「atomic level」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an electrode having a nano gap structure where the single crystal planes face each other and the shape is arranged at the atomic level, and to provide a nanostructure device having this electrode and a manufacturing method therefor.例文帳に追加

単結晶面が対向し、形状が原子レベルで整ったナノギャップ構造を有する電極、および、この電極を有するナノ構造デバイス及びその作製方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a Schottky diode which is improved in electrical properties by forming a clean Schottky interface where irregularities at atomic level are not present and no crystal defect and no contaminant reside.例文帳に追加

ショットキーダイオードにおいて、原子レベルで凹凸がなく、結晶欠陥や汚染物を挟まない清浄なショットキー界面を形成することによって、電気特性を向上させること。 - 特許庁

To provide a gallium oxide single crystal substrate having a principal plane flattened in atomic level, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

原子レベルで平坦化された主面を有する酸化ガリウム単結晶基板、及び原子レベルで平坦化された主面を有する酸化ガリウム単結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The ceramic porous plate has fine pore parts having 5 nm to 200 μm average pore diameter and ≥0.5 mm thickness and a thin film having film thickness controlled in a molecular layer or atomic layer level is formed on at least a part of the inside wall of the fine pore parts by an atomic layer deposition (ALD) method.例文帳に追加

平均細孔径が５ｎｍ〜２００μｍの細孔部を有し厚さが０．５ｍｍ以上のセラミック多孔質板であって、該細孔部内壁の少なくとも一部にＡＬＤ法によって分子層または原子層レベルで膜厚制御された薄膜が形成されていることを特徴とするセラミック多孔質板を提供する。 - 特許庁

The silicon semiconductor substrate has a main surface which is a {110} plane or a plane obtained by tilting the {110} plane, and steps at an atomic level are provided on an average in a <110> direction on the surface of the silicon semiconductor substrate.例文帳に追加

｛１１０｝面又は｛１１０｝面を傾けた面を主面とするシリコン半導体基板であって、その表面に平均的に＜１１０＞方向に沿った原子レベルのステップを有するようにした。 - 特許庁

To polish a non-oxide single crystal substrate, such as a silicon carbide single crystal substrate, with high polishing speed, thereby obtaining a high quality surface smooth and excellent in surface characteristics even at an atomic level of a crystal.例文帳に追加

炭化ケイ素単結晶基板等の非酸化物単結晶基板を、高い研磨速度で研磨し、平滑で結晶の原子レベルにおいても表面性状に優れた高品質な表面を得る。 - 特許庁

To provide a method of optimizing the supply amount of a raw material precursor to deposit a thin film while highly accurately realizing film thickness control at an atom layer level by an atomic layer deposition (ALD method).例文帳に追加

原子層堆積法（ＡＬＤ法）により原子層レベルでの膜厚制御を高精度に実現しながら薄膜を堆積するために、原料プレカーサの供給量を最適化する方法を提供する。 - 特許庁

To provide an ultrahigh vacuum scanning probe microscope capable of performing in situ observation with an atomic-level resolution of a surface structure, while applying a stress to a sample in ultrahigh vacuum.例文帳に追加

超高真空中において試料に応力を印加しながらその表面構造の原子レベルの分解能でのその場観察を行うことができる超高真空走査型プローブ顕微鏡を提供する。 - 特許庁

Also, subject to the level of measured indium concentration, it is possible to use other methods with comparable accuracy (for example, graphite furnace atomic absorption spectrometry for the target concentration)例文帳に追加

なお、作業環境中のインジウム濃度に応じて、下記以外の相当の精度を有する測定方法（例えば目標濃度に対する原子吸光分析(黒鉛炉法)）を使用することも可能である。 - 厚生労働省

To provide a catalyst for cleaning automobile exhaust gas, in which rhodium of an atomic state is dispersed and deposited at a sufficiently high level and which has sufficiently high-level catalytic activity and to provide a method for efficiently and surely manufacturing the catalyst for cleaning automobile exhaust gas.例文帳に追加

原子状態のロジウムが十分に高度に分散された状態で担持され、十分に高度な触媒活性を有する自動車排ガス浄化用触媒並びにその触媒を効率よく確実に製造することが可能な自動車排ガス浄化用触媒の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To perform unified simulation of electrical characteristics of an electronic device in atomic level by considering a quantum property, statistical property, non-balancing property, many-body interaction and electromagnetic interaction.例文帳に追加

本発明が解決しようとする課題は、量子的性質・統計的性質・非平衡的性質・多体相互作用・電磁相互作用を考慮して、電子デバイスの電気的特性を原子レベルで統一的にシミュレーションすることである。 - 特許庁

To obtain an acaricidal composition, an insecticidal composition, etc., useful without anxiety in a such a level as not to deteriorate atopic dermatitis even for a patient of atomic dermatitis even in bringing the composition into contact with a disease site.例文帳に追加

アトピー性皮膚炎の患者でも、その疾患部位に接触してもアトピー性皮膚炎を悪化させることがないレベルで安心して使用できる殺ダニ用組成物、防虫用組成物などを提供することにある。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which has a smaller thickness than heretofore and no threading dislocation and is provided with a stress relieving silicon germanium buffer layer having a flat surface in atomic level, and is superior in mass productivity.例文帳に追加

従来よりも膜厚が薄く、貫通転位が無く、且つ表面が原子レベルで平坦な歪緩和シリコンゲルマニウム緩衝層を有する、量産性の優れた半導体装置を製造する方法を提供する - 特許庁

Stress evaluation can be realized with spatial resolution at the atomic level or at an order of 0.1 nm from the spatial distributions of the strains and stresses, and stress evaluation can be realized for fine elements with a processing size of less than 0.1 μm.例文帳に追加

歪及び応力の空間分布から原子レベルすなわち０．１ｎｍ程度の空間分解能を持つ応力評価が可能であり、加工寸法０．１μｍ以下の微細な素子の応力評価を実現できる。 - 特許庁

To provide an ultra-precision cleaning apparatus which does not use a chemical at all and can remove not only formerly unremovable foreign matters with a particle size of 0.01 μm order but also a metal contaminant of an atomic/ molecular level.例文帳に追加

薬剤を一切使わず、従来では不可能であった粒径０．０１μｍオーダの異物の除去のみならず原子・分子レベルの金属汚染物の除去までが可能な超精密洗浄装置を提供する。 - 特許庁

To provide a laminated thin-film function element and a magnetic resistance effect element, in which a misfit to upper and lower fcc ferromagnetic layers is reduced to realize planarity at atomic level and a sufficient hetero- epitaxy and an MR characteristic is improved.例文帳に追加

上下のｆｃｃ強磁性層とのミスフィットを低減し、原子レベルの平坦性や十分なヘテロエピタクシーを実現し、ＭＲ特性を向上させた積層薄膜機能素子および磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To provide a nickel-chromium alloy or a surface layer coated with the nickel-chromium alloy, which has superior corrosion resistance, surface cleanliness and antibacterial activity, and a flat surface in an atomic level, and to provide a surface treatment method therefor.例文帳に追加

高耐食性、表面清浄性、抗菌性に優れた、原子レベルで平坦な表面を有するニッケル−クロム合金又はニッケル−クロム合金による表面被覆層とその表面処理方法を提供する。 - 特許庁

To improve steepness of an interface by upgrading flatness at an atomic level and providing a semiconductor layer having excellent crystallinity with small dislocation and to provide a semiconductor light emitting element having excellent photoelectric characteristics.例文帳に追加

原子レベルでの平坦性を良くし、なおかつ、転位の少ない結晶性の優れた半導体層を提供することで界面の急峻性を向上し、優れた光電特性を有する半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

Researchers are expected to identify functions of plants’ photosynthesis by intracellular movements at the atomic level or to develop innovative fuel cells, storage batteries, and solar cells by analyzing electron status in detail. 例文帳に追加

原子レベルで細胞内の動きを見ることによる植物の光合成の機能解明や、原子や電子の状態の詳細な分析による革新的な燃料電池・蓄電池・太陽電池等の開発も期待される。 - 経済産業省

Disclosed is a process for preparing toner particles which comprises: (a) selecting a carbon black; (b) measuring the surface level of sulfur of the carbon black by an X-ray Photoelectron Spectroscopy to ensure that the surface level of sulfur is about 0.05 atomic percent or less; and (c) mixing the carbon black with a resin to generate a toner composition.例文帳に追加

（ａ）カーボンブラックを選択することと、（ｂ）カーボンブラック表面の硫黄濃度をＸ線光電子分光法によって測定し、表面の硫黄濃度が約０．０５ａｔ％以下であるようにすることと、（ｃ）カーボンブラックと樹脂とを混合し、トナー組成物を作成することとを含む、トナー粒子を調製するプロセス。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate capable of preventing the deterioration of the carrier mobility resulting from the surface unevenness on the surface thereof by controlling the direction and the width of an atomic level step/terrace on the semiconductor substrate surface, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

半導体基板表面上で原子レベルのステップ／テラスの方向と幅を制御し、その表面上に表面凹凸起因のキャリア移動度劣化を抑制できる半導体基板および半導体装置を提供する。 - 特許庁

Continuously, the light absorbing layer is formed to have the prescribed film thickness by repeating the adhesion of the raw material at the atomic layer level through a mask opening by sputtering (step S4) and the exposure thereof to the oxidizing or nitriding atmosphere (step S5).例文帳に追加

続いて、その光吸収層はその原料物質のスパッタリングによるマスク開口を通した原子層レベルの付着と（ステップＳ４）とその酸化性／窒化性雰囲気への曝露（ステップＳ５）を繰り返して所定の膜厚にする。 - 特許庁

The material for the vapor phase growth apparatus consists of Si dispersed vitrous carbon in which that atomic level Si is dispersed and compounded as homogeneous and continuous phases in the vitrous carbon structure at the range of 0.5-15 wt.%.例文帳に追加

ガラス状カーボンの組織中に、０．５〜１５重量％の範囲でＳｉが原子レベルで均一な連続相として分散複合した組織性状を備えるＳｉ分散ガラス状カーボンからなる気相成長装置用部材。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for releasing energy from atoms, when electrons are stimulated in such a way so as to relax to a lower energy level and to a state of small size, by providing an energy hole which resonates with transfer according to a new atomic model.例文帳に追加

新たな原子モデルに従い、移転に共振するエネルギーホールを与えることにより電子をよりエネルギー準位且つ大きさの小さい状態に弛緩するよう刺激する際に、原子からエネルギーを開放する方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a ground improvement construction method by which, even if a rock bed is not present up to an embedding depth level at which an embedding effect is obtained in a construction site for an atomic-energy-related building, the embedding effect can be obtained, while suppressing construction period and construction cost.例文帳に追加

原子力関連建築物の建設予定地に埋込み効果が得られる埋込み深さレベルまで岩盤がない場合であっても、埋込み効果を得つつ、工期や施工費を抑えることができる地盤改良工法を提供すること。 - 特許庁

To establish a technique of production, stable without causing crystal defects, and suitable for the synthesis of many kinds of complex oxides by the micro uniform mixing of a raw material powder required for the synthesis of the complex oxide in an atomic or molecular level.例文帳に追加

複合酸化物の合成に必要な原料粉の原子あるいは分子レベルでのミクロな均一混合によって、結晶欠陥を生じることなく安定して、多数種の複合酸化物の合成に適合する製造技術を確立すること。 - 特許庁

An Si surface containing metal impurities beneath the surface is hydrogenized by the vapor-or liquid-phase method to deposit the metal impurities on the Si surface, and the metal impurities are removed to make a high- cleanness Si surface and planarize it at the atomic level.例文帳に追加

金属不純物を表面下に含有するＳｉ表面を、気相法または液相法により水素化し金属不純物をＳｉ表面上へ析出させ、この金属不純物を除去することによりＳｉ表面を高純度化し、原子レベルで平坦化する。 - 特許庁

Based on an interatomic distance according to atomic level fine structure data on a specimen acquired by using a three-dimensional atom probe, the positions of atoms missing from the fine structure of an actual specimen are found without using reference data to complement it with atoms to the positions.例文帳に追加

３次元アトムプローブ装置を用いて取得した試料の原子レベル微細構造データにおける原子間距離に基づいて、参照データなしに実際の試料の微細構造から欠落している原子の位置を求め、前記位置に前記原子を補完する。 - 特許庁

In order to form the outermost protective layer by ion beam support, direct ion beam support growth is adopted or oxygen or nitrogen and aluminum or titanium are mixed on the atomic level by ion beam support with the exception of the case of ruthenium.例文帳に追加

この多層系は、イオンビームサポートにより最外層保護層を作るために、保護層の直接のイオンビームサポート成長によるかまたはルテニウムの場合を除いてイオンビームサポートにより原子レベルで酸素または窒素とアルミニウムまたはチタンをミックスすることにより作り出される。 - 特許庁

To provide a method for easily producing a fine polyurethane resin aqueous dispersion having sharp particle diameter distribution and excellent in long term stability or mechanical stability even at a lower level of hydrophilic atomic group content and emulsifier use than those of conventionals.例文帳に追加

親水性原子団の含有量、あるいは乳化剤の使用量が従来より少ないレベルにおいても、微細でかつ粒子径分布がシャープで長期安定性あるいは機械的安定性に優れたポリウレタン樹脂水性分散体を容易に製造することである。 - 特許庁

Relating to a material constituting a ferroelectrics layer of a ferroelectrics memory, a transiting metal oxide comprises a transition metal as a main component, wherein a difference between the energy level in d-state of a valence band of the transition metal in an atomic state constituting the transition metal oxide and the energy level in 2p state of oxygen constituting the transition metal oxide is 0.33 Ry or less.例文帳に追加

強誘電体メモリにおける強誘電体層を構成する材料であって、遷移金属酸化物において、前記遷移金属酸化物を構成する遷移金属の原子状態における価電子帯のd状態のエネルギーレベルと、前記遷移金属酸化物を構成する酸素の2p状態のエネルギーレベルの差が0.33Ry以内である遷移金属を主成分とする。 - 特許庁

In the Si-dispersed glassy carbon base material, Si is uniformly distributed in atomic level in an amount of 0.5 to 15 wt.% in the texture of the glassy carbon and the relation of the content (y, wt.%) of oxygen atoms present and the content (x, wt.%) of Si atoms satisfies formula: x+2≥y≥x-2 (y>0).例文帳に追加

Ｓｉ分散ガラス状炭素基材はガラス状炭素の組織中に原子レベルのＳｉが０．５〜１５wt％の割合で均一に分布し、かつ存在するＯ原子の含有量（ｙ）wt％が、Ｓｉ原子の含有量（ｘ）wt％と，ｘ＋２≧ｙ≧ｘ−２式の関係（但し、ｙ＞０）ある。 - 特許庁

In the Si dispersed vitreous carbon material, Si is uniformly dispersed and combined in the structure of the vitreous carbon in atomic level and the bound energy of 2p orbit of Si atom, which is determined from the peak value of a photoelectron spectrum by an X-ray photoelectron spectroscopy(XPS), is 101-103 eV.例文帳に追加

ガラス状カーボンの組織中にＳｉが原子レベルで均一に分散複合し、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）による光電子スペクトルのピーク値から求めたＳｉ原子の２ｐ軌道の束縛エネルギーが１０１〜１０３ｅＶの範囲にあることを特徴とするＳｉ分散ガラス状カーボン材。 - 特許庁

To provide a proton conductive carbon cluster (especially fullerenol and/or fullerenol hydrogen sulfate ester) holding a platinum-group element, especially platinum or palladium dispersed in atomic level and, accordingly, useful as an electrode catalyst or electrode material of fuel cells and provide the application of the cluster and a method for the production of the cluster.例文帳に追加

白金族元素、特に、白金又はパラジウムを原子レベルで分散、担持しており、従って、燃料電池の電極触媒や電極材料として有用であるプロトン伝導性炭素クラスター（特に、フラレノール及び／又はフラレノール硫酸水素エステル）とその利用とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an atomic oscillator equipped with an optical system which facilitates module mounting by arranging a plurality of light receiving elements and light emitting elements side by side on the same side thereby reducing the length of a bonding wire for electrically connecting the plurality of light receiving elements, and which has a high EIT signal level thereby has an improved S/N.例文帳に追加

複数の受光素子を発光素子と同一側に併置し、複数の受光素子を電気的に接続するボンディングワイヤを短くしてモジュール実装を容易とし、且つＥＩＴ信号レベルを大きくしてＳ／Ｎを改善した光学系を備えた原子発振器を提供する。 - 特許庁

By this setup, an SiO2 insulating film forming region which serves as a source to generate hydrogen that produces a surface potential level is reduced to an irreducible minimum, atomic hydrogen is less generated even in a radiation environment, and an interface state density is restrained from being generated, so that a semiconductor device of this constitution can be prevented from deteriorating in characteristics.例文帳に追加

これにより界面準位を生成する水素の発生源となるSiＯ_2 絶縁膜の形成領域を必要最低限の領域のみとし、放射線環境下でも原子状水素の発生を低減し、界面準位の生成を抑制して特性劣化を防止する。 - 特許庁

To provide an organic metal vapor phase epitaxy device which enables further stable film formation of atomic layer level, and further uniform film thickness distribution in-wafer surface or inter-wafer film thickness, and enables film formation of uniform film thickness distribution, even if gas flow is disturbed.例文帳に追加

本発明は、ウエハー面内の膜厚分布あるいは各ウエハー間の膜厚をより均一に原子層レベルの成膜をより安定的に形成でき、さらに、ガス流の乱れがあっても均一な膜厚分布の成膜を可能にする有機金属気相成長装置を提供するものである。 - 特許庁

To provide an atomic oscillator equipped with an optical system which facilitates module packaging by juxtaposing a plurality of light-receiving elements on the same side as light-emitting elements, thereby shortening wire bonding for connecting the plurality of light-receiving elements electrically, and improves an S/N by increasing an EIT signal level.例文帳に追加

複数の受光素子を発光素子と同一側に併置し、複数の受光素子を電気的に接続するワイヤボンディングを短くしてモジュール実装を容易とし、且つＥＩＴ信号レベルを大きくしてＳ／Ｎを改善した光学系を備えた原子発振器を提供する。 - 特許庁

To provide an element analyzer which dispenses with the movement of a sample during analysis when the three-dimensional element constitution of the sample is analyzed in an atomic level with high precision and also dispenses the attaching/detaching work of the sample, and the sample holder or the like usable in the element analyzer.例文帳に追加

試料の３次元的な元素構成を原子レベルで高精度に分析する際に、分析中の試料の移動を不要とし、試料の取り付け・取り外し等の作業が不要な元素分析装置および当該元素分析装置に使用可能な試料ホルダ等を提供する。 - 特許庁

In the formation of an optical attenuation film obtained by layering a dielectric layer and a light absorbing layer being a plurality of layers on a substrate, the dielectric layer is formed to have a prescribed film thickness by repeating the total adhesion of a raw material at an atomic layer level (step S1) and the exposure thereof to an oxidizing or nitriding atmosphere (step S2).例文帳に追加

基板上に誘電体層と光吸収層を複数層に積層する光減衰膜の形成において、その誘電体層はその原料物質の原子層レベルでの全面付着（ステップＳ１）とその酸化または窒化性雰囲気への曝露（ステップＳ２）を繰り返して所定の膜厚にする。 - 特許庁

The X-ray optical device is provided, which has the dramatic improvement of reflectance and an energy band by forming a reflection film of HfO_2, Al_2O_3, or the like on a sidewall of a curved hole structure manufactured in silicon and nickel being material of a fine structure by a micromachining technology with the accuracy of a sub-nm level by using an atomic layer volume method.例文帳に追加

微細構造体の材質であるシリコンやニッケルにマイクロマシン技術で製作した曲面穴構造の側壁に原子層体積法を用いて、サブｎｍレベルの正確さで、HfO_2およびAl_2O_3等の反射膜を成膜することにより反射率及びエネルギー帯域が飛躍的に向上したＸ線光学装置を提供する - 特許庁

A template substrate having a flat surface layer formed substantially in an atomic level with in-plane compression stress applied is obtained by epitaxially forming the surface layer 1b made of AlN by a MOCVD method on a C-face sapphire single crystal base material 1a, and then by heating the laminate at a temperature of 1,300°C or higher.例文帳に追加

Ｃ面サファイア単結晶基材１ａの上にＭＯＣＶＤ法によってＡｌＮからなる表面層１ｂをエピタキシャル形成した後、該積層体を１３００℃以上の温度で加熱することで、面内圧縮応力が作用してなる、実質的に原子レベルで平坦な表面層が形成されてなるテンプレート基板を得る。 - 特許庁

To provide a powder composition of ceric oxide and a stabilizing non-noble metal oxide, such as zirconium oxide, mixed at the atomic level in complete solid solution, wherein the non-noble metal oxide has high oxygen storage capacity and maintains an ultrafine crystallite size even at high temperatures and the powder is used to form washcoats for catalytic converters.例文帳に追加

触媒を用いたコンバーター用のウオッシュコートを形成するために用いられる、完全な固溶体となって原子レベルで混合されている、酸化セリウム及び酸化ジルコニウムのような安定化作用を有する高い酸素貯蔵能力を有し超微細微結晶サイズを高温においても維持する貴金属でない金属の酸化物の粉体組成物を提供する。 - 特許庁

The fermentation efficiency in a fermenter is improved by inducing in the fermenter, waste heat exhausted from power plants such as fuel cells, thermal power plants, atomic power generation systems, or iron facilities of a blast furnace, a coal roasting device or the like, so as to increase the temperature in the fermenter to be the level of improving fermentation efficiency.例文帳に追加

発酵槽内に燃料電池や火力発電装置や原子力発電設備等の発電装置、または製鉄設備である溶鉱炉や石炭を蒸し焼きにする装置などから排出された排熱を伝導して、発酵槽内の温度を発酵効率が高まる水準まで高めることにより、発酵槽内における発酵効率を高める。 - 特許庁

A intensive wet blasting operation is applied to a coating film of a CVD coated cutting tool equipped with a TiC_XN_Y layer containing a cemented carbide as base material and having a low tensile stress level of 50-390 Mpa and Al_2O_3 having a high surface smoothness with a mean Ra 0.12 μm or below as measured by the atomic force microscope (AFM) technique.例文帳に追加

超硬合金を母在とし、５０〜３９０Ｍｐａの低引張応力レベルを有するＴｉＣ_ＸＮ_Ｙ層と、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）技術によって測定される平均Ｒａが０．１２μｍ以下の高い表面平滑度を有するＡｌ_２Ｏ_３と備えるＣＶＤ被覆切削工具の被膜に、非常に激しい湿潤吹き付け処理を施す。 - 特許庁