「Sem」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The maximum dimensions Lx, Ly of a sample surface and a region where two visual fields on a photograph overlap on each other are input, and an SEM observation start point coordinate point at a magnification M is specified.例文帳に追加

試料表面の最大寸法Ｌ_x，Ｌ_y及び写真上における２視野の重なり合う範囲を入力し、倍率ＭにおけるＳＥＭ観察始点座標点を指定する。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition giving a resist pattern with a suppressed change in line width when observed with a scanning electron microscope(SEM) in the production of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、得られたレジストパターンを走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したときに、線幅の変動が軽減したポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive resist composition capable of providing a resist which improves shrinkage of a pattern in observation with SEM (scanning electron microscope) while retaining excellent dry etching resistance and does not require removal of metal.例文帳に追加

優れたドライエッチング耐性を維持したまま、ＳＥＭ観察時にパターンの縮みが改良され、、金属を除去する必要がないレジストを提供し得るポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To form a section on a desired position of a semiconductor device having a fine structure without impairing the original section shape, and to enable section analysis by a SEM, a TEM or the like.例文帳に追加

本来の断面形状を損なうことなく、微細構造を有する半導体装置の所望位置に断面を形成し、ＳＥＭあるいはＴＥＭ等による断面解析を可能とする。 - 特許庁

To provide a mass analysis method allowing highly sensitive analysis, in SEM, of a fine organic foreign body whose size is on the order of micrometers, the body possibly causing a defect in a device and the like.例文帳に追加

デバイス等の不良原因となる数μｍ程度の有機微小異物をＳＥＭ中で高感度に分析できる質量分析手法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the shape evaluation device of the semiconductor pattern that uses a length-measuring SEM, the coordinates system between various kinds of data is allowed to correspond, in order to collectively control various kinds of data stored in a database 301 and a part of or all of various kinds of the data are selected arbitrarily, and the selected data is utilized to form the photographing recipe for observing the semiconductor pattern in the length measuring SEM.例文帳に追加

測長ＳＥＭを用いた半導体パターンの形状評価装置において、データベース３０１に記憶された多種データを一括管理するために、多種データ間の座標系を対応付けし、多種データの一部あるいは全てを任意に選択し、選択されたデータを利用して測長ＳＥＭにおいて半導体パターンを観察するための撮像レシピを生成する。 - 特許庁

A method of matching a CD-SEM is disclosed to secure the consistent measured results over the whole installation base of a SEM, and the feature sizes of the features in a resist are measured in at least two points on the substrate to restrain efficiently fluctuation in the every field, and nonuniformity in a reticle and an exposure tool, in a matching result.例文帳に追加

ＳＥＭの据付基部全体にわたる一貫した測定結果を保証するためにＣＤ−ＳＥＭをマッチする方法が開示され、フィールドごとの変動並びにレチクル及び露光ツールの非画一性がマッチング結果において効率よく抑制されるように、基板上の少なくとも２つの位置でレジストのフィーチャのフィーチャ・サイズを複数の走査電子顕微鏡のそれぞれを用いて測定する。 - 特許庁

A device characteristic parameter of each length measurement SEM is measured beforehand, a cross-sectional shape of a dimension measurement object is estimated in an MBL (model base library matching) system, a signal waveform is generated and dimension measurement is performed by SEM simulation with the estimated cross-sectional shape and the device characteristic parameter as input, and the difference of dimension measurement results is registered as the machine difference.例文帳に追加

予め，各測長ＳＥＭの装置特性パラメタを計測しておき，ＭＢＬ（モデル・ベース・ライブラリマッチング）システムにて寸法計対象の断面形状を推定し，前記推定した断面形状と前記装置特性パラメタを入力としてＳＥＭシミュレーションにより信号波形を生成して寸法計測を行って，寸法計測結果の差を機差として登録しておく。 - 特許庁

An SEM control means 41 of a scanning electron microscope device body 10 is set at a maintenance mode via a computer 50 processing an operation function about an observation operation processed with a normal SEM control means 41, or an output function about an observation operation via a data telecommunication line 80 from a maintenance computer 60 of a development base, a service center or the like of the manufacturer.例文帳に追加

メーカの開発拠点・サービスセンタのメンテナンスコンピュータ６０から、データ通信回線８０を介して、通常のＳＥＭ制御手段４１との間で実行する観察作業に関わる操作機能や観察作業に関わる出力機能を実行するコンピュータ５０を経由して、走査電子顕微鏡装置本体１０のＳＥＭ制御手段４１をメンテナンスモードに設定する。 - 特許庁

To provide a sample cross section manufacturing method capable of efficiently detecting a center position of a defective part or a contact hole by an FIB device without having an SEM observation function.例文帳に追加

ＳＥＭ観察機能を備えないＦＩＢ装置でも、欠陥部分やコンタクトホールの中心位置を検出することが効率よく、実行できる試料断面作製方法を提供するものである。 - 特許庁

Since an optimum signal can be obtained accordance to the attitude or the shape of the sample, high-accuracy sample observation, such as SEM observation, STEM observation, and FIB observation becomes possible.例文帳に追加

本発明により、試料の姿勢や形状に応じた最適な検出信号を得ることができるため、高精度な試料観察、例えば、ＳＥＭ観察，ＳＴＥＭ観察、及びＦＩＢ観察が可能となる。 - 特許庁

To realize a focusing method for adjusting the focus of charged particles on a sample based on a video signal obtained by sweeping the charged particles on the sample in an SEM or an EB(electron beam) tester.例文帳に追加

ＳＥＭ又はＥＢテスタにおいて、荷電粒子を試料上で掃引した結果得られるビデオ信号に基づき、荷電粒子の試料に対する焦点を調整する合焦制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a mold for optical imprint which can be observed with an SEM (Scanning Electron Microscope), can be inspected with high throughput, and can form high-definition pattern, and to provide an optical imprint method using the same.例文帳に追加

ＳＥＭ観察が可能であり高スループットで検査を行うことができ、かつ、高精細なパターン形成が可能な光インプリント用のモールドと、これを用いた光インプリント方法を提供する。 - 特許庁

The slanted face 105 is formed by using an FIB so that electron beam from the SEM 107 may not be cut off when the observation face 106 at the opposed position to the surface of the chip 101 is observed.例文帳に追加

斜面１０５を、チップ１０１の表面に対向する位置にある観察面１０６の観察を行なう場合にＳＥＭ１０７からの電子線を遮らぬようＦＩＢを用いて形成する。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for separating noise and a pattern included in a SEM image with high precision by using design data and a photographed image of a semiconductor device in semiconductor inspection.例文帳に追加

半導体検査において、設計データと撮影した半導体デバイスの画像を利用して、ＳＥＭ画像に含まれたノイズとパターンを精度よく分離する方法及び装置を提供することにある。 - 特許庁

At defect detection through the use of a defect review SEM, an XY coordinate system is set in the overall surface (except curved faces) of a product wafer 20 to generally inspect the surface of the product wafer 20.例文帳に追加

欠陥レビューＳＥＭを用いた欠陥検出に際し、製品ウェーハ２０の全面（Ｒ端面を除く。）にＸＹ座標系を設定し、製品ウェーハ２０表面を全体的に検査できるようにする。 - 特許庁

To provide a negative resist composition which retains solubility in an alkali developer while improving dry etching resistance and resistance to an electron beam from a scanning electron microscope (SEM).例文帳に追加

ドライエッチング耐性および走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）による電子線への耐性を向上させるとともにアルカリ現像液に対する溶解性を維持したネガ型レジスト組成物を提供することを課題とする。 - 特許庁

The cyclohexene adsorbing agent composed of the β zeolite having 550-650 m^2/g BET surface area and 0.2-0.3 μm SEM average particle size exhibits more excellent adsorptivity to the cyclohexene.例文帳に追加

その中でも、ＢＥＴ表面積が５５０〜６５０ｍ^２／ｇ、ＳＥＭ平均粒子径が０．２〜０．３μｍであるβ型ゼオライトからなるシクロヘキセン吸着剤は更に優れたシクロヘキセン吸着性能を示す。 - 特許庁

To elongate life of and improve electrooptic performance of a thermionic cathode for a device using electron beams such as a lithography device, a scanning electron microscope (SEM), and a transmission electron microscope (TEM).例文帳に追加

リソグラフィ装置、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）などの電子ビーム利用装置のための熱陰極の寿命を延ばすとともに電子光学的性能を改善する。 - 特許庁

The boron nitride coated spherical borate particle is borate particle coated with hexagonal boron nitride and has a sphericity (ψw) of ≥0.70 measured from the SEM photography.例文帳に追加

六方晶窒化ホウ素で被覆されたホウ酸塩粒子であって、そのＳＥＭ写真から測定された球形度（Ψｗ）が０．７０以上であることを特徴とする窒化ホウ素被覆球状ホウ酸塩粒子。 - 特許庁

In another embodiment, simultaneous or alternative operations of the FIB and the SEM can be achieved by a positively biased electrostatic final lens with focusing of both beams by using the same voltages.例文帳に追加

別の実施形態においては、正にバイアスされた静電最終レンズが、同じ電圧を用いて両ビームを集束することによって、ＦＩＢ及びＳＥＭの同時又は交互稼動を可能とする。 - 特許庁

To provide an apparatus for preventing an image distortion indicating a width and a dimension of a gap of a circuit formed by an SEM (scanning electron microscope) under the influence of an external electromagnetic radiation emitted from an adjacent manufacturing apparatus.例文帳に追加

隣接する製造装置から放出された外部電磁放射の影響下でＳＥＭにより形成された回路の幅及び間隔の寸法を示す画像の歪みを防止する装置を提供する。 - 特許庁

After washing a diameter D' of a surface of the hole 12 is measured by using a versatile measuring SEM, and a polished amount ΔT' of the insulation film 11 in a region of the tungsten plug 14 is calculated from the measurement value.例文帳に追加

洗浄後、汎用の測長ＳＥＭなどを用いて、ホール１２表面の直径Ｄ’を測定し、その測定値からタングステンプラグ１４領域における絶縁膜１１の研磨量ΔＴ’を算出する。 - 特許庁

Since polishing and cross-sectional observation by the SEM can be conducted without removing the sample 11 from the observing block 2, cross-sectional observation can be conducted free of inclinations of the observing surfaces even for a plurality of observing surfaces.例文帳に追加

試料１１を観察用ブロック２から外すことなく研磨とＳＥＭによる断面観察が行えるので、観察面が複数ある場合においても観察面が傾くことなく断面観察が行うことが出来る。 - 特許庁

To provide a positive resist composition superior in resolution, mask linearity, scum, film thinning and SEM shrink by coping with exposure of a far ultraviolet region making a light source of ArF or KrF in manufacture of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、ＡｒＦやＫｒＦを光源とする遠紫外線領域の露光に対応し得、解像力、マスクリニアリティー、スカム、膜べり、ＳＥＭシュリンクに優れたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

The magnesium titanate powder preferably has ≥0.1 and ≤10 μm primary particle diameter according to a scanning type electron micrograph(SEM) photograph and ≥0.1 and ≤10 m2/g BET specific surface area.例文帳に追加

（２）チタン酸マグネシウム粉末が、ＳＥＭ写真による一次粒径が０．１μｍ以上１０μｍ以下であり、ＢＥＴ比表面積が０．１ｍ^2／ｇ以上１０ｍ^2／ｇ以下である上記（１）記載のガラスペースト配合用フィラー。 - 特許庁

To provide a minute pattern measuring method which precisely measures trails of the bottom part of a minute structure pattern by using a CD-SEM; and to provide a minute pattern measuring device.例文帳に追加

微細構造体パターンのボトム部の裾引きをＣＤ−ＳＥＭを用いて、微細構造体パターンのボトム部の裾引きを精度良く測定することができる微細パターン測定方法及び微細パターン測定装置を提供すること。 - 特許庁

Thus, according to the direction of the wafer to the transferred reticle of the measurement mark, the pictures of the first and second transferred images of a measurement mark, which are formed on the wafer respectively, are acquired by SEM respectively.例文帳に追加

このようにして、計測用マークの転写時のレチクルに対するウエハの向きに応じて、ウエハ上にそれぞれ形成された計測用マークの第１、第２の転写像の画像が、ＳＥＭによりそれぞれ取り込まれる。 - 特許庁

To automatically image a desired evaluation point (EP) on a sample, and automatically measure a circuit pattern formed at the evaluation points, in the dimension measurement of a circuit pattern using a scanning electron microscope (SEM).例文帳に追加

走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いた回路パターンの寸法計測において、試料上の任意の評価ポイント（ＥＰ）を自動で撮像し，評価ポイントに形成された回路パターンを自動で計測することを可能にする。 - 特許庁

To improve the efficiency of the management (deletion, retrieval and display, etc.) of image data while defect image data gathered every day in a semiconductor mass production line become extensive by the throughput improvement of a review SEM (defect observation apparatus).例文帳に追加

レビューＳＥＭのスループット向上により、半導体量産ラインにおいて日々収集される欠陥画像データが大量になってきており、それらの画像データの管理（削除、検索、表示等）の効率化が望まれている． - 特許庁

To provide a method for evaluating feature values such as the area, width, and height of the whole part or specific part of an SEM image(scanning electron microscope image) to be inspected without generating the fluctuation of evaluation.例文帳に追加

検査対象のＳＥＭ像（電子顕微鏡画像）に基づいて、その全体または特定部分の面積や幅、高さなどの特徴量を評価する評価方法で、評価にバラツキが発生しない方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a device for devising marketing technique utilizing RSS feed of a Web site inductive form from mass media advertisement different from technique of SEM (search engine marketing) and measuring the advertisement in real time.例文帳に追加

ＳＥＭ（サーチエンジン・マーケティング）の手法と異なる、マスメディア広告からＷｅｂサイト誘導型のＲＳＳフィードを活用したマーケティング手法を考案し、その広告の測定をリアルタイムに行う方法と装置を提供する。 - 特許庁

To provide a charged particle source for a focused particle beam system such as a transmission electron microscope (TEM), scanning transmission electron microscope (STEM), scanning electron microscope (SEM), or focused ion beam (FIB) system.例文帳に追加

透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）、走査透過型電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）、集束イオン・ビーム（ＦＩＢ）システムなどの集束粒子ビーム・システム用の荷電粒子源を提供すること。 - 特許庁

The size of the width 25 of an image of a side face of the most upper layer of a pattern which should appear on an SEM image (d) when a wafer 3 is tilted can be calculated from an actual thickness of the most upper layer of the pattern and a tilting angle of the wafer 3.例文帳に追加

ウェーハ３傾斜時のＳＥＭ像（ｄ）に現れるべきパターン最上層側面の像の幅２５の大きさは、パターン最上層の実際の厚さとウェーハ３の傾斜角度から算出可能である。 - 特許庁

In the cryptography, the shared key encapsulation means (SEM) is combined with the conventional KEM-DEM produced by combining the key encapsulation means (KEM) and data encapsulation means (DEM) of the indistinguishability against chosen ciphertext attacks (IND-CCA) safety.例文帳に追加

本発明では、選択暗号文攻撃安全（IND-CCA）の鍵カプセル化手段（ＫＥＭ）とデータカプセル化手段（ＤＥＭ）とを組み合せた、従来のＫＥＭ−ＤＥＭ暗号方式に、共有鍵遮蔽手段（ＳＥＭ）を組み合せる。 - 特許庁

When the substrate is mounted on a stage of the length measuring SEM 10 so as to be positioned, the detection visual fields 21 capture any of the patterns 30 for dense line evaluation even when they are deviated within the stage positioning accuracy.例文帳に追加

この基板を測長ＳＥＭ１０のステージに搭載し、位置決めすれば、ステージの位置決め精度の範囲内でずれたとしても、検出視野２１は、この密集線評価用パターン３０のいずれかを捉えることになる。 - 特許庁

To provide a method for preparing a sample reduced in its surface unevenness in preparing a cross-sectional sample for use in observing TEM or SEM by an ion beam etching method, and to provide a sample preparing apparatus.例文帳に追加

本発明は、ＴＥＭやＳＥＭ等の観察に用いる断面試料をイオンビームエッチング法により作製するに当たり、試料表面の凹凸の少ない試料を作製する方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To accurately find the cell pattern of a specific standard cell parttern from among patterns, such as a regularly formed and arranged memory device and indicate it, when performing an SEM observation for purposes such as failure analysis.例文帳に追加

規則的に配列形成されたメモリデバイスなどのパターンの中の特定の基本セルパターンを、不良解析などの目的でＳＥＭ観察するとき、正確にそのセルパターンをとらえ、指示することができるようにする。 - 特許庁

A square pattern is formed by using lithography method, a standard value is given with a length measurement SEM of which the pattern pitch is calibrated with a standard value and uncertainty is added.例文帳に追加

上記課題を解決するために、リソグラフィー手法を用いて矩形状パターンを形成し、そのパターンピッチを標準マイクロスケールで校正した測長ＳＥＭで標準値を付与するとともに不確かさを付記した。 - 特許庁

The side surface of the columnar sample S is axisymmetrically excavated and the analysis of a component due to glow discharge emission analysis becomes possible and the side surface of the cleanly formed sample S can be observed by SEM or the like.例文帳に追加

円柱状の試料Ｓの側面が軸対称に掘削され、グロー放電発光分析による成分分析が可能となり、清浄に形成した試料Ｓの側面をＳＥＭ等で観察することも可能となる。 - 特許庁

A probe, means for replacing the inside of a sample chamber with prescribed gas and means for turning into images by ion current detection or absorbed current detection are incorporated to realize a safe SEM (scanning electron microscope) whose risk of electrical discharge is low.例文帳に追加

探針と、試料室内を所定のガスで置換する手段と、イオン電流検出や吸収電流検出による画像化手段を備えることにより、放電の危険性の低い安全なＳＥＭを実現する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which is superior in resolution, mask linearity, and has little scum, or film thinning and SEM shrinkage, by coping with the exposure to a far-ultraviolet region making a light source of ArF or KrF in manufacture of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、ＡｒＦやＫｒＦを光源とする遠紫外線領域の露光に対応し得、解像力、マスクリニアリティー、スカム、膜べり、ＳＥＭシュリンクに優れたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide an SEM system for length measurement capable of high-accuracy and precise OPC (optical proximity correction) evaluation which is important from now on with advancement in a finer semiconductor design pattern, and to provide an evaluation system for a circuit pattern feature and a method therefor.例文帳に追加

半導体設計パターンの微細化に伴い今後重要となる高精度かつ詳細なＯＰＣ評価が可能とした測長ＳＥＭシステム並びに回路パターン形状の評価システム及びその方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a scanning electron microscope apparatus which enables to get always a high accuracy SEM image and line width measurement value without giving damage or the like to an object of measurement (observation) even under a high magnification, and a method of a length measurement with the microscope apparatus.例文帳に追加

高倍率下においても測定（観察）対象物にダメージ等を与えず、常に高精度なＳＥＭイメージと線幅測定値とを得ることができる走査型電子顕微鏡装置と該装置による測長方法を提供する。 - 特許庁

The highly oriented graphite layered sheet is obtained from a polyimide film having ≤20 ppm/°C coefficient of linear expansion in the range of 20-200°C, has a graphite layered structure by cross-section observation with a SEM and has 1-50 μm thickness.例文帳に追加

２０〜２００℃における線膨張係数が２０ｐｐｍ／℃以下であるポリイミドフィルムから得られ、ＳＥＭによる断面観察によってグラファイト層状構造を有し、厚みが１〜５０μｍである高配向グラファイト層状シ−ト物。 - 特許庁