「W-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

The means 80 is lowered under the state in which the cover 40 is removed from the opening section 11 of the tank 10, the substrate W is dipped in the plating solution Q, and the substrate W is plated and treated.例文帳に追加

処理槽１０の開口部１１からカバー４０を外した状態で基板保持手段８０を下降して基板Ｗをめっき液Ｑにディップして基板Ｗのめっき処理を行う。 - 特許庁

The substrate processing system 1 comprises: a first detection unit 40 which detects a wafer W in the state before processing; and a second detection unit 50 which detects a wafer W in the state after processing.例文帳に追加

基板処理システム１は、処理前の状態のウエハＷの検出を行う第１の検出部４０と、処理後の状態のウエハＷの検出を行う第２の検出部５０とを備えている。 - 特許庁

In this method, when heating the workpiece W, heat input quantity to the outer peripheral surface of the workpiece by the heating means is changed depending a position in the peripheral direction corresponding to the cross-sectional shape of the workpiece W.例文帳に追加

本方法は、ワークＷを加熱する際に、ワークＲの断面形状に応じ、周方向の位置によって、加熱手段によるワーク外周面への入熱量を変化させるものである。 - 特許庁

The cassette 30 for storing the substrates W in a plurality of stages and the robot 70 for substrate transfer configured to deliver the substrates W to the respective stages in the cassette 30 using the robot hand 50 are prepared.例文帳に追加

基板Ｗを複数段収納するカセット３０と、カセット３０の各段に対してロボットハンド５０を用いて基板Ｗの受け渡しを行う基板搬送用ロボット７０とを用意する。 - 特許庁

The base block 22 controls the movement of the rod 11 in the thickness direction of the steel sheet W by abutting on the upper surface of the rod 11 over the moving range in the surface direction of the steel sheet W of the rod 11.例文帳に追加

ベースブロック２２は、ロッド１１の鋼板Ｗ表面方向の移動範囲に亘ってロッド１１の上面に当接することで、ロッド１１の鋼板Ｗの板厚方向の移動を規制する。 - 特許庁

In this case, in a state where a shielding sheet 23 is interposed between the nozzle 16 and the workpiece W and the shielding sheet 23 is brought into contact with the workpiece W, the piercing is carried out across the shielding sheet 23.例文帳に追加

この場合、ノズル１６とワークＷとの間に遮蔽シート２３を介在させ、その遮蔽シート２３をワークＷに接触させた状態で、遮蔽シート２３を介してピアシングを行うようにする。 - 特許庁

The supporting rollers 11, 11 can make positive rotation and rotate the billet W in the peripheral direction, and the milling cutter 21 can make high speed rotation and cut the outer periphery of the billet W fed in the axial direction.例文帳に追加

支持ローラ１１、１１は、積極回転してビレットＷを周方向に回転させ、フライス２１は、高速回転し、軸方向に送られるビレットＷの外周を切削することができる。 - 特許庁

When a heater 146 contained in the mounting table 114 heats the wafer W and a process gas is fed in the treating chamber 102, a TiN barrier metal layer is formed on the wafer W.例文帳に追加

載置台１１４に内装された加熱装置１４６でウェハＷを加熱すると共に，処理室１０２内に処理ガスを導入すると，ウェハＷにＴｉＮから成るバリアメタル層が形成される。 - 特許庁

This dry bean curd refuse contains protein in a content of 20 to 30%(w/w) and isoflavone in a content of ≥40mg/100g converted into aglycon.例文帳に追加

タンパク質と、イソフラボンとを含有し、このイソフラボンのアグリコン換算含有量が４０ｍｇ／１００ｇ以上であり、このタンパク質の含有量は２０〜３０％（ｗ／ｗ）の範囲である、乾燥オカラ。 - 特許庁

Fine particles for a conductive carrier are vapor-deposited onto a substrate W in vapor-deposition chambers 3a, 3c, and fine particles for a catalytic metal are vapor-deposited onto the substrate W in vapor-deposition chambers 3b, 3d.例文帳に追加

蒸着室３ａ及び３ｃ内で導電性担持体の微粒子を基板Ｗに蒸着させ、蒸着室３ｂ及び３ｄ内で触媒金属の微粒子を基板Ｗに蒸着させる。 - 特許庁

In the system 1 for processing a substrate, a substrate W is supported by a plurality of drive pins 12 butting against the outer circumferential edge of the substrate W on a rotary supporting plate 11 to regulate movement in the horizontal direction.例文帳に追加

基板処理装置１において、基板Ｗは回転支持板１１上で基板Ｗの外周端縁に当接して水平方向への移動を規制する複数個の駆動ピン１２に支持される。 - 特許庁

A wash basin cabinet body 1 is provided with a wash basin body 6 partially buried in the wall surface W and fixed to the wash basin cabinet body 1 and a cabinet body 3 buried in the wall surface W.例文帳に追加

手洗器キャビネット本体１は、一部が壁面Ｗに埋め込まれ、手洗器キャビネット本体１に固定される手洗器本体６と、壁面Ｗに埋設されたキャビネット本体３を備えている。 - 特許庁

The upper end of the two-fluid nozzle 50 is held rotatably on a fulcrum axis, and disposed above the outer peripheral part of the substrate W in a vertical plane in the radial direction of the substrate W.例文帳に追加

二流体ノズル５０の上端部は、基板Ｗの外周部上方に位置する支点軸を中心として基板Ｗの半径方向を通る垂直な面内で回動可動に支持されている。 - 特許庁

This invention relates to a rolled H-shaped steel 1, the inside or outside measurement of a web W of which is constant in the longitudinal direction, and the thickness of a flange F and the web W is continuously changed in the longitudinal direction.例文帳に追加

ウエブＷの内法あるいはウエブの外法が長手方向に一定であり、フランジＦの厚みとウエブＷの厚みが長手方向に連続的に変化してなる圧延Ｈ形鋼１。 - 特許庁

The outline dimension of the work W placed on and fixed to the work supporting table, and the deviations of the placed work W in the longitudinal direction, the right-to-left direction and on an upper surface from the center of turn of the work supporting table 5 are input in a control device 11.例文帳に追加

その載置固定したワークＷの外形寸法と、載置したワークＷの前後・左右・上面でのワーク支持台５の回転中心からの偏芯量を制御装置11に入力する。 - 特許庁

The cargo W advanced into an independent intermediate part 5a of the main conveyer 5 is temporalily laid in an address in response to a queuing number, and the cargo W of no queuing number is passed through the intermediate part 5a.例文帳に追加

搬出用メインコンベヤ５の独立中間部５ａに進入してきた荷Ｗは、待ち数に応じた番地に仮置きし、待ち数のない荷Ｗはそのまま独立中間部５ａを通過させる。 - 特許庁

The robot hand 50 is moved to delivery positions for the substrates W in the bottom and top stages among the substrates W stored in the cassette 30, and those delivery positions are measured as position information on the robot hand 50.例文帳に追加

カセット３０に収納される基板Ｗの最下段と最上段の基板Ｗの受渡位置にロボットハンド５０を移動してそれらの受渡位置をロボットハンド５０の位置情報として測定する。 - 特許庁

A surge pressure controlling means is provided to keep the injection piston (8) in the cylinder (9) immobile when the injection piston (8) is subjected to a preset or more load due to the molding material (W) in the cylinder (9).例文帳に追加

前記射出ピストン(8) に前記シリンダー(9) 内の成形材料(W) による一定以上の負荷がかかったとき、シリンダー(9) 内の射出ピストン(8) を不動状態におくサージ圧制御手段を設けている。 - 特許庁

A lower blade 7 fixed to a front end of a work table 5 for supporting a work W and an upper blade 19 provided in a lower end of a ram capable of moving in the vertical direction cooperate with each other so as to shear the work W.例文帳に追加

ワークＷを支持するワークテーブル５の前端に固定された下刃７と上下動自在なラムの下端に設けられた上刃１９との協働によりワークＷに剪断加工を行う。 - 特許庁

Then a return roller 30 rotates in a direction opposite to the rotation of the screw conveyor 20 to return the excess bearing W' among the bearings W in a direction opposite to a supplying direction.例文帳に追加

このとき戻しローラ３０は、スクリューコンベア２０と逆方向に回転することにより、ベアリングＷのうち余剰となるベアリングＷ’を供給方向とは反対方向に戻すように作用する。 - 特許庁

In the piezoelectric actuator which comprises electrodes in both sides of a thin rectangular piezoelectric substrate 22, the ratio L/W of the length L and width W is set to between 20 and 200.例文帳に追加

薄い矩形状の圧電膜２２の両面に電極を設けてなる圧電式アクチュエータにおいて、前記圧電膜の長さＬと幅Ｗとの比Ｌ／Ｗが２０〜２００の範囲内となるように設定する。 - 特許庁

This method for purifying the ethanol is characterized in that the ethanol is distilled while carrying out an alkali treatment after regulating the ethanol content in the roughly distilled alcohol obtained by the fermentation method so as to be 5-10 w/w%.例文帳に追加

発酵法により得られる粗留アルコール中のエタノール濃度を５〜１０ｗ／ｗ％の範囲に調整した後、アルカリ処理を行いながら蒸留することを特徴とするエタノールの精製方法。 - 特許庁

In the process of regulating the flow of air, an airflow regulation plate 21 arranged at a position facing the surface of the wafer W is rotated in the same direction as the rotational direction of the wafer W.例文帳に追加

また、上記の空気の流れを調整する工程では、ウエーハＷの表面と向かい合う位置に配置された気流調整板２１を、ウエーハＷの回転方向と同じ方向に回転させる。 - 特許庁

The substrate processing system 1 includes a first detection part 40 for detecting a wafer W, in a state before processing and a second detection part 50 for detecting the wafer W, in a state after the processing.例文帳に追加

基板処理システム１は、処理前の状態のウエハＷの検出を行う第１の検出部４０と、処理後の状態のウエハＷの検出を行う第２の検出部５０とを備えている。 - 特許庁

In the opening frame 1 mounted on the skeleton frame W of a building, the longitudinal members 2, 3 of the opening frame 1 are mounted on the skeleton frame W by an adjusting mechanism in a state of exhibiting verticality.例文帳に追加

建造物の躯体枠Ｗに取り付けられる開口枠１において、開口枠１の縦方向部材２、３を、躯体枠Ｗに、調整機構によって鉛直度を出した状態で取り付ける。 - 特許庁

The hole drilling method is directed for drilling the hole at the tilted surface of the workpiece W by using a processing device in which a table for mounting the workpiece W and a spindle head are configured to be relatively movable in a three-dimensional direction.例文帳に追加

ワークＷを載置するテーブルとスピンドルヘッドとが三次元方向へ相対移動可能に構成された加工装置を用いて、ワークＷの傾斜面に穴を加工する穴加工方法。 - 特許庁

In a conveying process of the work W dipped in the drainage solid lubricant F, the work W engages with the baffle plate 30 and falls on the back and lower wall part 21c side raised to a predetermined height.例文帳に追加

水系固体潤滑剤Ｆに浸漬されたワークＷの搬送過程において、このワークＷはバッフル板３０と係合し、所定の高さまで持ち上げられた後下方壁部２１ｃ側へ落下する。 - 特許庁

The installation for culturing the fish and shellfish on the sea bottom has the long wave-generating apparatus 3 for generating the long waves with the water current in the culturing water W in a culturing vessel 2 with the culturing water W poured therein.例文帳に追加

養殖水Ｗが注水された養殖槽２内の養殖水Ｗに対し、水流を伴う長波動を生起させる長波動発生装置３を具えていることを特徴とする。 - 特許庁

The electric power consumption is reduced while the resolution is maintained by reducing the rate of use of W in the edge portion etc., of the input RGB signal and increasing the rate of use of W in the flat portion.例文帳に追加

入力ＲＧＢ信号のエッジ部分などではＷの使用率を少なく、変化の少ない平坦部分ではＷの使用率を多くして、解像度を維持しつつ消費電力を低減する。 - 特許庁

To immerse an automobile body W in a treating liquid in a short time without enlarging a treating vessel 1 in a method for immersing the automobile body W in the treating liquid in the treating vessel 1 by using a device comprising a support frame 2 hanging by ropes 41, 42 both ends of the automobile longitudinal direction of a fixture 3 supporting the automobile body W.例文帳に追加

自動車車体Ｗを支持する治具３の車長方向両端部を索条４_1、４_2を介して支持枠２に吊持して成る設備を用い、自動車車体Ｗを処理槽１内の処理液に浸漬させる方法において、処理槽１を大型化することなく、短時間で自動車車体Ｗを処理液に浸漬できるようにする。 - 特許庁

In the air cleaning method, a gas component contained in air A flowing in an air circulation system Y is dissolved in water W circulated in a water circulation system X to remove it, the water is regenerated by passing the water W dissolved with the gas component through a reverse osmosis membrane 6a and removing the gas component from the water W.例文帳に追加

空気流通系Ｙを流れる空気Ａに含まれたガス成分を水循環系Ｘを循環する水Ｗに溶解させて除去する空気浄化方法において、ガス成分が溶解された上記水Ｗを逆浸透膜６ａに通して該水Ｗからガス成分を除去することで該水Ｗを再生させるように構成する。 - 特許庁

For driving a wiper W by controlling a motor 1 from a motor control section 2, a start sensor 6 and a limit sensor 7 are provided in the wiper W and the motor control section 2 can detect that the motion of the wiper W is stopped during operation, and when the motion of the wiper W is stopped, the wiper W can be moved thereafter opposite to a moving direction before being stopped.例文帳に追加

モータ制御部２によりモータ１を制御してワイパーＷを駆動する際、ワイパーＷにスタートセンサ６とリミットセンサ７を設け、動作中にワイパーＷの動きが止められたことがモータ制御部２により検出できるようにし、ワイパーＷの動きが止められたら、その後、止められる前の移動方向とは反対の方向にワイパーＷを移動させることができるようにしたもの。 - 特許庁

Since a long planar carrying arm 60 for holding a substrate W in proximity to the entire effective region EA of the substrate W from the rear side thereof and incorporating cooling piping 66 is provided in a carrying section 50, the substrate W can be carried and cooled while keeping a high uniformity of temperature distribution in the effective region EA of the substrate W.例文帳に追加

基板Ｗの裏面側から有効領域ＥＡの全域に近接して基板Ｗを保持する長尺の板状であるとともに、内部に冷却配管６６を備える搬送アーム６０が搬送部５０に設けられているため、基板Ｗの有効領域ＥＡにおける温度分布の均一性を高く保ちつつ基板Ｗの搬送および冷却が行える。 - 特許庁

In this way, the workpiece W can be heated in a short time in comparison with a method for heating the workpiece W only by a means heating the workpiece W via an atmosphere such as a reduction atmosphere and an inert gas atmosphere, while the workpiece W can be easily heated to a proper temperature and can be kept at the proper temperature, and consequently, the heat treatment time can be shortened.例文帳に追加

これにより、還元雰囲気や不活性ガス等の雰囲気を介してワークＷを加熱・昇温させる手段のみを用いてワークＷを加熱・昇温させる場合に比べて、短時間でワークＷを昇温させることができるとともに、ワークＷの温度を容易に適切な温度に昇温・保持することができるので、熱処理時間を短縮することができる。 - 特許庁

In the substrate processing device 1, a liquid film of the hydrogen peroxide water solution is formed on a surface of a semiconductor wafer W by immersing the semiconductor wafer W in the hydrogen peroxide water solution 143, and a high-temperature SPM immediately after mixing is brought into contact with the semiconductor wafer W by immersing the semiconductor wafer W with the liquid film of the hydrogen peroxide solution formed on the surface in high-temperature sulfuric acid 103.例文帳に追加

基板処理装置１では、過酸化水素水１４３に半導体ウエハＷを浸漬することにより半導体ウエハＷの表面に過酸化水素水の液膜を形成し、表面に過酸化水素水の液膜が形成された半導体ウエハＷを高温の硫酸１０３に浸漬することにより、混合直後の高温ＳＰＭを半導体ウエハＷに接触させる。 - 特許庁

The substrate processing apparatus 100 includes four processors 3 for processing substrates W, a cassette placement table 5 whereon a plurality of cassettes 4 for storing the substrates W can be placed in an arrangement direction X1, a main carrier robot CR for carrying in/out the substrates W into the processors 3, and an indexer robot IR for carrying in/out the substrates W into the cassettes 4.例文帳に追加

基板処理装置１００は、基板Ｗに処理を施す４つの処理部３と、基板Ｗを収容する複数のカセット４を配列方向Ｘ１に沿って載置することができるカセット載置台５と、処理部３に基板Ｗを搬入／搬出する主搬送ロボットＣＲと、カセット４に基板Ｗを搬入／搬出するインデクサロボットＩＲとを備えている。 - 特許庁

The spiral pitch of the pipe member W is defined by engaging the pipe member W with the spiral groove 15 of the jig main body 13 and at the same time, by engaging the positioning pins 14 inserted in the jig main body 13 into the pipe member W engaged with the spiral groove 15, the zigzag phase of the pipe member W is defined.例文帳に追加

治具本体１３の螺旋溝１５にパイプ部材Ｗを嵌合させて該パイプ部材Ｗの螺旋のピッチを規定するとともに、治具本体１３に挿入した位置決めピン１４を螺旋溝１５に嵌合したパイプ部材Ｗに係合させて該パイプ部材Ｗのジグザグの位相を規定する。 - 特許庁

When the semiconductor wafer W is warped in convex shape due to a sudden thermal expansion on the surface at the moment of flash light emission from the flash lamp, the circumferential edge of the wafer W can freely move, so that a strong stress does not act on the semiconductor wafer W to prevent crack of the semiconductor wafer W.例文帳に追加

フラッシュランプからフラッシュ光が照射された瞬間、表面に急激な熱膨張が生じて半導体ウェハーＷが凸状に反ったときに、その周縁部が自由に動くことができるため、半導体ウェハーＷに強い応力が作用することはなく、半導体ウェハーＷの割れを防止することができる。 - 特許庁

In the induction hardening method, the work W composed of a metallic material is supported so as to be rotated, and fluid is jetted toward the work W and also, the high frequency current is supplied to an induction-heating coil C near this work and the induction hardening is performed to this work W while rotating the work W with the jetting pressure of the fluid.例文帳に追加

金属材料からなるワークＷを回転可能に支持し、ワークＷに向って流体を噴射すると共に該ワークの近傍の誘導加熱コイルＣに高周波電流を流し、流体の噴射圧力によりワークＷを回転しつつ当該ワークＷに高周波焼入れを行なうことを特徴とする。 - 特許庁

In the laser drilling method and its equipment that drills a hole on a workpiece W by relatively moving the workpiece W and a laser beam L to be emitted to the workpiece W, a desired machining position is irradiated with the laser beam L while at least either the workpiece W or the laser beam L is continuously moved.例文帳に追加

ワークＷとこのワークＷに照射するレーザビームＬとを相対移動させることにより、ワークＷに孔を加工するレーザ孔開け加工方法及びその装置において、ワークＷとレーザビームＬの少なくとも一方を連続して移動させながら、所望の加工位置にレーザビームＬを照射する。 - 特許庁

The promotion of serum HDL-Co increase and the decrease of the LDL-Co/HDL-Co ratio in the serum can be attained by administering (feeding) to a human or an animal a medicine or a food provided by adding or containing 0.25-0.8 w/w% betaine and 20-99 w/w% soybean or soybean processed products.例文帳に追加

ベタインを０．２５〜０．８ｗ／ｗ％、大豆又は大豆加工品を２０〜９９ｗ／ｗ％添加又は含有してなる医薬品又は食品をヒトや動物に投与（給与）することで、血清ＨＤＬ−Ｃｏの増加促進、及び、血清中のＬＤＬ−Ｃｏ／ＨＤＬ−Ｃｏ比の低減をすることができる。 - 特許庁

In the liquid crystal display device (a display device) 100, a value of the size ratio (W/L) which is calculated by dividing channel width W of the transistor Tr7 by a channel width L is 15% or more, and 30% or less than that of the size ratio (W/L) which is calculated by dividing the channel width W of the transistor Tr1 by the channel width L.例文帳に追加

この発明の液晶表示装置（表示装置）１００では、トランジスタＴｒ７のチャネル幅Ｗをチャネル幅Ｌで除したサイズ比（Ｗ／Ｌ）の大きさは、トランジスタＴｒ１のチャネル幅Ｗをチャネル幅Ｌで除したサイズ比（Ｗ／Ｌ）の大きさの１５％以上３０％以下の大きさである。 - 特許庁

The substrate treatment apparatus includes a holding portion 11 for rotatably holding a substrate, a first developer nozzle 13 for supplying bubble-containing developer which bubbles are mixed in the developer, to the substrate, and a control portion 19 for supplying the bubble-containing developer to the substrate W by the first developer nozzle 13 and developing the substrate W.例文帳に追加

基板を回転可能に保持する保持部１１と、現像液に気泡が混合された気泡含有現像液を基板に供給する第１現像液ノズル１３と、前記第１現像液ノズル１３によって基板Wに気泡含有現像液を供給させて基板Wを現像させる制御部１９と、を備える。 - 特許庁

Though a diameter D1 of a pair of arc walls 33 is slightly larger than an aperture width W of a slit 30 (D1>W), the diameter D1 and the aperture width W have smaller dimensions than a diameter D2 of a pin-shaped operating part 16 of a switch 3 in the other functional part 1' (D2>D1>W).例文帳に追加

一対の円弧壁３３の直径Ｄ１は、スリット３０の開口幅Ｗよりも若干大きな寸法になっている（Ｄ１＞Ｗ）ものの、直径Ｄ１及び開口幅Ｗは、他の機能部１′におけるスイッチ３のピン形状となる操作部１６の直径Ｄ２よりも小さな寸法になっている（Ｄ２＞Ｄ１＞Ｗ）。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a resin molded product W constituted so that the dimensional shape of the resin molded product W after the reception of heat history becomes a desired shape by forming the resin molded product W into a shape preliminarily considering the heat history due to a use environment in a post process when the resin molded product W is corrected.例文帳に追加

樹脂成形体Ｗを矯正するに際して、予め後工程での使用環境による熱履歴を考慮した形状に形成することで、熱履歴を受けた後の樹脂成形体Ｗの寸法形状が、所望する形状となるための樹脂成形体Ｗの製造方法を提供することにある。 - 特許庁