「atomic」に関連した英語例文の一覧と使い方(45ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a technique for performing, in a processing system and a method of communicating within the processing system, atomic access to a semaphore within a frame of bus protocol with minimized addition of hardware and without degradation of performance.例文帳に追加

処理システムと、処理システム内で通信する方法において、セマフォへのアトミックなアクセスを、バスプロトコルの枠組み内で、追加のハードウェアを最少にして、性能を劣化することなく、実施する技術を提供する。 - 特許庁

Herewith, a CdTe-system semiconductor substrate will be realized in which a projection with a height of ≥5 nm is not observed within the visual field of 10 μm×10 μm when the surface of the substrate is observed by an atomic force microscope.例文帳に追加

これにより、原子間力顕微鏡で基板表面を観察したときに１０μｍ×１０μｍの視野範囲内に高さ５ｎｍ以上の突起が観察されないＣｄＴｅ系半導体基板が実現される。 - 特許庁

According to an analysis by high-frequency glow discharge atomic emission spectrometry, the maximum value of Si concentration in a surface layer extended 20 nm from the surface of the copper or copper alloy tube is 0.3-30 atom%.例文帳に追加

高周波グロー放電発光分光分析法により分析したときの前記銅又は銅合金管の表面から２０ｎｍまでの表層部におけるＳｉ濃度の最大値が０．３乃至３０原子％である。 - 特許庁

In the joined structure obtained by joining dissimilar metallic materials 1 and 2, base metal crystals containing ≥90 atomic % base metal atoms 4 exist in a reaction product layer 3 formed on a joining boundary.例文帳に追加

異種金属材料１、２を接合させた接合構造体において、接合界面に生成した反応生成物層中３に、母材原子４が９０原子％以上含まれる母材結晶を存在させる。 - 特許庁

The volume reduction per one calculation step (S312) in the simulation is given, by multiplying by the volume of each element the time corresponding to a single calculation step, and the atomic volume corresponding to calculated AFDgen (S310).例文帳に追加

シミュレーションにおける１計算ステップあたりの体積減少(S312)は、各要素の体積、１計算ステップに対応する時間、および計算されたＡＦＤgenに対応する原子体積を乗じることにより与えられる(S310)。 - 特許庁

A photomask 11 is immersed in cooling water 14 and modified by removal using a probe of an atomic force microscope, whereby adhesion by frictional heat is prevented and it is made easy to remove chips by wet cleaning.例文帳に追加

フォトマスク１１を冷却水１４中に浸して原子間力顕微鏡の探針を用いて除去修正を行うことで、摩擦熱による付着を防ぎ、削り屑もウェット洗浄で除去しやすくするものである。 - 特許庁

To provide a fastening/relaxing device capable of performing fastening and relaxing in a short time by a small number of persons without requiring excessive labor at fastening and relaxing of a coupling bolt at an upper side of an atomic furnace primary cooling pump.例文帳に追加

原子炉1次冷却ポンプの上側のカップリングボルトの締結および弛緩の際に、過大な労力を必要とせずに、少人数かつ短時間で締結および弛緩が可能な締緩装置を提供する。 - 特許庁

The dielectric layer is obtained by first deposition of a thin TiO_2 protective layer by atomic layer growth using water as an oxidant and subsequent deposition of a second dielectric body by ALD using O_3 as an oxidant.例文帳に追加

誘電体層は、酸化剤として水を用いた原子層成長による、薄いＴｉＯ_２保護層の最初の堆積と、これに続くＯ_３を酸化剤として用いたＡＬＤによる第２誘電体の堆積とにより得られる。 - 特許庁

A transparent conductive oxide layer 19 is set as an anode, and a probe 21 of an atomic force microscope is placed with a predetermined interval from a surface of the transparent conductive oxide layer 19, which is set as a cathode.例文帳に追加

透明導電性酸化物層１９を陽極とし、透明導電性酸化物層１９の表面から所定の間隔を隔てて原子間力顕微鏡の探針２１を設置しこれを陰極とする。 - 特許庁

To provide a system for previously and surely preventing cumulative combustion of noncondensing gas at a spot allowing gas accumulation, ensuring soundness of apparatuses and piping in an atomic power plant, and enhancing its reliability.例文帳に追加

ガス蓄積可能箇所における非凝縮性ガスの蓄積燃焼を未然にかつ確実に防止し、原子力発電所内機器や配管の健全性を確保し、信頼性を向上させたシステムを提供する。 - 特許庁

After the writing operation is normally carried out, the backup resource group and the present resource group are swapped in an atomic and consistent method, and the backup resource group is turned into a new present resource group as the result.例文帳に追加

その書込み動作を正常に実行後に、バックアップ・リソース・グループと現在のリソース・グループがアトミックで一貫性のある方法でスワップされ、その結果、今度はバックアップ・リソース・グループが新たな現在のリソース・グループとなる。 - 特許庁

Volume reduction (S312) per calculation step in the simulation is given by multiplying the volume of each element, time corresponding to one calculation step, and atomic volume corresponding to the calculated AFDgen (S310).例文帳に追加

シミュレーションにおける１計算ステップあたりの体積減少（Ｓ３１２）は、各要素の体積、１計算ステップに対応する時間、および計算されたＡＦＤ_genに対応する原子体積を乗じることにより与えられる（Ｓ３１０）。 - 特許庁

To obtain an acaricidal composition, an insecticidal composition, etc., useful without anxiety in a such a level as not to deteriorate atopic dermatitis even for a patient of atomic dermatitis even in bringing the composition into contact with a disease site.例文帳に追加

アトピー性皮膚炎の患者でも、その疾患部位に接触してもアトピー性皮膚炎を悪化させることがないレベルで安心して使用できる殺ダニ用組成物、防虫用組成物などを提供することにある。 - 特許庁

Regarding a sliding member obtained by providing a hard carbon film at least on the sliding part with a mating member, magnesium is incorporated into the hard carbon film, and the content thereof is controlled to the range of 2 to 41 atomic%.例文帳に追加

少なくとも相手材との摺動部位に硬質炭素被膜を備えた摺動部材の上記硬質炭素被膜中にマグネシウムを含有させ、その含有量を２原子％以上４１原子％以下の範囲とする。 - 特許庁

To provide a scintillator crystal sufficiently suitable for photomultiplier tubes when used as a scintillator without lowering a crystal density and an effective atomic number, and a radiation detector using the same.例文帳に追加

結晶の密度や実効原子番号を小さくすることなく、しかもシンチレータとして用いると光電子増倍管に十分適したものとなるシンチレータ用結晶及びこれを用いた放射線検出器を提供する。 - 特許庁

To provide a method for preparing bis(pentamethylcyclopentadienyl)strontium on a large scale which is a suitable raw material for forming a membrane comprising strontium oxide by a chemical vapor deposition method or by an atomic layer deposition method.例文帳に追加

酸化ストロンチウムを含有する膜を化学気相成長法や原子層堆積法により形成するための好適な原料であるビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ストロンチウムを量産することができる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a marker detector capable of detecting a marker signal with high accuracy even when reception environment is not excellent, and detecting the marker signal with less memory capacity and a small load, and an atomic clock.例文帳に追加

受信環境が良好でなくても高精度にマーカー信号を検出できるとともに、少ないメモリ容量で、且つ、小さな負荷でマーカー信号を検出できるマーカー検出装置ならびに電波時計を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which has a smaller thickness than heretofore and no threading dislocation and is provided with a stress relieving silicon germanium buffer layer having a flat surface in atomic level, and is superior in mass productivity.例文帳に追加

従来よりも膜厚が薄く、貫通転位が無く、且つ表面が原子レベルで平坦な歪緩和シリコンゲルマニウム緩衝層を有する、量産性の優れた半導体装置を製造する方法を提供する - 特許庁

Before a semiconductor substrate is fed to a water rinsing process for water rinsing after a thin film layer is removed, the concentration of the amine whose carbon atomic number is 8 or more contained in an ultrapure water is detected by an amine detection part 61.例文帳に追加

薄膜層除去後の半導体基板を水洗リンスする水洗リンス工程への供前に、超純水に含まれる炭素原子数８以上のアミンの濃度がアミン検出部６１で検出される。 - 特許庁

The silicon electrode plate superior in durability made of a silicon single crystal, containing 3 to 11 ppba of boron at atomic ratio, furthermore 0.5 to 6 ppba of the sum of one kind or two kinds between phosphorus and arsenic.例文帳に追加

原子比で、ボロン：３〜１１ｐｐｂａを含有し、さらに燐および砒素の内の１種または２種の合計を０．５〜６ｐｐｂａを含有するシリコン単結晶からなる耐久性に優れたプラズマエッチング用シリコン電極板。 - 特許庁

in the case of low-molecular compounds, qualitative composition (the existence of atoms of certain chemical elements), quantitative composition (the number of atoms of each element), inter-atomic bond and the reciprocal location of atoms in molecules expressed by the formula of chemical structure 例文帳に追加

低分子化合物の場合，化学構造式により表現された定性的組成(一定の化学元素の原子の存在)，定量的組成(各元素の原子の数)，原子間結合及び分子中の原子の相互配置 - 特許庁

1 The electrostatic charge image developer constituted of toner and the carrier, used in the trickle developing type image forming device, and set so that the surface exposing amount of the core material constituting component of the carrier may be 0 to 30.0 atomic % is recycled.例文帳に追加

トナーとキャリアとから構成され、トリクル現像方式の画像形成装置に用いられ、前記キャリアの芯材構成成分の表面露出量が、０〜３０．０ａｔｏｍ％である静電荷像現像剤。 - 特許庁

Stress evaluation can be realized with spatial resolution at the atomic level or at an order of 0.1 nm from the spatial distributions of the strains and stresses, and stress evaluation can be realized for fine elements with a processing size of less than 0.1 μm.例文帳に追加

歪及び応力の空間分布から原子レベルすなわち０．１ｎｍ程度の空間分解能を持つ応力評価が可能であり、加工寸法０．１μｍ以下の微細な素子の応力評価を実現できる。 - 特許庁

To achieve an atomic absorption photometer according to an electrical heating oven analysis method for improving analysis accuracy by limiting the reflection light of the light emission of a graphite pipe entering a spectroscope and minimizing the reduction in the quantity of measured light.例文帳に追加

分光器に入射する黒鉛管発光の反射光を制限し測定光量の低下を最小限として分析精度を向上できる電気加熱炉分析法による原子吸光光度計を実現する。 - 特許庁

This invention relates to the fine pattern forming material which is provided on the surface side of a substrate, and in which holes are formed by melting according to the irradiation of laser light, and which is composed of an In alloy containing 30 to 60 atomic% Co.例文帳に追加

基板の表面側に設けられ、レーザー光の照射によって溶融することで穴が形成される微細パターン形成材料であって、Ｃｏを３０〜６０原子％含有するＩｎ合金からなる。 - 特許庁

One manufacturing method of the InSbO_4-contained transparent conductive membrane is to sputter simultaneously a target comprising a sintered compact consisting of In, Sb, and O with an atomic ratio of 1:0.9 to 1.1 for In:Sb, and a target consisting of Sb.例文帳に追加

ＩｎとＳｂとＯからなり原子比Ｉｎ：Ｓｂが１：０．９〜１．１である焼結体からなるターゲットとＳｂからなるターゲットとを同時にスパッタすることによるＩｎＳｂＯ_4含有導透明電性膜の製造方法。 - 特許庁

To provide an ultra-precision cleaning apparatus which does not use a chemical at all and can remove not only formerly unremovable foreign matters with a particle size of 0.01 μm order but also a metal contaminant of an atomic/ molecular level.例文帳に追加

薬剤を一切使わず、従来では不可能であった粒径０．０１μｍオーダの異物の除去のみならず原子・分子レベルの金属汚染物の除去までが可能な超精密洗浄装置を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a molecular device which comprises a step of using a molecular structure having an atomic density higher in the peripheral part than in the inner part and bondable residues in the peripheral part to allow the above bondable residues to crosslink and the like are disclosed.例文帳に追加

内部よりも周囲部分の原子密度が高く、周囲部分に結合性残基を有する分子構造体を用い、前記の結合性残基を架橋させる工程を含む、分子デバイスの製造方法など。 - 特許庁

To provide a laminated thin-film function element and a magnetic resistance effect element, in which a misfit to upper and lower fcc ferromagnetic layers is reduced to realize planarity at atomic level and a sufficient hetero- epitaxy and an MR characteristic is improved.例文帳に追加

上下のｆｃｃ強磁性層とのミスフィットを低減し、原子レベルの平坦性や十分なヘテロエピタクシーを実現し、ＭＲ特性を向上させた積層薄膜機能素子および磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a halftone phase shift mask by which no correction scum of a residual defect is left when the residual defect of a halftone phase shift mask is removed by using an AFM (atomic force microscope) correcting device.例文帳に追加

ハーフトーン型位相シフトマスクの残留欠陥をＡＦＭ型修正機を用いて除去する際、残留欠陥の修正カスを残さないハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The metal complex is, for example, used as the precursor for adhering a metal or a metal-containing film onto a substrate by a condition of atomic layer sedimentation or chemical vapor deposition.例文帳に追加

一部の態様においては、ここに記載され金属錯体は、例えば原子層堆積又は化学蒸着条件により基材上に金属又は金属含有フィルムを被着させるための前駆物質として使用可能である。 - 特許庁

To relax stress generated in a thin film, and improve adhesion to the thin film, and further raise the film developing rate on a substrate by the Atomic Layer Epitaxy(ALE) method.例文帳に追加

基板上にＡＬＥ法により薄膜を形成する薄膜の形成方法において、薄膜に発生する応力を緩和するとともに、薄膜の下地に対する密着性を向上させ、更に、成膜レートを向上させる。 - 特許庁

In the general formula (1), R_1 denotes an aliphatic group, aromatic group, heterocyclic group or amino group, and others; R_2, R_3 denote aliphatic groups, aromatic groups, or heterocyclic groups; Z_1, Z_2 denote atomic groups necessary for forming cyclic structures.例文帳に追加

（式中、Ｒ１は脂肪族基、芳香族基、複素環基またはアミノ基、他、Ｒ２，Ｒ３は脂肪族基、芳香族基または複素環基、Ｚ１，Ｚ２は環状構造を形成するのに必要な原子群を表す。） - 特許庁

When the solid sample is analyzed by using the X-ray fluorescence analysis system, the surface of the solid sample is covered by an organic film with the thickness of not more than 400 μm which is composed of only elements whose atomic number is not more than eight.例文帳に追加

蛍光Ｘ線分析装置による固体試料の分析の際に、原子番号８以下の元素のみから構成され、膜の厚みが４００μｍ以下である有機膜で、当該試料の表面を覆う。 - 特許庁

The processing unit 39 controls the molecular beam sources 31a, 31b based on the measured result from the atomic absorption type film deposition monitor 24 and the inspected result and the measured result from the first to third inspection apparatuses 43a, 43b, 43c.例文帳に追加

演算処理装置３９は、原子吸光式成膜モニタ２４の測定結果と、第１〜第３検査装置４３ａ・４３ｂ・４３ｃの検査結果および計測結果とに基づいて分子線源３１ａ・３１ｂを制御する。 - 特許庁

Such a tool member forms an intermediate layer on a base material surface, and forms the silicon-containing amorphous carbon film having an atomic ratio of Si_0.03 to 0.25C_0.30 to 0.75H_0.22 to 0.50 by using a plasma CVD (chemical vapor deposition) after applying activation processing.例文帳に追加

このような工具部材は基材表面に中間層を形成し、活性化処理を施した後、プラズマＣＶＤを用いて原子比率がＳｉ_0.03_〜_0.25Ｃ_0.30_〜_0.75Ｈ_0.22_〜_0.50である珪素含有非晶質炭素膜を形成する。 - 特許庁

This production method of an NdFeBGa magnet having a high coercive force is a production method, by producing a quenched ribbon of Nd-Fe-B-G_X (x is a number representing atomic ratio and satisfies the equation: 1≤x≤3) and by pressurizing-sintering the produced ribbon.例文帳に追加

Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ−Ｇ_Ｘ（ｘは原子数比を表示する数であり、１≦ｘ≦３）の急冷リボン作製し、これを加圧焼結することを特徴とする高保磁力ＮｄＦｅＢＧａ磁石の製造法。 - 特許庁

The endoprosthesis includes a body structure formed of a biocompatible material, the body structure including a first material having an average atomic number greater than 24 and a second material that is different than the first material.例文帳に追加

内部人工装具は生体適合性材料から形成した本体構造物を有し、本体構造物は、２４より大きな平均原子番号を有する第一材料と第一材料と異なる第二材料を有する。 - 特許庁

To provide a fuel assembly for boiling water type atomic reactors, in which the void coefficient becomes a proper value and the adjustment of reactivity can be realized in a proper flammable poison amount in a reactor core having high burnup and continuously operating for a long term.例文帳に追加

高燃焼度、長期連続運転の炉心において、ボイド係数が適切な値になりかつ反応度調整を適切な可燃性毒物量で実現できる沸騰水型原子炉用燃料集合体を得る。 - 特許庁

(wherein, 0.1≤x≤0.5, 0.04≤a≤0.06, and 3.0≤y≤4.5 (atomic%)).例文帳に追加

式：［（Ｎｉ_１−ｘＦｅ_ｘ）_０．７５Ｂ_０．２５−ａＳｉ_ａ］_１００ーｙＮｂ_ｙ（式中、０．１≦ｘ≦０．５，０．０４≦ａ≦０．０６、３．０≦ｙ≦４．５（原子％）である）で示される組成を有することを特徴とする超高強度Ｎｉ基金属ガラス合金。 - 特許庁

To provide a sample table driving device for an atomic force microscope capable of measuring surface force of a sample to be measured with high accuracy and high resolution by controlling the movement of the sample table with high reliability and repeatability.例文帳に追加

高い信頼性及び再現性にて試料台を移動制御して試料の表面力を高精度及び高分解能で測定することができる原子間力顕微鏡の試料台駆動装置の提供。 - 特許庁

Using the iridium-containing film deposition material as the raw material, an iridium-containing film is produced by a CVD (Chemical Vapor Deposition) process, an ALD (Atomic Layer Deposition) process, a spin coating process or the like.例文帳に追加

このイリジウム含有膜形成材料を原料として、ＣＶＤ法、原子層蒸着法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法：ＡＬＤ法）、スピンコート法などによりイリジウム含有膜を製造する。 - 特許庁

Each of a semi-reflective film or a reflective film for an optical information recording medium and an Ag based alloy sputtering target includes an Ag based alloy containing 0.01 to 10 atomic percent of Li.例文帳に追加

Ｌiを０.０１〜１０原子％含有するＡg基合金であることを特徴とする光情報記録媒体用Ａg基合金半透過反射膜、反射膜及び光情報記録媒体用Ａg基合金スパッタリングターゲット。 - 特許庁

This method for producing the olefin is characterized by using a zeolite catalyst obtained by loading a rare earth element on an aluminosilicate, in which the loaded amount of the rare earth element is 1.5-30 range by atomic ratio based on aluminum in the zeolite.例文帳に追加

ゼオライト触媒が、稀土類元素を担持したアルミノシリケートであり、かつ希土類元素の担持量がゼオライト中のアルミニウムに対し原子比で１．５〜３０の範囲であることを特徴とするオレフィンの製造方法である。 - 特許庁

The application relates to a dielectric layer containing a rare-earth aluminate (RE_xAl_2-xO_3, wherein 0<x<2) and having a perovskite crystalline structure, wherein the rare-earth aluminate contains a rare-earth element having an atomic number 63 to 71.例文帳に追加

アルミン酸希土類（ＲＥ_ｘＡｌ_２−ｘＯ_３、０＜ｘ＜２）を含み、ペロブスカイト結晶構造を有する誘電体層に関し、アルミン酸希土類は、６３以上で７１以下の原子番号を有する希土類元素を含む。 - 特許庁