導体デバイスの欠陥検査方法及びそのシステムを提供する。 - 特許庁

To provide a method of removing blur of a pattern image acquired by an SEM and easily and accurately measuring the three-dimensional shape of a pattern of a sample surface based on information of the height direction of a pattern acquired by another measuring machine such as an AFM.例文帳に追加

ＳＥＭによって得られたパターン画像のボケを除去し、ＡＦＭなどの他の計測機で得られたパターンの高さ方向の情報と合わせ、試料表面のパターンの３次元形状を簡便にかつ精度良く計測する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photomask without generating the problem due to static electricity in inspection by SEM and a correction process by FIB by avoiding the damage of a pattern due to static electricity or the like, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device using the photomask.例文帳に追加

静電気等によるパターンの破損を回避できるとともに、ＳＥＭによる検査やＦＩＢによる修正プロセスで静電気による問題が発生することがないフォトマスク及びそのフォトマスクを使用した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The electrons accumulated by irradiation of electron rays when the observation surface 107 of the body to be observed 105 is observed by SEM is released, and thus a disorder of a cross section image due to charge-up is inhibited.例文帳に追加

被観察体１０５の観察面１０７をＳＥＭ観察する際の電子線の照射により蓄積された電荷を効率的に導電体１０３に逃がすことができるため、チャージアップによる断面像の乱れを抑制することができる。 - 特許庁

The nickel powder has a mean particle diameter expressed as an SEM particle diameter and D50, of 0.1-0.4 μm, a moisture content by Karl Fischer moisture measurement at 300°C of ≤1.2 mass% and an oxygen content of ≤2.0 mass%.例文帳に追加

ＳＥＭ粒径およびＤ５０で表す平均粒径が０．１〜０．４μｍ、３００℃におけるカールフィッシャー水分測定による水分量が１．２質量％以下、かつ酸素含有量が２．０質量％以下であることを特徴とするニッケル粉末。 - 特許庁

The particulate black composite oxide particles comprise 60 to 80 mass% cobalt and 0.1 to 5 mass% manganese and has an average primary particle diameter of 0.05 to 0.3 μm (as measured by observation with a scanning electron microscope (SEM)).例文帳に追加

６０質量％〜８０質量％のコバルトおよび０．１質量％〜５質量％のマンガンを含有し、ＳＥＭ観察で測定した一次粒子平均径が０．０５μｍ〜０．３μｍであることを特徴とする粒状黒色複合酸化物粒子。 - 特許庁

The coordinates of one pattern out of the plurality of patterns included in the obtained SEM image are correlates with the position of a stage 22, and the coordinates of other patterns relative to the coordinate of the one pattern are measured by a coordinate measuring means 38.例文帳に追加

取得したＳＥＭ画像に含まれる複数のパターンのうちの一のパターンの座標がステージ位置に対応させられ、この一のパターンの座標に対する他のパターンの相対的な座標が座標計測手段３８により計測される。 - 特許庁

The sample S is almost isotropically excavated by vibration while rotated at random, the analysis of a component in a radial direction due to glow discharge emission analysis become possible and surface of the cleanly formed sample S can be observed by SEM or the like.例文帳に追加

振動によって試料Ｓはランダムに回転しながらほぼ等方的に掘削され、グロー放電発光分析による半径方向の成分分析が可能となり、清浄に形成した試料Ｓの表面をＳＥＭ等で観察することも可能となる。 - 特許庁

In order to obtain the SEM with extra-small size, high sensitivity, and high resolution, an electrostatic lens is used as a principal focusing means, and a drift tube of electron beams is installed inside a column between an electron source and a testpiece, and the secondary electron detector is arranged inside this.例文帳に追加

超小型で高感度かつ高分解能のＳＥＭを得るために静電レンズを主たる収束手段とし、電子源と試料との間でカラム内部に電子線のドリフト管を設け、この中に二次電子検出器をおく構造とする。 - 特許庁

As an embodiment of attainment of the purpose, provided is a pattern measuring device which adds identification information for discrimination from other pieces to each of pieces constituting a pattern in an image obtained by an SEM and stores the image in a predetermined storage format.例文帳に追加

上記目的を達成するための一態様として、ＳＥＭによって得られる画像内におけるパターンを構成する各片に、他の片と区別するための識別情報を付加し、所定の記憶形式にて記憶するパターン測定装置を提案する。 - 特許庁

In order to monitor the worked cross section state in FIB working simultaneously with the working, signal detectors 31, 51 are provided for the FIB device 20 and the SEM 40, respectively, and a beam scanning control circuit and an image display control circuit are provided for each of the devices.例文帳に追加

ＦＩＢ加工中の加工断面状態を加工と同時に監視するために、ＦＩＢ装置とＳＥＭにそれぞれ信号検出器３１，５１を設け、それぞれの装置にビーム走査制御回路と像表示制御回路を持たせた。 - 特許庁

Measuring of the thickness of the surface deterioration layer is performed, by etching the torn surface of the resist mask by an isoamyl acetate, after making a non-exposed resist with a surface deterioration layer as a convex part, and making a derotate section conspicuous as a recess, the thickness of the convex part of the section is measured by SEM.例文帳に追加

表面変質層の膜厚の測定は、レジストマスクの破断面を酢酸イソアミルでエッチングし、表面変質層を凸部、未露光レジストを凹部として断面に顕彰化させた後、ＳＥＭで断面の凸部の厚さを測定する。 - 特許庁

In the review SEM (defect observation apparatus), the importance degree of images or the like is judged from information such as the classified result of a picked-up defect image, a defect feature amount calculated from the image and the imaging state of the image, and is added to each image as incidental information.例文帳に追加

レビューＳＥＭにおいて、撮像した欠陥画像の分類結果、画像から算出された欠陥特徴量、画像の撮像状態などの情報から画像の重要度等を判定し、各画像に付帯情報として付加する。 - 特許庁

In this nickel powder, the average particle size measured by SEM observation is 1μm or less, particle density is 8.0 g/cm3 or more, and the diameter of crystallite in the particles is 550 Å or less, and the electrically conductive paste for a laminated ceramic capacitor contains the nickel powder.例文帳に追加

ＳＥＭ観察により測定した平均粒子径が１μｍ以下、粒子密度が８．０ｇ／ｃｍ^3 以上、粒子内の結晶子径が５５０Å以下であるニッケル粉、及び該ニッケル粉を含有する積層セラミックコンデンサ用導電ペースト。 - 特許庁

The spherical titanium oxide fine particle is obtained by the vapor phase reaction of titanium tetrachloride and has D1/D2 of 1.0-1.25 when the average particle diameter measured by SEM photography is expressed by D1 and the average particle diameter determined by BET specific surface area is expressed by D2.例文帳に追加

本発明に係る球状酸化チタン微粒子は、四塩化チタンの気相反応で得られ、ＳＥＭ写真より測定した平均粒径をＤ_1 、ＢＥＴ比表面積より求めた平均粒径をＤ_2 としたときのＤ_1 ／Ｄ_2 が１．０〜１．２５である。 - 特許庁

A correlative relationship between the dimension CDs at the height of h1 between adjacent resist patterns 102 measured by a length measurement SEM and the dimension CDd at the height of h2 between resist patterns 102 obtained from a cross-sectional image of the resist pattern 102 is preliminarily obtained.例文帳に追加

測長ＳＥＭを用いて測定された隣接するレジストパターン１０２間の高さｈ１での寸法ＣＤｓと、レジストパターン１０２の断面画像から求められたレジストパターン１０２間の高さｈ２での寸法ＣＤｄとの相関関係を予め取得する。 - 特許庁

To obtain a defective image even when a defect is present under an optically transparent film, in the case where the defect is observed by using an SEM based on defect position data outputted from a defect inspection device by an optical means.例文帳に追加

光学的手段による欠陥検査装置により出力された欠陥位置データに基づいてＳＥＭを用いて該欠陥を観察する場合において、該欠陥が光学的に透明な膜の下に存在する場合でも、欠陥画像の取得を行えるようにする。 - 特許庁

The positions of the appearance inferiority places output from the visual inspection devices are stored as the absolute coordinates in an SEM type review device and, even if a process is different, the automatic imaging of the absolute coordinates indicated by a user is executed to facilitate execution of the process trace.例文帳に追加

外観検査装置から出力される外観不良箇所の位置を、ＳＥＭ式レビュー装置内の絶対座標として記憶し、工程が異なっても、ユーザーが指示した絶対座標の自動撮像を実施することによって工程トレースが容易に実施可能となる。 - 特許庁

To prevent measurement operation from stopping as a pattern image for image recognition fails to be displayed at the center of a device screen causing image recognition error to occur, when measuring the size of a size measurement pattern formed on a semiconductor substrate by using a length measuring SEM.例文帳に追加

半導体基板上に形成された寸法測定パターンの寸法を測長ＳＥＭを用いて測定する際、画像認識しようとするパターン画像が装置画面中央に表示されず、画像認識エラーが発生し、測定動作が停止することを防止する。 - 特許庁

In reviewing the defects, by irradiating the primary electron beam on the testpiece in such a state that the deflection amount of the electrostatic deflector 12 is reduced than the detection time of defects, and by forming the secondary electron microscopic picture of the defect candidate of the testpiece 19, the three-dimensional SEM image is obtained.例文帳に追加

欠陥レビュー時には、静電偏向器１２の偏向量を欠陥検出時より低下させた状態で１次電子線を試料に照射して試料１９の欠陥欠陥候補の２次電子画像を形成することにより立体的なＳＥＭ像が得られる。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which can be suitably used for microphotofabrication using far-UV rays, and particularly ArF excimer laser light and which causes little roughening of the surface during etching and shows preferable edge roughness and little shrinkage during observation by an SEM.例文帳に追加

遠紫外光、特にＡｒＦエキシマレーザー光を使用したミクロフォトファブリケーションに於いて好適に使用することができ、エッチング時の表面荒れが少なく、エッジラフネスが良好で、ＳＥＭ観察時シュリンクが小さいポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

On the basis of an examination result, beam irradiating conditions (for example, beam scanning position, scanning steps, and beam size) are determined, with suppression or the like of a charge-up taken into consideration, and inspection using the SIM or the SEM is carried out by using the determined beam irradiating conditions.例文帳に追加

次いで、この調べた結果をもとに、必要な解像度、チャージアップの抑制等を考慮してビーム照射条件（例えば、ビーム走査位置、走査ステップ、ビームサイズ）を決定し、この決定したビーム照射条件を用いてＳＩＭまたはＳＥＭを用いた検査を行なう。 - 特許庁

Hereby, the sample 10 for analysis suitable for analyzing the surface state and the state of a plane parallel to the surface by using a SEM or a TEM can be formed easily and highly accurately without fouling the surface of an analysis object film pattern 14.例文帳に追加

これにより解析対象膜パターン１４の表面を汚すことなく、ＳＥＭやＴＥＭなどを用いた表面状態および表面と平行な面内における状態の解析に好適な解析用試料１０を、高精度かつ容易に形成することができる。 - 特許庁

The shared key encapsulation means (SEM) comprises a key bit length parameter, an encryption algorithm which generates a common session key and an encrypted common session key, and a decryption algorithm which decrypts the encrypted common session key to the common session key.例文帳に追加

共有鍵遮蔽手段（ＳＥＭ）は、鍵ビット長パラメータ部、共通セッション鍵と暗号化された共通セッション鍵を生成する暗号化アルゴリズム部、および暗号化された共通セッション鍵を共通セッション鍵に復号する復号アルゴリズム部から構成される。 - 特許庁

To realize sure information transmission and easy handling, in an analyzer including SEM and TEM devices which is used in off-line inspection separated from a semiconductor fabrication line and for which transmission of information and a reasonable handling means become problematic.例文帳に追加

半導体製造ラインから外れたオフライン検査となり、情報の伝達や合理的な取り扱い手段が問題となっているＳＥＭ，ＴＥＭ装置を含む分析装置において、確実な情報伝達，容易な取り扱いを実現することを目的とする。 - 特許庁

To provide a stereoscopic shape measuring method by a scanning electron microscope (SEM) and its device capable of highly-accurate stereoscopic shape measurement even in the case of a flat surface or a nearly vertical surface, by utilizing tilt angle dependency of a secondary electron image signal quantity.例文帳に追加

ＳＥＭの２次電子画像信号量の傾斜角依存性を利用して平坦な面や垂直に近い面についても高精度な立体形状計測を可能にしたＳＥＭによる立体形状計測方法およびその装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide an inspection system by which investigation or the like of the causes of defects of a semiconductor sample can be easily performed by making the work for observing defects detected by a SEM (scanning electron microscope)-aided appearance inspection apparatus is surely performable with the use of a review apparatus with high definition.例文帳に追加

ＳＥＭ式外観検査装置で検出した欠陥をレビュー装置で高分解能観察する作業を容易、且つ確実に行えるようにし、半導体試料の欠陥に対する原因究明等が容易に行える検査システムを提供する。 - 特許庁

To provide an SEM type inspection device improved in image quality and defect detection sensitivity by reducing pixel displacement when a two-dimensional image is formed by displacement of an electron beam irradiation position by deflection circuit noise generated in a constituent element of a beam deflection control circuit.例文帳に追加

ビーム偏向制御回路の構成素子で発生する偏向回路雑音による電子ビーム照射位置のずれによる二次元画像化したときの画素ずれを低減して画質及び欠陥検出感度を向上させたＳＥＭ式検査装置を提供することにある。 - 特許庁

The complex device including the FIB lens barrel and the SEM lens barrel has a slit formed into a shape to be worked at an aperture for the FIB, whereby ion beam work is performed by transferring a pattern to a sample surface instead of running a converged ion beam thereon.例文帳に追加

本発明はＦＩＢ鏡筒と、ＳＥＭ鏡筒を備えた複合装置において、ＦＩＢ用のアパーチャに加工形状のスリットを備えることにより、集束したイオンビームの走査ではなく試料面にパターンを転写することによりイオンビーム加工するようにした。 - 特許庁

The copper oxide powder has a columnar form of primary particles, averages of SEM particle size of the primary particles represented by a minor axis size of 1-50 nm and a major axis size of 10-100 nm, and an aspect ratio of ≥1.5.例文帳に追加

１次粒子の形状が柱状であり、当該１次粒子のＳＥＭ粒子径の平均値が、短軸は１ｎｍ以上、５０ｎｍ以下、長軸は、１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下であり、且つ、アスペクト比が１．５以上であることを特徴とする酸化銅粉末である。 - 特許庁

A height measurement function using a laser beam is provided by using a part of components of an optical microscope equipped in the electron beam analyzer, and consequently, the unevenness image of the sample surface can be simultaneously measured in the same visual field as the EPMA analysis image and the SEM observation image.例文帳に追加

レーザーを用いた高さ測定機能を、電子線分析装置が備える光学顕微鏡の構成要素の一部を兼用することによって設け、これによって、試料面の凹凸像をＥＰＭＡ分析像やＳＥＭ観察像と同一視野で同時測定を可能とする。 - 特許庁

The wiping cloth is wiping cloth including filament yarns of polyamide fibers of 0.1 o 3.0 dTex in single fiber fineness and 0.01 to 2.0 dTex in single fiber fineness and has projecting parts on the single fiber surfaces of the polyester fibers in SEM photographic observation of 2,000 magnification.例文帳に追加

単繊維繊度が０．１〜３．０ｄＴｅｘのポリアミド系繊維と、単繊維繊度が０．０１〜２．０ｄＴｅｘのポリエステル系繊維のフィラメント糸条を含む布帛であって、２０００倍のＳＥＭ写真観察において、ポリエステル繊維の単繊維表面に凸部を有することを特徴とする拭取布帛。 - 特許庁

To provide a method for measuring a pattern dimension of a photomask and a photomask in which prediction of mask transfer characteristics and adjustment in OPC can be accurately performed and practically high reliability is achieved by correcting a mask pattern measurement value by an SEM into a value suited to actual mask pattern transfer.例文帳に追加

ＳＥＭによるマスクパターン計測値を実際のマスクパターン転写に適応した値に補正することで、マスク転写特性の予想やＯＰＣの調整を正確に行い、実用的に信頼性が高いフォトマスクのパターン寸法測定方法およびフォトマスクを提供する。 - 特許庁

To provide an image data analysis device with which image processing conditions (threshold value or the like) enabling desired pattern edges with good reproductivity can be easily obtained by using image data obtained by using a scanning type microscope (CD-SEM) even if the patterns change structures in a height direction.例文帳に追加

高さ方向で構造が変化するようなパターンであっても、走査型顕微鏡（ＣＤ−ＳＥＭ）を用いて取得した画像データを用いて所望のパターンエッジが再現性よく決定できる画像処理条件（閾値等）を、簡便に得ることのできる画像データ解析装置を提供する。 - 特許庁

When information of the scanning set 101 is defined, a scanning control part of the SEM type visual inspection device carries out a scanning control to perform scanning of the scanning lines for the number of scanning lines "4" for every distance between the scanning lines "2" from the scanning line of a reference position address, based on the information of that scanning set 101.例文帳に追加

走査セット１０１の情報が定められると、ＳＥＭ式外観検査装置の走査制御部は、その走査セット１０１の情報に基づき、基準位置アドレスの走査ラインから走査ライン間距離「２」ごとに走査ライン数「４」本の走査ラインの走査を行う走査制御を行う。 - 特許庁

To enter into consideration of an influence of pattern density/position near a pattern to be measured, in a process of estimating a cross-sectional shape of the pattern by matching a SEM signal waveform of the pattern, with a library correlating a cross-sectional shape calculated by a simulation and a signal waveform.例文帳に追加

計測対象パターンのＳＥＭ信号波形と，シミュレーションにて算出した断面形状と信号波形を関連づけるライブラリとのマッチングにより計測対象パターン断面形状を推定する手法において、対象パターンの近傍のパターン密度／配置の影響が考慮されるようにする。 - 特許庁

An observation area of the surface of a sample is scanned by irradiating an electronic beam, an image (SEM image) is acquired based on a detection signal of a secondary electron by a detector 99a arranged at a diagonal upper part of the observation area, and length L of a shadow of a pattern 82 which appears on the image is detected.例文帳に追加

試料表面の観察領域を電子ビームを照射で走査し、観察領域の斜め上方に配置された検出器９９ａによる二次電子の検出信号に基づいて画像（ＳＥＭ画像）を取得し、その画像に現れるパターン８２の影の長さＬを検出する。 - 特許庁

To provide a method for displaying error factor extraction and a system for displaying the same, wherein ranking recipes which are to be corrected because the recipes are factors of a measurement error of a length measuring SEM and apply a load to the operation of a device at a maximum and detecting the sequence of the measurement error, can be visually decided.例文帳に追加

測長ＳＥＭの測定エラーの要因で、装置の稼動状況に最も負荷を与えている修正すべきレシピの順位付けと測定エラーのシーケンス検知を容易に視覚的に判断できるエラー要因抽出の表示方法及びその表示システムを提供することにある。 - 特許庁

To provide a reference sample for element mapping of a transmission electron microscope, capable of being used for compensating results of SEM, EDS and EELS mappings of a multilayer nano thin film and capable of optimizing mapping conditions, and to provide an element mapping method for the transmission electron microscope using the reference sample.例文帳に追加

多層ナノ薄膜のＳＥＭ ＥＤＳ、ＥＥＬＳマッピング結果を補正するのに利用可能で、マッピング条件を最適化させることができる、透過電子顕微鏡の元素マッピング用の標準試料およびそれを利用した透過電子顕微鏡の元素マッピング法を提供する。 - 特許庁