「atomic」に関連した英語例文の一覧と使い方(52ページ目) - Weblio英語例文検索

(2) Alternatively, the composite yarn comprises the modified cross-section regenerated cellulose fibers having 1.1-10 degree of modified cross section of the fibers, 10-50 nm fiber surface roughness parameter Ra measured under the atomic force microscope and containing 0.2-5 wt.% of a fine powder having 0.05-10 μm 50% average particle diameter.例文帳に追加

(2) 繊維の異型度が１．１〜１０で、原子間力顕微鏡で測定した繊維表面粗度パラメーターＲａが１０〜５０ｎｍであり、５０％平均粒径が０．０５〜１０μｍである微粉末を０．２〜５重量％含む異型断面再生セルロース繊維を含有する複合糸。 - 特許庁

The coloring composition comprises at least one selected from oil-soluble dyes represented by formulae (1) and (2) (wherein Q1 and Q2 are each an atomic group necessary for exhibiting absorption in the visible light/infra red regions; R21 is H, an alkyl, aryl or heterocyclic group; and n1 and n2 are each 0-4).例文帳に追加

下記式（１）及び式（２）で表される油溶性染料から選択される少なくとも一種を含有する着色組成物である〔Ｑ_1,Ｑ_2：可視／近赤外域に吸収を持つのに必要な原子団、Ｒ_21：Ｈ,アルキル基,アリール基,ヘテロ環基、n_1,n_2：０〜４〕。 - 特許庁

It is desirable that the material contains by atomic % ≤15% the total of the components in the 4A, 5A, 6A groups in the periodic table or 0.5-15% Nb desirably 1-10% Nb or 0.1% to <4% Cu or 5-15% Si as the components besides B.例文帳に追加

Ｂ以外の成分として原子％で、４Ａ、５Ａ、６Ａ族を合計で１５％以下、あるいはＮｂを０．５％以上１５％以下、好ましくは１％以上１０％以下、あるいはＣｕを０．１％以上４％未満、あるいはＳｉを５％以上２５％以下含むことが好ましい。 - 特許庁

To provide: a method of growing a gallium nitride-based compound semiconductor, using a substrate made of a diboride single crystal having on its surface an atomic step linear as a whole and a flat terrace without pits and projections on its surface, and to provide a method of processing the surface of a substrate made of a diboride single crystal.例文帳に追加

全体が直線状の原子ステップ及び表面に凹凸のない平坦なテラス部を表面に有する二硼化物単結晶から成る基板を用いた窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法、及び二硼化物単結晶から成る基板の表面処理方法を提供すること。 - 特許庁

The write-once optical recording medium comprises an oxide film 3 constituting an inorganic recording film on a base material, wherein the oxide film 3 comprises a recording material derived from an oxide Ge_1O_x(x is an atomic ratio) of germanium (Ge) and a composition of the oxide film 3 is 1.0<x<2.0.例文帳に追加

基体上に、無機記録膜を構成する酸化物膜３を有する追記型光記録媒体であって、上記酸化物膜３が、ゲルマニウム（Ｇｅ）の酸化物Ｇｅ_１Ｏ_ｘ（ｘは原子比）による記録材料よりなり、上記酸化物膜３のＧｅ_１Ｏ_ｘの組成が、１．０＜ｘ＜２．０とする。 - 特許庁

The micromachining method, which uses a device comprising an atomic force detecting means, applies voltage to a probe to subject a workpiece to micromachining, while a nonmagnetic solvent including water is present between the workpiece and the probe.例文帳に追加

原子間力検出手段を備えた装置を用いた微細加工方法であって、該被加工試料と探針との間に、水を含有する非極性溶媒を存在させた上で、該探針に電圧をかけることによって被加工試料に微細な加工を施すことを特徴とする微細加工方法。 - 特許庁

A cantilever 12 having a probe 12a for characteristic measurement is resonated by an exciting section 5, the vibration of the cantilever 12 is detected by a vibration detecting section 6, and AFM (Atomic Force Microscope) observation of a sample is determined based on the detection result by a control/arithmetic section 9.例文帳に追加

特性計測用プローブ１２ａが形成されたカンチレバー１２を励振部５により共振させ、カンチレバー１２の振動を振動検出部６で検出し、その検出結果に基づいて試料のＡＦＭ観察を制御・演算部９で求める。 - 特許庁

The moisture absorbing and desorbing resin comprises a polyether component (A) as a constituent component, the resin having a glass transition temperature of ≤-20°C being used, the carbon/oxygen atomic ratio of a polyoxyalkylene (-C_nH_2nO-) constituting the polyether component (A), and a content of the component (A) being set in a specific scope.例文帳に追加

吸放湿性樹脂として、下記ポリエーテル成分（Ａ）を構成成分として含有し、ガラス転移温度が−２０℃以下であるものを使用し、該ポリエーテル成分（Ａ）を構成するポリオキシアルキレン（−Ｃ_n Ｈ_2nＯ−）の炭素／酸素原子比、及び、該ポリエーテル成分（Ａ）の含有量が特定の範囲に設定する。 - 特許庁

In the method for inspecting the compound semiconductor substrate, the surface roughness Rms of the compound semiconductor substrate is measured by using an atomic force microscope at pitches of 0.4 nm or less in a visual field in a square of 0.2 μm or less.例文帳に追加

化合物半導体基板の検査方法は、化合物半導体基板の表面の検査方法であって、０．２μｍ以下四方の視野で、０．４ｎｍ以下のピッチで、原子間力顕微鏡を用いて化合物半導体基板の表面粗さＲｍｓを測定する。 - 特許庁

The block includes: a decision block set P1 present only on the hard disk; a next generation decision block set C1 converted into a decision block set at prescribed timing; and an atomic block set S3 created in each user based on the decision block set C1.例文帳に追加

ブロックはハードディスク上のみに存在する確定ブロック集合体Ｐ１と、所定のタイミングで確定ブロック集合体に変換される次世代確定ブロック集合体Ｃ１と、確定ブロック集合体Ｃ１に基づいて、ユーザごとに作成されるアトミックブロック集合体Ｓ３とを含む。 - 特許庁

Provided is a synthesis method for a self-dispersible pigment, including performing ring-opening addition of lactones to an acidic group bonded to a surface of a pigment particle directly or via another atomic group to bond a functional group including an ester group to the surface of the pigment particle.例文帳に追加

顔料粒子の表面に直接又は他の原子団を介して結合している酸性基に、ラクトン類を開環付加することで、エステル基を含む官能基を顔料粒子の表面に結合させることを特徴とする自己分散顔料の合成方法。 - 特許庁

An optical alignment system for optimizing the gap distance between an optical fiber and an optical device uses an atomic force present when the gap distance approaches optimal alignment according to changes in an oscillating fiber amplitude at a fiber resonance frequency.例文帳に追加

光ファイバと光学デバイスとの間の脚婦距離を再提起かするための、光学的位置合わせシステムは、ファイバの共鳴振動数で振動しているファイバの振幅における変化に基づいて、ギャップ距離が最適な位置合わせに達する際に存在する原子間力を利用する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for releasing energy from atoms, when electrons are stimulated in such a way so as to relax to a lower energy level and to a state of small size, by providing an energy hole which resonates with transfer according to a new atomic model.例文帳に追加

新たな原子モデルに従い、移転に共振するエネルギーホールを与えることにより電子をよりエネルギー準位且つ大きさの小さい状態に弛緩するよう刺激する際に、原子からエネルギーを開放する方法及び装置を提供する。 - 特許庁

In a conductive film containing conductive fibers, an atomic ratio (X/A) of the content X of halogen elements in the conductive film relative to the content A of the elements constituting the conductive fibers in the conductive film satisfies the following inequality: 0.01<X/A<0.9.例文帳に追加

導電性繊維を含有する導電膜であって、前記導電膜中の前記導電性繊維を構成する元素の含有量Ａと、前記導電膜中のハロゲン元素の含有量Ｘとの原子比（Ｘ／Ａ）が、次式、０．０１＜Ｘ／Ａ＜０．９を満たす導電膜である。 - 特許庁

In the oxide sintered compact, the atomic ratio of the titanium to the total of the zinc and the titanium is preferably more than 0.02 and 0.1 or less, and the titanium is titanium derived from low valence titanium oxide expressed by the formula: TiO_2-X (X=0.1 to 1).例文帳に追加

本発明の酸化物焼結体は、好ましくは、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が、０．０２を超え０．１以下であり、チタンが、式：ＴｉＯ_2-X（Ｘ＝０．１〜１）で表される低原子価酸化チタン由来のチタンである。 - 特許庁

In this method, a micro phase separation structure film is irradiated with normal-pressure plasma, and the film is etched up to a part allowing confirmation of the micro phase separation structure, and then the surface is observed by an atomic force microscope (AFM), to thereby confirm the micro phase separation structure.例文帳に追加

ミクロ相分離構造膜に、常圧プラズマを照射し、ミクロ相分離構造が確認可能な部分まで膜をエッチングした後、表面を原子力間顕微鏡（ＡＦＭ）で観察することによりミクロ相分離構造を確認する方法である。 - 特許庁

The oxide for a semiconductor layer of a thin-film transistor contains Zn, Sn, and In, and following formulas (1)-(3) are satisfied where [Zn], [Sn], and [In] are the contents (atomic %) of the metallic elements contained in the oxide.例文帳に追加

本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、Ｚｎ、Ｓｎ、およびＩｎを含み、酸化物に含まれる金属元素の含有量（原子％）をそれぞれ、［Ｚｎ］、［Ｓｎ］、および［Ｉｎ］としたとき、下記式（１）〜（３）を満足するものである。 - 特許庁

In this case, when the voltage applied between the surface 1a of the substrate 1 and the needle-shaped member 2 is changed by a variable power source 3, the wavelength zone of the light L emitted from the atomic-scale structure formed on the surface 1a of the substrate 1 is changed.例文帳に追加

ここで、可変電源３により基材１の表面１ａと針状部材２との間に印加される電圧を変化させると、基材１の表面１ａに形成された原子スケールの構造物から放出される光Ｌの波長域が変化する。 - 特許庁

The film is adhered and aligned in a single step with a method containing a step to shoot an ion-beam at the substrate with a specified incident angle and simultaneously to adhere the film to the substrate (a) and to align an atomic structure of the film in at least a specified aligning direction (b).例文帳に追加

基板をイオン・ビームで指定の入射角で衝撃して、同時に（ａ）基板上に膜を付着しながら、（ｂ）膜の原子構造を少なくとも１つの所定の配向方向に配列するステップを含んでいる方法によって、膜を単一のステップで付着させ配向させる。 - 特許庁

An uneven film whose average surface roughness measured by an atomic force microscope is 2 nm or less is inserted as an intermediate layer between a low anchoring layer and ITO, thereby influence of panel-dependent ITO-film surface shapes on the low anchoring layer can be avoided, and switching characteristics are stabilized.例文帳に追加

低アンカリング層とＩＴＯ間に中間層として、原子間力顕微鏡で計測した平均表面粗さが２ｎｍ以下の凹凸膜を挿入することにより、パネルごとに異なるＩＴＯ膜の表面形状に低アンカリング層が影響を受けるとなく、スイッチング特性が安定した。 - 特許庁

To solve the problem wherein a calculation method based on Fourier transform is adopted in order to reconstitute a three-dimensional structure of atomic arrangement in a conventional electronic holography method, but reproduction of the three-dimensional structure from a single wave hologram is difficult in the method.例文帳に追加

従来の電子ホログラフィー法では原子配列の立体構造を再構成するためにフーリエ変換を基本とした計算方法がなされてきたが、この方法では単波長ホログラムからの立体構造を再現するのは難しい。 - 特許庁

When the activating solution L2, such as ozone water is sprayed over the thin film resin layer 13, atomic active oxygen oxidizes (activates) a silicone resin and a denatured silicon resin which constitute the thin film resin layer 13 to reform to an adhesive layer 9 which expresses adhesion.例文帳に追加

薄膜樹脂層１３にオゾン水などの活性化溶液Ｌ２が噴射されると、原子状の活性酸素が薄膜樹脂層１３を構成するシリコーン樹脂や変性シリコーン樹脂が酸化（活性化）され、接着性が発現した接着層９に改質される。 - 特許庁

The surface protective layer 5 of the photoreceptor comprises a plurality of layers of fluorinated amorphous layers 6e, comprising amorphous silicon carbide or amorphous carbon and 12 to 35 atomic% of fluorine, and has a dynamic indentation hardness of 90 to 500 kgf/mm^2.例文帳に追加

感光体における表面保護層５は、アモルファスシリコンカーバイドもしくはアモルファスカーボンにフッ素を１２〜３５原子％含有してなるフッ素化アモルファス層６ｅのみを複数積層形成してなり、且つ、その動的押し込み硬さが９０〜５００ｋｇｆ／ｍｍ^２である。 - 特許庁

A number of bielectronic integrating term estimation part 3 estimates the number of the bielectronic integrating terms whose arithmetic results are stored in a storage resource based on the shape pattern of the computation object molecule and the number of total atomic orbits and a cut-off value for the two electronic integrating terms.例文帳に追加

二電子積分項数見積り部３は、計算対象分子の形状パターンおよび総原子軌道数と、二電子積分項に対するカットオフ値とに基づいて、演算結果を記憶資源に格納する二電子積分項の項数を見積もる。 - 特許庁

A localized magnetic orbit is expressed as the linear connection of a molecular orbit, and the localized magnetic orbit to be found is determined based on the largest overlapping condition evaluated between a reference orbit localized in an atomic orbit and the localized magnetic orbit, so that the magnetic interaction is calculated.例文帳に追加

局在化磁性軌道を分子軌道の線形結合として表し、原子軌道上に局在化した参照軌道とこの局在化磁性軌道との間で評価される最大重なり条件から、求めるべき局在化磁性軌道を決定し、これにより磁気的相互作用を算出する。 - 特許庁

Specifically, it is preferred that plasma having a high concentration and high energy produced by microwaves is used, and the SiC monocrystal is grown with an atomic ratio of carbon and silicon (C/Si ratio) being 100 or above and the concentration of supplied material silicon atoms being 100 mol.ppm or below.例文帳に追加

特に、マイクロ波でプラズマを発生させた高密度・高エネルギーのプラズマを利用すること、炭素と珪素の原子供給比（Ｃ／Ｓｉ比）を１００以上、供給される原料珪素原子濃度を１００ｍｏｌ．ｐｐｍ以下として成長させることが好ましい。 - 特許庁

In the method of measuring structural change of the protein, a Saupe order matrix element of a domain is obtained from an axial-direction variation of an NMR signal dependent upon the orientation angle of a molecule in a magnetic field and atomic coordinates of the domain, and the matrix is diagonalized to obtain the orientation information on the domain.例文帳に追加

本発明の１つの実施形態において、分子の磁場中での配向角度に依存したＮＭＲシグナルの軸方向の変化量、ドメインの原子座標から、ドメインのＳａｕｐｅオーダーマトリクスエレメントを得て、そのマトリクスを対角化して、ドメインの配向情報を得る。 - 特許庁

To provide a method for producing a thin film consisting of oxide or multiple oxide by a CVD process including an ALD (Atomic Layer Deposition) process by which the production of a satisfactory thin film is made possible in the case a metallic compound having low hydrolysis reaction such as alkoxide and a β-diketone complex is used as a precursor.例文帳に追加

ＡＬＤ法を含むＣＶＤ法による酸化物又は複合酸化物からなる薄膜の製造方法において、前駆体にアルコキシドやβ−ジケトン錯体等の加水分解反応の遅い金属化合物を用いる場合に良好な薄膜の製造が可能となる薄膜の製造方法を与えること。 - 特許庁

The alloy Pd3Au1 with the atomic ratio of Pd:Au of 3:1 has an adsorption energy on the carrier of the metal oxide the same as that of an equimolecular Pt, is expected to have sintering resistant property equal to that of Pt and is thus provided with basic conditions for replacing Pt.例文帳に追加

Ｐｄ：Ａｕの原子比が３：１の合金Ｐｄ３Ａｕ１は、金属酸化物から成る担体上の吸着エネルギーが当モルのＰｔと同等であり、Ｐｔと同等の耐シンタリング性を有すると見込まれ、Ｐｔを代替するための基本的な条件を備えている。 - 特許庁

To provide a DNA spin mapping/medical method and system applicable to medical service in which radical state or spin state can be detected with atomic resolution for a nonconductive substance, e.g. DNA, biological molecule, or the like, using an equipment for measuring an exchange interacting force.例文帳に追加

交換相互作用力の測定装置を用いて、原子分解能でＤＮＡ、生体分子等導電性のない物質に対してラジカル状態、スピン状態の検出を行い、医療への応用が可能なＤＮＡスピンマッピング・医療方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

The injection system by which a neutral active substance formed in such a way that one or both of a component used to lower the corrosion potential of a plant structure material and a component used to lower a radiation dose are dispersed to a neutral substance is injected into cooling water inside a pressure vessel 8 of the atomic power plant is installed.例文帳に追加

原子力プラントの圧力容器８内の冷却水にプラント構造材料の腐食電位を低下させる成分と放射線線量を低下させる成分の一方又は両方を中性物質に分散させてなる中性活物質を注入する注入系統を設ける。 - 特許庁

In an atomic force microscope wherein an optical lever system is adopted, a light emitting element 8 is provided on the back side of a cantilever 5, and a light receiving device 9 is directly irradiated with light from the light emitting element 8, to thereby suppress decline of light receiving sensitivity of the light receiving device 9 caused by reflection of unintended light.例文帳に追加

光てこ方式を採用した原子間力顕微鏡において、発光素子８をカンチレバー５の背面側に設け、発光素子８から直接受光装置９に光を照射することで、意図しない光の反射による受光装置９の受光感度の低下を抑制する。 - 特許庁

A static eliminator 4 and a charge monitor 3 are arranged and the charge monitor 3 is controlled on the basis of the position of the probe 2 of the atomic force microscope by a monitor position control means 7 so as to measure the charge quantity in the periphery of the position of the probe 2 of the sample 1.例文帳に追加

除電装置４と、帯電モニタ３を配置し、原子間力顕微鏡の探針２の位置に基づいて、試料１の探針２の位置周辺の帯電量が測定されるように帯電モニタ３をモニタ位置制御手段７により制御する。 - 特許庁

In the process for depositing the Co containing oxide film, magnetron sputtering is performed by using of a metallic target where the magnetic flux density in the inner part is ≤0.2 T and the total content of Co and Fe is ≥80 atomic % to the whole metal when an external magnetic field is applied at 7.96 kA/m intensity.例文帳に追加

外部磁界を７．９６ｋＡ／ｍの強度で印加したときの内部の磁束密度が０．２Ｔ以下であり、ＣｏおよびＦｅの合計含有量が全金属に対して８０ａｔ％以上である金属ターゲットを用いて、マグネトロンスパッタリングを行うＣｏ含有酸化物膜の成膜方法。 - 特許庁

The heat-resistant electrode which has a composition containing Ag and Ni and having 0.07-20 atomic % Ni content, the target composed of a sintered compact with the above composition and used for the heat-resistant electrode, the method for manufacturing the heat-resistant electrode, and the thin film EL element using the same are provided.例文帳に追加

ＡｇとＮｉとを含有し、Ｎｉの含有量が０．０７−２０原子％である構成の耐熱性電極耐熱性電極、前記組成の焼結体である耐熱性電極用ターゲット、耐熱性電極の製造方法、およびこれを用いた薄膜ＥＬ素子とした。 - 特許庁

This polyester film is prepared from terephthalic acid, ethylene glycol, and a polyalkylene oxide glycol having a ratio of atomic number of carbon/oxygen of 2-6 and has a Young's modulus of 3.0 GPa or higher, a haze value of 10% or lower, and a Gelbo(R) test value at 20°C of 20 or lower.例文帳に追加

テレフタル酸、エチレングリコール、および炭素／酸素原子数比が２〜６であるポリアルキレンオキシドグリコールからなるポリエーテルエステルフィルムであって、ヤング率が３．０ＧＰａ以上、ヘイズ値が１０％以下、２０℃でのゲルボテスト値が２０以下であるポリエステル系フィルム。 - 特許庁

To provide a probe position control method which enables more accurate observation or operation by correcting the change of the relative position of a sample and a probe during observation or operation in a scanning type probe microscope (SPM) or an atomic manipulator (operation) by excluding the effect of a heat drift or the like, and a probe position control device.例文帳に追加

熱ドリフト等の影響を排除し、走査型プローブ顕微鏡(SPM)や原子マニピュレータ(操作)装置において、その観察又は操作の間に試料とプローブの相対位置が熱により変化するのを補正して、より正確な観察又は操作を可能にする位置制御方法及び装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a phase change memory which maintains stable rewriting conditions by preventing atomic diffusion from a layer adjacent to a recording material layer to a recording material, due to the heat generated during rewrite operation, when both the recording material and a selector element are formed of a thin film.例文帳に追加

記録材料と選択素子の両方を薄膜で形成する場合、書換え動作等の熱により、記録材料層と隣接する層からの記録材料への原子拡散を防止し、安定な書換え条件を保つ相変化メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a method of flattening/cleaning the surface of a crystalline InP substrate by which the surface of a crystalline InP wafer can be cleaned in atomic order under a superhigh vacuum condition, and to provide a method of growing semiconductor device by molecular beam epitaxy using the method.例文帳に追加

超高真空下でＩｎＰ結晶ウェーハの表面を原子的なオーダーで清浄化するＩｎＰ結晶基板表面の平坦・清浄化方法及びそれを用いた半導体デバイスの分子線エピタキシャル成長方法を提供する。 - 特許庁

A process waste 5, produced in mechanical processing with an atomic force microscope probe 3, is irradiated with a gas cluster ion beam 1, having energy that will not damage a normal pattern 6 or a glass substrate 7, but which can remove the process waste 5 which is weakly depositing thereon, so as to remove the waste by sputtering effects.例文帳に追加

原子間力顕微鏡探針３による機械加工で発生した加工屑５を正常パターン６やガラス基板７にはダメージを与えないが弱く付着した加工屑５は除去できるようなエネルギーを持ったガスクラスターイオンビーム１を照射してスパッタ効果で除去する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can attain improvement of a capacitance equivalent thickness and a leakage current characteristic through the formation of an amorphous high-dielectric insulating film with a high density using a precursor which can be vapor-deposited by means of an atomic layer vapor-deposition process at a temperature of 400°C or higher.例文帳に追加

400℃以上の温度で原子層蒸着法により蒸着が可能な前駆体を用いて高密度を有する非晶質の高誘電絶縁膜形成を通じてキャパシタンス等価厚及び漏洩電流特性を向上させることができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

(1) The write once type optical recording medium has at least, a recording layer, on a substrate, which contains Bi, O and an element M whose atomic radius differs from Fe by 0.2 Å or above and has a non-recording part and a recording mark part, both of which are amorphous.例文帳に追加

（１）基板上に少なくとも記録層を有し、該記録層がＢｉ、Ｏ、及び原子半径がＦｅと０．２Å以上異なる元素Ｍを含有し、記録層の未記録部と記録マーク部が共にアモルファスである追記型光記録媒体。 - 特許庁

A liquid mixture of colloidal silica with a vanadium compound is gelled beforehand to obtain a slurried material, the slurried material is heated and mixed and the heated/mixed slurried material is dried and/or fired to obtain a catalyst which contains silicon oxide and vanadium oxide as principal components and the Si/V atomic ratio of which is within 99.5/0.5 to 85/15.例文帳に追加

コロイダルシリカとバナジウム化合物との混合液を予めゲル化させ、得られたスラリ状物を、加熱混合後、乾燥及びまたは焼成することにより、ケイ素酸化物とバナジウム酸化物を主成分とし、Ｓｉ／Ｖの原子比が９９．５／０．５〜８５／１５の範囲内にある触媒を得る。 - 特許庁

When an isotope supperlattice is constituted by alternately laminating layers respectively formed by growing the 28Si and 30Si isotopes by five atomic layers, the maximum wave number of lattice vibrations is reduced to 1/5, which is smaller than the wave number vector between conduction bands, and transition is prevented.例文帳に追加

^28Ｓi同位体と^30Ｓi同位体を交互に５原子層ずつ成長させて積層し、同位体超格子を構成すれば、格子振動の最大の波数が５分の１に減少し、伝導帯間の波数ベクトルより小さくなり、遷移が起きなくなる。 - 特許庁

The catalyst carries a Pd type compound oxide containing at least one rare earth element and at least one element selected from the first transition elements of atomic numbers higher than that of Mn on a support prepared by baking a carboxylate complex polymer of a precursor salt.例文帳に追加

前駆体塩のカルボン酸錯体重合物を焼成することにより得た担体上に、希土類元素から選ばれた少なくとも１種と、原子番号がＭｎよりも大きな第一遷移元素から選ばれた少なくとも１種とを含有するＰｄ系複合酸化物を担持してなる。 - 特許庁