「atomic」に関連した英語例文の一覧と使い方(56ページ目) - Weblio英語例文検索

The licensing system in which the regulatory body implements the safety examination, while the Atomic Energy Commission and Nuclear Safety Commission double-check (secondary review) the regulatory body’s review, is an effective mechanism to ensure the independency and transparency of nuclear safety regulation in Japan.例文帳に追加

規制当局が行う安全審査と、原子力委員会及び原子力安全委員会が行う規制当局の安全審査についてダブルチェック（二次審査）を行う許可システムは、我が国の原子力安全規制の独立性、透明性を確保する上で、効果的な仕組みである。 - 経済産業省

The Atomic Energy Commission was established under the Prime Minister's Office on January 1, 1956 to conduct national policy concerning research, development and utilization of nuclear energy in a planned manner and to ensure the democratic administration of the nuclear energy policy.　(The AEC was transferred to the Cabinet Office on January 6, 2001.)例文帳に追加

原子力委員会は、我が国の原子力の研究、開発及び利用に関する国の施策を計画的に遂行し、原子力行政の民主的な運営を図るために、1956年1月1日に総理府に設置された。（注：2001年1月6日の中央省庁改革後は、内閣府に設置） - 経済産業省

The Atomic Energy Basic Act was partially revised on October 4, 1978 to establish the Nuclear Safety Commission under the Prime Minister’s Office.　The NSC administers the function of safety regulation that had belonged to the AEC up until then, in order to strengthen the system of ensuring nuclear safety.例文帳に追加

1978年10月4日、原子力基本法等の一部を改正する法律が施行され、原子力の安全確保体制を強化するためにそれまでは、原子力委員会に属していた安全規制機能を原子力委員会から移して原子力安全委員会が新たに総理府に設置された。 - 経済産業省

The pellets for nuclear fusion are constituted of a vessel 1 and fuel 2, containing duetron which is charged in the vessel 1 and they partially hold a heavy-metal material 3 consisting of metal elements of atomic number 73 or higher on the vessel 1 surface.例文帳に追加

容器１と、この容器１内に充填された、重水素を含む燃料２とを具備してなる核融合用燃料ペレットであって、容器１の表面に、部分的に、原子番号７３以上の金属元素からなる重金属物質３が担持させられてなる核融合用燃料ペレット。 - 特許庁

The process for production of the oligocarbonate polyol with a number average molecular weight of 500-5,000 g/mol by a reaction of an organic carbonate and an aliphatic polyol in the presence of a metal acetylacetonate based on a metal with an atomic number of 39, 57, 59-69 or 71 in the periodic table element (PTE).例文帳に追加

ＰＴＥの原子番号３９、５７、５９〜６９または７１を有する金属に基づく金属アセチルアセトネートを含んでなる触媒の存在下、有機カーボネートと脂肪族ポリオールとを反応させることを含む、数平均分子量５００〜５０００ｇ／ｍｏｌを有するオリゴカーボネートポリオールの製造方法。 - 特許庁

The aqueous ink comprises at least as a coloring material a self-dispersible carbon black having a carboxy group bonded to the surface thereof directly or via another atomic group, an acrylic polymer, a water-soluble organic solvent and water, where the aqueous ink has a critical salt-out concentration by sodium chloride of 0.04-0.4 mol/L.例文帳に追加

少なくとも色材としてカルボキシル基が直接若しくは他の原子団を介してカーボンブラック表面に結合された自己分散型カーボンブラック、アクリル系ポリマー、水溶性有機溶剤、水を含有する水性インクであって、該水性インクの塩化ナトリウムに対する凝析値が０．０４〜０．４ｍｏｌ／ｌであることを特徴とする水性インク。 - 特許庁

The semiconductor laser element having, at a light emitting end surface, the coat film including an aluminum oxide layer is characterized in that variation in binding energy of a 2p orbital electron and an atomic nucleus of aluminum between a surface part and a deep part in the aluminum oxide layer is ≤1.2 eV.例文帳に追加

本発明は、酸化アルミニウム層を含むコート膜を光出射端面に有する半導体レーザ素子であって、上記酸化アルミニウム層内の表面部と深部におけるアルミニウムの２ｐ軌道電子と原子核の結合エネルギーの変化量が１．２ｅＶ以下であることを特徴とする半導体レーザ素子である。 - 特許庁

In a disk rotor for a disk brake that brakes a rotary motion of a sliding surface by pushing a brake pad against a rotating sliding surface, at least the sliding surface is composed of aluminum of 40 to 49 atomic % and the remainder of substantially titanium whose structure is a lamellar structure of intermetallic compounds of TiAl and Ti3Al.例文帳に追加

回転する摺動面にブレーキパッドを押し付けることによってその回転運動を制動させるディスクブレーキ用ディスクロータにおいて、少なくとも上記摺動面が、４０〜４９原子％のアルミニウムと、残部が実質的にチタンとからなり、その組織はＴｉＡｌとＴｉ_3Ａｌ金属間化合物のラメラー組織からなる。 - 特許庁

In the production of the Fe-base amorphous ribbon for nano- crystal material, having ≤10 atomic % boron content, molten is poured on a cooling roll and the solidified Fe-base amorphous ribbon in the temperature range of 100-300°C is detached from the cooling roll.例文帳に追加

本発明は、ボロン量が１０ａｔ％以下のナノ結晶材料用Ｆｅ基アモルファスリボンの製造において、金属溶湯を冷却ロール上に注湯し、凝固したＦｅ基アモルファスリボンの温度が、１００〜３００℃の範囲で前記冷却ロールから剥離させるナノ結晶材料用Ｆｅ基アモルファスリボンの製造方法である。 - 特許庁

This method for producing ethylene by the dehydration reaction of ethanol is provided by bringing the ethanol in contact with a catalyst of using a proton type mordenite having a <10 silica/aluminum ratio (atomic ratio) and a ≤0.1 wt.% total content of sodium and potassium at a 200 to 300°C reaction temperature range on producing the ethylene.例文帳に追加

エタノールの脱水反応によりエチレンを製造するにあたり、ケイ素／アルミニウム比（原子比）が１０未満およびナトリウムとカリウムの合計含有量が０．１ｗｔ％以下のプロトン型モルデナイトを用いた触媒の存在下で、反応温度が２００〜３００℃の範囲でエタノールを接触させることを特徴とするエチレンの製法。 - 特許庁

To provide an atomic oscillator that can reduce the effect of heat between a rubidium gas cell and a rubidium lamp and use a downsized optical system by sandwiching a thermo module between a lamp hold member and a gas cell hold member and controlling the thermo module in a way of proprietizing a temperature difference between the lamp hold member and the gas cell hold member.例文帳に追加

ランプ保持部材とガスセル保持部材の間にサーモモジュールを挟み、ランプ保持部材とガスセル保持部材間の温度差を適切になるようにサーモモジュールを制御することにより、ルビジウムガスセルとルビジウムランプ間の熱の影響を低減すると共に、光学系を小型化することができる原子発振器を提供する。 - 特許庁

A variable temperature and/or reactant dose atomic layer deposition (VTD-ALD) process modulates ALD reactor conditions (such as temperature and flow rate) during the growth of a film (such as a metallic film) on a wafer to produce different film properties and different film depths.例文帳に追加

温度および（または）反応物の投与量を調節可能な原子層堆積（ＶＴＤ−ＡＬＤ）プロセスは、異なるフイルム特性および異なるフイルムの奥行きを生成するために、ウェーハ上のフイルム（例えば金属）の成長段階において、ＡＬＤ反応装置の条件（例えば温度、流量など）を調節する。 - 特許庁

On the other hand, a localized magnetic crystal orbit is expressed as the linear connection of a crystal orbit, and the localized magnetic crystal orbit to be found is determined based on the largest overlapping condition evaluated between the reference orbit localized on the atomic orbit and the localized magnetic crystal orbit, so that the magnetic interaction is calculated.例文帳に追加

また、局在化磁性結晶軌道を結晶軌道の線形結合として表し、原子軌道上に局在化した参照軌道とこの局在化磁性結晶軌道との間で評価される最大重なり条件から、求めるべき局在化磁性結晶軌道を決定し、これにより磁気的相互作用を算出する。 - 特許庁

In the film formed from a semiconductor oxide which produces electrons and holes upon absorption of light, the semiconductor oxide is a semiconductor oxide film being W-containing Fe_2O_3 of a W/Fe atomic ratio of 0.02-0.08, a production method thereof, and a hydrogen generation apparatus using the film.例文帳に追加

光を吸収して電子と正孔を生じる半導体酸化物で形成された膜であって、当該半導体酸化物が、Ｆｅに対するＷの原子数比０．０２〜０．０８のＷ含有Ｆｅ_2Ｏ_3である半導体酸化物膜およびその製造方法、ならびに、当該膜を用いた水素発生装置。 - 特許庁

An integrated circuit having the mutilayered barrier-metal thin film structure and a substrate is the barrier-metal thin film deposited on the substrate by an atomic layer chemical vapor deposition, and the barrier- metal thin film comprises the barrier-metal thin film including metal nitride and a thin copper film deposited on the barrier-metal thin film.例文帳に追加

本発明の集積回路は、多層バリアメタル薄膜構造を備える集積回路であって、基板と、原子層化学的気相成長のプロセスによって該基板上に堆積されたバリアメタル薄膜であって、バリアメタル薄膜は金属窒化物を含む、バリアメタル薄膜と、バリアメタル薄膜上に堆積された薄い銅膜とを備える。 - 特許庁

The sputtering target has a composition which contains chromium as a main component and also contains 10 to 50 atomic % of at least one element selected from the group consisting of aluminum, silicon, titanium, zirconium, hafnium, vanadium, niobium, tantalum, tungsten, molybdenum and boron and in which the total content of oxygen, carbon, sulfur and hydrogen is made to ≤3,000 ppm.例文帳に追加

クロムを主成分とし、アルミニウム、ケイ素、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、タングステン、モリブデンおよびボロンからなる群より選択される少なくとも一種の元素を１０〜５０原子％含み、酸素、炭素、硫黄および水素の合計含有量が３０００ｐｐｍ以下であることを特徴とする、スパッタリングターゲット。 - 特許庁

The catalyst for fuel cell carries three-dimensional fine particles expressed by the following general formula on a carbon base material: PtRuP, wherein the atomic ratio of Pt/Ru=60/40 to 90/10 and the content of P is in the range of 3 mol% to 50 mol% for total mol number of Pt and Ru.例文帳に追加

炭素基材上に、下記の一般式、 ＰｔＲｕＰ（式中、ＰｔとＲｕの原子比が６０：４０〜９０：１０であり、Ｐの含有率はＰｔＲｕの総モル数に対して、３モル％〜５０モル％の範囲内である。）で示される三元系微粒子を担持していることを特徴とする燃料電池用触媒。 - 特許庁

The cleaning process comprises a process to heat the substrate to be processed to a first temperature, a process to introduce the gas which mixes chlorine and nitrogen and has the atomic ratio of chlorine and nitrogen of 9:1 to 5:5, and a process to apply the radio frequency wave power to an electrode 2 to which the substrate to be processed is set.例文帳に追加

前記クリーニングする工程は、前記被処理基板を第１温度に加熱する工程と、塩素と窒素とを含み且つ前記塩素と窒素との原子比が９対１乃至５対５であるガスを導入する工程と、前記被処理基板が載置される電極２に高周波電力を印加する工程とを含む。 - 特許庁

To provide a method for producing a high performance material by which a crystals constituting a material such as a semiconductor can be refined and further grown in such a manner that the crystal orientation is made uniform without deforming the shape of the material and adding impurities thereto and a compositional gradient structure on an atomic scale can be formed.例文帳に追加

半導体などの材料を構成している結晶を、材料の形状を変形させたり、不純物を添加したりすることなく、微細化し、更には結晶方位を揃えて結晶を成長させること、および原子スケールの組成傾斜構造を形成させることができる高性能材料の製造方法を提供する。 - 特許庁

The aggregate of carbon nano-horns having outer peripheral surface formed by the tips of the carbon nano-horns is manufactured by emitting into an inert gas the carbon vapor obtained by vaporizing a solid-state carbon- elemental substance in the atmosphere whose pressure is controlled according to the atomic or molecular weight of the inert gas.例文帳に追加

不活性ガスの原子量あるいは分子量に応じて圧力を制御した雰囲気中で、固体状炭素単体物質を蒸発させて炭素蒸気を不活性ガス中に放出させることで、カーボンナノホーンが先端を外周面にして集合したカーボンナノホーン集合体を、形状および大きさを制御して得るようにする。 - 特許庁

The GaSb-based phase changing type recording film with a low melting point comprising an Sb-based alloy comprising 5-20% Ga in terms of atomic%, in addition, less than 5 to <20% In, and remaining part being Sb and inevitable impurities, and the target for forming the GaSb-based phase changing type recording film by sputtering, are provided.例文帳に追加

原子％でＧａ：５〜２０％を含有し、さらにＩｎ：５〜２０％未満を含有し、残部がＳｂおよび不可避不純物からなるするＳｂ基合金からなる融点の低いＧａＳｂ系相変化型記録膜、並びにこのＧａＳｂ系相変化型記録膜をスパッタリングにより形成するためのターゲット。 - 特許庁

A sliding member has, on its sliding surface, a thin coating film having a hydrogen content of less than 30 atomic %, the thin film being composed of a diamond-like carbon film or an amorphous carbon film, that are prepared by the plasma source ion injection process, wherein ions are injected by forming a plasma around a base material 3 and applying a negative pulse voltage to the base material.例文帳に追加

基材３の周囲にプラズマを形成し、基材に負のパルス電圧を印加することによってイオン注入を行うプラズマソースイオン注入法により作製したダイヤモンドライクカーボン膜あるいは非晶質カーボン膜であって、水素含有量が３０原子％未満である薄膜を摺動面に被覆した。 - 特許庁

In this structure analysis method of the trace element, the sample is irradiated with an X-ray, while changing X-ray energy, and a fluorescent X-ray emitted from the sample is detected, and information on an atomic structure of the trace element in the sample is analyzed from a relation between the X-ray energy and the fluorescent X-ray.例文帳に追加

Ｘ線エネルギーを変えながら試料にＸ線を照射し、試料から放出される蛍光Ｘ線を検出して、前記Ｘ線エネルギーと蛍光Ｘ線との関係から試料中の微量元素の原子構造に関する情報を解析する微量元素の構造解析方法である。 - 特許庁

In the resistor having the heating layer 3 formed in a film of amorphous silicon on a substrate 1 by a catalyst CVD method, a catalyst body used in the catalyst CVD method is formed of a catalyst element selected from Ta, W and Mo and the catalyst element is included by an atomic ratio of 0.5 ppm-15% in the heating layer 3.例文帳に追加

基板１上にアモルファスシリコンからなる発熱層３を触媒ＣＶＤ法により成膜形成した抵抗体であって、触媒ＣＶＤ法に用いる触媒体をＴａ、Ｗ、Ｍｏから選択される触媒元素にて成し、発熱層３に触媒元素を０.５ｐｐｍ〜１５％の原子比率にて含有せしめる。 - 特許庁

The solid state storage device 100 is constituted by comprising a memory device 114 including any one of an atomic resolution storage device (ARS) and a magnetic random access memory (MRAM), a controller 400, and an integrated connector 104 to be used for directly connecting the storage device 100 with the other device.例文帳に追加

原子分解能記憶装置（ＡＲＳ）と磁気ランダム・アクセス・メモリ装置（ＭＲＡＭ）とのいずれか１つを含むメモリ装置１１４と、コントローラ４００と、記憶装置１００を別の装置に直接に接続するために使用される一体型コネクタ１０４とを含んでなる固体記憶装置１００を提供する。 - 特許庁

A surface of a glass substrate containing SiO_2 as main component is polished by a polishing slurry including colloidal silica having an average primary particle size of at most 50 nm, an acid and water, and having pH adjusted to be in a range of 0.5-4, so that the surface roughness Rms measured by an atomic force microscope becomes not higher than 0.15 nm.例文帳に追加

平均一次粒子径が５０ｎｍ以下のコロイダルシリカ、酸および水を含み、ｐＨが０．５〜４の範囲になるように調整してなる研磨スラリーを用いて、ＳｉＯ_２を主成分とするガラス基板の表面を、原子間力顕微鏡で測定した表面粗さＲｍｓが０．１５ｎｍ以下になるように研磨する。 - 特許庁

Here, the benzoxazine ring is arranged at the end of the mesogen and the liquid crystalline benzoxazine compound has a structure having one benzoxazine ring alone in the molecular structure and furthermore has atomic groups R1 and R2 as spacers, and accordingly can be made liquid crystalline in spite of being a benzoxazine compound and thus a liquid crystalline benzoxazine compound can be provided.例文帳に追加

ここで、ベンゾオキサジン環がメソゲンの端部に配置されると共に、分子構造中には１のベンゾオキサジン環のみを備えた構造となっており、更に、スペーサーとして原子団Ｒ１，Ｒ２を備えているので、ベンゾオキサジン系化合物であっても液晶性とすることができ、液晶性ベンゾオキサジン系化合物を提供できる。 - 特許庁

To accurately measure strain in a pipework circumferential direction of main steam pipework caused by pressure pulsation by using strain gauges having a smallest possible number of sheets, and to achieve an improvement of the reliability of measured data collection in pressure pulsation measurement of the main steam pipework for transporting steam for driving turbines of an atomic power plant facility.例文帳に追加

原子力発電施設のタービンを駆動させる蒸気を輸送する主蒸気配管の圧力脈動測定において、できるだけ少ない枚数のひずみゲージを用いて圧力脈動に起因する主蒸気配管の配管周方向のひずみを精度良く測定し、かつ、計測データ収集の信頼性を向上させる。 - 特許庁

In the tempered glass, the region of high Si concentration in which the concentration ratio of an Si atomic concentration (atom%) to that in the central position of the tempered glass in its thickness direction is higher than 5%, is formed in the range of depth of >0 to ≤30 nm along the thickness direction from the glass surface.例文帳に追加

強化ガラスには、強化ガラスの厚さ方向の中心位置におけるＳiの原子濃度（原子％）に対するＳiの原子濃度（原子％）の濃度比率が５％以上高いＳｉ高濃度領域が、ガラス表面から厚さ方向に沿って０より大きく３０ｎｍ以下の深さの範囲に形成される。 - 特許庁

The material for the organic electroluminescent devices includes a phosphorescent metal complex (a) containing a monoanionic bidentate ligand expressed by formula A, and a metal with an atomic weight of not less than 40, and (b) a structural isomer which is expressed by the same chemical formula as the phosphorescent metal complex (a), but has a stereoscopically different manner of coordination of the ligand.例文帳に追加

式Ａで表されるモノアニオン性の２座配位子と、原子量４０以上の金属とを含む燐光性金属錯体ａと、該燐光性金属錯体ａと同じ化学式で表されながら、該配位子の配位方法が立体的に異なる構造異性体ｂとを含有する有機電界発光素子用材料。 - 特許庁

In the formation of an optical attenuation film obtained by layering a dielectric layer and a light absorbing layer being a plurality of layers on a substrate, the dielectric layer is formed to have a prescribed film thickness by repeating the total adhesion of a raw material at an atomic layer level (step S1) and the exposure thereof to an oxidizing or nitriding atmosphere (step S2).例文帳に追加

基板上に誘電体層と光吸収層を複数層に積層する光減衰膜の形成において、その誘電体層はその原料物質の原子層レベルでの全面付着（ステップＳ１）とその酸化または窒化性雰囲気への曝露（ステップＳ２）を繰り返して所定の膜厚にする。 - 特許庁

The two substrates are next superposed under atmospheric pressure such that the thin films formed on the two substrates are in contact and, when necessary, the substrates are heated to cause atomic diffusion at a bonded interface and grain boundary of the microcrystalline thin films, which bonds the two substrates.例文帳に追加

その後，大気圧下で前記２つの基体に形成された前記薄膜同士が接触するように前記２つの基体を重ね合わせると共に，必要に応じて基体を加熱することで前記微結晶薄膜の接合界面及び結晶粒界に原子拡散を生じさせて前記２つの基体を接合する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device and a substrate processing apparatus capable of providing a titanium nitride film that is higher in quality than a titanium nitride film formed by the conventional CVD method at a higher film-forming rate, that is, with higher productivity than a titanium nitride film formed by an ALD (Atomic Layer Deposition) method.例文帳に追加

従来のＣＶＤ法で形成された窒化チタン膜と比較して良質な窒化チタン膜を、ＡＬＤ法で形成された窒化チタン膜と比較して速い成膜速度で、すなわち高い生産性で提供することが可能な半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供することにある。 - 特許庁

A flat metal nanoparticle-containing composition contains at least a metal nobler than the silver which is located near surfaces of the flat metal particles containing the silver, wherein an amount of the metal nobler than the silver is 10^-3 to 5 atomic% relative to the silver and wherein the metal nobler than the silver is produced through reduction, by the silver, of at least one selected from gold, palladium, iridium, platinum and osmium.例文帳に追加

少なくとも、銀を含む金属平板の表面近傍に銀より貴な金属を該銀に対して１０^−３原子％〜５原子％含有する金属ナノ平板含有組成物であって、銀より貴な金属、金、パラジウム、イリジウム、白金、及びオスニウムの少なくとも１種を銀により還元されて生成させる。 - 特許庁

An intermediate layer is formed using an application liquid for the intermediate layer prepared using: (i) an iron-containing zinc particle having 20 m^2/g or more to 100 m^2/g or less of specific surface area, and containing 1.0 ppm or more to 2.0 ppm or less of iron atom content analyzed by an atomic absorption method; and (ii) a binder resin.例文帳に追加

（ｉ）比表面積が２０ｍ^２／ｇ以上１００ｍ^２／ｇ以下であり、かつ原子吸光法により分析される鉄原子の含有量が１．０ｐｐｍ以上２．０ｐｐｍ以下である鉄含有酸化亜鉛粒子と、（ｉｉ）結着樹脂と、を用いて調製された中間層用塗布液を用いて中間層を形成する。 - 特許庁

This method of manufacturing a transparent or translucent gas-barrier laminated body includes processes of: forming a base layer 12 on at least one-side surface of a plastic film base material 11 by using either a physical film formation method or a chemical vapor-phase epitaxial method, or both of them; and forming a gas barrier layer 13 on a surface of the base layer 12 by using an atomic layer deposition method.例文帳に追加

プラスチックフィルム基材１１の少なくとも一方の面に、物理成膜法もしくは化学気相成長法のいずれか、またはその両方を用いて下地層１２を形成する工程と、下地層１２の表面に、原子層堆積法を用いてガスバリア層１３を形成する工程とを具備する。 - 特許庁

In the atomic layer deposition method(ALD), a first reaction product is utilized, which contains at least one alkoxide group and is adsorbed on a substrate chemically and reacts with an activated oxidizing agent without a hydroxide and forms a dielectric substance showing an excellent coverage and improved leakage current characteristics.例文帳に追加

原子層蒸着法（ＡＬＤ）は最少限一つのアルコキシド基を含み、基板表面上に化学的に吸着されて水酸化基を含まない活性化された酸化剤と反応して優れているステップカバーレージおよび向上された漏洩電流特性を示す誘電物質を形成する第１反応物を利用する。 - 特許庁

When dissolving boric acid in water, at least one alkali metal compound chosen from sodium hydroxide, sodium carbonate, sodium hydrogencarbonate, lithium hydroxide, lithium carbonate and lithium hydrogencarbonate is added so that the atomic ratio (A/B) of the sum of sodium and lithium (A) to boron (B) becomes 0.24-0.6.例文帳に追加

ホウ酸を水に溶解させる際に、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、水酸化リチウム、炭酸リチウム、炭酸水素リチウムから選ばれるアルカリ金属化合物の１種又は２種以上を、ナトリウムとリチウムの合計（Ａ）とホウ素（Ｂ）の原子比（Ａ／Ｂ）が０．２４〜０．６になるように添加することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a probe position control method which enables more accurate observation or operation by correcting the change of the relative position of a sample and a probe during observation or operation in a scanning type probe microscope (SPM) or an atomic manipulator (operation) by excluding the effect of a heat drift or the like, and a probe position control device.例文帳に追加

熱ドリフト等の影響を排除し、走査型プローブ顕微鏡(SPM)や原子マニピュレータ(操作)装置において、その観察又は操作の間に試料とプローブの相対位置が熱により変化するのを補正して、より正確な観察又は操作を可能にする位置制御方法及び装置を提供すること。 - 特許庁

In the transparent conductive base material, where the base material, a reflection prevention film, and the transparent conductive film are laminated in this order, the reflection prevention film is made of aluminum-doped zinc oxide, and the average surface roughness (Ra) of the reflection prevention film by an atomic force microscope is 1.0 nm or smaller.例文帳に追加

基材、反射防止膜及び透明導電膜が、この順で積層されてなる透明導電性基材であって、前記反射防止膜がアルミドープ酸化亜鉛からなり、かつ原子間力顕微鏡による前記反射防止膜の平均面粗さ（Ｒａ）が１．０ｎｍ以下であることを特徴とする透明導電性基材。 - 特許庁

To provide a method for producing a thin film consisting of oxide or multiple oxide by a CVD process including an ALD (Atomic Layer Deposition) process by which the production of a satisfactory thin film is made possible in the case a metallic compound having low hydrolysis reaction such as alkoxide and a β-diketone complex is used as a precursor.例文帳に追加

ＡＬＤ法を含むＣＶＤ法による酸化物又は複合酸化物からなる薄膜の製造方法において、前駆体にアルコキシドやβ−ジケトン錯体等の加水分解反応の遅い金属化合物を用いる場合に良好な薄膜の製造が可能となる薄膜の製造方法を与えること。 - 特許庁

A release agent composition is a blend of a polydimethylsiloxane with a polymeric resin, and a release sheet is obtained by coating the release agent composition on at least one side of a base material to form a release agent layer having an organic Si content at a depth of 5 nm in the surface layer (measured by electron spectroscopy for chemical analysis (ESCA)), of 5-30 atomic %.例文帳に追加

ポリジメチルシロキサンと高分子樹脂をブレンドした剥離剤組成物であって、該剥離剤組成物を基材の少なくとも片面に塗布してなる剥離剤層のＥＳＣＡ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ ｆｏｒ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ）法による表層の深さ５ｎｍにおける有機Ｓｉ含有量が５〜３０Ａｔｏｍｉｃ％である剥離性シート。 - 特許庁

A physical part 50 of the atomic oscillator has a heater 25, an optical element layer 15, a Peltier element 21, and an inclined member 35, stacked in this order, outside one window part 2 of the gas cell 10, and a VCSEL 30 and a photosensor 40 are arranged on inclined surfaces formed from a top of inclination of the inclined part 35 to both sides.例文帳に追加

原子発振器の物理部５０は、ガスセル１０の一方の窓部２の外側にヒータ２５、光学素子層１５、ペルチェ素子２１、傾斜部材３５がこの順に重ねられ、傾斜部材３５の傾斜の頂部から両側に形成された傾斜面にＶＣＳＥＬ３０およびフォトセンサ４０が配置されている。 - 特許庁

At least one wiring comprises a Cu alloy thin film that contains at least one kind selected from rare earth elements as an additional element by 0.01 to 1 atomic% and the balance Cu and inevitable impurities, and that has a wiring structure directly layered on a transparent conductive film.例文帳に追加

配線の少なくともひとつが、添加元素として希土類元素の中から選ばれる少なくとも１種以上の元素を０．０１〜１原子％含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物であるＣｕ合金薄膜からなり、かつ、透明導電膜と直接積層した配線構造を有する液晶ディスプレイパネルとする。 - 特許庁

To provide a construction work support system, which can easily grasp information about a position and a variety of items concerning the position in a large-scale closed space such as in an atomic power plant under construction, by means of IC tags set at respective points in the construction field, to thereby efficiently carry out the construction work and monitoring thereof.例文帳に追加

原子力プラント建設等の大規模閉空間内での位置及びその位置に関連する各種情報を、建設現場の各ポイントに設置したＩＣタグにより、簡単に把握できるようにし、効率よく建設作業や作業管理等を行えるようにした建設作業支援システムを提案することを目的とする。 - 特許庁