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atomicを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 3121



例文

A Co alloy target comprising 1 to 10 atomic% of Zr and 1 to 10 atomic% of Nb and/or Ta, the balance being unavoidable impurities and Co, is produced by rapidly solidifying a melt of the Co alloy to produce an alloy powder, classifying the alloy powder to maximum particle size of 500 μm or less, and pressure-sintering the classified alloy powder.例文帳に追加

本発明は、Zrを1〜10原子%、Nbおよび/またはTaを1〜10原子%含有し、残部実質的にCoからなるCo合金ターゲット材の製造方法において、該Co合金溶湯を急冷凝固処理して合金粉末を作製した後、粉末粒径500μm以下の該合金粉末を加圧焼結するCo合金ターゲット材の製造方法である。 - 特許庁

In the alkaline earth metal-containing MFI structure zeolite catalyst used in the synthesis of the lower hydrocarbon from dimethyl ether and/or methanol, the alkaline earth metal-containing MFI structure zeolite catalyst has the Si/Al atomic ratio of 30-400, the alkaline earth metal/Al atomic ratio of 5-15 and 0.05-2 μm average particle diameter.例文帳に追加

ジメチルエーテル及び/又はメタノールから低級炭化水素を合成する際に用いられるアルカリ土類金属含有MFI構造ゼオライト触媒において、Si/Al原子比が30〜400、アルカリ土類金属/Al原子比が0.75〜15であり、平均粒子径が0.05〜2μmであることを特徴とするアルカリ土類金属含有MFI構造ゼオライト触媒を用いる。 - 特許庁

The interconnection and an electrode for flat panel display using a thin-film transistor having superior adhesiveness, formed by a copper alloy thin film having a composition containing oxygen by 0.4 to 6 atomic%, one or more of Ni, Co and Zn by 0.001 to 3 atomic% in total, and the rest consisting of Cu and unavoidable impurities, and is also relates to a sputtering target for forming interconnections and the electrode.例文帳に追加

酸素:0.4〜6原子%を含有し、さらにNi、CoおよびZnのうちの1種または2種以上を合計で0.001〜3原子%を含み、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる密着性に優れたTFTトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線および電極、並びにこれらを形成するためのスパッタリングターゲット。 - 特許庁

A method is constituted by sputtering a first gate electrode film 4 adjacent to a gate insulation film 3 with use of an inert gas having an atomic number larger than Ar as discharge gas and sputtering a second gate electrode film 5 on the first gate electrode film 4 with an Ar gas or Ar gas mixed with the inert gas having a larger atomic number than Ar 50% or less.例文帳に追加

ゲート絶縁膜3に接する第1のゲート電極膜4をArよりも大きな原子数の不活性ガスを放電ガスに用いてスパッタリングし、第1のゲート電極膜4上の第2のゲート電極膜5をArガス又はArにArよりも大きな原子数の不活性ガスを50%以下の割合で混合したガスを放電ガスに用いてスパッタリング成膜する。 - 特許庁

例文

To provide a method for producing a metal compound oxide, with which the metal compound oxide with a desired structure is obtained more efficiently at a lower temperature, while more retaining the atomic arrangement of a precursor, by making the same into ceramic.例文帳に追加

前駆体の原子配置をより維持したままセラミックス化し、所望の構造の金属複合酸化物をより効率的に、より低温で得る金属複合酸化物の製造方法を提供する。 - 特許庁


例文

Accordingly, a window 10 formed of the material having the atomic number smaller than metal is used for the emitting port of the electron beam, whereby the distribution of an electron beam irradiation device minimized in energy loss can be realized.例文帳に追加

従って金属よりも原子番号の小さい物質からなる窓10を電子線の出射口に用いることによりエネルギー損失の少ない電子線照射装置の提供を実現できる。 - 特許庁

To realize analysis of particles covering broad mass ranges from a light atomic to heavy particle cluster and amicron, at a high detection efficiency, at a high resolving power and at a high SIN(signal to noise) ratio.例文帳に追加

軽い原子から重い粒子であるクラスターや超微粒子までの広い質量範囲に亘る粒子の分析を高い検出効率、高い質量分解能と高いS/N比で実現すること。 - 特許庁

To provide a thin film formation method using atomic-layer vacuum deposition which is applied to the formation of a gate insulating layer, having a high dielectric constant, less likely to be crystallized due to its being thermally stable, and proper film properties.例文帳に追加

比誘電率が高く、熱的に安定で結晶化し難い、膜特性の良好なゲート絶縁膜の形成に適用される原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

The second recording layer (3) consists of Ge and contains 0.5 to 10 atomic percent at.% of at least one element selected from Al, Ag, In, Mn, Ni, Zn and Zr.例文帳に追加

第二記録層(3)はGeから成り、Al、Ag、In、Mn、Ni、Zn、Zrの中から選ばれた少なくとも一つの元素を0.5原子%以上10原子%以下の範囲内で含有する。 - 特許庁

例文

To make it possible to form a high accurate resistance element through film formation by a plasma atomic layer deposition method (plasma ALD method) without reducing any insulating performance of an insulating film as a grounding in the plasma ALD method.例文帳に追加

本発明は、プラズマ原子層堆積法(プラズマALD法)の下地の絶縁膜の絶縁性能を低下させず、プラズマALD法での膜形成により高精度の抵抗素子の形成を可能にする。 - 特許庁

例文

A solar cell includes a thin film n-layer containing Zn, Sn and O, and atomic ratio of Zn and Sn in the n-layer is from 20:80 or more to 80:20 or less.例文帳に追加

本発明は、Zn、Sn及びOを含有する薄膜状のn層を備え、このn層におけるZnとSnとの原子数比が20:80以上80:20以下である太陽電池である。 - 特許庁

Further, the discharge container 1 is provided with a gas supply port 4 for introducing gas necessary for generating plasma in the container, and a beam discharge hole 5 which is a discharge part for discharging the atomic beam.例文帳に追加

さらに、放電容器1には、容器内でプラズマを発生させるために必要なガスを導入するガス供給口4、および電子ビームを放出する放出部であるビーム放出孔5を設ける。 - 特許庁

To provide an atomic absorption spectrophotometer, whose measurement is stabilized by a method where the particle size of anatomized sample inside an atomization chamber and the flow of a combustible gas containing the atomized sample are made to be stable.例文帳に追加

霧化チャンバ内での霧化試料の粒子径、霧化試料を含んだ可燃性ガスの流れを安定的にすることにより、測定を安定化するようにした原子吸光分光光度計を提供する。 - 特許庁

Particularly, when a Ti atomic ratio, (Ti/Ti+P) is 0.5 to 0.8, or N is introduced, the corrosion resistance of such a film is improved remarkably without degrading the conductivity.例文帳に追加

特にTi原子比(Ti/Ti+P)が0.5〜0.8である場合やNが導入された場合、その耐食導電性皮膜の耐食性は、導電性を低下させることなく著しく向上する。 - 特許庁

To provide a metal oxide thin film deposition method capable of generating various kinds of metal oxide thin films, in particular, compound metal oxide thin films consisting of metals of different kinds by using the ALD (Atomic Layer Deposition)method without affecting the film deposition speed.例文帳に追加

成膜速度に影響を及ぼすことなく、多種の金属酸化物薄膜、特に異なる種類の金属からなる複合金属酸化物薄膜をALD法を利用して生成する。 - 特許庁

This method is a method in which a film is extracted with an extrapure water, and then the extracted liquid is measured using an ion chromatography, an in-liquid particle counter, a combined induction plasma-mass spectrometer, and an atomic absorption photometer.例文帳に追加

フィルムを超純水で抽出し、その抽出液をイオンクロマトグラフ、液中パーティクルカウンター、結合誘導プラズマ−質量分析計、原子吸光分光光度計により測定する方法である。 - 特許庁

An interface adjustment layer 42 made up of a plurality of continuously deposited atomic layers is formed on the inner wall of the contact hole and on the film 20 with a thickness of several to several tens of angstroms.例文帳に追加

コンタクトホールの内壁及び層間絶縁膜の上部に連続的に蒸着された複数の原子層よりなる界面調節層を数Åないし数十Åの厚さに形成する。 - 特許庁

A sputtering target is used for forming the n-layer of the solar cell, contains Zn, Sn and O, and has atomic ratio of Zn and Sn from 20:80 or more to 80:20 or less.例文帳に追加

本発明のスパッタリングターゲットは、太陽電池のn層を形成するために用いられ、Zn、Sn及びOを含有し、ZnとSnとの原子数比が20:80以上80:20以下である。 - 特許庁

The raw material for chemical vapor deposition is suitable for a raw material for depositing a silicon-containing thin film, preferably, a silicon oxide- containing thin film by the chemical vapor deposition method, in particular, an ALD (Atomic Layer Deposition) method on a substrate.例文帳に追加

該化学気相成長用原料は、基体上に化学気相成長法、特にALD法により、ケイ素含有薄膜、好ましくは酸化ケイ素薄膜を形成する原料として好適である。 - 特許庁

To provide an aqueous atomic composition which does not include non-volatile components such as a surfactant, includes an aromatic component of a sufficient concentration or the like, and can be used as a flavoring agent as it is.例文帳に追加

界面活性剤等の不揮発成分を含まず、かつ十分な濃度の芳香成分等を含有しそのまま芳香剤として使用可能な水性の芳香組成物を提供すること。 - 特許庁

To control the concentration of atomic oxygen O in a wafer-laminating direction, and equalize the film thickness distribution of an oxide film in the wafer-laminating direction at a low temperature of e.g.500°C and ≤700°C.例文帳に追加

例えば500℃以上700℃以下の低温において、原子状酸素Oの濃度をウエハ積層方向に渡りコントロールし、酸化膜の膜厚分布をウエハ積層方向に渡り均等化する。 - 特許庁

The manufacturing method for the extremely small optical waveguide is characterized by that the oxide film is formed by anodizing the surface of the metallic substrate by using a probe tip of an atomic force microscope, etc.例文帳に追加

また、本発明の極微小光導波路の製造方法は、金属基板表面を原子間力顕微鏡等の探針先端を用いて陽極酸化して酸化膜を形成することを特徴とする。 - 特許庁

Preferably, the composition ratio of Co relative to Mm in atomic ratios is from 0.3 to 0.65, and the diameter of the smallest circumscribed circle of the segregation phases is from 0.05 μm to 10 μm.例文帳に追加

上記Mmに対するCoの組成割合は原子比率で0.3〜0.65であることが好ましく、偏析相に最小直径で外接する円の直径は0.05〜10μmであることが好ましい。 - 特許庁

The silicon single crystal wafer contains a dopant at a concentration of 1.0×1012 atoms/cm3 or more with an oxygen concentration of 0.5×1018 atoms/cm3 or more and has a crystal lattice strain of 1×10-9 to10-5 (atomic unit).例文帳に追加

シリコン単結晶ウエハは、酸素濃度が0.5×10^18atoms/cm^3以上で、ドーパントを1.0×10^12atoms/cm^3 以上の濃度で含み、結晶格子歪みが1×10^-9〜2×10^-5(原子単位)の範囲にある。 - 特許庁

The phase shift film 2 comprises a film, having a ratio of atomic percentages of the metal to silicon larger than metal:silicon=1:2 and is a dense film with ≤2 nm for root-mean-square (RMS) roughness.例文帳に追加

位相シフト膜2に含まれる金属と珪素との原子%の比率が、金属:珪素=1:2より大きい膜で構成され、かつ自乗平均平方根粗さ(RMS)で2nm以下となる緻密な膜である。 - 特許庁

The silicon semiconductor substrate has a main surface which is a {110} plane or a plane obtained by tilting the {110} plane, and steps at an atomic level are provided on an average in a <110> direction on the surface of the silicon semiconductor substrate.例文帳に追加

{110}面又は{110}面を傾けた面を主面とするシリコン半導体基板であって、その表面に平均的に<110>方向に沿った原子レベルのステップを有するようにした。 - 特許庁

Through the atomic layer deposition process, a silicon-rich nanocrystal structure that includes silicon-rich insulating layers and silicon-rich nanocrystal layers, and having a high silicon content and superior step coverage can be formed.例文帳に追加

原子層蒸着工程を通じてシリコンリッチ絶縁層とシリコンリッチナノクリスタル層を含んで高いシリコン含量と優れた段差塗布性を有するシリコンリッチナノクリスタル構造物を形成することができる。 - 特許庁

The copper β-ketoiminato complex may be used as precursors to deposit a metal or a metal-containing film on a substrate under, for example, atomic layer deposition or chemical vapor deposition conditions.例文帳に追加

その銅β−ケトイミナート錯体は原子層堆積又は化学蒸着条件により基材上に金属又は金属含有フィルムを被着させるための前駆物質として使用することができる。 - 特許庁

When an electron beam is emitted to a material having an atomic number smaller than metal, the energy loss by the interaction with the electron beam is reduced, compared with the case of metal, to reduce the generation of heat or X-ray.例文帳に追加

金属よりも原子番号の小さい物質に電子線が照射されると、電子線との相互作用によるエネルギー損失が金属の場合と比べて低下し、熱やX線の発生が減少する。 - 特許庁

Alternatively, there is provided the soft magnetic target material consisting of Fe-Ni based alloy, wherein the atomic ratio of Fe:Ni 100: 20:80, and also, one or two selected from Al and Cr are incorporated in an amount of 0.2 to 5 at% is provided.例文帳に追加

また、Fe−Ni系合金において、Fe:Niのat比が100:0〜20:80とし、かつ、AlまたはCrの1種または2種を0.2〜5at%含有させてなる軟磁性ターゲット材。 - 特許庁

To solve the problem of difficulty in miniaturization and reduction in cost of a lamp exciter for atomic exciter because a spark generating circuit for igniting a rubidium lamp using a lamp exciter contains a large component such as a transformer, and the problem of unstability in operation of the lamp exciter due to blocking vibration at an oscillation circuit of the lamp exciter.例文帳に追加

ランプ励振器でルビジウムランプを点灯するためのスパーク発生回路にはトランスなど大型部品が含まれ、原子発ランプ励振器の小型化、低価格化が困難である。 - 特許庁

To provide an atomic oscillator which can simplify a light source drive control circuit system, miniature the device, and reduce the cost by using a low-price light source while achieving a frequency standard.例文帳に追加

周波数基準を実現させると共に、光源駆動制御回路系を簡略化して装置を小型化し、且つ安価な光源を利用することでコストを低減することができる原子発振器を提供する。 - 特許庁

To provide an oxidation reaction inhibiting glass material and an oxidation reaction inhibiting glass container capable of minimizing oxidative deterioration caused by an oxidation reaction by adjusting the atomic composition of the surface of the glass material.例文帳に追加

ガラス材表面の原子組成を調整することにより、酸化反応に起因する酸化劣化を極力抑制した酸化反応抑制ガラス材及び酸化反応抑制ガラス容器を提供する。 - 特許庁

The normal temperature magnetic ferroelectric superlattice is constituted by layering at least two kinds of ferroelectric oxide thin films on a substrate, wherein the oxide thin film of each layer is composed of an odd number of atomic layers.例文帳に追加

基板上に、少なくとも2種類の強誘電性酸化物薄膜が積層されてなり、各層の前記酸化物薄膜が奇数枚の原子層からなる常温磁性強誘電性超格子とする。 - 特許庁

A city official said, "This car symbolizes the tragedy of the atomic bombing and the lesson of peace that we should hand down from generation to generation. It's also a valuable piece of transportation history. We'll take good care of it." 例文帳に追加

市の職員は,「この電車は我々が代々語り継ぐべき原爆投下の悲劇や平和の教訓を象徴している。また,交通史の資料としても貴重だ。大切にしていきたい。」と話した。 - 浜島書店 Catch a Wave

To obtain a positionally uniform and continuous effect for a long period of inhibiting relaxation of atomic spin of a medium sealed into an internal space equipped in a measurement device using optical pumping.例文帳に追加

光ポンピングを利用した測定装置が備えるセルの内部空間に封入された媒体の原子スピンの緩和を抑制する効果を、場所によって均一に、かつ長期間継続して得ること。 - 特許庁

The catalyst for cleaning exhaust including a catalyst layer that contains a complex oxide composed of lanthanoid at an atomic ratio of at least 40%, is characterized in that the complex oxide has an oxygen storage rate of 0.55 to 0.75 wt.%.例文帳に追加

排ガス浄化用触媒に、ランタノイドを40%以上の原子割合で含み、酸素吸蔵率が、0.55〜0.75重量%である複合酸化物を含む触媒層を含有させる。 - 特許庁

Metal alkylamide (TEMAZ) and silicon alkylamide (TEMASiH) are used as a metal precursor and a silicon precursor, respectively, and the precursors are supplied to a reaction vessel 103 at the same time to perform ALD (atomic layer deposition).例文帳に追加

金属アルキルアミド(TEMAZ)を金属前駆体とし、シリコンアルキルアミド(TEMASiH)をシリコン前駆体として、前駆体を同時に反応容器103に供給してALD(原子層堆積)を行う。 - 特許庁

In the amorphous metal containing rare-earth metals, iron and boron, the atomic ratio of rare-earth metals is regulated to be in the range of 22-44 atom%, and that of boron in the range of 6-28 atom%.例文帳に追加

希土類元素、鉄およびホウ素を含有するアモルファス金属において、希土類元素の原子割合を、22〜44原子%の範囲とし、ホウ素の原子割合を、6〜28原子%の範囲とする。 - 特許庁

To detect the information of a phase delay even if a plurality of kinds of polymers are in rubber states, when analyzing a composite material including the plurality of kinds of polymers by using an atomic force microscope.例文帳に追加

複数種類のポリマーを含む複合材料を、原子間力顕微鏡を用いて解析する際、複数種類のポリマーがゴム状態にある場合でも位相遅れの情報を検出する。 - 特許庁

The atomic force microscope 100 includes a cantilever 130 having a probe 142 at the tip, a support 110 supporting the cantilever 130, and a vibration generating part 120 giving vibration to the cantilever 130.例文帳に追加

原子間力顕微鏡100は、先端に探針142を有するカンチレバー130と、カンチレバー130を支持する支持部110と、カンチレバー130に振動を与える振動発生部120とを備えている。 - 特許庁

The first/second semiconductor substrates are directly bonded to each other by a silicon-to-silicon atomic bond at a bond interface, thereby configuring a sharp transition from the first substrate to the second substrate.例文帳に追加

前記第1及び第2半導体基材は、結合界面においてシリコン−シリコン原子接合によって互いに直接接合され、それによって、第1基材から第2基材へシャープな遷移を提供する。 - 特許庁

To provide a flame type atomic absorption spectrophotometer in which no wall surface of the chamber is damaged when a backfire phenomenon has occurred in the internal space of the chamber part and the workability of the chamber part has been improved.例文帳に追加

チャンバ部の内部空間で逆火現象が発生した際に、チャンバ部の壁面が破損せず、かつ、チャンバ部の加工性を向上させているフレーム式原子吸光分光光度計を提供する。 - 特許庁

The method of surface treatment includes: preparing a substrate; and forming a ceramic layer on a surface of the substrate by atomic layer deposition (ALD), wherein the ceramic layer has a thickness of 1 to 1,000 nm.例文帳に追加

基板を用意することと、原子層析出(ALD)によって基板の表面にセラミック層を形成することとからなり、セラミック層は1〜1000nmの厚さを有する表面処理方法。 - 特許庁

At least one selected from among methanol, ethanol, and hydrofluoric acid is added to a borate-coexisting sample solution and the sample solution is measured as it is by means of a furnace atomic absorption analyzer.例文帳に追加

ホウ酸が共存する試料溶液にメタノール、エタノール及びフッ化水素酸から選ばれた少なくとも一つを添加し、その試料溶液をそのままファーネス原子吸光分析装置で測定する。 - 特許庁

To provide a method for forming a film comprising a metal which has a uniform and conformal thickness and a smooth surface on the surface of a substrate by an ALD (Atomic Layer Deposition) process using specified metal precursors.例文帳に追加

特定の金属先駆物質を用いたALD法により、基板表面に、均一で共形的な厚さと平滑な表面とを有する金属含有皮膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

In a glow discharge emission spectrum analyzer for spectrally detecting atomic emission while sputtering the surface of a sample by glow discharge to analyze an element, first - third electrodes are provided.例文帳に追加

グロー放電によって試料表面をスパッタリングしながら原子発光を分光検出し、元素分析を行うグロー放電発光分光分析装置1において、第1の電極〜第3の電極を備える。 - 特許庁

To provide a method of continuously depositing the atomic layers of respective single-layer films of a one single-layer film thickness by respectively bringing a plurality of precursors into contact with the surface of a substrate at different temperatures.例文帳に追加

基板上に、異なる温度において、複数の前駆体をそれぞれ接触させることにより、1単層膜厚のそれぞれの単層膜を連続的に原子層堆積する方法を提供する。 - 特許庁

Using a sapphire slightly-tilted substrate having an off-angle of 0.5° or less, a plurality of nitride semiconductor films having flatness in an atomic scale are fabricated by a molecular beam epitaxy method to manufacture a nitride semiconductor device.例文帳に追加

オフ角が0.5度以下であるサファイヤ微傾斜基板を用い、分子線エピタキシー法により複数の窒化半導体膜を原子スケールで平坦な膜を作製して窒化物半導体素子を製造する。 - 特許庁

例文

To provide an analysis method capable of measuring a trace amount of silicon contained in an organic silicon compound with high sensitivity and excellent reproducibility by a graphite furnace atomic absorption method.例文帳に追加

本発明にあっては、黒鉛炉原子吸光法により有機ケイ素化合物中に含まれる極微量なケイ素を高感度で再現よく測定する分析方法を提供することを課題とする。 - 特許庁




  
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