「atomic」に関連した英語例文の一覧と使い方(53ページ目) - Weblio英語例文検索

The substrate for an information recording medium is characterized in that a cycle of the microscopic waviness falls within 2 μm to 4 mm, wa of the substrate main surface is 5 nm or less and Rmax is 12 nm or less, where a maximum height of this microscopic waviness is wa (95% PV value) and a maximum height measured by an atomic force microscope is Rmax.例文帳に追加

情報記録媒体用基板は、微小うねりの周期が２μｍ〜４ｍｍであって、この微小うねりの最大高さをwa（95％PV値）とし、原子間力顕微鏡によって測定した最大高さをRmaxとしたとき、該基板主表面のwaが5nm以下、Rmaxが12nm以下であることを特徴とする。 - 特許庁

The thin film transistor uses an oxide thin film in which gallium is dissolved in indium oxide as a solid solution; the atomic ratio Ga/(Ga+In) is 0.001 to 0.12; the content of indium and gallium to the whole metal atom is ≥80 atom%; and the oxide thin film has a bixbyite structure of In_2O_3.例文帳に追加

ガリウムが酸化インジウムに固溶していて、原子比Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）が０．００１〜０．１２であり、全金属原子に対するインジウムとガリウムの含有率が８０原子％以上であり、Ｉｎ_２Ｏ_３のビックスバイト構造を有する酸化物薄膜を用いることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 特許庁

Zinc borate has a specific chemical composition and has a crystalline size of not less than 60 nm determined based on any of diffraction peak of surface indices (020), (101) and (200) in an X-ray diffraction image and a sodium content of not more than 100 ppm measured by means of an atomic absorption method.例文帳に追加

特定の化学組成を有し、Ｘ線回折像（Cu-kα）における面指数(０２０)(１０１)及び(２００)の回折ピークから求めた結晶子サイズが何れも６０ｎｍ以上であり、且つ原子吸光法で測定したナトリウム分の含有量が１００ｐｐｍ以下であるホウ酸亜鉛。 - 特許庁

In the gas barrier film, the gas barrier layer has a composition composed of, by atom, ≤42% Si, ≥31% N, ≤27% O and ≤2% C (wherein, the total of the respective contents of Si, N, O and C is controlled to 100 atomic%).例文帳に追加

本発明のガスバリア性フィルムは、ガスバリア層の組成を、Ｓｉを４２原子％以下、Ｎを３１原子％以上、Ｏを２７原子％以下、Ｃを２原子％以下とする（但し、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ、Ｃそれぞれの含有率を合計すると１００原子％となる）ことにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

The invention relates to a new mixture consisting of at least two materials, one material being used as a matrix material (for example, spirobifluorene represented by the figure) and the other as a material which is capable of emission and contains at least one element of an atomic number of 20 or larger.例文帳に追加

少なくとも２種の材料からなる新規の混合物に関し、一方の材料をマトリックス材料（例えば、下記のスピロビフルオレン）として使用し、他方を、発光可能であり、かつ原子番号が２０以上の少なくとも１種の元素を含む材料として使用する。 - 特許庁

The solid electrolyte 26 is made of lithium phosphorus oxynitride with an atomic ratio (Li/P) of lithium atom to phosphorus atom 1.0 or more and 2.3 or less, and the peak of P_2P coupling of the phosphorus atom of the lithium phosphorus oxynitride in XPS spectrum exists in a range of 134 eV or more and 135 eV or less.例文帳に追加

この固体電解質２６は、リン原子に対するリチウム原子の原子比（Ｌｉ／Ｐ）が１．０以上２．３以下である窒化リン酸リチウムからなり、ＸＰＳスペクトルにおける窒化リン酸リチウムのリン原子のＰ_2p結合のピークが１３４ｅＶ以上１３５ｅＶ以下の範囲に存在する。 - 特許庁

The hydrogen concentration of the surface atomic layer of a sample (a substrate 20) is measured in the surface treatment apparatus without extracting the sample in atmospheric air, by conducting in the vacuum chamber 2 of the surface treatment apparatus by using the elastic recoil-particle detecting method by the low-energy ion scattering spectral method.例文帳に追加

低エネルギーイオン散乱分光法による弾性反跳粒子検出法を用い、表面処理装置の真空室２内で行うことによって、試料（基板２０）を大気中に取り出すことなく表面処理装置内において、試料の表面原子層の水素濃度の測定を行う。 - 特許庁

The atomic carbon used in the snow melting agent is obtained by heating an organic substance in a non-oxygenic atmosphere at a predetermined temperature and thermally decomposing components except carbon in the atmosphere and the organic substance one by one from the components having lower decomposition temperature at a temperature of ≤600°C to individually separate the components.例文帳に追加

融雪剤に用いられる原子状炭素は、有機物を無酸素雰囲気において所定の温度で加熱し、前記雰囲気中及び有機物中の炭素以外の成分を、６００℃以下の温度において分解温度の低いものから順次熱分解させて個別的に遊離させて得られる。 - 特許庁

The solid electrolyte 26 is made of lithium phosphorus oxynitride, with an atomic ratio (Li/P) of lithium atom to phosphorus atom 3.0 or more and 6.0 or less, and the peak of P_2P coupling of the phosphorus atom of the lithium phosphorus oxynitride in XPS spectrum exists in a range of 134 eV or more and 135 eV or less.例文帳に追加

この固体電解質２６は、リン原子に対するリチウム原子の原子比（Ｌｉ／Ｐ）が３．０以上６．０以下である窒化リン酸リチウムからなり、ＸＰＳスペクトルにおける窒化リン酸リチウムのリン原子のＰ_2p結合のピークが１３４ｅＶ以上１３５ｅＶ以下の範囲に存在する。 - 特許庁

In the Si dispersed vitreous carbon material, Si is uniformly dispersed and combined in the structure of the vitreous carbon in atomic level and the bound energy of 2p orbit of Si atom, which is determined from the peak value of a photoelectron spectrum by an X-ray photoelectron spectroscopy(XPS), is 101-103 eV.例文帳に追加

ガラス状カーボンの組織中にＳｉが原子レベルで均一に分散複合し、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）による光電子スペクトルのピーク値から求めたＳｉ原子の２ｐ軌道の束縛エネルギーが１０１〜１０３ｅＶの範囲にあることを特徴とするＳｉ分散ガラス状カーボン材。 - 特許庁

This ink comprises an aqueous medium and a coloring material essentially comprising self-dispersible carbon black with at least one kind of hydrophilic group either directly or via another kind of atomic group bound to the surface thereof, and also contains ≥0.6 mass%, based on the carbon black, of potassium ion.例文帳に追加

カーボンブラックの表面に、少なくとも１つの親水性基が直接若しくは他の原子団を介して結合している自己分散型カーボンブラックを少なくとも含む色材、及び水性媒体を含み、該カーボンブラックに対して質量比で 0.6％以上のカリウムイオンを有することを特徴とするインク。 - 特許庁

Thus formed film is a metal-diamond-like-carbon (DLC) composite film having an atomic ratio of carbon/metallic element of 5 to 50.例文帳に追加

固体カーボンターゲットを使用せず、炭化水素と不活性ガス導入雰囲気中で金属ターゲットのみをスパッタリングしつつ炭化水素を解離して基材上に形成されたダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）皮膜であって、炭素／金属元素の原子比が５〜５０であることを特徴とする金属複合ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）皮膜。 - 特許庁

The cantilever for processing, for processing a micropattern by use of an atomic force microscope (AFM), has a great number of probes as cutting blades provided at the top end of a lever part of a cantilever, and has the probes integrally formed with a common base material.例文帳に追加

原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を利用して微細パターンの加工を行うための加工用カンチレバーについて、切れ刃となるプローブ（探針）がカンチレバーの１本のレバー部先端に多数設けられていることであり、上記プローブが共通の基材と一体に形成されていること。 - 特許庁

To provide an ultrapure water supply apparatus capable of supplying ultrapure water by effectively removing a long chain amine, which is widely used in a factory for manufacturing electronic parts such as a semiconductor and a liquid crystal, for medical water, a in an atomic power plant.例文帳に追加

半導体、液晶などの電子部品製造工場、医薬用水、原子力発電所などで広く使用されている超純水中の長鎖アミンを効率的に除去し、純度の極めて高い超純水を供給することができる超純水供給装置を提供する。 - 特許庁

A wiring film for a display comprises a laminated structure of Mo alloy which includes at least one element selected from the group consisting of rare-earth-metal elements, Zn, Mg, and Ca in the range of 5 to 50 atomic % and pure Cu or Cu alloy.例文帳に追加

希土類金属元素、Ｚｎ、Ｍｇ、およびＣａよりなる群から選択される少なくとも一種の元素を５原子％以上５０原子％以下の範囲で含むＭｏ合金と、純ＣｕまたはＣｕ合金との積層構造を有する表示装置用配線膜である。 - 特許庁

The present invention is a process of making the germanium-antimony-tellurium alloy film using the process selected from the group consisting of atomic layer deposition and chemical vapor deposition, wherein a silyltellurium precursor is used as the source of tellurium for the alloy film and is reacted with an alcohol during the deposition process.例文帳に追加

シリルテルル前駆体がゲルマニウム−アンチモン−テルル合金膜のためのテルル源として用いられ、堆積プロセスの際にアルコールと反応する、原子層堆積及び化学気相成長からなる群より選択されるプロセスを用いてゲルマニウム−アンチモン−テルル合金膜を製造する方法が提供される。 - 特許庁

In the method for generating singlet oxygen, a compound of formula (1) (where X^1 to X^3 are each an atomic group required to form a 5-membered aromatic heterocycle; Y is hydroxy, amino, alkyl, aryl, alkoxy or aryloxy; and L is a substituent).例文帳に追加

下記一般式（１）で表される化合物を用いることを特徴とする一重項酸素発生方法及び一重項酸素検出方法である〔Ｘ^1〜Ｘ^3：５員芳香族ヘテロ環を形成するのに必要な原子団；Ｙ：水酸基、アミノ基、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基；Ｌ：置換基〕。 - 特許庁

The toner for electrostatic charge image development is composed of toner particles which contain colored resin material prepared by chemically connecting an atomic group originated from a coloration compound to a high molecular weight structure via a connective group, wherein the colored resin material is represented by a general formula (I).例文帳に追加

トナーは、呈色化合物由来の原子団が結合基を介して高分子量構造に化学的に結合されてなる有色樹脂物質を含有するトナー粒子よりなるものであって、有色樹脂物質が、一般式（１）で表されるものであることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a proton conductive carbon cluster (especially fullerenol and/or fullerenol hydrogen sulfate ester) holding a platinum-group element, especially platinum or palladium dispersed in atomic level and, accordingly, useful as an electrode catalyst or electrode material of fuel cells and provide the application of the cluster and a method for the production of the cluster.例文帳に追加

白金族元素、特に、白金又はパラジウムを原子レベルで分散、担持しており、従って、燃料電池の電極触媒や電極材料として有用であるプロトン伝導性炭素クラスター（特に、フラレノール及び／又はフラレノール硫酸水素エステル）とその利用とその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the process for depositing the Co containing oxide film, magnetron sputtering is performed by using of a metallic target where the magnetic flux density in the inner part is ≤0.2 T and the total content of Co and Fe is ≥80 atomic % to the whole metal when an external magnetic field is applied at 7.96 kA/m intensity.例文帳に追加

外部磁界を７．９６ｋＡ／ｍの強度で印加したときの内部の磁束密度が０．２Ｔ以下であり、ＣｏおよびＦｅの合計含有量が全金属に対して８０ａｔ％以上である金属ターゲットを用いて、マグネトロンスパッタリングを行うＣｏ含有酸化物膜の成膜方法。 - 特許庁

The heat-resistant electrode which has a composition containing Ag and Ni and having 0.07-20 atomic % Ni content, the target composed of a sintered compact with the above composition and used for the heat-resistant electrode, the method for manufacturing the heat-resistant electrode, and the thin film EL element using the same are provided.例文帳に追加

ＡｇとＮｉとを含有し、Ｎｉの含有量が０．０７−２０原子％である構成の耐熱性電極耐熱性電極、前記組成の焼結体である耐熱性電極用ターゲット、耐熱性電極の製造方法、およびこれを用いた薄膜ＥＬ素子とした。 - 特許庁

A localized magnetic orbit is expressed as the linear connection of a molecular orbit, and the localized magnetic orbit to be found is determined based on the largest overlapping condition evaluated between a reference orbit localized in an atomic orbit and the localized magnetic orbit, so that the magnetic interaction is calculated.例文帳に追加

局在化磁性軌道を分子軌道の線形結合として表し、原子軌道上に局在化した参照軌道とこの局在化磁性軌道との間で評価される最大重なり条件から、求めるべき局在化磁性軌道を決定し、これにより磁気的相互作用を算出する。 - 特許庁

In the method of measuring structural change of the protein, a Saupe order matrix element of a domain is obtained from an axial-direction variation of an NMR signal dependent upon the orientation angle of a molecule in a magnetic field and atomic coordinates of the domain, and the matrix is diagonalized to obtain the orientation information on the domain.例文帳に追加

本発明の１つの実施形態において、分子の磁場中での配向角度に依存したＮＭＲシグナルの軸方向の変化量、ドメインの原子座標から、ドメインのＳａｕｐｅオーダーマトリクスエレメントを得て、そのマトリクスを対角化して、ドメインの配向情報を得る。 - 特許庁

The alloy Pd3Au1 with the atomic ratio of Pd:Au of 3:1 has an adsorption energy on the carrier of the metal oxide the same as that of an equimolecular Pt, is expected to have sintering resistant property equal to that of Pt and is thus provided with basic conditions for replacing Pt.例文帳に追加

Ｐｄ：Ａｕの原子比が３：１の合金Ｐｄ３Ａｕ１は、金属酸化物から成る担体上の吸着エネルギーが当モルのＰｔと同等であり、Ｐｔと同等の耐シンタリング性を有すると見込まれ、Ｐｔを代替するための基本的な条件を備えている。 - 特許庁

The injection system by which a neutral active substance formed in such a way that one or both of a component used to lower the corrosion potential of a plant structure material and a component used to lower a radiation dose are dispersed to a neutral substance is injected into cooling water inside a pressure vessel 8 of the atomic power plant is installed.例文帳に追加

原子力プラントの圧力容器８内の冷却水にプラント構造材料の腐食電位を低下させる成分と放射線線量を低下させる成分の一方又は両方を中性物質に分散させてなる中性活物質を注入する注入系統を設ける。 - 特許庁

In an atomic force microscope wherein an optical lever system is adopted, a light emitting element 8 is provided on the back side of a cantilever 5, and a light receiving device 9 is directly irradiated with light from the light emitting element 8, to thereby suppress decline of light receiving sensitivity of the light receiving device 9 caused by reflection of unintended light.例文帳に追加

光てこ方式を採用した原子間力顕微鏡において、発光素子８をカンチレバー５の背面側に設け、発光素子８から直接受光装置９に光を照射することで、意図しない光の反射による受光装置９の受光感度の低下を抑制する。 - 特許庁

A process waste 5, produced in mechanical processing with an atomic force microscope probe 3, is irradiated with a gas cluster ion beam 1, having energy that will not damage a normal pattern 6 or a glass substrate 7, but which can remove the process waste 5 which is weakly depositing thereon, so as to remove the waste by sputtering effects.例文帳に追加

原子間力顕微鏡探針３による機械加工で発生した加工屑５を正常パターン６やガラス基板７にはダメージを与えないが弱く付着した加工屑５は除去できるようなエネルギーを持ったガスクラスターイオンビーム１を照射してスパッタ効果で除去する。 - 特許庁

The Ti-Al-based alloy target obtained by this method comprises 45 to 65 atomic% Al, and has at least two or more phases of Ti_3Al, TiAl, TiAl_2 and TiAl_3 upon analysis by X-ray diffraction, and in which metal Ti and metal Al as simple substances are not left upon EPMA (Electron Probe Micro Analysis).例文帳に追加

これにより得られたＴｉ−Ａｌ系合金ターゲットは、Ａｌを４５〜６５原子％含有し、Ｘ線回折で分析したときにＴｉ_３Ａｌ，ＴｉＡｌ，ＴｉＡｌ_２，ＴｉＡｌ_３の少なくとも２種以上の相を含み、ＥＰＭＡ分析をしたときに単体の金属Ｔｉ及び金属Ａｌが残存していない。 - 特許庁

The MBE device 100 is provided with molecular beam generators 10a/10b, vacuum gauges 14a/14b, an atomic absorptive film-formation monitor 8 having a light-source unit 6 and a light-receiving unit 7, and a temperature control calculator 13 for controlling temperatures of the molecular beam generators 10a/10b.例文帳に追加

本発明のＭＢＥ装置１００は、分子線発生部１０ａ・１０ｂと、真空計１４ａ・１４ｂと、光源ユニット６と受光ユニット７とを有する原子吸光式成膜モニタ８と、分子線発生部１０ａ・１０ｂの温度を制御する温度制御演算器１３とを備えている。 - 特許庁

The backcoat layer has an average surface roughness ranging from 15 to 25 nm, as measured by an atomic force microscope, and a density of protrusions equal to or greater than 50 nm in height ranges from 1 to 50 pieces/mm^2 on the backcoat layer surface, as measured by a three-dimensional surface roughness meter with a contact needle.例文帳に追加

原子間力顕微鏡で測定したバックコート層表面の平均表面粗さは１５〜２５ｎｍの範囲であり、かつ触針式三次元表面粗さ計により測定したバックコート層表面の高さ５０ｎｍ以上の突起密度は１〜５０個／ｍｍ^2の範囲である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can attain improvement of a capacitance equivalent thickness and a leakage current characteristic through the formation of an amorphous high-dielectric insulating film with a high density using a precursor which can be vapor-deposited by means of an atomic layer vapor-deposition process at a temperature of 400°C or higher.例文帳に追加

400℃以上の温度で原子層蒸着法により蒸着が可能な前駆体を用いて高密度を有する非晶質の高誘電絶縁膜形成を通じてキャパシタンス等価厚及び漏洩電流特性を向上させることができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A measuring mode is set to a tapping mode, when observing the semi-solid substance in the semi-solid state with the solid substance existing by an atomic force microscope, and a shape and a state of the solid substance existing in the semi-solid substance are evaluated based on phase information obtained by the tapping mode.例文帳に追加

固体物質が存在する半固体状態のままの半固体状物質を原子間力顕微鏡にて観察する場合、測定モードをタッピングモードに設定し、半固体状物質中に存在する固体物質の形状および状態をタッピングモードにより得られる位相情報で評価する。 - 特許庁

The region 24 including the hole formed in process of machining is scanned to detect the position 26 of the hole by detecting the secondary ion signal of the same atomic species as the entered ions again, and the moving distance of the position of the hole is found by comparing the hole position at the previous time with the hole position at this time to consider it as a drift amount.例文帳に追加

加工の途中で形成した穴を含む領域２４を走査し、再び入射イオンと同じ原子種の二次イオン信号を検出して穴の位置２６を検出し、前回の穴の位置と今回の穴の位置を比較して穴の位置の移動量を求め、これをドリフト量と見なす。 - 特許庁

A magnetic recording medium 8 has a tantalum oxide layer 10, a seed layer 3, a base layer 4, a magnetic layer 5 and a non-magnetic protectively layer 6 which are successively laminated on a sapphire board 9, and the atomic composition ratio of the tantalum oxide layer 10 is specified to be 0<x<0.7 in Ta1-XOX.例文帳に追加

磁気記録媒体８によれば、サファイア基板９上に酸化タンタル層１０、シード層３、下地層４、磁性層５および非磁性保護層６とを順次積層し、さらに酸化タンタル層１０は原子組成比率がTa_1-X Ｏ_X にて０＜Ｘ＜０．７の範囲に規定している。 - 特許庁

To prevent the contamination of a target caused by a gaseous starting material or reaction gas to be introduced at the time of performing an ALD (Atomic Layer Deposition) process in the case a film deposition system is composed so that film deposition by an ALD process and film deposition by a sputtering process can be performed to a treatment substrate on a substrate stage in the same chamber.例文帳に追加

同一チャンバ内で基板ステージ上の処理基板に対し、ＡＬＤ法による成膜とスパッタリング法による成膜とを行い得るように成膜装置を構成する場合に、ターゲットが、ＡＬＤ法を行う際に導入する原料ガスや反応ガスによって汚染されないようにする。 - 特許庁

A liquid mixture of colloidal silica with a vanadium compound is gelled beforehand to obtain a slurried material, the slurried material is heated and mixed and the heated/mixed slurried material is dried and/or fired to obtain a catalyst which contains silicon oxide and vanadium oxide as principal components and the Si/V atomic ratio of which is within 99.5/0.5 to 85/15.例文帳に追加

コロイダルシリカとバナジウム化合物との混合液を予めゲル化させ、得られたスラリ状物を、加熱混合後、乾燥及びまたは焼成することにより、ケイ素酸化物とバナジウム酸化物を主成分とし、Ｓｉ／Ｖの原子比が９９．５／０．５〜８５／１５の範囲内にある触媒を得る。 - 特許庁

The catalyst carries a Pd type compound oxide containing at least one rare earth element and at least one element selected from the first transition elements of atomic numbers higher than that of Mn on a support prepared by baking a carboxylate complex polymer of a precursor salt.例文帳に追加

前駆体塩のカルボン酸錯体重合物を焼成することにより得た担体上に、希土類元素から選ばれた少なくとも１種と、原子番号がＭｎよりも大きな第一遷移元素から選ばれた少なくとも１種とを含有するＰｄ系複合酸化物を担持してなる。 - 特許庁

The surface treatment of the ZnTe-based compound semiconductor includes at least a first surface treatment process (process B) wherein, while at least Zn and atomic hydrogen are irradiated on the ZnTe-based compound semiconductor substrate, the compound semiconductor substrate is annealed at a temperature ranging between 150°C and 300°C.例文帳に追加

ＺｎＴｅ系化合物半導体の表面処理において、ＺｎＴｅ系化合物半導体基板に少なくともＺｎおよび原子状水素を照射しながら１５０℃から３００℃の温度範囲でアニールする第１の表面処理工程（工程Ｂ）を少なくとも有するようにした。 - 特許庁

To provide a scanning type probe microscope for stabilizing the measurement of a force gradient and a displacement current, for example, in an atomic force microscope for improving accuracy, and at the same time to provide a high-density information-reproducing apparatus using the configuration of the scanning-type probe microscope.例文帳に追加

原子間力顕微鏡などにおける力勾配の測定と変位電流の測定を安定させ、精度を高めることを可能にする走査型プローブ顕微鏡を提供するとともに、この走査型プローブ顕微鏡の構成を用いた高密度の情報再生装置を提供する。 - 特許庁

When the surface form of the substrate 21 is measured in the measurement range of four quarters whose one side is 5μm by using an atomic force microscope, the number of ridges of textures which are observed at a position higher than the average line of measured roughness curve by 1.5nm is 200 or less.例文帳に追加

同情報記録媒体用ガラス基板２１の表面形状を、原子間力顕微鏡を使用し、１辺が５μｍ四方の測定範囲内で測定したとき、測定された粗さ曲線の平均線よりも１．５ｎｍ高い位置で観測されるテクスチャーの尾根の数は２００個以下である。 - 特許庁

To provide an atomic oscillator equipped with an optical system which facilitates module mounting by arranging a plurality of light receiving elements and light emitting elements side by side on the same side thereby reducing the length of a bonding wire for electrically connecting the plurality of light receiving elements, and which has a high EIT signal level thereby has an improved S/N.例文帳に追加

複数の受光素子を発光素子と同一側に併置し、複数の受光素子を電気的に接続するボンディングワイヤを短くしてモジュール実装を容易とし、且つＥＩＴ信号レベルを大きくしてＳ／Ｎを改善した光学系を備えた原子発振器を提供する。 - 特許庁

By this setup, an SiO2 insulating film forming region which serves as a source to generate hydrogen that produces a surface potential level is reduced to an irreducible minimum, atomic hydrogen is less generated even in a radiation environment, and an interface state density is restrained from being generated, so that a semiconductor device of this constitution can be prevented from deteriorating in characteristics.例文帳に追加

これにより界面準位を生成する水素の発生源となるSiＯ_2 絶縁膜の形成領域を必要最低限の領域のみとし、放射線環境下でも原子状水素の発生を低減し、界面準位の生成を抑制して特性劣化を防止する。 - 特許庁

After dissolving again the metal impurities in the dilute nitric acid 5, the liquid drops are recovered to measure the kinds and quantities of the trace amount of metal impurities existent on the surface of the semiconductor substrate 1 by atomic absorption method or inductively coupled plasma/mass spectrometry.例文帳に追加

金属不純物を希硝酸５の中に再溶解させた後、液滴を回収し、原子吸光分析法あるいは誘導結合プラズマ質量分析法によって半導体基板表面上に存在する極微量金属不純物の種類および量を測定する。 - 特許庁

The article includes (a) a flexible polymer substrate having an upper surface and a lower surface, and (b) a 2-100 nm-thick air-permeable barrier deposited on one of or both of the upper surface and the lower surface of the substrate by an atomic layer deposition.例文帳に追加

本発明は、ａ）上面および下面を有する可撓性ポリマー基板と、ｂ）原子層蒸着によって前記基板の上面および下面の一方または両面上に蒸着された厚さ２ｎｍ〜１００ｎｍを有する気体透過バリアとを含むこと特徴とする物品である。 - 特許庁

In the separator material for fuel cell, the Au plating layer 2-20 nm in thickness and 0.5-1.5 nm in arithmetic surface roughness (Ra) measured in a crystal grain of a metal substrate by an atomic force microscope is formed on a surface of the metal substrate.例文帳に追加

金属基材の表面に、厚み２〜２０ｎｍで、かつ前記金属基材の結晶粒内において原子間力顕微鏡により測定した算術表面粗さ（Ｒａ）が０．５〜１．５ｎｍであるＡｕめっき層が形成されている燃料電池用セパレータ材料である。 - 特許庁