「atomic」に関連した英語例文の一覧と使い方(51ページ目) - Weblio英語例文検索

In a process in which dielectrics constituting the charge storage films CHS are formed on the bottom dielectric film BTM, the dielectric (the first film CHS1) brought into contact with a boundary with at least the bottom dielectric film BTM in the dielectrics is formed by using atomic-layer deposition(ALD).例文帳に追加

電荷蓄積膜ＣＨＳを構成する誘電体をボトム誘電体膜ＢＴＭ上に形成する工程において、その誘電体のうち、少なくとも、ボトム誘電体膜ＢＴＭとの境界に接する誘電体（第１の膜ＣＨＳ１）を原子層堆積（ＡＬＤ）を用いて形成する。 - 特許庁

In the mold coating agent containing refractory aggregate, the mold coating agent for coating the mold containing the nitrogen atoms, is added with 1-50 pts.wt., desirably 10-30 pts.wt. of metallic powder composed of one or more kinds of metal atoms of atomic numbers 13, 14 and 22 to 30, based on 100 pts.wt. of the refractory aggregate.例文帳に追加

耐火性骨材を含有する塗型剤に、原子番号が13、14及び22から30の金属原子の１種以上からなる金属粉末を耐火性骨材100重量部に対し１〜50重量部、好ましくは10〜30重量部添加してなる、窒素原子を含有する鋳型に塗布する塗型剤。 - 特許庁

The outer peripheral surface of the roll substrate is clad with the Ni layer, then the Cr layer by plating and is then heat treated for ≥2 hours at ≥500°C, by which a Cr-Ni alloy region of 25 to 75 atomic % in Cr content is formed at the boundary between the Cr layer and the Ni layer at a thickness above 1 μm.例文帳に追加

ロール基体の外周面にNi層と次にCr層をめっきにより被覆した後、500 ℃以上の温度で２時間以上の熱処理を行って、Cr層とNi層との界面に、Cr含有量が25〜75原子％のCr−Ni合金領域を１μｍ以上の厚さで形成する。 - 特許庁

By this method, a pattern type magnetic recording medium in which, in the second magnetic recording layer 26, a region 40 where the atomic content of the ferromagnetic element becoming a magnetic recording region is relatively large and a region 42 where it is relatively small are present in the intra-substrate plane direction periodically, is manufactured.例文帳に追加

この方法により、第二磁気記録層２６において磁気記録領域となる強磁性元素の原子含有率の相対的に大きい領域４０と相対的に小さい領域４２とが基板面内方向に周期的に存在するパターン型磁気記録媒体を作製する。 - 特許庁

After forming the intermediate insulating film 7b by a one atomic layer and more and film thickness not more than 5 nm, the intermediate insulating film 7b is heat-treated in an oxidation atmosphere of a formation temperature of the intermediate insulating film 7b and more and 1,000°C and more within treatment time not more than one minute.例文帳に追加

中間絶縁膜７ｂを１原子層以上で且つ５ｎｍ以下の膜厚で形成した後に当該中間絶縁膜の形成温度以上で且つ１０００℃以上の酸化雰囲気中で処理時間１分以内で熱処理を行う。 - 特許庁

In the Si-dispersed glassy carbon base material, Si is uniformly distributed in atomic level in an amount of 0.5 to 15 wt.% in the texture of the glassy carbon and the relation of the content (y, wt.%) of oxygen atoms present and the content (x, wt.%) of Si atoms satisfies formula: x+2≥y≥x-2 (y>0).例文帳に追加

Ｓｉ分散ガラス状炭素基材はガラス状炭素の組織中に原子レベルのＳｉが０．５〜１５wt％の割合で均一に分布し、かつ存在するＯ原子の含有量（ｙ）wt％が、Ｓｉ原子の含有量（ｘ）wt％と，ｘ＋２≧ｙ≧ｘ−２式の関係（但し、ｙ＞０）ある。 - 特許庁

The catalyst for fuel cell carries three-dimensional fine particles expressed by the following general formula on a carbon base material: PtRuP, wherein the atomic ratio of Pt/Ru=60/40 to 90/10 and the content of P is in the range of 3 mol% to 50 mol% for total mol number of Pt and Ru.例文帳に追加

炭素基材上に、下記の一般式、 ＰｔＲｕＰ（式中、ＰｔとＲｕの原子比が６０：４０〜９０：１０であり、Ｐの含有率はＰｔＲｕの総モル数に対して、３モル％〜５０モル％の範囲内である。）で示される三元系微粒子を担持していることを特徴とする燃料電池用触媒。 - 特許庁

The cleaning process comprises a process to heat the substrate to be processed to a first temperature, a process to introduce the gas which mixes chlorine and nitrogen and has the atomic ratio of chlorine and nitrogen of 9:1 to 5:5, and a process to apply the radio frequency wave power to an electrode 2 to which the substrate to be processed is set.例文帳に追加

前記クリーニングする工程は、前記被処理基板を第１温度に加熱する工程と、塩素と窒素とを含み且つ前記塩素と窒素との原子比が９対１乃至５対５であるガスを導入する工程と、前記被処理基板が載置される電極２に高周波電力を印加する工程とを含む。 - 特許庁

The Ag cohesion resistance can be improved to a greater extent by further adding 0.3 to 3.0 atomic%, in total, of one or more elements selected from the noble metal elements consisting of Au, Pt, Pd, Rh, Ru, Ir and Os.例文帳に追加

添加元素としては、さらにＡｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｏｓよりなる貴金属元素から選ばれる１種または２種以上の元素が合計量で０．３at％以上、３．０at％以下含有することにより、Ａｇの耐凝集性がより向上する。 - 特許庁

For example, Mg single powder and Si single powder are mixed so that Mg:Si is 2:1 by atomic percentage and the powdery mixture is hearted and held to a temp. of 500 to <650°C under vacuum atmosphere to directly produce alloy powder composed of Mg2Si.例文帳に追加

例えば、Ｍｇ単体粉末及びＳｉ単体粉末を原子百分率でＭｇ：Ｓｉが２：１になるように混合し、この混合粉末を真空雰囲気下において５００乃至６５０℃未満の温度に加熱保持してＭｇ_2Ｓｉよりなる合金粉末を直接生成させる。 - 特許庁

To provide an atomic oscillator equipped with an optical system which can have a light receiving element and a light emitting element disposed side by side on the same side and facilitates module mounting by shortening a bonding wire electrically connecting the light receiving element, and is improved in S/N.例文帳に追加

受光素子を発光素子と同一側に併置することが可能となり、受光素子を電気的に接続するボンディングワイヤを短くしてモジュール実装を容易とし、且つ、Ｓ／Ｎを改善した光学系を備えた原子発振器を提供する。 - 特許庁

What are provided are new-type material mixtures composed of at least two materials one of which is a compound functioning as a matrix material and represented by the formula and the other of which comprises at least one element being capable of emission and having an atomic number of 20 or larger.例文帳に追加

少なくとも２種の材料、一方はマトリックス材料として働くものであり、下式に示される化合物を用い、他方は発光が可能で２０以上の原子番号の少なくとも１つの元素を含む、から構成される新しいタイプの材料混合物。 - 特許庁

A carbon distribution curve of at least one thin film layer satisfies all the following conditions: it is substantially continuous; it has at least one extreme value; and an absolute value of the difference between the maximum value and minimum value of an atomic ratio of a carbon is 5at% or higher.例文帳に追加

薄膜層の少なくとも１層の炭素分布曲線は、実質的に連続であること、少なくとも１つの極値を有すること、及び炭素の原子比の最大値及び最小値の差の絶対値が５ａｔ％以上であること、を全て満たす。 - 特許庁

Then, annihilation gamma-rays from a positron releasing core created from the nuclear reaction between the charged particle beam irradiated to the object 51 to be irradiated and the atomic nucleus inside the object 51 to be irradiated are detected, and the position of arrival of the actually applied charged particle beam is detected.例文帳に追加

また、被照射体５１に照射された荷電粒子線と被照射体５１内の原子核との核反応によって生成されたポジトロン放出核からの消滅γ線を検出し、実際に照射された荷電粒子線の到達位置を検出する。 - 特許庁

This information management device is provided with an information storage means 14, a processing means 13 storing information applied for registration by an information sender 20 and a registration time based on an atomic clock 12 while associating them with each other, and a user database recording attributes of an information user 30.例文帳に追加

情報の記憶手段１４と、情報発信者２０が登録を申請した情報に原子時計１２による登録時刻を関連付けて記憶手段１４に格納する処理手段１３と、情報利用者３０の属性を記録した利用者データベースとを備えている。 - 特許庁

When orbital energy in XPS measurement is subjected to peak resolution by Gaussian function, the atomic weight ratio of Ce^4+/Ce^3+ is 1.7 or more, Mn^2+ is 5 atom% or more and at least one part is complexed.例文帳に追加

ＸＰＳ測定における軌道エネルギーをガウス関数によるピーク分離したときに、Ｃｅ^４＋／Ｃｅ^３＋の原子量比（ａｔｏｍ％比）が１．７以上で、且つＭｎ^２＋が５ａｔｏｍ％以上であり、少なくとも一部が複合化している。 - 特許庁

The fatty acid metal salt is used for forming ultrafine metal particles, and contains a metal having an atomic weight of 50 to 200, wherein the amount of an unreacted-substance or by-product is 4.0 mol% or smaller when the fatty acid metal salt is produced.例文帳に追加

金属超微粒子の形成に用いられる原子量５０〜２００の金属を含む脂肪酸金属塩であって、脂肪酸金属塩生成の際の未反応物質または副生成物の量が４．０モル％以下であることを特徴とする。 - 特許庁

The method is one for hydrodesulfurizing a gasoline fraction in the presence of a catalyst which contains at least one support, at least one group 8 element and tungsten and in which the atomic ratio i.e. (group 8 element)/(group 8 element + tungsten) is above 0.15 and below 0.50.例文帳に追加

少なくとも１種の担体、少なくとも１種の第８族元素およびタングステンを含む触媒で、その原子比すなわち（第８族元素）／（第８族元素＋タングステン）の比が０．１５より大きく、かつ０．５０より小さい触媒の存在下に、ガソリン留分を水素化脱硫するための方法。 - 特許庁

This hyper branch polymer for non-linear optics is configured by regularly or irregularly coupling a secondary non-linear optical active coloring matter atomic group to one or more of the branch configuring units (branching units) of hyper-branch polymer and linear structure units (linear units) and terminal units (terminal units).例文帳に追加

ハイパーブランチポリマーの分枝構造単位(ブランチングユニット)、直線構造単位(リニアユニット)及び末端単位(ターミナルユニット)のいずれか1つないしは複数に、規則的または不規則的に、２次非線形光学活性色素原子団を結合させてなる非線形光学用ハイパーブランチポリマー。 - 特許庁

The metallic thin film comprises a metal selected from the group consisting of transition metals with the atomic number of 24 to 48, the oxides thereof and the sulfides thereof, and has a film thickness of 0.01 to 100 μm and having holes with a hole diameter of 0.01 to 100 μm aligned in a honeycomb way.例文帳に追加

原子番号が２４〜４８である遷移金属、その酸化物及びその硫化物よりなる群から選ばれる金属からなり、０．０１μｍ〜１００μｍの膜厚ならびにハニカム状に整列した孔径０．０１μｍ〜１００μｍの孔を有する金属製薄膜である。 - 特許庁

To provide a rubidium atomic oscillator which is hardly affected by ambient noises, superior in a short-term stability and phase noise characteristics, and capable of reducing a deterioration in its frequency stability, in a frequency-unlocked state to an irreducible minimum.例文帳に追加

本発明はルビジウム原子発振器に関し，周囲雑音等の影響を受けず，短期安定度や位相雑音特性の優れた，且つ周波数アンロック状態における周波数安定度の劣化を最小限に抑えることを目的とする。 - 特許庁

To at least three elements which are brought into eutectic reaction, an element inducing nanocrystallization on a scale of a nanometer order in the alloy composed of at least three elements is added in a range where the compositional percentage thereof reaches 0.01 to 20 atomic%.例文帳に追加

共晶反応を起こす少なくとも３つの元素に、この少なくとも３つの元素からなる合金においてナノメートル・オーダのスケールでのナノ結晶化を誘発する元素を、その組成比率が０．０１〜２０原子％となる範囲で添加する。 - 特許庁

In the data processing part, while using the atomic species information, the hole number information, the length information and further connection number information showing which coupling rod is inserted and connected, the molecular coordinate data of Z-matrix form are generated.例文帳に追加

データ処理部では、原子種情報と孔番号情報と長さ情報と、更には結合棒が何番目に挿入されて接続されたものであるかを示す接続番号情報とを用いて、Ｚ−マトリックス形式の分子座標データを生成する。 - 特許庁

An atomic clock includes a physics package that includes a vacuum chamber cavity that holds atoms of Rb-87 under high vacuum conditions and an optical bench having a single laser light source, a local oscillator, a plurality of magnetic field coils, an antenna, at least one photo-detector and an integrated control electronic circuit.例文帳に追加

Ｒｂ−８７の原子を高真空条件下に保持する真空チャンバキャビティと、単一レーザ光源、局部発振器、複数の磁場コイル、アンテナ、少なくとも１つの光検出器、および集積制御電子回路を有する光学ベンチとを含む物理パッケージを有する原子時計。 - 特許庁

In the implantation inhibition layer forming process, the implantation inhibition layer is formed of a material which comprises an element whose atomic weight is larger than a silica atom as a structure element and whose melting point is higher than a temperature of the silicon carbide substrate when the ions are implanted.例文帳に追加

さらに、注入阻止層形成工程では、珪素原子よりも原子量が大きい元素を構成元素として含み、かつイオンが注入されるときの炭化珪素基板の温度よりも融点が高い材料からなる注入阻止層を形成する。 - 特許庁

An IGZO layer is formed on a substrate by vapor-depositing ions including In, Ga, and Zn from a first target, and the compositional ratio of In of the IGZO layer is turned to be 45 to 80 atomic% by vapor-depositing the ions including In from a second target.例文帳に追加

第１ターゲットからＩｎ、Ｇａ及びＺｎを含むイオンが蒸着されて基板上にＩＧＺＯ層が形成されるようにして、第２ターゲットからＩｎを含むイオンが蒸着されて前記ＩＧＺＯ層のＩｎの組成比が４５ないし８０ａｔ％になるようにする。 - 特許庁

The substrate for an information recording medium is characterized in that a cycle of the microscopic waviness falls within 2 μm to 4 mm, wa of the substrate main surface is 5 nm or less and Rmax is 12 nm or less, where a maximum height of this microscopic waviness is wa (95% PV value) and a maximum height measured by an atomic force microscope is Rmax.例文帳に追加

情報記録媒体用基板は、微小うねりの周期が２μｍ〜４ｍｍであって、この微小うねりの最大高さをwa（95％PV値）とし、原子間力顕微鏡によって測定した最大高さをRmaxとしたとき、該基板主表面のwaが5nm以下、Rmaxが12nm以下であることを特徴とする。 - 特許庁

The atomic-layer deposition method includes controlling the amount of the gases to be introduced into the inner channel 8A and the outer channel 8B when supplying the gases onto the substrate 6, so that one of the gases pass through the inner channel 8A constantly at the same flow rate as the other gas passing through the outer channel 8B.例文帳に追加

基板６に対するガス供給時に、内側流路８Ａを通過するガスの流量と外側流路８Ｂを通過するガスの流量が常に同じになるように、内側流路８Ａおよび外側流路８Ｂへのガス導入量を制御する。 - 特許庁

To provide a construction method for exhibiting high safety as to a floor, a foundation, a ground surface and a ground of an apparatus in a field required for preventing a dangerous substance leaking-out accident of electric power substations, electric power plants, atomic-energy power stations, chemical factories, pharmaceutical plants, and the like.例文帳に追加

変電所、発電所、原子力発電所、化学工場、製薬工場等の危険物漏出事故を防止する必要のある分野においてその機器の床、基礎、地面、地盤に関する、極めて高い安全性を発揮する施工方法を提供する。 - 特許庁

In this structure analysis method of the trace element, the sample is irradiated with an X-ray, while changing X-ray energy, and a fluorescent X-ray emitted from the sample is detected, and information on an atomic structure of the trace element in the sample is analyzed from a relation between the X-ray energy and the fluorescent X-ray.例文帳に追加

Ｘ線エネルギーを変えながら試料にＸ線を照射し、試料から放出される蛍光Ｘ線を検出して、前記Ｘ線エネルギーと蛍光Ｘ線との関係から試料中の微量元素の原子構造に関する情報を解析する微量元素の構造解析方法である。 - 特許庁

A manufacturing method of a light-emitting device sequentially include: a conductive member preparation step of preparing a conductive member 1 having a reflection film 1b; a light-emitting device disposition step of disposing a light-emitting device 3 on the reflection film; and a protective film formation step of forming a protective film 5 on the reflection film by an atomic layer deposition method.例文帳に追加

発光装置の製造方法は、反射膜１ｂを備える導電部材１を準備する導電部材準備工程と、反射膜上に発光素子３を配置する発光素子配置工程と、原子層堆積法により反射膜上に保護膜５を形成する保護膜形成工程と、を順に有する。 - 特許庁

A sputtering target is used for forming the n-layer of the solar cell, and contains In, Ga, Zn and O, where an atomic content of each of In, Ga, and Zn is 10 atom% or more, when a total number of In, Ga and Zn atoms in the n-layer is assumed as 100 atom%.例文帳に追加

本発明のスパッタリングターゲットは、太陽電池のｎ層を形成するために用いられ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ及びＯを含有し、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎの原子数を１００原子％とした場合、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎの含有量がいずれも１０原子％以上である。 - 特許庁

To provide a charged particle beam device which is suitable for judging whether an image based on a dark field signal has appropriate atomic number contrast, and also to provide a computer program used for it, and a test piece observation method.例文帳に追加

本発明は、暗視野信号に基づく画像が、適正な原子番号コントラストを備えているか否かを判断するのに好適な荷電粒子線装置、それに用いられるコンピュータプログラム、及び試料観察方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

Otherwise, the foreign substance P is irradiated with an electron beam to deposit a solid material on the foreign substance P in a deposition gas atmosphere in which the solid material is generated by irradiation with the electron beam, and a force by the probe of an AFM (atomic force microscope) is applied to the solid material.例文帳に追加

又は、電子ビームが照射されることにより固体材料が生成されるデポジションガス雰囲気中において、異物Ｐに電子ビームを照射して異物Ｐ上に固体材料を堆積させ、この固体材料に対してＡＦＭの探針により力を印加する。 - 特許庁

The surface of steel is coated with a rust layer of two or three kinds among an Ni-substituted goethite, Al-substituted goethite and Cr-substituted goethite, and the total content of Ni, Al and Cr in each substituted goethite is ≥0.1 atomic %.例文帳に追加

鋼表面がＮｉ置換ゲーサイト、Ａｌ置換ゲーサイト、およびＣｒ置換ゲーサイトの２種または３種からなるさび層で覆われ、各置換ゲーサイトのＮｉ、ＡｌおよびＣｒの含有量の合計が０．１原子％以上である鋼材。 - 特許庁

The atomic layer deposition device is provided with: a film growth vessel to be fed with a raw material gas and an oxidizing gas; an antenna array for generating plasma at the inside of the film growth vessel in which a plurality of bar-shaped antenna bodies are parallelly arranged; and a substrate stage to be mounted with a substrate.例文帳に追加

原料ガスおよび酸化ガスが供給される成膜容器と、この成膜容器内でプラズマを生成するための、棒状の複数のアンテナ本体が平行に配設されたアンテナアレイと、基板が載置される基板ステージとを備えている。 - 特許庁

To provide a method for spark discharge atomic emission spectrometric analysis for maximizing a measurement region as an analysis point configured on a surface of a sample, implementing a component analysis of a sample according to a multiple-analysis logic, and improving the accuracy of the component analysis and a speed of an analysis process.例文帳に追加

本発明は、試料面上に設定される分析点である測定領域の最大化を図り、多回分析ロジックに従った試料の成分分析を行い、成分分析の高精度化、分析処理の高速化を実現したスパーク放電発光分光分析方法に関する。 - 特許庁

The negative electrode active material contains Si and O wherein the atomic ratio x of O to Si is expressed as 0<x<2, and wherein B<3° (2θ) where B represents the half width of the diffraction peak of the (220) plane of Si in the X-ray diffraction pattern measured using CuKα radiation.例文帳に追加

ＳｉとＯとを含み、Ｓｉに対するＯの原子比ｘが０＜ｘ＜２で表され、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折パターンにおいて、Ｓｉ（２２０）面回折ピークの半値幅をＢとするとき、Ｂ＜３°（２θ）である負極活物質を用いることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a silicon carbide fiber with a carbon film on the surface of the fiber having the atomic ratio C/Si of carbon to silicon regulated so as to be 1.00-1.10, and excellent in heat resistance, oxidation resistance and creeping properties at a high temperature, and to provide a method for producing the silicon carbide fiber.例文帳に追加

本発明は炭素とけい素との原子比Ｃ／Ｓｉが１．００〜１．１０の繊維表面に炭素皮膜を有する炭化けい素繊維とその製造法に関し、特に高温度での耐熱性、耐酸化性、クリ−プ性に優れた炭素皮膜を有する炭化けい素素繊維とその製造法を提供する。 - 特許庁

To provide a time code determining device and an atomic radio clock, capable of precisely determining a narrow-width data pulse which is improperly determined at high rates due to influence of external noise, and capable of surely carrying out a minute synchronous detection even in a weak electric field.例文帳に追加

外来ノイズの影響により誤って判別される確率の高い幅狭のデータパルスを、精度よく判別したり、弱電界時においても分同期の検出を確実に行うことのできるタイムコード判別装置ならびに電波時計を提供する。 - 特許庁

The lithium transition metal oxide has the layer structure expressed by a composition formula Li_1+XMO_2, wherein M in the composition formula is composed of a transition metal containing Mn, Co and Ni in the atomic ratio of nearly 1:1:1, and the value of (x) is 0.01-0.5.例文帳に追加

組成式Ｌｉ_1+xＭＯ_2で表される層構造を有するリチウム遷移金属酸化物において、当該組成式中のＭがＭｎ、Ｃｏ及びＮｉをほぼ１：１：１の原子比で含む遷移金属からなり、xの値が０．０１〜０．５であることを特徴とするリチウム遷移金属酸化物を提案する。 - 特許庁

The analyzer 2 selects compositions of materials containing elements not to be measured from a list and assumes them sequentially, calculates the concentration of each element in the sample on the basis of intensity of the fluorescent X-ray signal contained in the spectrum for each of the assumed compositions, and calculates the theoretical value of the average atomic number.例文帳に追加

また解析装置２は、非測定元素を含む物質の組成をリストから選んで順次仮定し、仮定した組成の夫々について、スペクトルに含まれる蛍光Ｘ線信号の強度に基づいて試料中の各元素の濃度を計算し、平均原子番号の理論値を計算する。 - 特許庁

The surface treatment of the ZnTe-based compound semiconductor also includes a second surface treatment process (process A) wherein, while atomic hydrogen is irradiated on the ZnTe-based compound semiconductor substrate, the compound semiconductor substrate is annealed at a temperature ranging between 80°C and 150°C, before the first surface treatment process is conducted.例文帳に追加

さらに、前記第１の表面処理工程の前に、前記ＺｎＴｅ系化合物半導体基板に原子状水素を照射しながら８０℃から１５０℃の温度範囲でアニールする第２の表面処理工程（工程Ａ）を有するようにした。 - 特許庁

Moreover, in the method for producing the indium-germanium vapor depositing target, germanium and indium are mixed and stirred in such a manner that the content of germanium is controlled to the range of 2 to 12 atomic % to the total content of both the elements to produce a mixture, and this mixture is sintered in the temp. range of 900 to 1400°C.例文帳に追加

またインジウム−ゲルマニウム系蒸着ターゲットの製造方法において、ゲルマニウムとインジウムとをゲルマニウムが両元素の合計量に対して２〜１２原子％の範囲となるよう混合・撹拌して混合物を製造し、該混合物を９００〜１４００℃の温度範囲で焼結する。 - 特許庁

This magnetic recording medium has a nomnagnetic substrate, a nonmagnetic metallic underlaid layer, which is formed on one main surface side of the nonmagnetic substrate and contains 20 atomic % or more Ru, and a magnetic layer which is formed on the nomnagnetic metallic underlaid layer and has a metallic magnetic thin film.例文帳に追加

非磁性基板と、上記非磁性基板の一主面側に形成されるとともにＲｕを２０ａｔ％以上含有する非磁性金属下地層と、上記非磁性金属下地層上に形成されるとともに金属磁性薄膜を有する磁性層とを備えることを特徴とする。 - 特許庁