「atomic」に関連した英語例文の一覧と使い方(57ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method using a natural phenomenon in which violent atomic power of 1:10 to 38-th power is suddenly produced beyond an energy universal principle in a closed system to generate continuous and gentle energy leading to gravity, weak force, electromagnetic force and nuclear power, and to provide its device.例文帳に追加

本発明の課題は、閉じた系でのエネルギー普遍の法則が、普遍則を超えて、いきなり１：１０の３８乗倍の激しい原子力として発生すると言う自然の現象を、重力、弱い力、電磁気力、核力に至る連続した穏やかなエネルギー発生方法としての、其の方法と装置を提供することにある。 - 特許庁

(1)In the phase change type optical recording media recording information by generating phase change in a recording layer by irradiating a light beam, the recording layer includes Sb as a main component and elements whose atomic radius is smaller than that of Sb (hereinafter element M), the concentration of the element M is different in a direction within a face.例文帳に追加

（１）光ビームを照射することにより記録層に相変化を生じさせて情報を記録する光記録媒体において、記録層が、主成分のＳｂと原子半径がＳｂよりも小さい元素（以下、元素Ｍという）を含み、元素Ｍの濃度が面内方向で異なることを特徴とする相変化型光記録媒体。 - 特許庁

To provide a pattern forming method and a pattern forming apparatus by which a pattern in a relatively wide region of a square millimeter or larger can be formed in a short time by electrochemical lithographic pattern forming method and the pattern can be formed without using an expensive apparatus such as an AFM (atomic force microscope) and an STM (scanning tunneling microscope).例文帳に追加

電気化学リソグラフィーによるパターン形成方法において、平方ミリメートル以上の比較的広い領域に渡るパターン形成を、短時間で行うことを可能とするとともに、ＡＦＭ、ＳＴＭなどの高価な装置を用いることなくパターンを形成し得るパターン形成方法及びパターン形成装置を提供する。 - 特許庁

A noble gas having an atomic weight above Kr is introduced, and a metal oxide target containing a metal element which is heavier than the introduced noble gas is used to form, by sputtering, the metal oxide insulating film containing a metal element of La, Hf, etc., heavier than the introduced noble gas like LaHfO, LaAlO, and ZrAlO.例文帳に追加

Ｋｒ以上の原子量を有する希ガスを導入して、導入希ガスより重い金属元素を含む金属酸化物ターゲットを用い、ＬａＨｆＯ、ＬａＡｌＯ、ＺｒＡｌＯのように導入希ガスより重いＬａまたはＨｆなどの金属元素を含む金属酸化物絶縁膜をスパッタ成膜する。 - 特許庁

For an organic EL element 100 obtained by successively laminating a substrate-side electrode 4, an organic EL layer 6 and a counter electrode 8 on one side of an element substrate 2, an increase rate of an area measured through an atomic force microscope to a projected area in a direction perpendicular to an electrode surface of the substrate-side electrode is controlled to lower than 1.1%.例文帳に追加

素子基板２の片面に基板側電極４、有機ＥＬ層６、対向電極８を順次積層してなる有機ＥＬ素子１００において、基板側電極の電極面に垂直方向の投影面積に対する原子間力顕微鏡で測定した面積の増加率を１．１％未満にする。 - 特許庁

By implanting operation of an ion beam, an amount of wear of the ion beam current detecting plate is integrated in an integrating circuit 11 from ion beam current amount converted into a parameter signal in an arithmetic circuit 9, time when the ion beam current detecting plate receives the ion beam, an accelerating voltage value of the ion beam and an atomic mass number of ion.例文帳に追加

イオンビーム１の注入動作により、演算回路にてパラメータ信号に変換したイオンビーム電流量、イオンビーム電流検出板２がイオンビーム１を受けた時間、イオンビーム１の加速電圧値およびイオンの質量数から、積算回路１１にてイオンビーム電流検出板２の削れ量を積算する。 - 特許庁

The texture 13 of a low frequency component obtained by measuring a 10 μm square range by an atomic force microscope has 10 to 200 nm width W, 2 to 10 nm height H and the ratio (Rp/RMS) of the maximum height Rp to root-mean-square roughness RMS of not more than 15.例文帳に追加

原子間力顕微鏡で１０μｍ四方の範囲を測定して得られる低周波成分のテクスチャー１３の幅Ｗは１０〜２００ｎｍ、テクスチャー１３の高さＨは２〜１０ｎｍ、テクスチャー１３の自乗平均粗さＲＭＳに対する最大山高さＲｐの比（Ｒｐ／ＲＭＳ）は１５以下である。 - 特許庁

The catalyst support for supporting noble metal includes a multiple oxide of an electron accepting element (La) having electron accepting property of accepting electrons from a noble metal element by approaching or contacting the noble metal element (Pt) and not varying the atomic valence by oxidation-reduction reaction, and another element (Zr).例文帳に追加

貴金属元素（Ｐｔ）が接近若しくは接触することによりその貴金属元素から電子を受容する電子受容性があり且つ酸化還元反応で原子価の変化がない電子受容性元素（Ｌａ）、及び他の元素（Ｚｒ）の複合酸化物から構成されている、貴金属担持用触媒担体とする。 - 特許庁

The NOT circuit comprises a first electrode 2 that is an atomic switch made of a two-terminal element and is made of a mixing conductor material, having ion conductivity and electron conductivity, and a second electrode 3 that is made of a conductive material, and uses an element that can control conductance between the electrodes 2 and 3.例文帳に追加

２端子素子からなるアトミックスイッチであるイオン伝導性および電子伝導性を有する混合導電体材料から成る第１電極２及び導電性材料から成る第２電極３により構成され、前記電極２，３間のコンダクタンスが制御可能な素子を用いてＮＯＴ回路を構成する。 - 特許庁

The suture thread is formed by forming a coating layer on the surface of a fiber material made of fluororesin, the surface of the fiber material has an atomic fraction of a fluorine atom measured by X-ray photoelectron spectroscopy, lower than that of the inside, and the coating layer contains a medicine and a biodegradable polymer.例文帳に追加

フッ素系樹脂からなる繊維素材の表面にコーティング層を形成させてなる縫合糸であって、前記繊維素材の表面におけるＸ線光電子分光法によるフッ素原子の原子分率がその内部より低く、前記コーティング層が薬剤および生分解性高分子を含有することを特徴とする縫合糸。 - 特許庁

In the ion beam path control device 10 having a reflection section 11 wherein ion beams L are incident, the reflection section 11 has a reflecting surface 110 for reflecting the ion beams L, and the reflecting surface 110 is a surface of a dielectric wherein the outermost surface is formed of atoms having the atomic numbers greater than that of the ions of the ion beam L.例文帳に追加

イオンビームＬが入射する反射部１１を備えたイオンビーム軌道制御装置１０であって、反射部１１がイオンビームＬを反射する反射面１１０を有し、その反射面１１０が、イオンビームＬのイオンより原子番号の大きい原子により最表面が構成されている誘電体表面である。 - 特許庁

Then another insulating film is formed on the insulating film by the sputtering method so that the film may contain a region having a hydrogen concentration of ≤0.2 atomic % when the hydrogen concentration of the film is measured by the HFS analysis method.例文帳に追加

ゲート絶縁膜を形成する際、絶縁膜を、HFS分析（水素前方散乱分析）により膜中水素濃度を測定したとき０．４〜１．６atomic％である領域が存在するようスパッタ法で形成し、その上に絶縁膜を、HFS分析により膜中水素濃度を測定したとき、０．２atomic％以下である領域が存在するようスパッタ法で形成する。 - 特許庁

To provide a microwave power cell, a chemical reactor and a power converter producing novel hydrogen species, compounds and power of a hydrogen-containing substance of novel composition by catalytic reaction of atomic hydrogen, and converting power from plasma produced as an energy product released from the catalytic reaction of hydrogen.例文帳に追加

原子状水素の触媒反応によって新しい組成の水素含有物質の新しい水素種と化合物とパワーを生成し、水素の触媒反応から放出されたエネルギー生成物として生成されたプラズマからのパワーを変換するマイクロ波パワーセル、化学反応炉、及びパワー変換装置の提供。 - 特許庁

A semiconductor detector 8 cooled by a Peltier element is employed as the detector 8 and an artificial multilayer film lattice having a constant lattice plane interval where two elements having different atomic numbers are laid in multilayer is employed as the spectroscopic element 6 without providing an exchanger for exchanging the spectroscopic element 6.例文帳に追加

検出器８としてペルチェ素子で冷却する半導体検出器８を採用すると共に、分光素子６を交換する交換器を設けずに、分光素子６として、原子番号が異なる２つの元素を多数層積層した一定の格子面間隔を有する人工多層膜格子を採用する。 - 特許庁

To suppress the diffusion of launched Cesium (Cs) atoms in the horizontal direction to improve an S/N ratio of a spectrum in a collimation apparatus for Cs atomic fountain for trapping and cooling the atoms by a plurality of laser beams and detecting the passing of the launched Cs atoms through a micro wave resonator.例文帳に追加

本発明は複数のレーザ光でトラップと冷却か行われると共に上方に打ち上げられたセシウム原子がマイクロ波共振器を通過することを検出するセシウム原子泉コリメーション装置に関し，打ち上げた原子の水平方向への拡散を抑制し，スペクトルのＳ／Ｎ比を向上することを目的とする。 - 特許庁

The barium titanate fine particle is manufactured by hydrothermally reacting barium and titanium hydroxide with an organic compound the amount of which is ≥0.01 wt.% of a theoretically obtainable amount of barium titanate in an aqueous solution containing barium and titanium hydroxide at a barium to titanium atomic ratio Ba/Ti of 0.95-1.05.例文帳に追加

該チタン酸バリウム微粒子は、バリウムとチタンのＢａ／Ｔｉ原子比が０．９５〜１．０５である、バリウム及びチタン水酸化物含有水溶液中で、バリウム及びチタン水酸化物と、チタン酸バリウムの理論生成量に対して、０．０１重量％以上の量の有機化合物とを水熱反応させることで製造される。 - 特許庁

To provide a thiol ester compound having a new functional atomic group which uniformly and easily produces various kind of nano elements containing various kind of functional atom groups and various kind of zinc-finger motifs by using the same chemical reactions only using a chemical ligation reaction of a thiol ester group with cystein.例文帳に追加

多種類の機能性原子団と多種類のジンクフィンガーモチーフを有する多種類のナノ素子が、チオールエステル基とシステインとのケミカルライゲーション反応を用いるだけで、同一化学反応を用いて統一的に容易に製造することができる新規機能性原子団含有チオールエステル化合物を提供する。 - 特許庁

In an analysis method of the metal element in the plastic sample for analyzing the metal element in the plastic sample by a graphite atomic absorption spectrometric analysis method, the plastic sample is dissolved, by using a hexafluoroisopropanol solvent or a mixed solvent of hexafluoroisopropanol and tetrahydrofran or chloroform.例文帳に追加

プラスチック試料中の金属元素をグラファイト原子吸光分析法により分析するプラスチック試料中金属元素の分析方法において、該プラスチック試料の溶解を、ヘキサフルオロイソプロパノール溶媒、あるいはヘキサフルオロイソプロパノールおよびテトラヒドロフランもしくはクロロホルムとの混合溶媒を用いて行うことを特徴とする。 - 特許庁

A catalyst carrier comprises zeolite wherein urtrafine particles of titanium metal oxide is compound with a mesopore inner surface and an atomic ratio [Al]/[Si] of aluminum and silicon in zeolite is 0.01-0.1 and a hydrogenating catalyst is obtained by supporting a hydrogenating active metal on this catalyst carrier.例文帳に追加

メソポア内表面にチタン族金属酸化物の超微粒子を複合化させたゼオライトからなり、該ゼオライト中に含まれるアルミニウムとケイ素との原子比［Ａｌ］／［Ｓｉ］が０．０１〜０．１の範囲にあることを特徴とする触媒担体及び前記触媒担体に水素化活性金属を担持させてなる水素化用触媒。 - 特許庁

This method comprises depositing a dielectric layer containing silicon, oxygen, and carbon on the substrate by CVD method, in which the dielectric layer contains carbon of at least 1% by atomic weight and a dielectric constant less than about 3, and depositing a layer containing silicon and carbon thereon.例文帳に追加

本方法は、珪素、酸素、及び炭素を含む誘電層を、化学気相成長法によって基板の上に堆積すること、ここで誘電層は原子量で少なくとも１％の炭素含有量及び約３よりも小さい誘電率を有すること、珪素炭素含有層を誘電層の上に堆積することを備えている。 - 特許庁

(12) The Hungarian State shall only compensate applicants for the classification of patent applications under paragraph (6) if the classification was initiated by the Hungarian State including the case when it requested the prolongation of the classification or when it hindered the filing of the application outside the European Atomic Energy Community.例文帳に追加

(12) ハンガリーは，(6)に基づき特許出願を機密扱いにする場合にのみ，出願人に補償を行う。ただし，ハンガリーが機密扱いの延長を要請する場合，又は欧州原子力共同体以外での出願を妨げる場合を含めて，機密扱いがハンガリーにより主導されたことを条件とする。 - 特許庁

The retardation compensation element includes a layer 62 having a plurality of holes 62b formed by obliquely irradiating an inorganic film 62a with at least one of an ion beam, atomic beam, molecular beam and plasma beam, the holes having a longitudinal direction obliquely intersecting the surface 62s of the inorganic film 62a and along the irradiation direction D of the beam.例文帳に追加

無機膜６２ａに対して、イオンビーム、原子ビーム、分子ビーム、プラズマビームのうち少なくとも一つのビームを斜めから照射することで、無機膜６２ａの表面６２ｓに対して斜めに交差しかつビームの照射方向Ｄに沿った長手を有する複数の空孔６２ｂが形成された層６２を含む。 - 特許庁

The dielectric multilayer film mirror reflecting a specific wavelength region is made by joining at least two sheets of dielectric multilayer film structures 10 each of which is prepared by film-depositing a pair of dielectric multilayer films 2 having a both surfaces-symmetric structure on both surfaces of the substrate 1 according to an atomic layer deposition (ALD) method.例文帳に追加

特定波長域を反射させる誘電体多層膜ミラーであって、基板１の両面に両面対称構造を有する一対の誘電体多層膜２が原子層堆積（ＡＬＤ）法により成膜された誘電体多層膜構造体10を２枚以上接合して成ることを特徴とする。 - 特許庁

A control means 80 controls an automatic injection means 60 so as to inject a protection agent 72 including a material forming a carbide with a graphite constituting an electric heating furnace 25 into the electric heating furnace 25 before atomic absorption spectrometry of a sample, and then perform heating control of the electric heating furnace 25 up to a prescribed temperature.例文帳に追加

制御手段８０は、試料の原子吸光分析の前に、電気加熱炉２５を構成する黒鉛と炭化物を形成する物質を含む保護剤７２を電気加熱炉２５に注入するように自動注入手段６０を制御し、次に、所定の温度まで電気加熱炉２５を加熱制御する。 - 特許庁

After implanting atomic oxygen ions into a silicon wafer by acceleration energy ≥40 keV and <100 keV or implanting oxygen molecular ions by the acceleration energy ≥80 keV and <200 keV, heat treatment is conducted in the atmosphere of an oxygen concentration ≥1%, without having to apply heat treatment of the oxygen concentration <1%.例文帳に追加

シリコンウェーハに、酸素原子イオンを加速エネルギー４０ｋｅＶ以上１００ｋｅＶ以下で注入するか、酸素分子イオンを加速エネルギー８０ｋｅＶ以上２００ｋｅＶ以下で注入した後、酸素濃度１％未満の熱処理を行うことなく、酸素濃度１％以上の雰囲気で熱処理を施す。 - 特許庁

The water-based ink comprises, as essential ingredients for a color material, a self-dispersing pigment having at least one hydrophilic group bonded to the surface thereof directly or via another atomic group and a microcapsule comprising a water-insoluble color material covered with an organic polymeric compound bearing an ionic group.例文帳に追加

色材としての必須成分として、その表面に少なくとも１種の親水性基が直接もしくは他の原子団を介して結合している自己分散顔料と、イオン性基を有する有機高分子化合物によって水不溶性色材が被覆されてなるマイクロカプセルとを含有することを特徴とする水性インク。 - 特許庁

To provide a silicon carbide fiber with a carbon film on the surface of the fiber having the atomic ratio C/Si of carbon to silicon regulated so as to be 1.00-1.10, and excellent in heat resistance, oxidation resistance and creeping properties at a high temperature, and to provide a method for producing the silicon carbide fiber.例文帳に追加

本発明は炭素とけい素との原子比Ｃ／Ｓｉが１．００〜１．１０の繊維表面に炭素皮膜を有する炭化けい素繊維とその製造法に関し、特に高温度での耐熱性、耐酸化性、クリ−プ性に優れた炭素皮膜を有する炭化けい素素繊維とその製造法を提供する。 - 特許庁

In this radiation shielding system having at least one component 10 susceptible to disruption upon exposure to the ionizing radiation, and in a method for producing the radiation shielding system, the susceptible component is protected by such a rigid housing 12 that a high atomic number metal layer 14 is deposited on its surface by using a thermal spray technique.例文帳に追加

電離放射線にさらされると破壊しやすい少なくとも１つの部品１０を有する放射線遮蔽システム、および放射線遮蔽システムを作る方法であって、破壊しやすい部品は、高原子番号金属層１４が熱溶射手法を用いて表面上に堆積された剛性のハウジング１２によって防護されている。 - 特許庁

In the rubidium atomic oscillator, a part of a lamp house therein is raised locally to high temperatures by semiconductor elements (heating elements such as TR and three-terminal regulator) in the prior art and the temperature is monitored to control the heating temperature of the semiconductor, thereby keeping a Rb lamp settled in the lamp house at a constant temperature of about 100°C.例文帳に追加

ルビジウム原子発振器内のランプハウスおいて、従来は半導体素子（ＴＲや３端子レギュレータなどの発熱体）によりランプハウスの一部を局所的に高温にし、温度を監視し半導体の発熱温度をコントロールしてランプハウス内部に設置されたＲｂランプを１００℃程度の温度に一定にしていた。 - 特許庁

The carbon black pigment is prepared by oxidizing a carbon black having specified characteristics and is chemically modified so that the atomic ratio of total oxygen atoms to total carbon atoms (strength of oxygen bond energy/strength of carbon bond energy) measured by X-ray photoelectron spectroscopy is 0.1 or higher and that the carboxy group content is 2.0 μmol/m^2 or higher.例文帳に追加

特定した特性を有するカーボンブラックが酸化処理され、Ｘ線光電子分光法により測定した全炭素原子と全酸素原子との原子比（酸素結合エネルギーの強度／炭素結合エネルギーの強度）が 0.1以上、カルボキシル基量が 2.0μmol/m^2以上に化学修飾されたカーボンブラック顔料。 - 特許庁

Disclosed is a process for preparing toner particles which comprises: (a) selecting a carbon black; (b) measuring the surface level of sulfur of the carbon black by an X-ray Photoelectron Spectroscopy to ensure that the surface level of sulfur is about 0.05 atomic percent or less; and (c) mixing the carbon black with a resin to generate a toner composition.例文帳に追加

（ａ）カーボンブラックを選択することと、（ｂ）カーボンブラック表面の硫黄濃度をＸ線光電子分光法によって測定し、表面の硫黄濃度が約０．０５ａｔ％以下であるようにすることと、（ｃ）カーボンブラックと樹脂とを混合し、トナー組成物を作成することとを含む、トナー粒子を調製するプロセス。 - 特許庁

Also, under the conditions that a spattering speed becomes 3.6 nm/min in the case of spattering of SiO_2 as a standard sample by the X ray photoelectron spectroscopy using an argon beam, the spattering of the wire surface reveals that the average oxygen density is 20 atomic % or below when detected during the spattering time between 6 minutes and twelve minutes.例文帳に追加

また、アルゴンビームを使用したＸ線光電子分光法により、標準試料としてのＳｉＯ_２をスパッタリングした場合にスパッタリング速度が３．６ｎｍ／分となる条件で、ワイヤ表面をスパッタリングしたときに、スパッタリング時間が６分から１２分までに検出された酸素の濃度の平均値が２０原子％以下である。 - 特許庁

This spent fuel storage rack constituted so that a plurality of square tube-shaped cells are formed by combining a plurality of diaphragms 1, 2, 3 and that each spent atomic fuel is erected and arranged in each cell has a constitution wherein each fuel is arranged on the position shifted from the center in the horizontal direction of each cell.例文帳に追加

複数の仕切板１、２、３を格子状に組み合わせて複数の角筒状のセルを形成し、各セル内に１個ずつ使用済み原子燃料を立てて配置するように構成された使用済み燃料貯蔵ラックにおいて、各燃料が各セルの水平方向の中心からずれた位置に配置されるように構成されている。 - 特許庁

Upper frames 71, lower frames 72, side face upper frames 73, and side face lower frames 74 each having thermal insulation performance fix a cell 41 inside a capsule 40 in an oscillation section 31 which an atomic oscillator includes, and each of light heating sections 43 emits light to the cell 41 to heat up the cell 41.例文帳に追加

原子発振器の発振部３１において、セル４１を、断熱性を有する上フレーム７１、下フレーム７２、側面上フレーム７３及び側面下フレーム７４によってカプセル４０内に固定するとともに、光加熱部４３からセル４１に対して光を照射することにより、セル４１を加熱する。 - 特許庁

A manufacturing method of a light-emitting device sequentially include: a conductive member preparation step of preparing a conductive member 1 having a reflection film 1b; a light-emitting device disposition step of disposing a light-emitting device 3 on the reflection film; and a protective film formation step of forming a protective film 5 on the reflection film by an atomic layer deposition method.例文帳に追加

発光装置の製造方法は、反射膜１ｂを備える導電部材１を準備する導電部材準備工程と、反射膜上に発光素子３を配置する発光素子配置工程と、原子層堆積法により反射膜上に保護膜５を形成する保護膜形成工程と、を順に有する。 - 特許庁

This hydrocarbon-based fuel composition has ≥89 octane number by a research method, ≤15 vol.% aromatic component, ≤1 ppm sulfur content, 5 % distillation temperature of ≥25°C, 50% distillation temperature of ≥75°C to ≤100°C, 95% distillation temperature of ≤190°C and ≤2.0 atomic ratio (H/C ratio) of hydrogen to carbon.例文帳に追加

本発明による炭化水素系燃料組成物は、リサーチ法オクタン価が８９以上、芳香族分が１５容量％以下、硫黄分が１ｐｐｍ以下、５％留出温度が２５℃以上、５０％留出温度が７５℃以上１００℃以下、９５％留出温度が１９０℃以下、かつ、水素と炭素の原子比（Ｈ／Ｃ比）が２．０以下である。 - 特許庁

The magnetic head slider provided with a protective film on an ABS (air bearing surface) which is a side facing a rotationally driven disk recording medium is constituted in such a manner that the protective film has an Al_2O_3 film formed by an ALD (atomic layer deposition) method.例文帳に追加

本発明の磁気ヘッドスライダは、回転駆動される円盤状の記録媒体に対向する側であるＡＢＳ（Ａｉｒ Ｂｅａｒｉｎｇ Ｓｕｒｆａｃｅ）に保護膜を有する磁気ヘッドスライダであって、前記保護膜がＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって形成されたＡｌ_２Ｏ_３膜を有してなるように構成される。 - 特許庁

To provide a method to easily measure phase difference by using a scanning atomic force microscope(AFM) without peeling a resist 1 during manufacturing a Levenson type phase shift mask, and to provide a method for manufacturing phase shift mask such that the manufacture process of a Levenson phase shift mask can be significantly reduced by using the above method for measuring the phase difference.例文帳に追加

レベンソン位相シフトマスクの製造途中にレジスト１を剥離せずに、走査型原子間力顕微鏡(AFM)を用いて簡便に位相差を測定する方法を提供し、この位相差測定方法を用いてレベンソン位相シフトマスクの製造プロセスを大幅に短縮することが可能になる位相シフトマスク製造方法を提供する。 - 特許庁

When a trench is built on a silicon substrate for a source region and a drain region and then the trench is filled epitaxially with the SiGe mixed crystal layer, the side wall of the trench is built using multiple facets and the atomic concentration of Ge in the SiGe mixed crystal layer is increased beyond 20%.例文帳に追加

シリコン基板中、ソース領域およびドレイン領域に対応してトレンチを形成し、前記トレンチをＳｉＧｅ混晶層によりエピタキシャルに充填する際に、前記トレンチの側壁面を複数のファセットにより画成し、さらにＳｉＧｅ混晶層中のＧｅ原子濃度を２０％を超えて増大させる。 - 特許庁

An atomic oscillator 1 includes: a first package 21 housing a gas cell 3 filled with a gaseous metal atom; a second package 22 housing a light emission section 6 for emitting excitation light LL for exciting the metal atom in the gas cell 3; and a third package 23 having at least one optical component 8.例文帳に追加

原子発振器１は、ガス状の金属原子を封入したガスセル３が収納された第１パッケージ２１と、ガスセル３中の金属原子を励起する励起光ＬＬを出射する光出射部６が収納された第２パッケージ２２と、少なくとも１つの光学部品８が設けられた第３パッケージ２３とを有している。 - 特許庁

By use of impurity elements having opposite signs of Δr (difference between the covalent bond atomic radius between the basic material and a dopant) in order to match the mean covalent bond radius of an impurity element, reduce the strain, and increase the solubility of a donor or acceptor, a plurality of dopants are further used in manufacture of a semiconductor device.例文帳に追加

不純物元素の平均共有結合半径を整合させ、ひずみを減少させドナーまたはアクセプタの溶解度を増大させるように、反対符号のΔｒ（母材とドーパントの共有結合原子半径の差）を持つ不純物元素を用いた、半導体装置の製造における複数のドーパントの使用が開示されている。 - 特許庁

This method of forming the reacted thin film comprises forming gas clusters at ordinary temperature and under normal pressure, which are atomic or molecular assembly of gaseous oxygen, accelerating the cluster ions generated by means of bombarding the gas clusters with electrons by accelerating voltage, irradiating the surface of the substrate with the cluster ions, and reacting them with the substrate to form a reacted thin film on the surface of the substrate.例文帳に追加

常温および常圧で気体状の酸素の塊状原子集団または分子集団であるガスクラスターを形成し、これに電子を浴びせて生成したクラスターイオンを加速電圧によって加速し、基板表面に照射して基板と反応させ基板表面に反応薄膜を形成する。 - 特許庁

Not less than 90% of atomic percentage of the recording layer 3 of the optical recording medium, provided with at least a recording layer 3 on a substrate 1 to record, reproduce and erase an information utilizing the phase change of the recording layer 3, is constituted of a compound shown by a formula; Dy_αSb_βTe_γ.例文帳に追加

基板１上に少なくとも記録層３を設けるとともに前記記録層３の相変化を利用して情報の記録、再生、消去を行う光記録媒体であって、前記記録層３の原子比率９０％以上が、下記式で表される化合物からなることを特徴とする光記録媒体。 - 特許庁

The X-ray optical device is provided, which has the dramatic improvement of reflectance and an energy band by forming a reflection film of HfO_2, Al_2O_3, or the like on a sidewall of a curved hole structure manufactured in silicon and nickel being material of a fine structure by a micromachining technology with the accuracy of a sub-nm level by using an atomic layer volume method.例文帳に追加

微細構造体の材質であるシリコンやニッケルにマイクロマシン技術で製作した曲面穴構造の側壁に原子層体積法を用いて、サブｎｍレベルの正確さで、HfO_2およびAl_2O_3等の反射膜を成膜することにより反射率及びエネルギー帯域が飛躍的に向上したＸ線光学装置を提供する - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device includes a step of forming an insulation film on the semiconductor substrate, a step of dry-etching the insulation film by a dry process, and a step of removing the damaged layer occurring on the semiconductor substrate by the dry etching by thermally decomposed atomic hydrogen at a predetermined temperature.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を、ドライ工程によりエッチングする工程と、前記エッチングにより前記半導体基板上に生じたダメージ層を、熱分解した原子状の水素により、所定の温度下で除去する工程とを含む。 - 特許庁