「W-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

Thereafter, in the state that descending of the round rod W can be stopped by the work receiving support part 24, fixing of the round rod W by the upper movable jaw 14b is released.例文帳に追加

その後、ワーク受け支持部２４により丸棒Ｗの下降を停止可能にした状態で、上可動ジョー１４ｂによる丸棒Ｗの固定を解除させる。 - 特許庁

Cut lines are provided in advance on a second optical film having a width corresponding to the long side of the optical display unit W to divide the second optical film into a length corresponding to the short side of the optical display unit W.例文帳に追加

Ｗの長辺に対応する幅の第２光学フィルムに、Ｗの短辺に対応する長さにを分割するための切り込み線を予め設ける。 - 特許庁

The heating line 8 is formed in thin plate shape so that the ratio (H/W) of the width H to the thickness W of the cross section S is 1.5-100, preferably 2.5-25.例文帳に追加

加熱線８は、断面Ｓの厚みＷに対する幅Ｈの比（Ｈ／Ｗ）が１．５〜１００になるように、好ましくは２．５〜２５になるような、薄板状に形成されている。 - 特許庁

By controlling a band W of a reception filter in response to a transmission frequency at transmission, the transmission frequency and the frequency of the band W of the reception filter are always deviated.例文帳に追加

送信時、送信周波数に応じて受信フィルタの帯域Ｗを制御して送信周波数と受信フィルタの帯域Ｗが常にずれるようにする。 - 特許庁

The ratio (b/a) of the distance (b) from the internal wall of the pipe 1 to the end section of each substrate W to the arranging pitch (a) of the substrate W in the holder 2 is adjusted to ≥5.例文帳に追加

保持具２における基板Ｗの配列ピッチａと，反応管１の内壁から基板Ｗの端部までの距離ｂと，の比ｂ／ａを５以上とする。 - 特許庁

To provide a W/O/W type complex emulsion that maintains excellent properties for a long time, especially restoration behavior in characteristics at defreezing and feel at use, and is useful for medical applications cosmetic preparations, etc.例文帳に追加

長期安定性、特に凍結復元性及び使用感に優れ医薬用や化粧料製剤等として有用なＷ/Ｏ/Ｗ型複合エマルションを提供する。 - 特許庁

A first driving device 31 for turning the movable support member 24 with the work W and putting-in the work W is arranged at an entrance 15a side of the treatment tank 15.例文帳に追加

処理槽１５の入槽部１５ａ側に、可動支持部材２４をワークＷごと回動させてワークＷを入槽させる第１駆動装置３１を配設する。 - 特許庁

As a result, even among the centers of wafers W, the etchant starts to flow and temperature distribution of etchant in the entire part of the gaps among the adjacent wafers W is uniformized.例文帳に追加

結果、ウェーハＷの中心部間でもエッチャントが流れるようになり、隣接するウェーハＷ間の隙間全域でのエッチャントの温度分布が均一化する。 - 特許庁

A water repelling agent 106 is supplied to the surface of the semiconductor substrate W in order to form a water repellent protective film on the surface of a projection pattern formed on the semiconductor substrate W.例文帳に追加

半導体基板Ｗに形成された凸形状パターンの表面に撥水性保護膜を形成するために、基板表面に撥水化剤１０６を供給する。 - 特許庁

Thresholds 1 or 2 for accurately detecting the work W from light shielding signals with different waveforms in accordance with the quality of the work W is set while visually confirming a display part.例文帳に追加

ワークＷの品種によって波形が異なる遮光信号からワークＷを的確に検出するための閾値１又は２を表示部で視認しながら設定する。 - 特許庁

A supporting tool 31 and a masking tool 32 to hold the work W while covering a space between the index table 22 and the work W are respectively provided in the circular holes 33.例文帳に追加

これらの円形穴３３内に、インデックステーブル２２とワークＷとの間を閉塞しながらワークＷを保持する受治具３１およびマスキング治具３２をそれぞれ設ける。 - 特許庁

In order to compensate low oxidation resistance of W having excellent spark wear resistance by Cr, the alloy containing W and Cr has excellent spark wear resistance.例文帳に追加

耐火花消耗性に優れるＷの耐酸化性の低さをＣｒで補うため、ＷとＣｒとを含む合金は、耐酸化性、耐火花消耗性に優れている。 - 特許庁

A reversely conductive (P-type) P+W layer 4 is formed the surface of an n-type epitaxial layer 2, and the DMOS transistor 70 is formed in the (P+W) layer 4.例文帳に追加

Ｎ型のエピタキシャル層２の表面に逆導電型（Ｐ型）のＰ＋Ｗ層４を形成し、当該Ｐ＋Ｗ層４内にＤＭＯＳトランジスタ７０を形成する。 - 特許庁

The entire substrate W is in a levitated state and then transferred by a substrate transfer chuck 8 for retaining and moving on the levitation transfer path the levitated substrate W.例文帳に追加

基板Ｗは全面が浮上状態となり、浮上した基板Ｗを保持して浮上搬送路上を移動せしめる基板搬送チャック８により搬送される。 - 特許庁

The lower end part of a cylinder 5 is taken as an abut stopper freely abutting on the work W, and the permanent magnet 9 sucking the work W is provided at the lower end part of a piston 7 in the cylinder 5.例文帳に追加

シリンダ５の下端部を、ワークＷに当接自在な当接ストッパとし、該ワークＷを吸着する永久磁石９を、シリンダ５内のピストン７下端部に設けた。 - 特許庁

Raw water of organic waste liquid W is sprinkled to the upper side than the liquid surface P of treatment liquid of the organic waste liquid W in a reaction tower 2 from a spray nozzle 7 of a sprinkler 4.例文帳に追加

反応塔２内の有機性廃液Ｗの処理液の液面Ｐよりも上方に有機性廃液Ｗの原水を散水装置４のスプレーノズル７から散水する。 - 特許庁

With the substrate W covered with liquid IPA as a displacement liquid held in the drying chamber 31, liquid carbon dioxide covers the surface of the substrate W.例文帳に追加

置換液であるＩＰＡ液で覆われた基板Ｗが乾燥処理チャンバ３１内に保持された状態で、液体二酸化炭素が基板Ｗの表面を覆う。 - 特許庁

Next, the laser displacement gauge 302 is made to scan at the surface of a work 41 in which the weld zone W is not exposed, so as to cross the confronted part V with the weld zone W.例文帳に追加

次に、溶接部Ｗが露出していないワーク４１の表面で、溶接部Ｗの対向部位Ｖを横断するようにレーザ変位計３０２を走査させる。 - 特許庁

Coating of the wafer W with resist by using the processing recipe not including irradiation by means of an LED 41 is performed previously, and the in-plane film thickness distribution of the wafer W is determined.例文帳に追加

そこで、予めＬＥＤ４１の照射を含まない処理レシピを用いてウエハＷにレジスト塗布処理を行い、このウエハＷの面内の膜厚分布を求める。 - 特許庁

Inside edges 32IN of the supplementary tread members 32 are disposed inside of the tire width direction W rather than the outermost edge 32OUT in the tire width direction W of a belt layer 30.例文帳に追加

補充トレッド部材３２の内側端３２ＩＮは、ベルト層３０のタイヤ幅方向Ｗの最外端３２ＯＵＴよりもタイヤ幅方向Ｗの内側に配置されている。 - 特許庁

When the corresponding data of the first and second measurement data sets are compared, although it is recognized that G(w) components are identical, F(w) components are different in the first and second measurement data sets.例文帳に追加

第１及び第２測定データ間の対応データを比較すると、Ｇ（ｗ）成分は第１及び第２測定データとも同じであるが、Ｆ（ｗ）成分は異なっている。 - 特許庁

Then in the first process, the wafer W is accelerated to rotate at a first rotation number and the resist liquid R is fed to the center part of the rotating wafer W.例文帳に追加

続いて第１の工程において、ウェハＷを第１の回転数まで加速回転させ、回転中のウェハＷの中心部へレジスト液Ｒを供給する。 - 特許庁

The retort 5 is rotatably supported and heats the material W to be heated by heat in the heating chamber 3 while moving the material W charged into the interior to be heated.例文帳に追加

レトルト５は回転可能に支持されており、内部に投入される被加熱物Ｗを移動させつつ加熱室３での熱によって被加熱物Ｗを加熱する。 - 特許庁

This repellent for ants and insecticides comprise a liquid composition obtained by dissolving 5-60% (w/w) of polystyrene such as styrene foam or the like in a peel oil of citrus fruit.例文帳に追加

柑橘類表皮油に発泡スチロール等のポリスチレンを５％−６０％（ｗ／ｗ）溶解した液体組成物を提供することによって解決する。 - 特許庁

And the rotating holder 10 that holds one end of the stent material W and rotation drives this is provided on the base stand 6 capable of movement in the longitudinal direction of the stent material W.例文帳に追加

そして、ステント材Ｗの一端を把持してこれを回転駆動させる回転把持具１０を架台６にステント材Ｗの長手方向に移動可能に設けた。 - 特許庁

In the resist coating processes, a resist liquid is delivered from a resist liquid supply nozzle 133 to the center of a spinning wafer W, where a resist film is formed subsequently on the wafer W.例文帳に追加

レジスト塗布処理時には，回転されたウェハＷの中心部にレジスト液供給ノズル１３３によりレジスト液が吐出され，ウェハＷ上にレジスト膜が形成される。 - 特許庁

After that, the holding section 7 descends to deliver the semiconductor wafer W to the supporting pins 70 carry it out from the chamber 6, and a new semiconductor wafer W is carried in.例文帳に追加

その後、保持部７が下降して半導体ウェハーＷが支持ピン７０に渡されてチャンバー６から搬出され、新たな半導体ウェハーＷが搬入される。 - 特許庁

The susceptor 10 that supports a semiconductor wafer W during vapor phase growth, in which a counterbore 11 where the semiconductor wafer W is arranged on the upper surface.例文帳に追加

気相成長の際に半導体基板Ｗを支持するサセプタ１０であり、上面には、内部に半導体基板Ｗが配置される座ぐり１１が形成されている。 - 特許庁

The rotary shaft is rotated thereafter together with the work W, and the work W is positioned in a prescribed position when the shaft 7 is stopped by the stopper 15.例文帳に追加

その後、回転軸７はワークＷと共に回転し、回転軸７がストッパ１５により停止したときに、ワークＷは所定の位置に位置決めされることになる。 - 特許庁

When chuck pins 2a, 2b, 2c are released, a substrate W is supported in an inclined posture by proximity pins 22a, 22b and 22c supporting the back of the substrate W at different heights.例文帳に追加

チャックピンａ，２ｂ，２ｃは、そのリリース状態においては、互いに異なる高さで基板Ｗの裏面を支持するプロキピン２２ａ，２２ｂ，２２ｃによって基板Ｗを傾斜姿勢で支持する。 - 特許庁

A drum formed by welding the edge parts in a steel sheet of maraging steel is cut to a prescribed width to form a ring W, the ring W is rolled, and the circumferential length thereof is corrected.例文帳に追加

マルエージング鋼の鋼板の端部同士を溶接して形成されたドラムを所定幅に裁断してリングＷを形成し、リングＷを圧延し、周長補正する。 - 特許庁

The plating liquid in parallel to the surface of the semiconductor substrate W is passed between the diaphragm 70 and the semiconductor substrate W by the plating pipes 73-1 to 6.例文帳に追加

めっき配管７３−１〜６によって隔壁７０と半導体基板Ｗとの間に半導体基板Ｗの表面と略平行方向のめっき液を通過させる。 - 特許庁

The stage 22 has a slit nozzle 2221 capable of injecting the inert gas in the conveyance direction of the substrate W during print processing and at a downstream side of the substrate W.例文帳に追加

ステージ２２は、印刷処理時における基板Ｗの搬送方向であって、基板Ｗよりも下流側に、不活性ガスを噴射可能なスリットノズル２２２１を有している。 - 特許庁

A CPU 101 selects either the W boot sector A204 or the W boot sector B203 in which boot data to be started are stored based on boot selector data.例文帳に追加

ＣＰＵ１０１は、ブートセレクタデータに基づいて起動すべき前記ブートデータを格納したＷブートセクタＡ２０４及びＷブートセクタＢ２０３の何れか一方を選択する。 - 特許庁

The holding means 11 is provided so that the semiconductor wafer W can be carried through a pair of trays 15 capable of holding the semiconductor wafer W in a thickness direction.例文帳に追加

保持手段１１は、半導体ウエハＷを厚み方向に挟み込み可能な一対のトレイ１５を介して当該半導体ウエハＷを搬送可能に設けられている。 - 特許庁

Sections among the roof material 3 and each of a pair of wall surfaces (w), w' constituting the house exterior-wall reentrant angle section (p) in the mutually crossed direction are filled with a sealing material 9.例文帳に追加

また、該屋根材３と、互いに交叉方向にして建屋外壁入隅部ｐを構成する一対の壁面ｗ，ｗ´それぞれとの間にシール材９を充填する。 - 特許庁

To radiate microwave introduced into the resonating cavity 4 to the object W to be heated, the object W is moved through an inlet 7a and an outlet 8a in x direction.例文帳に追加

共振空胴４内に導かれたマイクロ波を被加熱物Ｗに照射するために、入口７ａと出口８ａを通して被加熱物Ｗをｘ方向に移動させる。 - 特許庁

A substrate processing device comprises plural PMs 400 for applying predetermined processing to a wafer W, and an LLM 500, in which a transportation mechanism for transporting the wafer W is built.例文帳に追加

基板処理装置は、ウエハＷに所定の処理を施す複数のＰＭ４００とウエハＷを搬送する搬送機構を内蔵するＬＬＭ５００とを備える。 - 特許庁

Thus, it is possible for a processing part 14 to grasp the state of the substrate W in the cassette 1 based on information about the detection of the substrate W and the position of the reflection type sensor 10.例文帳に追加

処理部１４は、基板Ｗの検出情報と、反射型センサ１０の位置とから、カセット１内の基板Ｗの状態を把握することができる。 - 特許庁

A substrate carrying-out/in device is provided with a placing section 10 on which a pod C housing substrates W is placed and a transfer section 30 which transfers the substrates W from the pod C.例文帳に追加

基板搬出入装置は、基板Ｗを収納したポッドＣを載置する載置部１０とポッドＣから基板Ｗの移載を行う移載部３０とを備えている。 - 特許庁

The ink contained in a cell 20 is applied onto the base material w and a linear applied surface 25 is formed by pressing the base material w with the printing cylinder 12 and the impression cylinder 13.例文帳に追加

版胴１２と圧胴１３とにより基材ｗを押圧することにより、基材ｗ上にセル２０内のインキが塗布され、線状塗布面２５が形成される。 - 特許庁

The food cutting device 11 feeds the food W in a state of holding it with the presser conveyor 21 and the feeding conveyor 15 and cuts the food W with a rotating cutting blade body 31.例文帳に追加

食品切断装置11は、食品Ｗを押えコンベヤ21と送りコンベヤ15とで挟持した状態のまま送出し、回転中の切断刃体31で切断する。 - 特許庁

In addition, when the NC operating pawls 7 retreat to form a space for receiving the conductor W of the next row, the cam operating pawls 8 come into contact with the conductor W.例文帳に追加

また、ＮＣ動作爪７が後退して次の列の導線Ｗを受け入れるための隙間を形成するときには、カム動作爪は導線Ｗとの当接状態を保つ。 - 特許庁

Since the two wires W can be connected to the connector housing 10 in almost parallel as they are, there is no need of cumbersome work of untwisting the wire W.例文帳に追加

２本の電線Ｗは略平行のままでコネクタハウジング１０に取り付けることができるので、電線Ｗを捻り戻すという煩わしい手間が不要である。 - 特許庁

Rough grinding is performed to the work W by this rough grinding wheel T, and in the condition that the rough grinding wheel T is removed, the work W is finished by the finish grinding wheel 5.例文帳に追加

この荒砥石ＴによってワークＷの荒研削を行い、荒砥石Ｔを取り外した状態で、仕上砥石５によってワークＷの仕上研削を行う。 - 特許庁