「atomic」に関連した英語例文の一覧と使い方(43ページ目) - Weblio英語例文検索

The overlay coating (24) contains aluminum in an amount greater by atomic percent than the metal alloy of the substrate (22), such that there is a tendency for aluminum to diffuse from the overlay coating (24) into the substrate (22).例文帳に追加

オーバーレイ皮膜（２４）は、原子％で基材（２２）の金属合金よりも多量のアルミニウムを含有しているので、アルミニウムはオーバーレイ皮膜（２４）から基材（２２）内部に拡散する傾向がある。 - 特許庁

To provide a probe and a cantilever for realizing an AFM (Atomic Force Microscope) having high resolution, and a method for manufacturing the probe and the cantilever easily and surely.例文帳に追加

高い分解能を有するＡＦＭを実現し得るプローブ及びカンチレバーと、それらプローブ及びカンチレバーを簡易且つ確実に製造することが可能な製造方法とを提供することを目的とする。 - 特許庁

Hydrogen radicals and molecular or atomic beams of a film formation material are supplied to a substrate treatment chamber 20 separately from the hydrogen radical generator 10 and the molecular beam cell 23, respectively.例文帳に追加

そして、水素ラジカル発生装置１０から水素ラジカルが、分子線セル２３から成膜材料の分子線または原子線が、それぞれ別々に、基板処理室２０に供給されるようになっている。 - 特許庁

The separator for a battery is provided with the heat-resistant layer by atomic layer deposition so that the heat-resistant layer is formed not only on the face of the substrate but also on the surfaces surrounding the pores in the substrate.例文帳に追加

上記電池用セパレータにおいては、耐熱層が原子層堆積法によって形成されるため、基材の表面だけでなく、基材内部の空孔の表面にも耐熱層が形成される。 - 特許庁

To enhance measurement accuracy of an X-ray diffractometer for measuring an atomic radial distribution function and anomalous diffraction scattering X-rays, by setting the size of a slit within the range specified by this invention.例文帳に追加

スリットサイズを、本発明で指定した範囲内に設定することにより、原子動径分布関数測定用、及び、異常散乱Ｘ線回折用の、Ｘ線回折装置の測定精度を高めること。 - 特許庁

To provide a process for forming an insulating film by atomic layer deposition in which residual carbon can be removed sufficiently and an oxygen rich film is not formed excessively.例文帳に追加

原子層蒸着による絶縁膜の形成において、充分な残留炭素の除去が可能でかつ過剰に酸素リッチな膜質が狭持されることのない成膜が可能な方法を提供する。 - 特許庁

A gas (Ar gas) having an atomic weight lower than that of an ion emitted from a target material 6 (Cr) is introduced into a furnace 1, and the Ar gas is ionized with a filament electron source 2.例文帳に追加

ターゲット材６（Ｃｒ）より放出されるイオンよりも低原子量のガス（Ａｒガス）を炉１内に導入し、フィラメント電子源２でＡｒガスをイオン化し、基材４にバイアス電圧を印加する。 - 特許庁

The gas barrier coating is the one formed on at least either side on a base material, and having gas barrier properties, and the concentration of nitrogen in the coating is 0.5 to 5.0 atomic%.例文帳に追加

本発明のガスバリア膜は、基材上の少なくとも片面に形成され、ガスバリア性を有するアモルファスカーボン膜であって、膜中の窒素濃度が０．５原子％以上５．０原子％以下とする。 - 特許庁

The time within which the Controller dispose of the request made under sub-rule (1), except in case of inventions relating to defense and atomic energy applications, shall ordinarily be within a period of twenty one days from the date of filing of such request. 例文帳に追加

(1)に基づいてされた請求については，国防及び原子力の出願に関する発明の場合を除き，長官が処理する期間は，通常当該請求提出の日から21日以内とする。 - 特許庁

To provide a unique combination of solution stabilization and delivery technologies with a special ALD operation mode for using low volatility solid ALD (atomic layer deposition) precursors dissolved in solvents.例文帳に追加

溶媒中に溶解している低揮発性固体ＡＬＤ前躯体の使用を可能にする溶液安定化技術及びデリバリ技術と特定のＡＬＤ操作モードとの新規な組み合わせを提供する。 - 特許庁

A phase comparator 42a of a PLL circuit 42 in a rubidium atomic oscillator receives the output of a VCXO 4 as a reference frequency source and the output of the lamp excitor 19 via a frequency division circuit 42c.例文帳に追加

ＰＬＬ回路４２の位相比較器４２ａに、基準の周波数源としての前記ＶＣＸＯ４０の出力と、分周回路４２ｃを介してランプ励振器１９の出力とが入力する。 - 特許庁

To provide a method for producing the precursor solution of a solid electrolyte which is excellent in control of atomic ratio in the crystal of the solid electrolyte and suitable for grain refinement, and a method for producing the solid electrolyte.例文帳に追加

固体電解質の結晶中における原子比率の制御に優れ、かつ微粒子化に適した固体電解質の前駆体溶液の製造方法と、固体電解質の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of optimizing the supply amount of a raw material precursor to deposit a thin film while highly accurately realizing film thickness control at an atom layer level by an atomic layer deposition (ALD method).例文帳に追加

原子層堆積法（ＡＬＤ法）により原子層レベルでの膜厚制御を高精度に実現しながら薄膜を堆積するために、原料プレカーサの供給量を最適化する方法を提供する。 - 特許庁

As a surface analysis method, an XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy) analysis method or the like is enumerated, and when being used together with an ICP-AES (Inductively Coupled Plasma-Atomic Emission Spectroscopy) analysis, a result which is unmeasurable in the ICP-AES analysis can be supplemented.例文帳に追加

表面分析方法としては、ＸＰＳ分析法等が挙げられ、ＩＣＰ−ＡＥＳ分析と併用すれば、ＩＣＰ−ＡＥＳ分析では測定不可能だった結果を補足することも出来る。 - 特許庁

There is provided the soft magnetic target material consisting of Fe-Co based alloy, wherein the atomic ratio of Fe:Co is 100:0 to 20:80, and one or two selected from Al and Cr are incorporated in an amount of 0.2 to 5 at%.例文帳に追加

Ｆｅ−Ｃｏ系合金において、Ｆｅ：Ｃｏのａｔ比が１００：０〜２０：８０とし、かつ、ＡｌまたはＣｒの１種または２種を０．２〜５ａｔ％含有させてなる軟磁性ターゲット材。 - 特許庁

The Ag alloy reflection film for a planar display device has a composition containing one or more kinds of elements selected from Ce, Nd, Sm, Gd, Tb and Dy by 0.2 to 5 at(atomic).%, and the balance substantially Ag.例文帳に追加

Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙから選ばれる１種以上の元素を０．２〜５ａｔ（原子）％含み、残部実質的にＡｇからなる平面表示装置用Ａｇ合金系反射膜である。 - 特許庁

To provide a thin film treatment device where, even if a growing method in which raw materials are alternatively made to flow for growing a thin film having a satisfactory step coverage is performed, the time for performing the growth of one atomic layer can be reduced.例文帳に追加

段差被覆性の良い薄膜を成長するため原料を交互に流す成長法を行っても１原子層の成長を行う時間を短縮できる薄膜処理装置を提供する。 - 特許庁

0<RNb<0.75 0.25<RMO<0.98 0.003<RV<0.75 0<RTe<0.75 (However, RNb, RMO, RV and RTe show the atomic ratio of the sum total of Nb, Mo, V and Te, respectively).例文帳に追加

０＜Ｒ_Nb＜０．７５ ０．２５＜Ｒ_MO＜０．９８ ０．００３＜Ｒ_V ＜０．７５ ０＜Ｒ_Te＜０．７５ （但し、Ｒ_Nb、Ｒ_MO、Ｒ_V 及びＲ_Teは、それぞれＮｂ、Ｍｏ、Ｖ及びＴｅの合計に対する各金属の原子比率を示す） - 特許庁

For the change of the atomic concentration N, the factor of an end is calculated, based on the value of J_end+AFD^*_li|_strxΔl, and other factors are calculated, based on the value of AFD^*_li (S206).例文帳に追加

原子濃度Ｎの変化は、端部の要素についてはＪ_ｅｎｄ＋ＡＦＤ^＊_ｌｉ｜_ｓｔｒ・Δｌの値をもとに計算し、他の要素についてはＡＦＤ^＊_ｌｉの値をもとに計算する（Ｓ２０６）。 - 特許庁

An oxide based sputtering target has a composition substantially expressed by the formula of (M_1-aFe_a)_100-xO_x(M is at least one kind of element selected from Ti, Nb and Ta; and 0.1≤a≤0.5, and 50≤x≤80 atomic%).例文帳に追加

酸化物系スパッタリングターゲットは、（Ｍ_1-aＦｅ_a）_100-xＯ_x（ＭはＴｉ、ＮｂおよびＴａから選ばれる少なくとも1種の元素、0.1≦ａ≦0.5、50≦ｘ≦80原子％）の式で実質的に表される組成を有する。 - 特許庁

A grow discharge atomic emission spectrometry method is preferable for this analyzing method, and the components contained in the molten metal can be analyzed with high accuracy up to the limit of a very small amount and all elements are simultaneously analyzed on line.例文帳に追加

分析方法としてはグロー放電発光分光法が好ましく、溶融金属に含有される成分を微量域まで高精度で全元素同時にオンライン分析することができる。 - 特許庁

To provide a rubidium atomic oscillator, wherein the generated heat from the oscillator self is drastically reduced so as to be able to use a constant temperature bath attached crystal oscillator on market the specification of a high temperature side of which is 70°C MAX.例文帳に追加

ルビジウム原子発振器自体の発熱を大幅に低減し、高温側の仕様が７０℃ＭＡＸである市販の恒温槽付き水晶発振器の使用を可能とすることができる。 - 特許庁

The oxide vapor deposition material is characteristically configured by a sintered body containing gadolinium with a Gd/In atomic ratio of 0.001 to 0.070 and indium oxide as a chief ingredient, and has an L* value of 60 to 94 in CIE1976 color system.例文帳に追加

この酸化物蒸着材は、酸化インジウムを主成分とし、Gd／In原子数比で0.001〜0.070のガドリニウムを含む焼結体により構成され、かつ、CIE1976表色系におけるＬ^＊値が60〜94であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a thin film forming method using an atomic layer evaporation method, which is applied to the formation of a gate insulating film that has a high permittivity, is thermally stable, hard to be crystallized, and superior in film characteristics.例文帳に追加

比誘電率が高く、熱的に安定で結晶化し難い、膜特性の良好なゲート絶縁膜の形成に適用される原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

There is provided a thin film transistor including an oxide, as an active material layer, comprising elements In, Ga and Zn in the ranges of atomic ratios of the following regions 1, 2 or 3, and has an electron field-effect mobility of 25 cm^2/Vs or greater.例文帳に追加

元素Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを下記領域１、２又は３の原子比の範囲で含む酸化物を活性層とし、電界効果移動度が２５ｃｍ^２／Ｖｓ以上である薄膜トランジスタ。 - 特許庁

In this invention, the complex compounds obtained from oxides, hydroxides or low valence salts of transition metals with the atomic numbers of 25-30 and methionine are dissolved or dispersed in a mixed amino acid solution.例文帳に追加

本発明は原子番号が２５〜３０である遷移金属の酸化物、水酸化物または低原子価塩とメチオニンとから得られた錯化合物を混合アミノ酸液に溶解もしくは分散すること。 - 特許庁

The magnesium lithium niobate single crystal has an atomic ratio of Li to Nb of 0.9425≤Li/Nb≤0.9440 and a Mg content of from more than 5.00 mol% to 5.30 mol%.例文帳に追加

マグネシウムニオブ酸リチウム単結晶を、ＬｉとＮｂとの原子比が０．９４２５≦Ｌｉ／Ｎｂ≦０．９４４０であり、Ｍｇの含有割合が５．００モル％を超え５．３０モル％以下であるものとする。 - 特許庁

The thermoplastic silicone resin is composed of a polysiloxane main chain and at least two side chains branched from the main chain, wherein the side chain includes two or more atomic groups that can form a hydrogen bond.例文帳に追加

ポリシロキサンからなる主鎖と、主鎖から枝分かれする少なくとも２つの側鎖とを有し、側鎖は、水素結合を形成可能な原子団を２つ以上有する官能基を含む。 - 特許庁

The detection electrode 14 and reference electrode 16 are made of material where hydrogen molecules do not spontaneously become dissociated to atomic hydrogen on the surfaces of these electrodes in a standard state.例文帳に追加

検出電極１４及び基準電極１６として、標準状態において水素分子がこれら電極の表面で自発的に原子状水素に解離しないような素材を用いている。 - 特許庁

The metal complex is reversibly changed to a lower atomic valence metal complex produced by dehydrogenation in the reaction while hydrogenating a substrate such as a benzaldehyde derivative to generate a benzyl alcohol derivative.例文帳に追加

該金属錯体は反応中、脱水素化した低原子価金属錯体へと可逆的に変化し、その際ベンズアルデヒド誘導体のような基質を水素化してベンジルアルコール誘導体とすることができる。 - 特許庁

Further, for example, hydrogen is generated from the metal complex (4) and proton, and an electron can be drawn out from the hydrogen molecule by holding the electron to the dehydrogenated low atomic valence metal complex.例文帳に追加

更に、例えば（４）の金属錯体とプロトンから水素を発生させると共に、前記脱水素化された低原子価金属錯体に電子を保持させ水素分子から電子を取り出すができる。 - 特許庁

To provide a simple and versatile method for making an ion beam carry a high current, as to an ion beam generating device used for a device for analyzing an atomic arrangement on a surface and an interface by using a helium ion beam.例文帳に追加

ヘリウムイオンビームを用いて、表面・界面の原子配列を解析する装置に用いるイオンビーム発生装置に関し、簡便で汎用性のあるイオンビームの大電流化方法を提供する。 - 特許庁

The galvannealed steel sheet ahs a flattened part on the surface, and an oxide layer composed of <20 atomic % Al concentration and the balance substantially Zn and having ≥10 nm thickness exists on the surface of flattened part, and the producing method is provided.例文帳に追加

平坦部を表面に有し、その平坦部表面のAl濃度が20at%未満で、残部が主としてZnからなる酸化物層が10nm以上の厚さで存在する合金化溶融亜鉛めっき鋼板及びその製法。 - 特許庁

The invention relates to a method for estimating physical strength of a film from the observation of the surface conditions of the film of an aqueous acrylic-modified polyurethane resin in air and in water by using atomic force microscope.例文帳に追加

原子間力顕微鏡を用いての水性アクリル変性ポリウレタン樹脂被膜の、空気中と水中の表面状態の観察から被膜の物理強度を予測する方法により解決する。 - 特許庁

To provide a rubidium atomic oscillator which is reducible in component cost, can have its substrate made compact, and can be stabilized in characteristic by minimizing the influence of a conductor on a microwave.例文帳に追加

部品コストの低減と、基板を小型化することができると共に、導体がマイクロ波に与える影響を最小限にして、特性の安定化を図ることができるルビジウム原子発振器を提供する。 - 特許庁

(1) This composite yarn comprises the modified cross-section regenerated cellulose fibers having 1.1-10 degree of modified cross section of the fibers and 10-50 nm fiber surface roughness parameter Ra measured under an atomic force microscope.例文帳に追加

(1) 繊維の異型度が１．１〜１０で、原子間力顕微鏡で測定した繊維表面粗度パラメーターＲａが１０〜５０ｎｍである異型断面再生セルロース繊維を含有する複合糸。 - 特許庁

This target is a sintered body consisting of indium and molybdenum, in which molybdenum exists at the rate of 0.003-0.20 by atomic ratio against indium, and of which the relative density of the sintered body is 90% or more.例文帳に追加

インジウムとモリブデンと酸素とからなる焼結体であり、モリブデンがインジウムに対して原子数比で０．００３〜０．２０の割合で存在し、焼結体相対密度が９０％以上のものである。 - 特許庁

Further, a metal density in a range from the surface of the electron emission film to the depth of 10 nanometers is set up to be 0.1 to 40 atom% against the carbon atomic number included in the electron emission film.例文帳に追加

さらに、電子放出膜の表面から１０ｎｍまでの範囲における金属の濃度を、電子放出膜中に含まれる炭素原子数に対し０．１原子％以上４０原子％以下とする。 - 特許庁

To provide an ultrahigh vacuum scanning probe microscope capable of performing in situ observation with an atomic-level resolution of a surface structure, while applying a stress to a sample in ultrahigh vacuum.例文帳に追加

超高真空中において試料に応力を印加しながらその表面構造の原子レベルの分解能でのその場観察を行うことができる超高真空走査型プローブ顕微鏡を提供する。 - 特許庁

The crystal is doped so that the second dopant is the same amount in atomic number as for the first dopant and that the concentration thereof in the ZnTe-based compound crystal is not more than 5%.例文帳に追加

また、前記第２のドーパントを、原子個数で前記第１のドーパントと同量以上、かつ、前記ＺｎＴｅ系化合物結晶中の濃度が５％以下となるようにドーピングするようにした。 - 特許庁

The ceramics-metal composite material is characterized in that a matrix comprises a Si alloy containing Si of 90 atomic % or more and a reinforced material comprises Al_2O_3, and a SiC powder or fiber.例文帳に追加

マトリックスがＳｉを９０atomic％以上含むＳｉ合金からなり、強化材がＡｌ_2Ｏ_3およびＳｉＣの粉末または繊維からなることを特徴とするセラミックス−金属複合材料を提供する。 - 特許庁

To provide a surface observation method using a scanning probe atomic force microscope capable of observing various differences of the surface state, especially the difference of hydrophobicity or hydrophilicity of the surface.例文帳に追加

表面状態の種々の相違、特に表面の疎水性あるいは親水性の差を観察することができる走査プローブ原子間力顕微鏡を用いた表面の観察方法を提供する。 - 特許庁

This invention is related to an object having a surface oxide layer with the thickness of ≤20 nm containing chromium and cobalt oxide and having the atomic ratio of Cr/Co of >3.例文帳に追加

本発明は、クロムおよびコバルトの酸化物を含んでいる、厚さが２０ｎｍ以下の表面酸化物層であって、Ｃｒ／Ｃｏの原子比が３より大きい表面酸化物層を有する物品に関する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which a low-resistance electrode is relatively easily formed on an N atomic plane of a gallium nitride-based compound semiconductor layer, and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

窒化ガリウム系の化合物半導体層のＮ原子面上に比較的簡単に低抵抗な電極を形成することが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

A protection film is formed so that the atomic radius of a metal oxide is 180 pm or more to 205 pm or less, and for example, one kind of lanthanum oxide, europium oxide, and ytterbium oxide is used as the metal oxide.例文帳に追加

ここで、金属酸化物は原子半径が１８０ｐｍ以上２０５ｐｍ以下であるもの、具体的には酸化ランタン、酸化ユウロピウム、酸化イッテルビウムのうちの１種を用いることで保護膜を形成する。 - 特許庁