「atomic effect」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide the manufacturing method of a semiconductor device, having a metal insulator field effect transistor(MISFET) where a gate insulating film having high nitrogen atomic density can be surely peeled in a region, on which a gate insulating film having low nitrogen atomic density is to be formed, when gate insulating films having different nitrogen atomic densities are formed.例文帳に追加

異なる窒素原子密度を有するゲート絶縁膜の形成に際し、窒素原子密度の低いゲート絶縁膜を形成する領域で、窒素原子密度の高いゲート絶縁膜を確実に剥離することができる、MISFETを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

When the movable part 2 receives the effect of external force (the atomic force between the probe 3 and a sample S), the admittance of the comb tooth drive 10a changes.例文帳に追加

可動部２が外力（探針３−試料Ｓ間の原子間力）の影響を受けると、櫛歯ドライブ１０ａのアドミッタンスが変化する。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a field effect transistor and method and system for fabricating a semiconductor device in which film formation can be controlled on the order of atomic layer.例文帳に追加

原子層オーダでの膜形成の制御が可能な、電界効果トランジスタの製造方法、並びに、半導体デバイスの製造方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

To provide a photo-electron measuring method and a system capable of reducing the error of the atomic position by shortening a measuring time and by enlarging correction effect relative to distortion of an atomic image caused by anisotropy of electron scattering, and requiring the use of no special facility.例文帳に追加

測定時間を短く、かつ、電子散乱の異方性による原子像の歪みに対する補正効果を大きくすることにより原子位置の誤差を小さくすることができ、かつ、特別な施設を使用する必要がない、光電子測定方法及びシステムを提供する。 - 特許庁

To provide a ground improvement construction method by which, even if a rock bed is not present up to an embedding depth level at which an embedding effect is obtained in a construction site for an atomic-energy-related building, the embedding effect can be obtained, while suppressing construction period and construction cost.例文帳に追加

原子力関連建築物の建設予定地に埋込み効果が得られる埋込み深さレベルまで岩盤がない場合であっても、埋込み効果を得つつ、工期や施工費を抑えることができる地盤改良工法を提供すること。 - 特許庁

To obtain a positionally uniform and continuous effect for a long period of inhibiting relaxation of atomic spin of a medium sealed into a cell equipped in a measurement device using optical pumping.例文帳に追加

光ポンピングを利用した測定装置が備えるセルに封入された媒体の原子スピンの緩和を抑制する効果を、場所によって均一に、かつ長期間継続して得ること。 - 特許庁

The measuring method is used for a nanostructure substrate, and also a nanostructure such as an atomic force microscope-use probe, a near-field optical microscope-use probe or the like which uses the enhancing effect.例文帳に追加

本発明は、ナノ構造体基板に限らず、原子間力顕微鏡用プローブ，近接場顕微鏡用プローブなど、増強度を利用するナノ構造体に対しても用いることができる。 - 特許庁

The AlGaN layer whose surface is substantially flat on atomic level is formed after a buffer layer having a stress relaxation effect and AlGaN layer are formed on a template substrate to which an in-plane compression stress is applied and on which a surface layer being substantially flat on atomic level is formed.例文帳に追加

面内圧縮応力が作用してなる、実質的に原子レベルで平坦な表面層が形成されてなるテンプレート基板の上に、応力緩和効果を有するバッファ層をした上で、ＡｌＧａＮ層を形成するようにすることで、表面が実質的に原子レベルで平坦なＡｌＧａＮ層を形成することができる。 - 特許庁

To obtain a positionally uniform and continuous effect for a long period of inhibiting relaxation of atomic spin of a medium sealed into an internal space equipped in a measurement device using optical pumping.例文帳に追加

光ポンピングを利用した測定装置が備えるセルの内部空間に封入された媒体の原子スピンの緩和を抑制する効果を、場所によって均一に、かつ長期間継続して得ること。 - 特許庁

There is provided a thin film transistor including an oxide, as an active material layer, comprising elements In, Ga and Zn in the ranges of atomic ratios of the following regions 1, 2 or 3, and has an electron field-effect mobility of 25 cm^2/Vs or greater.例文帳に追加

元素Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを下記領域１、２又は３の原子比の範囲で含む酸化物を活性層とし、電界効果移動度が２５ｃｍ^２／Ｖｓ以上である薄膜トランジスタ。 - 特許庁

It is considered that the effect of bedrock bathing seen in Tamagawa hot spring or the like is that radon (Rn; atomic number 86) contained in steam rising from a hot spring enters the body from the respiratory system and acts to achieve the effect of soothing the mind and body and accelerate hormonal secretion rather than perspiration.例文帳に追加

玉川温泉などにみられる岩盤浴の効果は、発汗作用というよりも、温泉から立ちのぼる湯煙に含まれるラドン（Ｒｎ；原子番号８６）が呼吸器系から体内に入って作用し、心身の鎮静効果やホルモン分泌を促していると思われる。 - 特許庁

To provide a laminated thin-film function element and a magnetic resistance effect element, in which a misfit to upper and lower fcc ferromagnetic layers is reduced to realize planarity at atomic level and a sufficient hetero- epitaxy and an MR characteristic is improved.例文帳に追加

上下のｆｃｃ強磁性層とのミスフィットを低減し、原子レベルの平坦性や十分なヘテロエピタクシーを実現し、ＭＲ特性を向上させた積層薄膜機能素子および磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To provide a solar cell which includes an atomic layer multilayer structure preventing thermal effect on the solar cell and heat crack occurrence in the solar cell in the process for forming respective layers in the solar cell, and to provide a method of manufacturing the solar cell.例文帳に追加

太陽電池内の各層を形成するプロセスにおいて、太陽電池に対する熱的影響および熱亀裂の発生を抑制する原子層多層構造を備えた太陽電池および太陽電池を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The radiation shield material is constituted by combining porous zeolite with a high hydrogen element content having large neutron shielding effect, ion exchange elements (adding hydrogen and excluding nickel and lead) containing 2, 6, 8, 14, 20, 28, 50, 82, 126 neutrons or protons, heavy metals over atomic number of 40 exhibiting high shielding effect to high energy neutron beam and gamma ray and thermal neutron absorber.例文帳に追加

本発明の放射線遮蔽材は、中性子遮蔽効果の大きい水素元素含有率の高い多孔質ゼオライト、2、6、8、14、20、28、50、82、126個の中性子または陽子を含むイオン交換性元素（但し水素を加えニッケルと鉛は除く）、高エネルギー中性子線及びガンマ線に高い遮蔽効果を示す原子番号40以上の重金属と、熱中性子吸収材を組み合わせてなるものである。 - 特許庁

In the method in which the strength of the bond between the biopolymer and a ligand is estimated, and in the parameter which is used for the method, van der Waals interaction energy is calculated by using a distance- dependent atomic-pair potential function to which the contribution of a hydrophobic effect is added in a force-field energy calculation method.例文帳に追加

力場エネルギー計算法において、疎水効果の寄与を加えた距離依存型原子対ポテンシャル関数のパラメータを用いてファンデルワールス相互作用エネルギーを計算することにより、生体高分子−リガンド間の結合の強さを予測する方法及び上記パラメータ。 - 特許庁

To provide an atomic oscillator that can reduce the effect of heat between a rubidium gas cell and a rubidium lamp and use a downsized optical system by sandwiching a thermo module between a lamp hold member and a gas cell hold member and controlling the thermo module in a way of proprietizing a temperature difference between the lamp hold member and the gas cell hold member.例文帳に追加

ランプ保持部材とガスセル保持部材の間にサーモモジュールを挟み、ランプ保持部材とガスセル保持部材間の温度差を適切になるようにサーモモジュールを制御することにより、ルビジウムガスセルとルビジウムランプ間の熱の影響を低減すると共に、光学系を小型化することができる原子発振器を提供する。 - 特許庁

To provide a probe position control method which enables more accurate observation or operation by correcting the change of the relative position of a sample and a probe during observation or operation in a scanning type probe microscope (SPM) or an atomic manipulator (operation) by excluding the effect of a heat drift or the like, and a probe position control device.例文帳に追加

熱ドリフト等の影響を排除し、走査型プローブ顕微鏡(SPM)や原子マニピュレータ(操作)装置において、その観察又は操作の間に試料とプローブの相対位置が熱により変化するのを補正して、より正確な観察又は操作を可能にする位置制御方法及び装置を提供すること。 - 特許庁

To provide the subject method comprising such a process as to subject a reaction chamber with a substrate set inside to the feed of both adsorption gas and reactant gas and their purges alternately to effect atomic layer growth by reaction between the adsorption gas and reactant gas to form a thin film on one side of the substrate; wherein impurities left in the thin film are diminished during film formation.例文帳に追加

基板が設置された反応室に対して、吸着ガス及び反応ガスの供給、及びパージを交互に行い、吸着ガスと反応ガスとの反応によって原子層成長を行わせることにより、基板の一面上に形成された薄膜において、成膜の際に、膜中に残存する不純物を低減する。 - 特許庁

To provide a hetero-junction field effect transistor by which plasma damage of a reactive ion or the like entering a crystal due to dry etching for selective removal of an insulation layer or a semiconductor layer above a barrier layer is suppressed in a crystal structure, where the barrier layer with a larger atomic weight than an electron supply layer is formed on the electron supply layer of the hetero-junction field effect transistor.例文帳に追加

ヘテロ接合電界効果トランジスタの電子供給層上に電子供給層よりも平均原子量の大きなバリア層を形成した結晶構造において、バリア層より上の絶縁膜もしくは半導体層を選択に除去する際のドライエッチングによって結晶内に侵入する反応性イオン等のプラズマ損傷を抑制することを目的したヘテロ接合電界効果トランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁

A material of ferromagnetic layers 106, 107 constituting the magneto-resistance effect element is constituted of a ferromagnetic material including at least one kind of 3d transition metals to control the magnetic resistance change rate, and the film thickness of the ferromagnetic layers is controlled at an atomic layer level to change the magnetization direction from the in-plane direction of a film surface to the film surface perpendicular direction.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を構成する強磁性層１０６，１０７の材料を、３ｄ遷移金属を少なくとも１種類含んだ強磁性材料で構成することで、磁気抵抗変化率を制御し、且つ、強磁性層の膜厚を原子層レベルで制御することで磁化方向を膜面内方向から膜面垂直方向に変化させた。 - 特許庁

While the surface of channels of a field effect transistor is being scanned by a probe, the surface potential of the channels and potentials by trap charge just beneath the probe at each point are measured through potential measurement using an atomic force microscope, and the local mobility is calculated from the measured potentials, and further the distribution of mobility is obtained based on the mobilities calculated at each point.例文帳に追加

探針で電界効果トランジスタのチャンネル表面を走査しながら、各点において探針直下のチャンネルの表面電位およびトラップ電荷による電位を、原子間力顕微鏡を用いた電位測定により測定し求めた電位から局所的な移動度を算出し、さらに各点で算出された移動度に基づいて移動度分布を求める。 - 特許庁

Specifically, the invention provides bioabsorbable materials including a bioabsorbable substrate associated with one or more antimicrobial metals being in a crystalline form characterized by sufficient atomic disorder, such that the bioabsorbable material in contact with an alcohol or water based electrolyte, releases atoms, ion, molecules, or clusters of at least one antimicrobial metal at a concentration sufficient to provide an antimicrobial effect.例文帳に追加

具体的には、本発明は、十分な原子異常を特徴とする結晶形態にある１以上の抗菌性金属が結合した生体吸収性基体を含む生体吸収性材料を提供するものであり、当該材料はアルコール又は水性電解液に接触すると抗菌効果を奏するのに十分な濃度で少なくとも１つの抗菌性金属の原子、イオン、分子又はクラスターを放出する。 - 特許庁

(1) Where an application has been made to the Commissioner for the grant of a patent, and it appears to the Commissioner that the invention which is the subject-matter of the application relates to the production or use of energy derived from the atomic nucleus or research into matters connected therewith he shall serve a notice in writing on the Minister of Defence to that effect, and may, notwithstanding anything in this Act or any other Act, omit or delay the doing of anything which he would otherwise be required to do in relation to the application, and give directions for prohibiting or restricting the publication of information with respect to the subject-matter of the application or the communication of that information to particular persons or classes of persons; and any person who contravenes any such direction commits an offence against this section.例文帳に追加

(1) 局長に特許出願がされる場合において，その出願の対象である発明が原子核から発生するエネルギーの生産若しくは使用又はこれに関連する事項の研究に係わると局長が認めるときは，局長は，書面でその旨の通知を国防大臣に送達しなければならず，また，本法その他の法律の規定に拘らず，本項の規定がなければ当該出願について実行しなければならない筈の何れの事項も実行することを省き又は延期することができ，更に，当該出願の対象に関する情報の公表又は特定の者若しくは特定部類に属する者に対するその情報の伝達を禁止し若しくは制限するために，指示を発することができるものとし，この指示に違反する者は，本条に違反する犯則者とする。 - 特許庁