「atomic」に関連した英語例文の一覧と使い方(58ページ目) - Weblio英語例文検索

The coating layer 2 is a silicon-containing film including a plasma polymer of an organosilicon compound formed on the inner surface of the container 1 by a plasma CVD from a starting raw material containing the organosilicon compound, and has a thickness of 50-700 Å and an atomic ratio of silicon to oxygen of 1/1.5-1/2.3.例文帳に追加

被覆層２は、有機珪素化合物を含む出発原料からプラズマＣＶＤにより容器１の内表面上に形成された有機珪素化合物のプラズマ重合体を含む珪素含有被膜であり、５０〜７００オングストロームの厚さを備え珪素と酸素との原子比が１／１．５〜１／２．３である。 - 特許庁

In the Co alloy target material for a magnetic recording medium, in a Co alloy target material contains 25 to 90 atomic percent of one or more kinds of elements selected from Nb, Ta, Mo, W and Ti, and the balance substantially Co, an αCo phase or an εCo phase remains in the structure.例文帳に追加

（Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ）から選択される１種以上の元素を２５〜９０原子％含有し、残部実質的にＣｏとからなるＣｏ合金ターゲット材において、ターゲット材の組織中にαＣｏ相あるいはεＣｏ相が残存している磁気記録媒体用Ｃｏ合金ターゲット材である。 - 特許庁

To provide the subject method comprising such a process as to subject a reaction chamber with a substrate set inside to the feed of both adsorption gas and reactant gas and their purges alternately to effect atomic layer growth by reaction between the adsorption gas and reactant gas to form a thin film on one side of the substrate; wherein impurities left in the thin film are diminished during film formation.例文帳に追加

基板が設置された反応室に対して、吸着ガス及び反応ガスの供給、及びパージを交互に行い、吸着ガスと反応ガスとの反応によって原子層成長を行わせることにより、基板の一面上に形成された薄膜において、成膜の際に、膜中に残存する不純物を低減する。 - 特許庁

In the case of applying microprocessing to holes and trenches by dry-etching the interlayer insulating film in a plasma environment, fluorocarbon compound gas is employed for etching gas which is halogen group gas (halogen elements are F, I and Br) wherein at least one of the I and Br is 26% or below of the total amount of halogen in terms of an atomic composition ratio and a remaining material is F.例文帳に追加

プラズマ雰囲気中でドライエッチングしてホール、トレンチを微細加工する際に、エッチングガスとして、ハロゲン系ガス（ハロゲンは、Ｆ、Ｉ、Ｂｒ）であって、Ｉ及びＢｒの少なくとも一方が、原子組成比でハロゲンの総量の２６％以下で、残りがＦであるフッ化炭素化合物ガスを用いる。 - 特許庁

The subject ink comprises a coloring material comprising at least a self-dispersible carbon black composed of a carbon black having at least one hydrophilic group bonded on the surface thereof directly or via another atomic group and an aqueous medium, and has a Ka value, measured by the Bristow method, of less than 1.5 and a total monovalent cation content of 0.05-1 mol/l.例文帳に追加

カーボンブラックの表面に、少なくとも1つの親水性基が直接若しくは他の原子団を介して結合している自己分散型カーボンブラックを少なくとも含む色材、及び水性媒体を含み、且つブリストウ法によって求められるKa値が１．５未満であり、且つ１価のカチオンイオンの総量が０．０５〜１mol／ｌであるインク。 - 特許庁

When producing cyanopyrimidines by the gas phase catalytic reaction of alkylpyrimidines with ammonia and molecular oxygen in the presence of a catalyst, an oxide including both tungsten and vanadium, in which an atomic ratio of vanadium to tungsten is a positive number of ≤2, is employed as the catalyst to form cyanopyrimidines.例文帳に追加

触媒の存在下、アルキルピリミジン類シアノピリミジン類をアンモニア及び分子状酸素と気相接触反応させてシアノピリミジン類を製造するに際し、タングステン及びバナジウムを含有する酸化物であって、該酸化物中のタングステンに対するバナジウムの原子比が２以下の正数である酸化物を触媒に用いてシアノピリミジン類を製造する。 - 特許庁

Thereafter, the two substrates are superimposed in such a manner that the thin films formed on the two substrates are contacted in a high purity inert gas atmosphere under the atmospheric pressure, thus atomic diffusion is generated on the joining interfaces and crystal grain boundaries of the fine crystal thin films to join the two substrates.例文帳に追加

その後，大気圧の高純度不活性ガス雰囲気下で前記２つの基体に形成された前記薄膜同士が接触するように前記２つの基体を重ね合わせることにより前記微結晶薄膜の接合界面及び結晶粒界に原子拡散を生じさせて前記２つの基体を接合する。 - 特許庁

The zinc oxide-based transparent conductive film-forming material is an oxide sintered compact composed substantially of zinc, niobium and/or tantalum and oxygen, wherein niobium and/or tantalum is contained so as to be X/(Zn+X)=≥0.02 but ≤0.1 in atomic ratio (in the expression, X is niobium and/or tantalum).例文帳に追加

本発明の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料は、実質的に亜鉛、ニオブおよび／またはタンタルおよび酸素からなる酸化物焼結体であって、ニオブおよび／またはタンタルが原子数比でＸ／（Ｚｎ＋Ｘ）＝０．０２以上０．１以下（式中、Ｘはニオブおよび／またはタンタル）となるよう含有されている。 - 特許庁

The sheet for printing comprises a substantially noncrystalline aromatic polyester resin as a main component, and a layer containing a resin having a solubility parameter calculated from total sum of atom or atomic group gravitational constant of 9.2 to 9.8 as a main component and laminated on at least one surface of the sheet.例文帳に追加

実質的に非結晶性の芳香族ポリエステル系樹脂を主成分とするシートを有し、該シートの少なくとも一方の面に、原子あるいは原子団の引力定数の総和から計算される溶解性パラメーターが９．２〜９．８である樹脂を主成分とする層が積層されている印刷用シートである。 - 特許庁

In this method, a high-strength resin which satisfies specifications of resistance to radiation, resistance to heat, and tensile strength is previously formed into a sheetlike or paste-like form, and the workpiece is applied directly to SUS steel, general steel products, concrete, etc. at atomic power plants, facilities, etc. which handle radioactive materials.例文帳に追加

原子力プラント及び放射線物質を取り扱っている設備等において、耐放射線性，耐熱性，引張強度の仕様を満たす耐強度樹脂をあらかじめシート状又はペースト状に成型加工し、該加工品を気中，水中でＳＵＳ鋼，一般鋼材及びコンクリート等に直接貼り付け処理する方法である。 - 特許庁

Prior to forming the bottom electrode 121 of the capacitor, a side wall 119 having a positive curvature in the upper part while having a negative curvature in the lower part, is formed between the bottom electrode of the capacitor and the stack cell, using a silicon nitride film deposited by atomic layer deposition wherein a dry etching rate becomes lower in the depthwise direction.例文帳に追加

キャパシタ下部電極１２１形成前に、深さ方向によってドライエッチングレートが低くなる原子層蒸着で成膜されたシリコン窒化膜を用い、キャパシタ下部電極とスタックセル側壁の間に、上部が正の曲率を有し、下部が負の曲率を有する形状のサイドウォール１１９を形成する。 - 特許庁

The physiologic saline is obtained by infusing hydrogen gas into an aqueous solution of sodium chloride of 0.9% concentration, under 0.1-0.95 MPa of infusing pressure for 10 sec to 10 min to form bubbles of molecular hydrogen and then contacting the bubbles of molecular hydrogen with elements of the platinum group for activating the molecular hydrogen and converting into atomic hydrogen.例文帳に追加

０．９％の塩化ナトリウム水溶液に、注入圧が０．１〜０．９５ＭＰａ、注入時間が１０秒〜１０分で水素ガスを注入して分子状水素のバブルを生成し、分子状水素のバブルと白金族元素を接触させて、分子状水素を活性化させて原子状水素に変換させる。 - 特許庁

The method for forming the atomic layer of metal oxide comprises generating the free radicals of active oxygen from oxygen, water, and the like, by using plasma, introducing them into a plasma-generating reaction vessel 10, and oxidizing the organometallic complex having the ligand of β-diketone, which has been chemically adsorbed on the substrate 12, by utilizing the free radicals as an oxidant.例文帳に追加

プラズマを用いて酸素や水等から活性酸素ラジカルを生成させ、これをプラズマ発生反応器１０に導入して酸化剤として使用し、基板１２上に化学吸着されたβ−ジケトンの配位子を有する有機金属錯体を酸化させて金属酸化物原子層を形成させる。 - 特許庁

The method comprises a step for providing a semiconductor substrate wherein a prescribed process is carried out for forming a semiconductor element and a step for forming an ion implantation layer 105 by injecting trivalent impurities having a larger atomic weight than that of boron and consisting of a single atom to a prescribed depth of the semiconductor substrate by an ion implantation process.例文帳に追加

半導体素子を形成するための所定の工程が行われた半導体基板を提供する段階と、前記半導体基板の所定深さに、ホウ素より大きい原子量を有し且つ単原子からなる３価不純物をイオン注入工程によって注入してイオン注入層１０５を形成する段階を含む。 - 特許庁

To provide a method for producing an optical multilayer membrane by an atomic layer deposition method by which an optical multilayer film of high quality having desired optical properties which can not be designed in the conventional optical multilayer membrane can be deposited on a substrate with a large area using a membrane deposition system more inexpensive than the conventional membrane deposition system for an optical multilayer membrane.例文帳に追加

従来の光学多層膜の成膜装置に比べて安価な成膜装置で従来の光学多層膜では設計できない所望の光学特性を有する高品質の光学多層膜を大面積の基板に成膜できる原子層堆積法による光学多層膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

This method for manufacturing the probe for atomic force microscopic examination includes a step of preparing a semiconductor substrate 1, a step for generating a molding die on a surface in one side of the substrate, a step for generating probe structure in the one side, and a step for attaching a holder 6 to a contact areas.例文帳に追加

原子間力顕微鏡検査用のプローブを製造する方法は、半導体基板１を準備するステップと、基板の一方側の表面にモールド型を生成するステップと、上記一方側においてプローブ構造を生成するステップと、コンタクト領域に対してホルダ６を取り付けるステップとを含んでいる。 - 特許庁

In this method of stripping a resist material, atomic oxidizing species or radicals are generated by supplying photon energy, ion energy, or electron energy to a gas mixture containing noble gas(es) and oxidizing gas(es), and thereby the resist components are oxidized to form volatile components, which are then removed to form resist-free surface.例文帳に追加

このレジスト剥離方法により、希ガスと酸化性ガスを含むガス混合物に光子エネルギー又はイオンエネルギー又は電子エネルギーを供給して原子状酸化性種かラジカルを生成し、次いでレジスト成分を酸化して揮発性成分を生成し、これらを除去することによりレジストのない表面を形成することが可能になる。 - 特許庁

The MBE device comprises a vacuum vessel 1, a substrate stage 2 provided in the vacuum vessel 1 for holding a substrate 3 so as to be able to rotate and heat the substrate 3, molecular beam cells 4A to 4C for irradiating the surface of the substrate 3 with molecular beams (atomic beams), and a radical source 5 for supplying nitrogen radicals to the surface of the substrate 3.例文帳に追加

ＭＢＥ装置は、真空容器１と、真空容器１の内部に設けられ、基板３を保持し、基板３の回転、加熱が可能な基板ステージ２と、基板３表面に分子線（原子線）を照射する分子線セル４Ａ〜Ｃと、基板３表面に窒素ラジカルを供給するラジカル源５と、を備えている。 - 特許庁

Therein, R^1 and R^2 are each an alkoxy group or the like; Z^1 is an atomic group which forms a five membered or six membered carbon ring or heterocycle together with one to three carbon atoms; A^1 is C or the like, and may have a substituent when A^1 is a carbon atom; L is a bidentate ligand of a monovalent anion having a polymerizable functional group.例文帳に追加

（Ｒ^1およびＲ^2はアルコキシ基などを表し、Ｚ^1は炭素原子Ｃ^1〜Ｃ^3とともに五員または六員の炭素環または複素環を形成する原子群を表し、Ａ^1は炭素原子などを表し、Ａ^1が炭素原子、置換基を有してもよい。Ｌは重合性官能基を有する１価アニオンの２座配位子を表す。） - 特許庁

The ink set consists of the first ink containing a self-dispersible pigment in which an ionizable group is chemically bonded on a surface of the pigment particle directly or via the other atomic group, and the second ink containing a color material having a specified structure.例文帳に追加

第１のインク及び第２のインクで構成されるインクセットであって、前記第１のインクが、顔料粒子の表面にイオン性基が直接又は他の原子団を介して化学的に結合している自己分散顔料を含有し、前記第２のインクが、特定構造の色材を含有することを特徴とするインクセット。 - 特許庁

This transparent conductive film is substantially made of In, Sn, Ga, and O with resistivity of less than 250 μΩ.cm and the maximum vertical interval of surface unevenness (Z-max)/film thickness (t) of less than 10%, and it is preferable that Ga, In, and Sn are included in this film at an atomic ratio Ga/(In+Sn+Ga) of 2-9%.例文帳に追加

実質的にインジウム、スズ、ガリウムおよび酸素からなり、抵抗率が２５０μΩ・ｃｍ以下、かつ表面凹凸の最大高低差（Ｚ−ｍａｘ）／膜厚（ｔ）が１０％以下であることを特徴とする透明導電膜であり、Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｇａ）の原子比が２〜９％の割合で含有されていることが好ましい。 - 特許庁

The quartz substrate with the zinc oxide thin film is characterized by containing Zn, Si and oxygen on the quartz substrate, forming an intermediate layer comprised of an amorphous thin film of which the Zn/Si atomic ratio is 0.22-3.7 and preferably the thickness is about 10-80nm, and then forming the crystalline zinc oxide thin film preferentially oriented to the c axis direction thereon.例文帳に追加

石英基板上に、ＺｎとＳｉと酸素を含み、Ｚｎ／Ｓｉ原子比が０．２２〜３．７ の非晶質薄膜からなる、好ましくは厚みが約１０〜８０ ｎｍ の中間層を形成した後、その上に、ｃ軸方向に優先配向した結晶質のＺｎＯ薄膜を形成した、ＺｎＯ薄膜付き石英基板とする。 - 特許庁

In an electrode for a battery having a current collector and an active material layer formed on the surface of the current collector and including an active material and a binding agent, the binding agent has a functional group including atomic oxygen capable of being coordinated with a lithium-ion in a molecular structure.例文帳に追加

集電体と、前記集電体の表面に形成された、活物質および結着剤を含む活物質層と、を有する電池用電極であって、前記結着剤が、分子構造中にリチウムイオンに配位しうる酸素原子を含む官能基を有することを特徴とする、電池用電極によって上記課題は解決される。 - 特許庁

In the method for producing the corresponding ester by reacting a carboxylic acid with an alcohol in the presence of a catalyst, the catalyst is a solid acid catalyst and water is separated by using a porous support and a separation membrane having an aluminosilicate formed on the porous support and having 1-5 Si/Al (atomic ratio) from the above reaction system.例文帳に追加

触媒存在下にカルボン酸とアルコールとを反応させる対応するエステルを製造する方法において、前記触媒が固体酸触媒であること、前記反応から水を多孔質支持体と該多孔質支持体上に形成されたＳｉ／Ａｌ（原子比）＝１〜５であるアルミノケイ酸塩とを有する分離膜を用いて分離することを特徴とする製造方法。 - 特許庁

At least one kind selected from the group consisting of the oxides and multiple oxides contg. at least one kind of group 2-14 metallic element of the periodic table having 12-82 atomic number is stuck to the surface of a metallic nickel fine particle, and further a saturated or unsaturated fatty acid is deposited on the surface to constitute the composite nickel fine powder.例文帳に追加

金属ニッケル微粒子表面に、原子番号１２〜８２の範囲内で周期表の２〜１４族に属する金属元素の少なくとも１種を含む酸化物及び複合酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１種が固着しており、更にその表面上に飽和又は不飽和の脂肪酸が担持されている複合ニッケル微粉末。 - 特許庁

A base electrode 107 is formed from a polycrystalline silicon, a base electrode 112 is formed by connecting a true base layer 112a and a drawer base electrode 112b, an emitter region 115 is formed on the surface of an intrinsic base region 112a by ALD (atomic layer doping), and an emitter electrode 114 is formed on the emitter region 115.例文帳に追加

ベース電極１０７を多結晶シリコンにより形成し、真性ベース層１１２ａ及び引出ベース電極１１２ｂを連結することによりベース電極１１２を形成し、真性ベース領域１１２ａ表面にＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ ＬａｙｅｒＤｏｐｉｎｇ）法によりエミッタ領域１１５を形成し、エミッタ領域１１５上に金属によりエミッタ電極１１４を形成する。 - 特許庁

This carbon black for black matrix is characterized in that at least a part of the surface of carbon black is chemically modified with an acidic or neutral functional group and has ≥0.1 atomic ratio (intensity of oxygen bond energy/intensity of carbon bond energy) of total oxygen atoms to the whole carbon atoms measured by a X-ray photoelectron spectroscopy.例文帳に追加

本発明のブラックマトリックス用カーボンブラックは、カーボンブラック表面の少なくとも一部が酸性、中性の官能基で化学修飾され、Ｘ線光電子分光法により測定した全炭素原子当たりの全酸素原子の原子比（酸素結合エネルギーの強度／炭素結合エネルギーの強度）が０．１以上であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a powder composition of ceric oxide and a stabilizing non-noble metal oxide, such as zirconium oxide, mixed at the atomic level in complete solid solution, wherein the non-noble metal oxide has high oxygen storage capacity and maintains an ultrafine crystallite size even at high temperatures and the powder is used to form washcoats for catalytic converters.例文帳に追加

触媒を用いたコンバーター用のウオッシュコートを形成するために用いられる、完全な固溶体となって原子レベルで混合されている、酸化セリウム及び酸化ジルコニウムのような安定化作用を有する高い酸素貯蔵能力を有し超微細微結晶サイズを高温においても維持する貴金属でない金属の酸化物の粉体組成物を提供する。 - 特許庁

In the surface treatment method for the base material formed of a cemented carbide with nickel (Ni) as a binder, a compound hard film containing vanadium carbide (VC) and niobium carbide (NbC) at the atomic ratio of 1:2 to 1:4, and containing ≤5 wt.% nickel (Ni) is formed on the surface of the base material.例文帳に追加

ニッケル（Ｎｉ）をバインダーとする超硬合金で形成された基材（母材）への表面処理方法であって、基材（母材）の表面に、バナジウム炭化物（ＶＣ）およびニオブ炭化物（ＮｂＣ）を１：２から１：４の原子比率で含み、且つ、５重量％以下のニッケル（Ｎｉ）を含む複合硬質被膜を成膜形成することを特徴とする、表面処理方法である。 - 特許庁

The ink set comprises at least a black ink and a yellow ink, wherein: the black ink contains, as a colorant, carbon black in which at least one hydrophilic group is bonded to the surface of each carbon black particle directly or through another atomic group; and the yellow ink contains, as a colorant, a compound represented by general formula (I).例文帳に追加

少なくとも、ブラックインクとイエローインクとを含むインクセットであって、前記ブラックインクが色材として、カーボンブラック粒子の表面に少なくともひとつの親水性基が直接又は他の原子団を介して結合しているカーボンブラックを含有し、前記イエローインクが色材として、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含有することを特徴とするインクセット。 - 特許庁

The carbon black for a black matrix is obtained by using a substrate comprising the functional groups on the surface of a carbon black oxidized in such a manner as to give an atomic ratio of total oxygen atoms to total carbon atoms determined by the X-ray photoelectron spectroscopy (oxygen bond energy strength/carbon bond energy strength) of at least 0.1:1, and chemically modifying its epoxy groups through epoxidation.例文帳に追加

Ｘ線光電子分光法により測定した全炭素原子当たりの全酸素原子の原子比（酸素結合エネルギーの強度／炭素結合エネルギーの強度）が０．１以上に酸化処理されたカーボンブラック表面の官能基を基幹として、エポキシ化によりエポキシ基が化学修飾されてなるブラックマトリックス用カーボンブラック。 - 特許庁

A negative electrode for the secondary battery is manufactured by forming an active material layer containing an inorganic composite containing: silicon oxide acting as a negative active material; and metal M not absorbing and releasing lithium on a current collector, and the content of zero valent metal atom out of metal atoms constituting the metal M is 80 atomic percent or more.例文帳に追加

負極活物質としてのケイ素酸化物と、リチウムを吸蔵・放出しない金属Ｍと、を含有する無機複合物を含む活物質層が集電体上に形成されてなり、前記金属Ｍを構成する金属原子のうち、０価の金属原子が８０原子％以上であることを特徴とする二次電池用負極を用いる。 - 特許庁

The silicon carbide crystal ingot is fabricated by performing acid cleaning of raw material powder containing metal atoms each having a larger atomic radius than silicon in the crystal of silicon carbide powder as at least either of interstitial atoms and substituent atoms, and then by allowing the silicon carbide crystal ingot 5 to vapor-phase grow by using the raw material powder 6.例文帳に追加

前記炭化珪素結晶インゴットは、炭化珪素粉末の結晶中に珪素よりも原子半径の大きな金属原子を格子間原子および置換原子の少なくとも一方として含む原料粉末を酸洗浄した後、前記原料粉末６を用いて炭化珪素結晶インゴット５を気相成長させることにより製造する。 - 特許庁

In the fuel cell with a system of causing current by ionizing water into electrons and atomic nuclei through a porous ion exchange membrane and effectively collecting the electrons, a larger potential than electromagnetic interaction of an element itself is artificially given by bringing water directly in contact with a cation membrane, and then a, phenomenon attracting hydrogen ions (H+) by the membrane is utilized.例文帳に追加

多孔質のイオン交換膜を介して水を電子と原子核とに電離させ、該電子を効率的に集めて電流を導く方式の燃料電池であり、水を直接カチオン膜に触れさせることで、元素のもつ電磁相互作用より大きな電位を人為的にあたえ、水素イオン（Ｈ＋）を膜が吸引する現象を利用した。 - 特許庁

The gas barrier film is an amorphous carbon film wherein carbon formed by the plasma CVD from a starting raw material containing carbon atom is a main constituent element, or a silicon oxide-containing film formed from a starting raw material including an organosilicone compound and having an atomic Si/O ratio of 1/1.5-1/2.2.例文帳に追加

前記ガスバリア被膜は、炭素原子を含む出発原料からプラズマＣＶＤにより形成された炭素を主要構成元素とするアモルファスカーボン被膜、または有機珪素化合物を含む出発原料からプラズマＣＶＤにより形成されたＳｉ／Ｏ比が原子比で１／１．５〜１／２．２の範囲にあるケイ素酸化物含有被膜である。 - 特許庁

The fermentation efficiency in a fermenter is improved by inducing in the fermenter, waste heat exhausted from power plants such as fuel cells, thermal power plants, atomic power generation systems, or iron facilities of a blast furnace, a coal roasting device or the like, so as to increase the temperature in the fermenter to be the level of improving fermentation efficiency.例文帳に追加

発酵槽内に燃料電池や火力発電装置や原子力発電設備等の発電装置、または製鉄設備である溶鉱炉や石炭を蒸し焼きにする装置などから排出された排熱を伝導して、発酵槽内の温度を発酵効率が高まる水準まで高めることにより、発酵槽内における発酵効率を高める。 - 特許庁

The title ink comprises a coloring material containing at least self-dispersible carbon black having at least one hydrophilic group bonded directly or via another atomic group to the surface of the carbon black and an aqueous medium and has a Ka value measured by the Bristow process of less than 1.5 and the total amount of multivalent cations having a functionality of 2 or higher of 0.05-1 mole/l.例文帳に追加

カーボンブラックの表面に、少なくとも1つの親水性基が直接若しくは他の原子団を介して結合している自己分散型カーボンブラックを少なくとも含む色材、及び水性媒体を含み、且つブリストウ法によって求められるKa値が１．５未満であり、且つ２価以上の多価のカチオンイオンの総量が０．０５〜１モル／ｌであるインク。 - 特許庁

The method of growing a compound semiconductor, in which an InxGayAl1-x-yN layer (0≤x, y≤1) is grown on a GaAs substrate includes a process of adding group V elements, having an atomic radius larger than that of N, in a density that ranges from 1×1017 to 1×1023 cm-3, to the InxGayAl1-x-yN layer.例文帳に追加

本発明では、ＧａＡｓ基板上に、Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_1-x-yＮ層(０≦x,y≦１)を成長させる化合物半導体の成長方法において、該Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_1-x-_yＮ層に、原子半径がＮよりも大きいＶ族元素を1×１０^17ｃｍ^-3から１×１０^23ｃｍ^-3までの濃度範囲だけ添加する工程を含む化合物半導体の成長方法を提供する。 - 特許庁

A intensive wet blasting operation is applied to a coating film of a CVD coated cutting tool equipped with a TiC_XN_Y layer containing a cemented carbide as base material and having a low tensile stress level of 50-390 Mpa and Al_2O_3 having a high surface smoothness with a mean Ra 0.12 μm or below as measured by the atomic force microscope (AFM) technique.例文帳に追加

超硬合金を母在とし、５０〜３９０Ｍｐａの低引張応力レベルを有するＴｉＣ_ＸＮ_Ｙ層と、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）技術によって測定される平均Ｒａが０．１２μｍ以下の高い表面平滑度を有するＡｌ_２Ｏ_３と備えるＣＶＤ被覆切削工具の被膜に、非常に激しい湿潤吹き付け処理を施す。 - 特許庁

The capacitor which has a lower electrode 1, the capacitance insulating film 2 on the lower electrode 1, and an upper electrode 3 on the capacitance insulating film 2 uses, as the capacitance insulating film 2, a film obtained by adding to a TiO_2 film Zr or Al with a uniform distribution of ≤40% in atomic number ratio expressed by (Zr or Al)/(Zr or Al)+Ti.例文帳に追加

下部電極１と、下部電極１上の容量絶縁膜２と、容量絶縁膜２上の上部電極３とを備えるキャパシタにおいて、容量絶縁膜２として、ＴｉＯ_２膜にＺｒ又はＡｌが（Ｚｒ又はＡｌ）／（（Ｚｒ又はＡｌ）＋Ｔｉ）で表される原子数比で４０％以下の濃度で均等に分布して添加された膜を使用する。 - 特許庁

In the hydrogen generation material generating hydrogen by contact with water and generating water by contact with hydrogen, a hydrogen storage metal storing-releasing hydrogen by oxidation-reduction is used as a matrix, and at least one of substances selected from metals and metal oxides is added to the surface of the hydrogen storage metal by an ALD (Atomic Layer Deposition) process or an LPD (Liquid Phase Deposition) process.例文帳に追加

水の接触により水素を発生し、水素の接触により水を発生する水素発生材において、酸化還元によって水素を吸蔵・放出できる水素吸蔵金属を母材とし、前記水素吸蔵金属の表面に、金属又は金属酸化物の少なくとも一方の物質がＡＬＤ法又はＬＰＤ法を用いて添加されている。 - 特許庁

A material of ferromagnetic layers 106, 107 constituting the magneto-resistance effect element is constituted of a ferromagnetic material including at least one kind of 3d transition metals to control the magnetic resistance change rate, and the film thickness of the ferromagnetic layers is controlled at an atomic layer level to change the magnetization direction from the in-plane direction of a film surface to the film surface perpendicular direction.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を構成する強磁性層１０６，１０７の材料を、３ｄ遷移金属を少なくとも１種類含んだ強磁性材料で構成することで、磁気抵抗変化率を制御し、且つ、強磁性層の膜厚を原子層レベルで制御することで磁化方向を膜面内方向から膜面垂直方向に変化させた。 - 特許庁

A method for growing an Al_2O_3 thin film on a substrate by a sequential chemical vapor deposition including a plurality of cycles includes: bringing a part into contact with gaseous trimethyl aluminum (TMA); stopping the gaseous TMA supply; removing the gaseous TMA from a chamber; and bringing the part into contact with atomic oxygen in each cycle.例文帳に追加

複数のサイクルを含むシーケンシャル気相成長法による、基板上へのＡｌ_２Ｏ_３薄膜の成長方法において、それぞれのサイクルは、ガス状のトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）にパーツを接触させること、ガス状のＴＭＡの供給を停止すること、チャンバからガス状のＴＭＡを除去すること、及び原子状酸素にパーツを接触させることを含む。 - 特許庁

The method for depositing thin films of metal oxides on a substrate in a reaction vessel of an atomic layer vapor deposition apparatus using plasma includes a step of supplying raw metal compounds into the reaction vessel, a step of supplying gaseous oxygen into the reaction vessel, and a step of generating oxygen plasma in the reaction vessel during the predetermined time.例文帳に追加

プラズマを用いる原子層蒸着装置の反応器内において基板上に金属酸化物膜を形成する方法であって、反応器内に金属原料化合物を供給する段階と、反応器内に酸素ガスを供給する段階と、反応器内に所定時間中に酸素プラズマを生じさせる段階と、を含む金属酸化物膜の形成方法。 - 特許庁

While the surface of channels of a field effect transistor is being scanned by a probe, the surface potential of the channels and potentials by trap charge just beneath the probe at each point are measured through potential measurement using an atomic force microscope, and the local mobility is calculated from the measured potentials, and further the distribution of mobility is obtained based on the mobilities calculated at each point.例文帳に追加

探針で電界効果トランジスタのチャンネル表面を走査しながら、各点において探針直下のチャンネルの表面電位およびトラップ電荷による電位を、原子間力顕微鏡を用いた電位測定により測定し求めた電位から局所的な移動度を算出し、さらに各点で算出された移動度に基づいて移動度分布を求める。 - 特許庁