「atomic」に関連した英語例文の一覧と使い方(47ページ目) - Weblio英語例文検索

Otherwise, the transparent film is deposited to be higher than the normal glass surface, and the portion higher than the glass surface is scraped off by a mechanical process by an atomic force microscope with a fixed height so as to flatten the surface of the filled transparent film.例文帳に追加

透明膜が正常なガラス面よりも高くなるように埋め、ガラス面よりも高い部分を高さを固定した原子間力顕微鏡による機械的な加工で削り取り埋めた透明膜表面が平坦になるようにする。 - 特許庁

The photomask blank 10 has a light shielding film 2 on a light transmitting substrate 1, wherein the light shielding film 2 contains metal and silicon (Si), the content of the metal is over 20 atomic% with respect to the total of the metal and silicon (Si).例文帳に追加

透光性基板１上に遮光膜２を有するフォトマスクブランク１０であって、前記遮光膜２は、金属と珪素（Ｓｉ）を含み、該金属の含有量が、金属と珪素（Ｓｉ）との合計に対し２０原子％を超える量である。 - 特許庁

To solve the problem wherein a calculation method based on Fourier transform is adopted in order to reconstitute a three-dimensional structure of atomic arrangement in a conventional electronic holography method, but reproduction of the three-dimensional structure from a single wave hologram is difficult in the method.例文帳に追加

従来の電子ホログラフィー法では原子配列の立体構造を再構成するためにフーリエ変換を基本とした計算方法がなされてきたが、この方法では単波長ホログラムからの立体構造を再現するのは難しい。 - 特許庁

A chemical species consisting of an element having the atomic weight of at least 4 (for example, argon) in an energy state higher than the ground state is introduced into the reaction chamber 10 from an active species generating apparatus 19.例文帳に追加

化学反応を起こす気体とは別に、基底状態よりも高いエネルギー状態にある原子量が４以上の元素（例えばアルゴン）からなる化学種を活性種生成装置１９から反応室１０内に導入する。 - 特許庁

The zinc oxide-based sintered target contains 0.2 to 3 mass% aluminum, sintered density is ≥5.5 g/cm^3, and also, ≥8 atomic% of the aluminum is present in a solid-soluted form.例文帳に追加

アルミニウムを０．２〜３質量％含有する酸化亜鉛系ターゲットであって、焼結密度５．５ｇ／ｃｍ^３以上、且つアルミニウムの内の８原子％以上が、固溶した形態で存在している酸化亜鉛系焼結ターゲットである。 - 特許庁

To provide an efficient method for making a function public to a set of components sharing the function via a common context without requiring an expensive complicated atomic coupling between a service and a component or duplication of a service instance.例文帳に追加

機能を、コスト高で複雑なサービスとコンポーネントとの原子的結合や、サービスインスタンスの複製を必要とせず、共通のコンテキストでこの機能を共有するコンポーネントの集合に公開する効率的な方法を提供すること。 - 特許庁

In the film forming apparatus, film formation is performed by atomic layer deposition by outputting precursor gases 10A and 10B to a base material 20 by a plurality of ALD heads 11A and 11B, while conveying the base material 20 by using a plurality of guide rolls 13 and 14.例文帳に追加

複数のガイドロール１３，１４を用いて基材２０を搬送しつつ、複数のＡＬＤヘッド１１Ａ，１１Ｂによって前駆体ガス１０Ａ，１０Ｂを基材２０に対して出力し、原子層堆積による成膜を行う。 - 特許庁

To provide a control technology of an atomic power plant capable of bringing a thermal limit value to a threshold limit value of an operation limit by using simple information to be output in a period which is shorter than that of the thermal limit value.例文帳に追加

熱的制限値よりも短い周期で出力される簡易情報を利用して、熱的制限値を運転制限の限界値に自動制御により近づけることができる原子力プラントの制御技術を提供する。 - 特許庁

The sintered compact consists of an oxide which contains In, Ga and Zn in atomic ratios of 0.28≤Zn/(In+Zn+Ga)≤0.38, 0.18≤Ga/(In+Zn+Ga)≤0.28 and makes a compound having a homologous crystal structure expressed with InGaO_3(ZnO) a principal component.例文帳に追加

Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎを０．２８≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）≦０．３８、０．１８≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）≦０．２８の原子比で含む酸化物であって、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）で表されるホモロガス結晶構造を有する化合物を主成分とする酸化物からなる焼結体。 - 特許庁

The sputtering target is composed of at least either of high- purity Ta and high-purity TaN and contains high-purity Ta and N in amounts of ≤2 atomic %, and Cu content in the target-constituting material is regulated to ≤50 ppm.例文帳に追加

高純度Ｔａ、窒素を2at%以下の範囲で含有する高純度Ｔａ、および高純度ＴａＮから選ばれる少なくとも1種からなるスパッタリングターゲットであって、このターゲット構成材料中のＣｕ含有量を50ppm以下とする。 - 特許庁

The infrared absorption dye preferably contains an indolenin compound represented by formula I, wherein Z is an atomic group for forming a benzene ring, a naphthalene ring or an aromatic heterocycle, R1 and R2 are each an alkyl group, an alkenyl group or an aryl group, L is trivalent bond group, and X- is an anion.例文帳に追加

（式中、Ｚは、ベンゼン環、ナフタレン環又は複素芳香族環を形成するための原子団を、Ｒ^１及びＲ^２は、アルキル基、アルケニル基又はアリール基を、Ｌは、３価の連結基を、Ｘ^−は、陰イオンを表す。） - 特許庁

The black pigment particle has a non-magnetic core particle consisting of a light element with an atomic number of ≤22, an isoelectric point control layer that covers the core particle, and an oxide layer at least containing iron which covers the intermediate layer.例文帳に追加

本発明の黒色顔料粒子は、原子番号が２２以下の軽元素からなる非磁性コア粒子と、該コア粒子を被覆する等電点コントロール層と、該中間層を被覆する、少なくとも鉄を含有する酸化物層とを有する。 - 特許庁

The high Si-concentration region has the maximum peak of the Si atomic concentration, and this concentration along the thickness direction of the glass plate reduces continuously from the maximum peak position to the surface of the glass plate and the above central position.例文帳に追加

前記Ｓｉ高濃度領域は、Ｓｉ原子濃度の最大ピークを有し、前記ガラス板の厚さ方向に沿ったＳｉ原子濃度は、前記最大ピーク位置からガラス板のガラス表面および前記中心位置まで連続的に減少する。 - 特許庁

The multicomponent alloy magnetic nanoparticle is composed of ABAg, wherein, A denotes Fe or Co, B denotes Pt or Pd, and the content of Ag is 31 to 80 atomic%.例文帳に追加

ＡＢＡｇからなる多元系合金磁性ナノ粒子であって、該ＡはＦｅまたはＣｏを表し、該ＢはＰｔまたはＰｄを表し、Ａｇが３１原子％以上で８０原子％以下であることを特徴とする多元系合金磁性ナノ粒子。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate capable of preventing the deterioration of the carrier mobility resulting from the surface unevenness on the surface thereof by controlling the direction and the width of an atomic level step/terrace on the semiconductor substrate surface, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

半導体基板表面上で原子レベルのステップ／テラスの方向と幅を制御し、その表面上に表面凹凸起因のキャリア移動度劣化を抑制できる半導体基板および半導体装置を提供する。 - 特許庁

To efficiently reproduce a structural change of a material having a complicated composition consisting of mixed multiple elements, involving the re-combination of covalent bonds, in large-scale molecular dynamics simulations using at least a few thousands of atomic groups or more.例文帳に追加

数千個以上の原子集団を扱う大規模系の分子動力学シミュレーションにおいて、多元素が混在する複雑な組成を有する物質の、共有結合の組み換えを伴う構造変化を、効率的に再現する。 - 特許庁

To remove a contamination layer (15), at least partially, from the optical surface (14a) of an EUV reflection optical element (14) by bringing a cleaning gas, preferably containing atomic hydrogen, into contact with the contamination layer (15).例文帳に追加

本発明は、原子状水素を含むことが好ましい洗浄ガスを汚染層（１５）に接触させることによって、ＥＵＶ反射光学要素（１４）の光学面（１４ａ）から汚染層（１５）を少なくとも部分的に除去すること。 - 特許庁

A physical portion 50A of the atomic oscillator includes the gas cell 10A, a light source 30 for pumping light exciting vaporized metal atoms in the gas cell 10A, an optical detector 40, which detects pumping light having passed through the gas cell 10A.例文帳に追加

原子発振器の物理部５０Ａは、ガスセル１０Ａと、ガスセル１０Ａ内の気化された金属原子を励起する励起光の光源３０と、ガスセル１０Ａを通過した励起光を検出する光検出器４０と、を有している。 - 特許庁

(1) The atomic ratio M/Ti of Ti element contained in the titanium oxide and the alkaline metal element (element M) excluding Li is ≥0.01 and ≤0.3.例文帳に追加

（イ）該チタン酸化物に含まれるＴｉ元素とＬｉを除くアルカリ金属元素（元素Ｍ）との原子比率Ｍ／Ｔｉが０．０１以上０．３以下であり、（ロ）次式で規定される該チタン酸化物のＸ線強度比Ｘａｂ値が１０以下である。 - 特許庁

To provide an apparatus for forming an atomic layer deposition film as a film forming device having such an extremely simple configuration as to permit the use of solid raw material as it is without requiring a vacuum evacuation device and without liquefying the solid raw material.例文帳に追加

真空排気装置を必要とすることなく、また、固体原料を液状化することなくそのまま使用できるようにした、きわめて簡易な構成からなる成膜装置としての、原子層堆積膜の形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a precursor and a method for producing a Hf-based oxide gate insulation film by using the precursor, by specifying the precursor having little Zr content and physically and economically suitable for an ALD (Atomic Layer Deposition) and CVD (Chemical Vapor Deposition).例文帳に追加

ＡＬＤやＣＶＤ用として、物性的にも経済的にも好都合な、Ｚｒの少ないプリカーサーを特定し、その製造方法とそのブリカーサーを用いたＨｆ系酸化物ゲート絶縁膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

The powder for a lower layer desirably contains P by 0.1-5.0 wt% and further contains R (R is one or two rare earth elements or more including Y) by 0.1-10 at.% in an atomic ratio percentage (at.%) of R/Fe.例文帳に追加

この下層用粉末は，好ましくはＰを０．１〜５．０ｗｔ％含有し，さらにＲ（ＲはＹを含む希土類元素の１種または２種以上）を，Ｒ／Ｆｅの原子比百分率（ ａｔ．％）で０．１〜１０ ａｔ．％含有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon oxide film (SiO_2 film) in which when the silicon oxide film is manufactured by using an RS-CVD unit, efficiency in atomic oxygen generation is raised so that the quality of the silicon oxide film is improved.例文帳に追加

ＲＳ−ＣＶＤ装置を用いてシリコン酸化膜（ＳｉＯ_２膜）を作製する際に、原子状酸素の発生効率を高めてシリコン酸化膜の膜質を向上させることのできるシリコン酸化膜作製方法を提案する。 - 特許庁

An auxiliary elastic member 41 to constitute the elastic deformation part is formed of, for example, NiP (P is 15 atomic%) or more, and in such case, the physical state of the auxiliary elastic member 41 is dominated by amorphous 50.例文帳に追加

前記弾性変形部を構成する補助弾性部材４１は例えばＮｉＰ（Ｐは１５原子％）以上で形成されていおり、かかる場合、前記補助弾性部材４１の物質状態は、アモルファス５０が支配的な状態となる。 - 特許庁

The barrier metal layer having the massive polysilcion structure comprises a TaNx film, a TiNx film, etc., and a nitride concentration in the film is set in the range of 10-50 atomic % in the case of the TaNx film.例文帳に追加

ここで、上記塊状の多結晶構造のバリアメタル層は、ＴａＮｘ膜、ＴｉＮｘ膜等で構成され、ＴａＮｘ膜の場合には、膜中の窒素濃度は１０ａｔ．％〜５０ａｔ．％の範囲に設定される。 - 特許庁

It is desirable that at least one kind of the above denaturant is selected from a group made of Co, Mn, Al, Fe, and Cu, and the total mass of this at least one kind of denaturated element is less than 25 atomic % of the final composition.例文帳に追加

好ましくは、前記少なくとも１種の変性剤は、Ｃｏ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｆｅ、及びＣｕからなる群より選択され、この少なくとも１種の変性元素の合計質量は最終組成の２５原子％未満である。 - 特許庁

This method includes a step for simulating situations of an atomic power plant based on various status values and judges (a step 103) whether fuel is valid or not at the time of simulating conditions of the plant.例文帳に追加

発明に係る方法は原子力発電プラントの状態を様々な状態値に基づいて模擬する段階を含み、原子力発電プラントの状態を模擬するにあたり、燃料が健全であるか、否かを判定する（ステップ１０３）。 - 特許庁

To provide an evaluation method taking the place of H/C (an atomic ratio of hydrogen to carbon) because H/C is considered to be insufficient as an index estimating an amt. of soot from light oil from an aspect of accuracy when the difference of the amt. of PM (particulate matter) between light oils becomes small.例文帳に追加

軽油間でのＰＭ量の差が小さくなった場合、Ｈ／Ｃは軽油から煤量を予測する指標として、精度的に不十分と考えられ、Ｈ／Ｃに代わる評価法を提案することを課題とする。 - 特許庁

In the carbon fiber chopped strand for thermoplastic resins, total content of a monovalent or divalent metal element measured by a flame atomic absorption method is 50-600 ppm and the amount of a sizing agent added to the strand is 1.5-6.0 mass%.例文帳に追加

フレーム原子吸光分析法により測定される１価又は２価の金属元素の総含有量が５０〜６００ ｐｐｍで、サイズ剤付着量が１．５〜６．０質量％である熱可塑性樹脂用炭素繊維チョップドストランド。 - 特許庁

By substituting the Cu atom site in the Cu_6Sn_5 intermetallic compound layer for Ni having an atomic radius smaller than that of Cu, the strain of the Cu_6Sn_5 intermetallic compound layer is relaxed, thus the impact resistance of the solder joint can be improved.例文帳に追加

Ｃｕ_6Ｓｎ_5金属間化合物層中のＣｕ原子サイトを、Ｃｕより原子半径の小さいＮｉで置換することにより、Ｃｕ_6Ｓｎ_5金属間化合物層の歪を緩和し、ハンダ接合部の耐衝撃性を向上させることができる。 - 特許庁

This computer, wherein a plurality of programs run under the control of an OS(operating system) having a memory control mechanism, has a means to ensure the atomic property of one user process without requiring dedicated CPU(central processing unit) instructions.例文帳に追加

本発明においては、メモリ管理機構を有するＯＳの管理下で、複数のプログラムが動いているコンピュータであって、専用のＣＰＵ命令を必要とせずに、一方のユーザプロセスのアトミック性を保証する手段を設ける。 - 特許庁

When the atomic group is an acyl group, that is the same as that of the cellulose acylate, the solid component 58 comprising the cellulose acylate 51 and the substitution 52 is obtained by acylating 57 a raw material 54 which is to be acylated and is a mixture of cellulose 55 and the polymer 56.例文帳に追加

原子団がセルロースアシレートと同じアシル基である場合には、セルロースアシレート５１と置換体５２とからなる固形成分５８は、セルロース５５と重合体５６との混合物であるアシル化原料５４をアシル化５７する。 - 特許庁

To provide an NiCu alloy target material for a Cu electrode protective film which can suppress deterioration in the electrical characteristics caused by electrolytic corrosion and atomic diffusion of a Cu electrode, and can achieve patterning with high precision by wet etching.例文帳に追加

Ｃｕ電極の電解腐食や原子拡散による電気的特性の劣化を抑制することができ、ウェットエッチングにより高精度のパターニングが可能なＣｕ電極保護膜用ＮｉＣｕ合金ターゲット材を提供すること。 - 特許庁

The bonding films 31 and 32 each includes an atomic structure including a siloxane bond, and a leaving group bonded to the siloxane bond, and the case 2 and cover body 4 are bonded together through the transferred parts to constitute a quartz oscillator 1.例文帳に追加

各接合膜３１、３２は、シロキサン結合を含む原子構造と、このシロキサン結合に結合する脱離基とを含むものであり、転写された一部分を介してケース２と蓋体４とを接合し、水晶振動子１を構成する。 - 特許庁

Continuously, the light absorbing layer is formed to have the prescribed film thickness by repeating the adhesion of the raw material at the atomic layer level through a mask opening by sputtering (step S4) and the exposure thereof to the oxidizing or nitriding atmosphere (step S5).例文帳に追加

続いて、その光吸収層はその原料物質のスパッタリングによるマスク開口を通した原子層レベルの付着と（ステップＳ４）とその酸化性／窒化性雰囲気への曝露（ステップＳ５）を繰り返して所定の膜厚にする。 - 特許庁

The material and shape of a conductive electrode tip 186 of an ion source are optimized to form an atomic layer with a trimer on a surface of the tip, and the tip is allowed to operate in an ultralow temperature condition, so that ionization efficiency with gas helium is improved.例文帳に追加

イオン源の導電性電極先端１８６の材料と形状を最適化して表面に三量体の原子層を形成し、極低温状体で動作させることにより気体ヘリウムとのイオン化効率を向上する。 - 特許庁

The biadamantane derivative is represented by formula (1) (wherein four Rs are the same or different and are each a hydrogen atom, a protecting group for a phenolic hydroxy group, or an atom or an atomic group forming a phenol salt).例文帳に追加

本発明のビアダマンタン誘導体は、下記式（１）（式中、４つのＲは、同一又は異なって、水素原子、フェノール性ヒドロキシル基の保護基、又はフェノール塩を形成する原子若しくは原子団を示す。）で表されるビアダマンタン誘導体。 - 特許庁

The material for the spatial light modulator characterized in that its anisotropy of molecular polarizability is ≥15 atomic units and that the material attains an isotropic phase at a service temperature, the display material and the hologram display device using the display material.例文帳に追加

分子分極率異方性が１５原子単位以上で、かつ使用温度にて等方相をとることを特徴とする空間光変調器用材料、表示材料、および、前記表示材料を用いたホログラム表示装置。 - 特許庁

Thereafter, an oxide film or a nitride film is deposited on the surface of the diamond substrate with the oxygen and/or nitrogen adsorbed by an atomic layer deposition process where an organic metal compound and an oxidizing agent or a nitriding agent are alternately fed.例文帳に追加

その後、この酸素及び／又は窒素を吸着させたダイヤモンド基板の表面上に、有機金属化合物と酸化剤又は窒素剤とを交互に供給する原子層堆積法により、酸化膜又は窒素膜を成膜する。 - 特許庁

This ZnOx semiconductor layer is formed by using various thin film forming techniques such as a spin coat method, a DC sputtering method, an RF sputtering method, a metal organic vapor phase deposition (MOCVD) or an atomic layer deposition (ALD).例文帳に追加

このＺｎＯｘ半導体層を、スピンコート法、ＤＣスパッタリング法、ＲＦスパッタリング法、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）または原子層堆積法（ＡＬＤ）のような様々な薄膜形成技術を用いて形成する。 - 特許庁

In the mass filter 14, a specific area of a metal constituting the cluster is made larger by selecting a relatively small cluster and the catalyst having high activity can be obtained by selecting the cluster of a predetermined total atomic number.例文帳に追加

質量フィルタ１４において、比較的小さなクラスターを選別することによって、クラスターを構成する金属の比表面積を大きくし、また、所定の総原子数のクラスターを選択することで、高活性の触媒とすることができる。 - 特許庁

The resonance tunnel diode has a structure sandwiching a quantum well layer between a pair of energy barrier layers, and the quantum well layer is composed of a semiconductor nano-structure (e.g. a single-layer carbon nanotube (CNT)) having an anisotropic atomic arrangement.例文帳に追加

本発明の共鳴トンネルダイオードは、量子井戸層を一対のエネルギ障壁層で挟んだ構造を持ち、量子井戸層は、異方的原子配列を持つ半導体ナノ構造体（例えば単層カーボンナノチューブ（ＣＮＴ））からなる。 - 特許庁

An elastic wave device includes a piezoelectric substrate 10, a comb-shaped electrode 12 formed on the piezoelectric substrate 10, and an insulative film 16 formed on a surface of the comb-shaped electrode 12 by using Atomic Layer Deposition (ALD) method and including aluminum oxide.例文帳に追加

圧電基板１０と、圧電基板１０上に形成された櫛形電極１２と、櫛形電極１２の表面にＡＬＤ法により形成された酸化アルミニウムを含む絶縁膜１６と、を備えることを特徴とする弾性波デバイス。 - 特許庁

For example, with a porous surface structure, a structure supporting a very thin film or a structure with narrowed island part (reflection surface) of a reflection diffraction grating, the apparent atomic density on the reflection surface can be reduced.例文帳に追加

例えば、多孔質表面構造や、極薄の薄膜を支持する構造、又は、反射回折格子の島状部（反射面）を狭くした構造などによって、反射表面の見かけ上の原子密度を少なくすることができる。 - 特許庁

To provide a model which allows the distinct recognition of the characteristics in the structure of a molecular structure not having mirror symmetry by indirectly indicating the kinds of atoms, molecules or atomic groups in a molecular structure model of a skeleton structure.例文帳に追加

スケルトン構造の分子構造モデルにおいて、原子や分子或いは原子団の種類を間接的に示すことによって、鏡面対称性を有しない分子構造の構造上の特徴を明確に把握できるモデルを提供する。 - 特許庁