「atomic」に関連した英語例文の一覧と使い方(53ページ目) - Weblio英語例文検索

A measuring mode is set to a tapping mode, when observing the semi-solid substance in the semi-solid state with the solid substance existing by an atomic force microscope, and a shape and a state of the solid substance existing in the semi-solid substance are evaluated based on phase information obtained by the tapping mode.例文帳に追加

固体物質が存在する半固体状態のままの半固体状物質を原子間力顕微鏡にて観察する場合、測定モードをタッピングモードに設定し、半固体状物質中に存在する固体物質の形状および状態をタッピングモードにより得られる位相情報で評価する。 - 特許庁

The cross section of chemically treated hair, which is obtained by twice treating hair with a commercial high bleaching agent, and that of treated hair obtained by treating hair with a 2% amino acid aqueous solution are respectively measured by an atomic force microscope to obtain an amplitude image shown in Fig.1 and a phase image shown in Fig.2.例文帳に追加

毛髪を市販のハイブリーチ剤で２回ブリーチ処理を行った化学処理毛と、更に２％アミノ酸水溶液で処理したトリートメント処理毛との断面を、それぞれ、原子間力顕微鏡で測定し、図１に示すamplitude像と、図２に示すphase像とを得た。 - 特許庁

The Ti-Al-based alloy target obtained by this method comprises 45 to 65 atomic% Al, and has at least two or more phases of Ti_3Al, TiAl, TiAl_2 and TiAl_3 upon analysis by X-ray diffraction, and in which metal Ti and metal Al as simple substances are not left upon EPMA (Electron Probe Micro Analysis).例文帳に追加

これにより得られたＴｉ−Ａｌ系合金ターゲットは、Ａｌを４５〜６５原子％含有し、Ｘ線回折で分析したときにＴｉ_３Ａｌ，ＴｉＡｌ，ＴｉＡｌ_２，ＴｉＡｌ_３の少なくとも２種以上の相を含み、ＥＰＭＡ分析をしたときに単体の金属Ｔｉ及び金属Ａｌが残存していない。 - 特許庁

The MBE device 100 is provided with molecular beam generators 10a/10b, vacuum gauges 14a/14b, an atomic absorptive film-formation monitor 8 having a light-source unit 6 and a light-receiving unit 7, and a temperature control calculator 13 for controlling temperatures of the molecular beam generators 10a/10b.例文帳に追加

本発明のＭＢＥ装置１００は、分子線発生部１０ａ・１０ｂと、真空計１４ａ・１４ｂと、光源ユニット６と受光ユニット７とを有する原子吸光式成膜モニタ８と、分子線発生部１０ａ・１０ｂの温度を制御する温度制御演算器１３とを備えている。 - 特許庁

The backcoat layer has an average surface roughness ranging from 15 to 25 nm, as measured by an atomic force microscope, and a density of protrusions equal to or greater than 50 nm in height ranges from 1 to 50 pieces/mm^2 on the backcoat layer surface, as measured by a three-dimensional surface roughness meter with a contact needle.例文帳に追加

原子間力顕微鏡で測定したバックコート層表面の平均表面粗さは１５〜２５ｎｍの範囲であり、かつ触針式三次元表面粗さ計により測定したバックコート層表面の高さ５０ｎｍ以上の突起密度は１〜５０個／ｍｍ^2の範囲である。 - 特許庁

For an organic EL element 100 obtained by successively laminating a substrate-side electrode 4, an organic EL layer 6 and a counter electrode 8 on one side of an element substrate 2, an increase rate of an area measured through an atomic force microscope to a projected area in a direction perpendicular to an electrode surface of the substrate-side electrode is controlled to lower than 1.1%.例文帳に追加

素子基板２の片面に基板側電極４、有機ＥＬ層６、対向電極８を順次積層してなる有機ＥＬ素子１００において、基板側電極の電極面に垂直方向の投影面積に対する原子間力顕微鏡で測定した面積の増加率を１．１％未満にする。 - 特許庁

The region 24 including the hole formed in process of machining is scanned to detect the position 26 of the hole by detecting the secondary ion signal of the same atomic species as the entered ions again, and the moving distance of the position of the hole is found by comparing the hole position at the previous time with the hole position at this time to consider it as a drift amount.例文帳に追加

加工の途中で形成した穴を含む領域２４を走査し、再び入射イオンと同じ原子種の二次イオン信号を検出して穴の位置２６を検出し、前回の穴の位置と今回の穴の位置を比較して穴の位置の移動量を求め、これをドリフト量と見なす。 - 特許庁

A magnetic recording medium 8 has a tantalum oxide layer 10, a seed layer 3, a base layer 4, a magnetic layer 5 and a non-magnetic protectively layer 6 which are successively laminated on a sapphire board 9, and the atomic composition ratio of the tantalum oxide layer 10 is specified to be 0<x<0.7 in Ta1-XOX.例文帳に追加

磁気記録媒体８によれば、サファイア基板９上に酸化タンタル層１０、シード層３、下地層４、磁性層５および非磁性保護層６とを順次積層し、さらに酸化タンタル層１０は原子組成比率がTa_1-X Ｏ_X にて０＜Ｘ＜０．７の範囲に規定している。 - 特許庁

To prevent the contamination of a target caused by a gaseous starting material or reaction gas to be introduced at the time of performing an ALD (Atomic Layer Deposition) process in the case a film deposition system is composed so that film deposition by an ALD process and film deposition by a sputtering process can be performed to a treatment substrate on a substrate stage in the same chamber.例文帳に追加

同一チャンバ内で基板ステージ上の処理基板に対し、ＡＬＤ法による成膜とスパッタリング法による成膜とを行い得るように成膜装置を構成する場合に、ターゲットが、ＡＬＤ法を行う際に導入する原料ガスや反応ガスによって汚染されないようにする。 - 特許庁

To provide an atomic oscillator equipped with an optical system which facilitates module mounting by arranging a plurality of light receiving elements and light emitting elements side by side on the same side thereby reducing the length of a bonding wire for electrically connecting the plurality of light receiving elements, and which has a high EIT signal level thereby has an improved S/N.例文帳に追加

複数の受光素子を発光素子と同一側に併置し、複数の受光素子を電気的に接続するボンディングワイヤを短くしてモジュール実装を容易とし、且つＥＩＴ信号レベルを大きくしてＳ／Ｎを改善した光学系を備えた原子発振器を提供する。 - 特許庁

By this setup, an SiO2 insulating film forming region which serves as a source to generate hydrogen that produces a surface potential level is reduced to an irreducible minimum, atomic hydrogen is less generated even in a radiation environment, and an interface state density is restrained from being generated, so that a semiconductor device of this constitution can be prevented from deteriorating in characteristics.例文帳に追加

これにより界面準位を生成する水素の発生源となるSiＯ_2 絶縁膜の形成領域を必要最低限の領域のみとし、放射線環境下でも原子状水素の発生を低減し、界面準位の生成を抑制して特性劣化を防止する。 - 特許庁

To provide a method of forming a thin film which uses an ALD (Atomic Layer Deposition) method of forming a metal silicate film whose residual impurity concentration is reduced by carrying out a process of removing impurities in the film using a chamber which is the same used for forming the film, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

成膜と同一の処理チャンバーを用いて膜中の不純物除去処理を行い、残留不純物の濃度が低減された金属シリケート膜を形成するALD法を用いた薄膜の形成方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this support for the lithographic printing plate, an aluminum plate is subjected to an anodic oxidizing treatment or to a silicate treatment under the condition that the radio of the atomic number of an alkaline earth metal to that of silicon existing on the surface of the support is set to be 0.1 to 0.95.例文帳に追加

アルミニウム板に陽極酸化処理およびシリケート処理を施した平版印刷版用支持体であって、表面に存在するアルカリ土類金属とケイ素の原子数比が、０．１〜０．９５である平版印刷版用支持体。 - 特許庁

This substrate for information recording medium is characterized in that the period of the microscopic waviness is in 2 μm to 4 mm, wa of the substrate main surface is 5 nm or less and Rmax is 12 nm or less, where a maximum height of this microscopic waviness is wa (95% peak value) and a maximum height measured by an atomic force microscope is Rmax.例文帳に追加

情報記録媒体用基板は、微小うねりの周期が２μｍ〜４ｍｍであって、この微小うねりの最大高さをwa（95％PV値）とし、原子間力顕微鏡によって測定した最大高さをRmaxとしたとき、該基板主表面のwaが5nm以下、Rmaxが12nm以下であることを特徴とする。 - 特許庁

The method for producing the imprinting member comprises the steps of: depositing an amorphous DLC (diamond-like carbon) film containing 12-30 atomic% hydrogen and the balance of carbon on the surface of a base material; and irradiating the surface of the DLC film directly with a laser beam to form the engraved groove consisting of a geometrical pattern or the like.例文帳に追加

基材の表面に、水素を１２〜３０原子％含み、残部が炭素からなるアモルファス状ＤＬＣ膜を被覆形成し、その後、該ＤＬＣ膜の表面に直接、レーザビームを照射して、幾何学模様などからなる彫刻溝を彫刻することによってインプリント部材を製造する。 - 特許庁

To provide an organic metal vapor phase epitaxy device which enables further stable film formation of atomic layer level, and further uniform film thickness distribution in-wafer surface or inter-wafer film thickness, and enables film formation of uniform film thickness distribution, even if gas flow is disturbed.例文帳に追加

本発明は、ウエハー面内の膜厚分布あるいは各ウエハー間の膜厚をより均一に原子層レベルの成膜をより安定的に形成でき、さらに、ガス流の乱れがあっても均一な膜厚分布の成膜を可能にする有機金属気相成長装置を提供するものである。 - 特許庁

In this defect inspecting method for the color filter, a surface potential of the color filter is measured by an atomic force microscope, and a defect in the surface is inspected based on a difference between the maximum value and the minimum value in the surface potential.例文帳に追加

カラーフィルターの欠陥検査方法であって、カラーフィルターの表面電位を原子間力顕微鏡で測定し、表面電位の最大値と最小値の差から表面の欠陥を検査することを特徴とするカラーフィルターの欠陥検査方法。 - 特許庁

A ferro-dielectric thin film 12 is attached onto a base board 11 which forms a work to be processed, and patterns are formed on the thin film using atomic force microscope which has an electroconductive probe 13 so that the desired nano-circuit pattern is partitioned.例文帳に追加

加工物を形成する基板１１上に強誘電体薄膜１２を付着し、次に、導電性探針１３を有する原子間力顕微鏡を用いて、強誘電体薄膜上にパターンを形成して、所望のナノ回路パターンを画定する。 - 特許庁

The steam generated from a pure water dispersion of titanium oxide is adopted for the photocatalyst steam of the first step and the surface of the object for cleaning is irradiated with the light including the UV rays for the second step, by which the surface of the object for cleaning may be 'highly cleaned' to the molecular and atomic levels.例文帳に追加

第１のステップの光触媒水蒸気を酸化チタンの純水分散液から発生した水蒸気とし、第２のステップの紫外線を含む光を照射することにより、浄化対象物の表面を分子、原子レベルに“精清浄化”することができる。 - 特許庁

The measuring cantilever 7 for detecting atomic force to measure a face shape of the measured object, and correcting cantilevers 8, 9 for detecting the vibration or the like of the measured object, are supported by a base 1 with the same reference, via respective piezoelectric elements 4-6.例文帳に追加

原子間力を検出して被測定物の面形状を計測する計測用カンチレバー７と、被測定物の振動等を検出するための補正用カンチレバー８、９は、それぞれ圧電素子４〜６を介して同一基準であるベース１に支持される。 - 特許庁

The period of micro waviness of this substrate for an information recording medium is 2 μm to 4 mm, and the main surface of the substrate has a wa of 5 nm or less and an Rmax of 12 nm or less, where wa (95% PV value) is the maximum height of the microwaviness and Rmax is the maximum height measured by an atomic force microscope.例文帳に追加

情報記録媒体用基板は、微小うねりの周期が２μｍ〜４ｍｍであって、この微小うねりの最大高さをwa（95％PV値）とし、原子間力顕微鏡によって測定した最大高さをRmaxとしたとき、該基板主表面のwaが5nm以下、Rmaxが12nm以下であることを特徴とする。 - 特許庁

Since the Σ3 crystal grain boundary length satisfies the above specified range, the sliding of an atomic plane caused by the inconsistency of crystals is hard to occur, thus the cemented carbide has excellent plastic deformation resistance, and also, by introducing strains or the like into the grain boundaries, its strength and toughness can be improved.例文帳に追加

Σ3結晶粒界長が上記特定の範囲を満たすことで、結晶の不整合性による原子面のすべりが起こり難く、耐塑性変形性に優れ、かつ、粒界に歪みなどが導入することで、強度や靭性を向上することができる。 - 特許庁

In the galvannealed steel sheet; an iron-zinc alloy plating layer is provided to at least one side of a steel sheet; the surface of the above plating layer has a flat zone; an oxide layer of ≥10 nm thickness is formed on the flat zone; and the ratio (atomic %) between Zn and Al in the surface layer of the above flat zone is made to 2.0-8.0.例文帳に追加

鉄−亜鉛合金めっき層を少なくとも鋼板の片面に有し、かつ前記めっき層の表面に平坦部を有し、その平坦部に厚さ10nm以上の酸化物層が形成され、かつ前記平坦部表層におけるZn/Al比(at%)が2.0以上、8.0以下である合金化溶融亜鉛めっき鋼板。 - 特許庁

To provide a method for an eddy current flaw detection by which flaw inspection of a thick plate of a structure such as an atomic power plant and an aircraft can be executed, and detection of flaws not only on the surface but also on a rear face opposite to the inside and a flaw detection face can be executed, and a flaw detection probe which is optimum therefor.例文帳に追加

原子力プラントや航空機などの構造物の、厚板のキズ検査が可能であり、表面のみならず、内部及び探傷面とは反対の裏面キズの検出ができる渦電流探傷法及びそれに最適な探傷プローブを提供することを課題とする。 - 特許庁

This method of forming the reacted thin film comprises forming gas clusters at ordinary temperature and under normal pressure, which are atomic or molecular assembly of gaseous oxygen, accelerating the cluster ions generated by means of bombarding the gas clusters with electrons by accelerating voltage, irradiating the surface of the substrate with the cluster ions, and reacting them with the substrate to form a reacted thin film on the surface of the substrate.例文帳に追加

常温および常圧で気体状の酸素の塊状原子集団または分子集団であるガスクラスターを形成し、これに電子を浴びせて生成したクラスターイオンを加速電圧によって加速し、基板表面に照射して基板と反応させ基板表面に反応薄膜を形成する。 - 特許庁

Not less than 90% of atomic percentage of the recording layer 3 of the optical recording medium, provided with at least a recording layer 3 on a substrate 1 to record, reproduce and erase an information utilizing the phase change of the recording layer 3, is constituted of a compound shown by a formula; Dy_αSb_βTe_γ.例文帳に追加

基板１上に少なくとも記録層３を設けるとともに前記記録層３の相変化を利用して情報の記録、再生、消去を行う光記録媒体であって、前記記録層３の原子比率９０％以上が、下記式で表される化合物からなることを特徴とする光記録媒体。 - 特許庁

An opening part is provided in the metal case 3 in an upper part of a radiation detector 5, and a material of a low atomic number is used as a filter 4 fitted in the opening part to reduce bremsstrahlung generation caused by the β-ray, to attenuate the β-ray and to exhibit a low attenuation property by the low energy photon.例文帳に追加

放射線検出器５の上部の金属ケース３に開口部を設け、前記開口部に嵌め込むフィルタ４としてβ線による制動Ｘ線発生が少なく、β線を減衰させ、しかも低エネルギーフォトンによる減衰が小さい原子番号の小さな材料を使用する。 - 特許庁

The magnetostrictive material having a composition expressed by RT_x (R is one or more kinds of rare earth elements; T is one or more kinds of elements selected from the group consisting of Fe, Ni and Co; and X is the atomic ratio of T to R and satisfies 1≤X≤9) is obtained by a powder metallurgical process.例文帳に追加

ＲＴ_X （Ｒは一種類以上の希土類元素、ＴはＦｅ、Ｎｉ、およびＣｏからなる群より選択される一種類以上の元素、ＸはＲに対するＴの原子比で、１≦Ｘ≦９）で表される組成の磁歪材を、粉末冶金法により得る。 - 特許庁

To provide a probe in which problems of low productivity, difficulty in production of the fine probe having the head in the atomic order, liableness to plastic deformation, incapability of cleaning of pollution on the head, application of a high voltage in STM or SP-STM, low taking-out efficiency of spin polarized electrons in the SP-STM are solved.例文帳に追加

量産性が低い、先端が原子オーダーの微細な探針作製の困難性、塑性変形しやすい、先端の汚染の清浄化不可能、STMやSP−STMにおける高電圧の印加、および、SP−STMにおけるスピン偏極電子の取り出し効率が低いという点を解決した探針を提供する。 - 特許庁

Further, the ferritic stainless steel sheet is subjected to heating treatment at 800 to 1,000°C, is thereafter cooled in the temperature range from 800 to 400°C at a cooling rate of at least, ≥10°C/sec and is descaled with sulfuric acid to control the concentration of P in the grain boundaries to ≤5 at.% by atomic concentration.例文帳に追加

また、フェライト系ステンレス鋼板を８００℃以上１０００℃以下で加熱処理後、８００℃から４００℃の温度範囲で少なくとも１０℃／sec 以上の冷却速度で冷却し、硫酸によりデスケールすることにより、結晶粒界のＰ濃度が原子濃度にて５ａｔ％以下とする。 - 特許庁

In the method of correcting a photomask defect, after making an electrical continuity in an isolated pattern by a metal deposition film 7 by use of an electron beam or a helium ion beam generating from a gas field ion source, the defect 3 is corrected; and after the correction, the metal deposition film 7 is physically removed by an AFM (atomic force microscope) scratch working probe 9.例文帳に追加

電子ビームまたはガスフィールドイオン源から発生するヘリウムイオンビームを用いた金属デポジション膜7で孤立したパターンに導通を作ってから欠陥3を修正し、修正後金属デポジション膜7をAFMスクラッチ加工探針9で物理的に除去する。 - 特許庁

The three dimensions of the general space are surveyed by the utilization of a GPS and an aerial advertizing balloon and the time of 4-dimensional portions is measured by an atomic clock at the top, bottom, right, left, etc., of the space and the time-space map generation software of the general space is created by processing with a computer on the basis of these numerical values.例文帳に追加

一般空間の３次元はＧＰＳと空中アドバルーンの利用で測量し４次元部分の時間は原子時計でその空間の上下左右等で計りこれらの数値をもとにコンピューターを用いて処理して一般空間の時空地図作成ソフトウェアを作ることを可能とする。 - 特許庁

In this case, the transmission attenuation intensities of fast neutrons and continuous-energy spectrum X-rays are constituted in such a way as to be different from each other, and an n-X curve not related to the thickness of the object to be tested but only related to equal effective atomic numbers Z of the object to be tested.例文帳に追加

高速中性子と連続エネルギー・スペクトルX線との透過減衰強度が異なるように構成され、被検対象の厚さと無関係に被検対象の等効原子番号Zとのみ関係するn-X曲線を利用して材料識別を行う。 - 特許庁

The barium titanate fine particle has an average particle size of 10-1,000 nm, a relative standard deviation of the particle size distribution of ≤25.0%, a Ba/Ti atomic ratio of 0.95-1.05, an amount of carbon of ≥0.10 wt.%, and an amount of water of ≤0.25 wt.%.例文帳に追加

平均粒子径が１０〜１０００ｎｍ、粒子径分布の相対標準偏差が２５．０％以下、Ｂａ／Ｔｉ原子比が０．９５〜１．０５、炭素量が０．１０重量％以上、水分量が０．２５重量％以下であるチタン酸バリウム微粒子。 - 特許庁

The barrier film is constructed by forming a TiN film with an ALD (Atomic Layer Deposition) method, and a film selected from those of Ti, Ru, and Co, or an alloy film including at least two out of those is stacked on the TiN film surface with a CVD method or a PVD method.例文帳に追加

バリアメタル膜を、ＡＬＤ法によりＴｉＮ膜を形成し、当該ＴｉＮ膜表面に、Ｔｉ、Ｒｕ及びＣｏの中から選択される膜またはこれらのうち少なくとも二種を含む合金膜をＣＶＤ法またはＰＶＤ法により積層して構成する。 - 特許庁

To provide a film deposition operating method where, as a vacuum flow rate control valve is used in opening/closing in which the number of operations is reduced for retaining a vacuum in a chamber, vacuum pressure control in the chamber can be performed at high frequency and high velocity for ALD (atomic layer deposition) film deposition.例文帳に追加

真空流量調整バルブをチェンバーの真空維持のために作動回数の少ない開閉で使用しながら、ＡＬＤ成膜のために、高頻度、高速でチェンバー内の真空圧力調整を行うことを可能にした成膜操作方法を提供する。 - 特許庁

In the atomic force microscope that separates the light from a light source 21 into S-polarized light and P-polarized light by a lotion prism 28 to measure the relative displacement of the article 1 to be inspected and the cantilever 12, the function for measuring the displacement of the cantilever 12 by using a reference mirror 63 as a measurement standard is provided.例文帳に追加

光源２１からの光をローションプリズム２８によってＳ偏光とＰ偏光に分離して、被検物１とカンチレバー１２との相対変位を計測する原子間力顕微鏡において、参照ミラー６３を計測基準としてカンチレバー変位を計測する機能を設ける。 - 特許庁

In the sputtering target, Al-enriched particles having an absolute maximum length within the range of 0.1-50 μm are dispersed in a base material having a composition containing, by atomic percentage, 5-20% of Si and 5.5-25% of Cr, with the remainder composed of Al and inevitable impurities.例文帳に追加

原子％で、Ｓｉ：５〜２０％、Ｃｒ：５．５〜２５％を含有し、残部：Ａｌおよび不可避不純物からなる組成の素地中に絶対最大長：０．１〜５０μｍの範囲内にあるＡｌリッチの粒子が分散していることにより、前記課題を解決したものである。 - 特許庁

To provide an atomic oscillator equipped with an optical system which facilitates module packaging by juxtaposing a plurality of light-receiving elements on the same side as light-emitting elements, thereby shortening wire bonding for connecting the plurality of light-receiving elements electrically, and improves an S/N by increasing an EIT signal level.例文帳に追加

複数の受光素子を発光素子と同一側に併置し、複数の受光素子を電気的に接続するワイヤボンディングを短くしてモジュール実装を容易とし、且つＥＩＴ信号レベルを大きくしてＳ／Ｎを改善した光学系を備えた原子発振器を提供する。 - 特許庁

The phase-change recording film has a composition consisting of, by atomic percentage, 15-30% of Ge, 15-25% of Sb, a total of 0.1-13% of one or both of Al and Si, and the balance made of Te and unavoidable impurities.例文帳に追加

原子％でＧｅ：１５〜３０％、Ｓｂ：１５〜２５％を含有し、さらにＡｌおよびＳｉの内の１種または２種を合計で０．１〜１３を含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有する電気抵抗が高い相変化記録膜、およびその膜を形成するためのスパッタリングターゲット。 - 特許庁

The sputtering target material for manufacturing a Ni-W-P,Zr-based intermediate layer film in a perpendicular magnetic recording medium includes, by atomic percentage, W in an amount of 1-20% and P and/or Zr in an amount of 0.1-10% in total with the balance being Ni.例文帳に追加

ａｔ％で、Ｗを１〜２０％、Ｐおよび／またはＺｒを合計０．１〜１０％を含み、残部Ｎｉからなる垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−Ｐ，Ｚｒ系中間層膜製造用スパッタリングターゲット材。 - 特許庁

The coating layer 2 is a silicon-containing film including a plasma polymer of an organosilicon compound formed on the inner surface of the container 1 by a plasma CVD from a starting raw material containing the organosilicon compound, and has a thickness of 50-700 Å and an atomic ratio of silicon to oxygen of 1/1.5-1/2.3.例文帳に追加

被覆層２は、有機珪素化合物を含む出発原料からプラズマＣＶＤにより容器１の内表面上に形成された有機珪素化合物のプラズマ重合体を含む珪素含有被膜であり、５０〜７００オングストロームの厚さを備え珪素と酸素との原子比が１／１．５〜１／２．３である。 - 特許庁

To provide an analytical method capable of easily and highly accurately determining metal (M1), by atomic absorption analysis or plasma emission analysis, in an organic phase sample (X) containing an organic solvent (S1) in which metal components are dissolved and which is slightly soluble in water even in the case of a very small amount of metal contents.例文帳に追加

金属成分が溶解した、水に難溶な有機溶媒(S1)を有する有機相試料(X)中の金属(M1)を、該金属量が微量な場合でも、原子吸光分析又はプラズマ発光分析により容易に、且つ高精度で定量できる分析方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an underwater welding head for performing repair welding of a hollow structure member in an atomic power plant and the like and which insures the execution of good quality welding approximately equivalent to that of aerial welding by stably maintaining a gaseous environment of a welding area even when, for example, a welding execution surface is not a plane surface.例文帳に追加

原子力発電施設などにおける水中構造部材の補修溶接を行うための水中溶接ヘッドであり、例え溶接施工面が平面でない場合でも、溶接部位の気体環境を安定に保持し、気中溶接と同程度の上質な溶接を実施すること。 - 特許庁

The carbon material for the electric double-layer capacitor electrode is obtained, in such a way that a raw material pitch whose softening point is 150 to 350°C, in which the atomic ratio (H/C) of hydrogen to carbon is 0.50 to 0.90 and whose optical anisotropy content is 50% or higher is heat- treated and activation-treated.例文帳に追加

軟化点が１５０〜３５０℃であり、炭素に対する水素の原子比（Ｈ／Ｃ）が０.５０〜０.９０であり、光学的異方性含有率が５０％以上である原料ピッチを熱処理、賦活処理して得られることを特徴とする電気二重層キャパシタ電極用炭素材料。 - 特許庁