「atomic」に関連した英語例文の一覧と使い方(56ページ目) - Weblio英語例文検索

When dissolving boric acid in water, at least one alkali metal compound chosen from sodium hydroxide, sodium carbonate, sodium hydrogencarbonate, lithium hydroxide, lithium carbonate and lithium hydrogencarbonate is added so that the atomic ratio (A/B) of the sum of sodium and lithium (A) to boron (B) becomes 0.24-0.6.例文帳に追加

ホウ酸を水に溶解させる際に、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、水酸化リチウム、炭酸リチウム、炭酸水素リチウムから選ばれるアルカリ金属化合物の１種又は２種以上を、ナトリウムとリチウムの合計（Ａ）とホウ素（Ｂ）の原子比（Ａ／Ｂ）が０．２４〜０．６になるように添加することを特徴とする。 - 特許庁

The toner for electrostatic charge image development is prepared by using a pigment containing a compound expressed by formula 1 and having a ≤700 ppm alkali metal amount by atomic absorption measurement and is characterized in that an extracted liquid of the toner for electrostatic charge image development has ≤50 μS/cm electric conductivity.例文帳に追加

式１で表される化合物を含有し、アルカリ金属量が原子吸光測定において７００ｐｐｍ以下である顔料を用いて、静電荷像現像用トナーの抽出液の電気伝導度が５０μＳ／ｃｍ以下である静電荷像現像用トナーを製造することを特徴とする静電荷像現像用トナーの製造方法を提供する。 - 特許庁

A first reduction filter 2 is disposed in a sample gas introduction passage 9, removes mercury chloride in an introduced sample gas 10 under heating by a heater 3 by using a reductant mainly containing alkali metal carbonate filled therein, and reduces at least a part of the mercury chloride in the sample gas 10 to atomic mercury.例文帳に追加

第１の還元フィルタ２は、試料ガス導入路９に配置され、内部に充填されたアルカリ金属の炭酸塩を主成分とする還元剤により、ヒータ３による加熱下で、導入された試料ガス１０中の塩化水素を除去するとともに、試料ガス１０中の塩化水銀の少なくとも一部を原子状水銀に還元する。 - 特許庁

The NOT circuit comprises a first electrode 2 that is an atomic switch made of a two-terminal element and is made of a mixing conductor material, having ion conductivity and electron conductivity, and a second electrode 3 that is made of a conductive material, and uses an element that can control conductance between the electrodes 2 and 3.例文帳に追加

２端子素子からなるアトミックスイッチであるイオン伝導性および電子伝導性を有する混合導電体材料から成る第１電極２及び導電性材料から成る第２電極３により構成され、前記電極２，３間のコンダクタンスが制御可能な素子を用いてＮＯＴ回路を構成する。 - 特許庁

The invention relates to the lithium silicate glass ceramic which contains at least 8.5 wt.% transition metal oxide selected from the group consisting of oxides of yttrium, oxides of transition metals with an atomic number from 41 to 79 and mixtures of these oxides.例文帳に追加

本発明は、少なくとも８．５重量％の遷移金属酸化物を含有するケイ酸リチウムガラスセラミックであって、該遷移金属酸化物は、イットリウムの酸化物、４１〜７９の原子番号を有する遷移金属の酸化物およびこれらの酸化物の混合物からなる群より選択される、ケイ酸リチウムガラスセラミックを提供する。 - 特許庁

A fine pattern formation method for semiconductor elements facilitates the pattern formation stage by implementing at least part of photoresist trimming by atomic layer vapor deposition together with spacer oxide film vapor deposition, thereby enabling the precision of trimming to be enhanced and photoresist footing, which may occur during the trimming, to be reduced.例文帳に追加

本発明の実施形態に係る半導体パターン形成方法によれば、フォトレジストのトリミングの少なくとも一部を原子層蒸着方法によってスペーサ酸化膜蒸着と共に実施することにより、段階が容易となり、トリミングの精密度を高めることができ、トリミング中に発生し得るフォトレジストフーチング（ｆｏｏｔｉｎｇ）を減らすことができる。 - 特許庁

The suture thread is formed by forming a coating layer on the surface of a fiber material made of fluororesin, the surface of the fiber material has an atomic fraction of a fluorine atom measured by X-ray photoelectron spectroscopy, lower than that of the inside, and the coating layer contains a medicine and a biodegradable polymer.例文帳に追加

フッ素系樹脂からなる繊維素材の表面にコーティング層を形成させてなる縫合糸であって、前記繊維素材の表面におけるＸ線光電子分光法によるフッ素原子の原子分率がその内部より低く、前記コーティング層が薬剤および生分解性高分子を含有することを特徴とする縫合糸。 - 特許庁

In the ion beam path control device 10 having a reflection section 11 wherein ion beams L are incident, the reflection section 11 has a reflecting surface 110 for reflecting the ion beams L, and the reflecting surface 110 is a surface of a dielectric wherein the outermost surface is formed of atoms having the atomic numbers greater than that of the ions of the ion beam L.例文帳に追加

イオンビームＬが入射する反射部１１を備えたイオンビーム軌道制御装置１０であって、反射部１１がイオンビームＬを反射する反射面１１０を有し、その反射面１１０が、イオンビームＬのイオンより原子番号の大きい原子により最表面が構成されている誘電体表面である。 - 特許庁

A method for growing an Al_2O_3 thin film on a substrate by a sequential chemical vapor deposition including a plurality of cycles includes: bringing a part into contact with gaseous trimethyl aluminum (TMA); stopping the gaseous TMA supply; removing the gaseous TMA from a chamber; and bringing the part into contact with atomic oxygen in each cycle.例文帳に追加

複数のサイクルを含むシーケンシャル気相成長法による、基板上へのＡｌ_２Ｏ_３薄膜の成長方法において、それぞれのサイクルは、ガス状のトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）にパーツを接触させること、ガス状のＴＭＡの供給を停止すること、チャンバからガス状のＴＭＡを除去すること、及び原子状酸素にパーツを接触させることを含む。 - 特許庁

To accurately measure strain in a pipework circumferential direction of main steam pipework caused by pressure pulsation by using strain gauges having a smallest possible number of sheets, and to achieve an improvement of the reliability of measured data collection in pressure pulsation measurement of the main steam pipework for transporting steam for driving turbines of an atomic power plant facility.例文帳に追加

原子力発電施設のタービンを駆動させる蒸気を輸送する主蒸気配管の圧力脈動測定において、できるだけ少ない枚数のひずみゲージを用いて圧力脈動に起因する主蒸気配管の配管周方向のひずみを精度良く測定し、かつ、計測データ収集の信頼性を向上させる。 - 特許庁

To provide a thin film transistor in which an oxide semiconductor achieved with zinc tin oxide (ZnSnO) has a large electronegativity difference with oxygen, the concentration of a carrier is adjusted by forming an active layer by adding a substance whose atomic radius is similar to that of Zn or Sn, and stable reliability and electrical characteristic are achieved by improving the reliability of the oxide semiconductor.例文帳に追加

亜鉛錫酸化物（ＺｎＳｎＯ）で実現される酸化物半導体に酸素との電気陰性度の差が大きく、原子半径がＺｎ又はＳｎと類似する物質を添加して活性層を形成することで、キャリアの濃度を調節し、酸化物半導体の信頼性を向上させることで、安定した信頼性及び電気的特性を実現する薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

In the hydrogen generation material generating hydrogen by contact with water and generating water by contact with hydrogen, a hydrogen storage metal storing-releasing hydrogen by oxidation-reduction is used as a matrix, and at least one of substances selected from metals and metal oxides is added to the surface of the hydrogen storage metal by an ALD (Atomic Layer Deposition) process or an LPD (Liquid Phase Deposition) process.例文帳に追加

水の接触により水素を発生し、水素の接触により水を発生する水素発生材において、酸化還元によって水素を吸蔵・放出できる水素吸蔵金属を母材とし、前記水素吸蔵金属の表面に、金属又は金属酸化物の少なくとも一方の物質がＡＬＤ法又はＬＰＤ法を用いて添加されている。 - 特許庁

A material of ferromagnetic layers 106, 107 constituting the magneto-resistance effect element is constituted of a ferromagnetic material including at least one kind of 3d transition metals to control the magnetic resistance change rate, and the film thickness of the ferromagnetic layers is controlled at an atomic layer level to change the magnetization direction from the in-plane direction of a film surface to the film surface perpendicular direction.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を構成する強磁性層１０６，１０７の材料を、３ｄ遷移金属を少なくとも１種類含んだ強磁性材料で構成することで、磁気抵抗変化率を制御し、且つ、強磁性層の膜厚を原子層レベルで制御することで磁化方向を膜面内方向から膜面垂直方向に変化させた。 - 特許庁

Since, based on the means of stepwise controlling the vapor in a molecular or atomic state, a film is formed according to the mechanism of surface-nucleation, condensation and growth, a film having superior evenness, nano-scale adjustability, specialized structure and function that can not be achieved by the films from conventional spray coating and ink jet means can be obtained.例文帳に追加

蒸気を原子或いは分子状態で段階的制御を行う手段に基づき、蒸着対象基材の表面にて核生成、凝結、及び核生成、成長させるメカニズムにより薄膜を形成するため、伝統的な塗布及びインクジェット技術では得られなかった均等性、ナノサイズのコントロール特性等を備える特殊構造及び機能性を有する薄膜を獲得できる。 - 特許庁

The fouling-protective additive comprises at least one inorganic and/or organic porous carrier and at least one fouling-protection working substance introduced into the porous carrier, wherein it is confirmed by a test on the outermost atomic layer of the product system by XPS that at least one part on the outermost surface of the product system is formed of the carrier material.例文帳に追加

少なくとも１の無機及び／又は有機多孔質担体と、前記多孔質担体中に導入されている少なくとも１の汚損防止作用物質とを含む汚損防止添加剤において、ＸＰＳによる生成物系の最外原子層の試験による確認で、生成物系の最外表面の少なくとも一部が担体材料により形成されていることを特徴とする、汚損防止添加剤。 - 特許庁

A surface of a glass substrate containing SiO_2 as main component is polished by a polishing slurry including colloidal silica having an average primary particle size of at most 50 nm, an acid and water, and having pH adjusted to be in a range of 0.5-4, so that the surface roughness Rms measured by an atomic force microscope becomes not higher than 0.15 nm.例文帳に追加

平均一次粒子径が５０ｎｍ以下のコロイダルシリカ、酸および水を含み、ｐＨが０．５〜４の範囲になるように調整してなる研磨スラリーを用いて、ＳｉＯ_２を主成分とするガラス基板の表面を、原子間力顕微鏡で測定した表面粗さＲｍｓが０．１５ｎｍ以下になるように研磨する。 - 特許庁

Here, the benzoxazine ring is arranged at the end of the mesogen and the liquid crystalline benzoxazine compound has a structure having one benzoxazine ring alone in the molecular structure and furthermore has atomic groups R1 and R2 as spacers, and accordingly can be made liquid crystalline in spite of being a benzoxazine compound and thus a liquid crystalline benzoxazine compound can be provided.例文帳に追加

ここで、ベンゾオキサジン環がメソゲンの端部に配置されると共に、分子構造中には１のベンゾオキサジン環のみを備えた構造となっており、更に、スペーサーとして原子団Ｒ１，Ｒ２を備えているので、ベンゾオキサジン系化合物であっても液晶性とすることができ、液晶性ベンゾオキサジン系化合物を提供できる。 - 特許庁

The capacitor which has a lower electrode 1, the capacitance insulating film 2 on the lower electrode 1, and an upper electrode 3 on the capacitance insulating film 2 uses, as the capacitance insulating film 2, a film obtained by adding to a TiO_2 film Zr or Al with a uniform distribution of ≤40% in atomic number ratio expressed by (Zr or Al)/(Zr or Al)+Ti.例文帳に追加

下部電極１と、下部電極１上の容量絶縁膜２と、容量絶縁膜２上の上部電極３とを備えるキャパシタにおいて、容量絶縁膜２として、ＴｉＯ_２膜にＺｒ又はＡｌが（Ｚｒ又はＡｌ）／（（Ｚｒ又はＡｌ）＋Ｔｉ）で表される原子数比で４０％以下の濃度で均等に分布して添加された膜を使用する。 - 特許庁

The charging member includes a highly conductive support and an elastic layer consisting of one or more layers, the elastic layer being located on the support, wherein the elastic layer is formed of a semiconductive vulcanized rubber comprising a binder polymer, which contains a polymer having a butadiene skeleton being terminal-modified at the molecular terminal with a specific atomic group, and carbon black being dispersed, as conductive particles, in the binder polymer.例文帳に追加

帯電部材を良導電性の支持体と該支持体上の少なくとも１層以上からなる弾性層とで形成し、該弾性層は、分子末端が特定の原子団により末端変性処理されているブタジエン骨格を有する重合体を含有するバインダーポリマーに、導電性粒子としてカーボンブラックを分散した半導電性加硫ゴムで形成されている。 - 特許庁

While the surface of channels of a field effect transistor is being scanned by a probe, the surface potential of the channels and potentials by trap charge just beneath the probe at each point are measured through potential measurement using an atomic force microscope, and the local mobility is calculated from the measured potentials, and further the distribution of mobility is obtained based on the mobilities calculated at each point.例文帳に追加

探針で電界効果トランジスタのチャンネル表面を走査しながら、各点において探針直下のチャンネルの表面電位およびトラップ電荷による電位を、原子間力顕微鏡を用いた電位測定により測定し求めた電位から局所的な移動度を算出し、さらに各点で算出された移動度に基づいて移動度分布を求める。 - 特許庁

The reflector is formed on a base material, and has a metal oxide layer and a reflection layer consisting of Ag doped with an element having a smaller atomic radius than that of Ag from a side near the base material when seen from a base material side, wherein crystallite size calculated from diffraction peaks originating in Ag by X-ray diffraction measurement using Cu K-alpha beam of the reflector, is 2 to 23 nm.例文帳に追加

基材上に形成される反射体であり、該反射体は、基材側から見て基材に近い側から、金属酸化物層、Ａｇに対して小さい原子半径を有する元素がドープされたＡｇからなる反射層、を有するものであり、該反射体のＣｕＫα線を用いたＸ線回折測定により、Ａｇに由来する回折ピークから算出される結晶子サイズが２〜２３ｎｍであることを特徴とする反謝体。 - 特許庁

A flat metal nanoparticle-containing composition contains at least a metal nobler than the silver which is located near surfaces of the flat metal particles containing the silver, wherein an amount of the metal nobler than the silver is 10^-3 to 5 atomic% relative to the silver and wherein the metal nobler than the silver is produced through reduction, by the silver, of at least one selected from gold, palladium, iridium, platinum and osmium.例文帳に追加

少なくとも、銀を含む金属平板の表面近傍に銀より貴な金属を該銀に対して１０^−３原子％〜５原子％含有する金属ナノ平板含有組成物であって、銀より貴な金属、金、パラジウム、イリジウム、白金、及びオスニウムの少なくとも１種を銀により還元されて生成させる。 - 特許庁

An intermediate layer is formed using an application liquid for the intermediate layer prepared using: (i) an iron-containing zinc particle having 20 m^2/g or more to 100 m^2/g or less of specific surface area, and containing 1.0 ppm or more to 2.0 ppm or less of iron atom content analyzed by an atomic absorption method; and (ii) a binder resin.例文帳に追加

（ｉ）比表面積が２０ｍ^２／ｇ以上１００ｍ^２／ｇ以下であり、かつ原子吸光法により分析される鉄原子の含有量が１．０ｐｐｍ以上２．０ｐｐｍ以下である鉄含有酸化亜鉛粒子と、（ｉｉ）結着樹脂と、を用いて調製された中間層用塗布液を用いて中間層を形成する。 - 特許庁

The oxide sputtering target contains ZnO and Cr_2O_3, and further contains SiO_2, wherein by atomic ratio to the component quantity of all metals other than inevitable impurities, Zn:p%, Cr:q% and Si:100-p-q% are satisfied, and their component compositions satisfy the relations of 33≤p≤90, 8≤q≤65 and 85≤(p+q)≤99.例文帳に追加

ＺｎＯおよびＣｒ_２Ｏ_３を含有する酸化物スパッタリングターゲットであって、さらにＳｉＯ_２を含有し、不可避不純物を除いた全金属成分量に対する原子比で、Ｚｎ：ｐ％、Ｃｒ：ｑ％およびＳｉ：１００−ｐ−ｑ％とされており、これらの成分組成が、３３≦ｐ≦９０、８≦ｑ≦６５、８５≦（ｐ＋ｑ）≦９９の関係を満たしている。 - 特許庁

This method of manufacturing a transparent or translucent gas-barrier laminated body includes processes of: forming a base layer 12 on at least one-side surface of a plastic film base material 11 by using either a physical film formation method or a chemical vapor-phase epitaxial method, or both of them; and forming a gas barrier layer 13 on a surface of the base layer 12 by using an atomic layer deposition method.例文帳に追加

プラスチックフィルム基材１１の少なくとも一方の面に、物理成膜法もしくは化学気相成長法のいずれか、またはその両方を用いて下地層１２を形成する工程と、下地層１２の表面に、原子層堆積法を用いてガスバリア層１３を形成する工程とを具備する。 - 特許庁

The method for depositing thin films of metal oxides on a substrate in a reaction vessel of an atomic layer vapor deposition apparatus using plasma includes a step of supplying raw metal compounds into the reaction vessel, a step of supplying gaseous oxygen into the reaction vessel, and a step of generating oxygen plasma in the reaction vessel during the predetermined time.例文帳に追加

プラズマを用いる原子層蒸着装置の反応器内において基板上に金属酸化物膜を形成する方法であって、反応器内に金属原料化合物を供給する段階と、反応器内に酸素ガスを供給する段階と、反応器内に所定時間中に酸素プラズマを生じさせる段階と、を含む金属酸化物膜の形成方法。 - 特許庁

In the resistor having the heating layer 3 formed in a film of amorphous silicon on a substrate 1 by a catalyst CVD method, a catalyst body used in the catalyst CVD method is formed of a catalyst element selected from Ta, W and Mo and the catalyst element is included by an atomic ratio of 0.5 ppm-15% in the heating layer 3.例文帳に追加

基板１上にアモルファスシリコンからなる発熱層３を触媒ＣＶＤ法により成膜形成した抵抗体であって、触媒ＣＶＤ法に用いる触媒体をＴａ、Ｗ、Ｍｏから選択される触媒元素にて成し、発熱層３に触媒元素を０.５ｐｐｍ〜１５％の原子比率にて含有せしめる。 - 特許庁

The solid state storage device 100 is constituted by comprising a memory device 114 including any one of an atomic resolution storage device (ARS) and a magnetic random access memory (MRAM), a controller 400, and an integrated connector 104 to be used for directly connecting the storage device 100 with the other device.例文帳に追加

原子分解能記憶装置（ＡＲＳ）と磁気ランダム・アクセス・メモリ装置（ＭＲＡＭ）とのいずれか１つを含むメモリ装置１１４と、コントローラ４００と、記憶装置１００を別の装置に直接に接続するために使用される一体型コネクタ１０４とを含んでなる固体記憶装置１００を提供する。 - 特許庁

In this method, an aliphatic aldehyde, aliphatic ketone or a mixture thereof react with ammonia in the presence of a catalyst in the vapor phase to produce pyridine bases, wherein the catalyst contains titanium and/or cobalt and silicon as the zeolite constituting elements, atomic ratio of silicon to titanium and/or cobalt is around 5 to 1,000, and the zeolite has a control index of around 0.8 to 12.例文帳に追加

触媒の存在下、脂肪族アルデヒド、脂肪族ケトン又はそれらの混合物を、アンモニアと気相接触反応せしめてピリジン塩基類を製造するにあたり、触媒としてチタン及び／又はコバルト並びにケイ素をゼオライトの構成元素として含有し、チタン及び／又はコバルトに対するケイ素の原子比が約５〜約１０００、かつ制御指数が約０．８〜約１２のゼオライトを使用する。 - 特許庁

In the electrostatic charge image developing toner containing a binder resin and a colorant, a zirconium element is incorporated into the toner at 0.01 to 0.5 atomic%, based on the total element constituting the toner and thereby the electrostatic charge image developing toner making the low-temperature fixability, the mechanical strength and the electrostatic chargeability as the toner compatible with each other and having the high reliability in use can be provided.例文帳に追加

結着樹脂、着色剤を含有する静電荷像現像用トナーにおいて、トナーを構成する全元素に対して、ジルコニウム元素を０．０１〜０．５ａｔｏｍｉｃ％含有することにより、トナーとしての低温定着性と機械強度、帯電性を両立して、使用時の信頼性の高い静電荷像現像用トナーを提供することができる。 - 特許庁

A formation method of a silicone oxide film comprises a step of depositing a polysilicon film on a substrate and a step of forming the silicon oxide film on the surface of the polysilicon film by exposing the surface of the polysilicon film to an atomic oxygen O* formed by exciting a plasma with a microwave to a mixed gas composed of a gas including oxygen and an inert gas mainly composed of a Kr gas.例文帳に追加

シリコン酸化膜の形成方法は、基板上にポリシリコン膜を堆積する工程と、 前記ポリシリコン膜の表面を、酸素を含むガスとＫｒガスを主体とする不活性ガスとよりなる混合ガスにマイクロ波によりプラズマを励起することで形成される原子状酸素Ｏ*に曝すことにより、前記ポリシリコン膜の表面にシリコン酸化膜を形成する工程とよりなる。 - 特許庁

This new topograph measuring method and its device are characterized by detecting the electrostatic force working between the cantilever and the sample, and feeding back a cantilever bias potential at which the electrostatic force becomes minimum to the cantilever, in the noncontact type atomic force microscope for scanning the sample surface by the cantilever to execute measurement, while maintaining an attraction gradient between the cantilever and the sample constant.例文帳に追加

本発明による新トポグラフ測定方法およびその装置は、カンチレバーと試料間の引力勾配を一定に維持しながらカンチレバーで試料表面を走査することにより計測する非接触型原子間力顕微鏡において、カンチレバーと試料間に作用する静電気力を検出し、該静電気力が最小となるカンチレバーバイアス電位をカンチレバーにフィードバックすることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a new cantilever for processing, wherein a great number of fine grooves are simultaneously processed with high accuracy by probes as a great number of cutting blades, in order to drastically shorten a process time for forming fine shapes by using functions of an atomic force microscope on a three-dimensional surface including a curved face.例文帳に追加

曲面を含んだ３次元形状の表面に原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）の機能を利用して微細形状を形成するときの加工時間を大幅に短縮することを目的とし、そのために多数の切れ刃となるプローブ（探針）によって多数の微細溝を同時に高精度で加工できる新規な加工用カンチレバーを工夫すること。 - 特許庁

To improve the operability in the case of measuring by taking out the sampler monitoring material to transfer the same to the general-purpose test tube glass column monitoring, and to make it possible to monitoring the integrated radiation doses by repeatedly using the monitoring material, at the time of monitoring the iodine in the atomic facility etc.例文帳に追加

原子力施設等においてヨウ素をモニタリングする際、モニタリング用サンプラモニタリング材を取り出し、汎用の放射線測定器のガラスカラムに移して測定する場合の取扱性の向上と繰り返し利用による積算放射線量のモニタリングを可能にさせることを技術的な課題とするものである。 - 特許庁

The magnetic recording medium having a magnetic layer on a substrate is characterized in that the magnetic layer is formed by sequentially applying oxidation processing and annealing under a non-oxidizing atmosphere to the alloy containing Fe and Pt and the atomic ratio (Fe/Pt) of Fe and Pt in the alloy is 50/50 to 65/35.例文帳に追加

支持体上に磁性層を有する磁気記録媒体であって、前記磁性層が、ＦｅとＰｔとを含む合金に酸化処理および非酸化性雰囲気下でのアニール処理を順次施して形成され、前記合金におけるＦｅとＰｔとの原子比（Ｆｅ／Ｐｔ）が、５０／５０〜６５／３５であることを特徴とする磁気記録媒体である。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device includes a step of forming an insulation film on the semiconductor substrate, a step of dry-etching the insulation film by a dry process, and a step of removing the damaged layer occurring on the semiconductor substrate by the dry etching by thermally decomposed atomic hydrogen at a predetermined temperature.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を、ドライ工程によりエッチングする工程と、前記エッチングにより前記半導体基板上に生じたダメージ層を、熱分解した原子状の水素により、所定の温度下で除去する工程とを含む。 - 特許庁

To solve a problem that when an apparatus for forming an HfO_2 (hafnium oxide) film by an ALD (Atomic Layer Deposition) method supplies TEMAH and O_3 alternately to a reaction chamber to form the HfO_2 film, the TEMAH receives heat in the reaction chamber to be decomposed and then an Hf film is formed in a TEMAH supply nozzle and peels to become particles.例文帳に追加

ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によりＨｆＯ_2（ハフニウムオキサイド）膜を形成する装置にてＴＥＭＡＨとＯ_3を交互に反応室へ供給することにより、ＨｆＯ_2膜が形成される場合にＴＥＭＡＨが反応室内の熱を受け加熱分解し、ＴＥＭＡＨ供給ノズル内でＨｆ膜が形成され、前記Ｈｆ膜が剥がれパーティクルという課題を解決する。 - 特許庁

To provide a sample pre-processing technique for locally cutting out the place desired to be analyzed of a device to form a needle-like projection, and a technique capable of subjecting even a sample having a multilayered structure, which contains an element layer of a small evaporation electric field in the circumstances described hereinbelow, to sequential stable ion evaporation to enable SAP analysis of an atomic level.例文帳に追加

本発明が解決しようとする課題は、デバイスの分析したいところを局所的に切出して針状突起にする試料予備加工の技術を提示すると共に、後述する事情の中で小さな蒸発電界の元素層を含む多層構造の試料であっても順次の安定したイオン蒸発を可能とし、原子レベルのＳＡＰ分析を可能とする技術を提供することにある。 - 特許庁

To prevent reattachment of chips produced during modification by removal to a substrate in a step of removing defective portions remaining so as to be different from a state expected by design against a design in a light shielding film Cr, an absorbing film TaN, a phase film MoSi left without being removed in the process and the substrate Qz by using a probe of an atomic force microscope.例文帳に追加

プロセス工程で除去されず残ってしまった遮光膜Ｃｒ、吸収膜ＴａＮ、位相膜ＭｏＳｉ、や基板Ｑｚの設計とは異なり残留した欠陥部分を原子間力顕微鏡の探針を用いて除去する工程において、除去修正時に発生する削り屑の基板への再付着を防止する。 - 特許庁

The GaSb-based phase changing type recording film with a low melting point comprising an Sb-based alloy comprising 5-20% Ga in terms of atomic%, in addition, less than 5 to <20% In, and remaining part being Sb and inevitable impurities, and the target for forming the GaSb-based phase changing type recording film by sputtering, are provided.例文帳に追加

原子％でＧａ：５〜２０％を含有し、さらにＩｎ：５〜２０％未満を含有し、残部がＳｂおよび不可避不純物からなるするＳｂ基合金からなる融点の低いＧａＳｂ系相変化型記録膜、並びにこのＧａＳｂ系相変化型記録膜をスパッタリングにより形成するためのターゲット。 - 特許庁

The carbon black for a black matrix is obtained by using a substrate comprising the functional groups on the surface of a carbon black oxidized in such a manner as to give an atomic ratio of total oxygen atoms to total carbon atoms determined by the X-ray photoelectron spectroscopy (oxygen bond energy strength/carbon bond energy strength) of at least 0.1:1, and chemically modifying its epoxy groups through epoxidation.例文帳に追加

Ｘ線光電子分光法により測定した全炭素原子当たりの全酸素原子の原子比（酸素結合エネルギーの強度／炭素結合エネルギーの強度）が０．１以上に酸化処理されたカーボンブラック表面の官能基を基幹として、エポキシ化によりエポキシ基が化学修飾されてなるブラックマトリックス用カーボンブラック。 - 特許庁

A sliding member has, on its sliding surface, a thin coating film having a hydrogen content of less than 30 atomic %, the thin film being composed of a diamond-like carbon film or an amorphous carbon film, that are prepared by the plasma source ion injection process, wherein ions are injected by forming a plasma around a base material 3 and applying a negative pulse voltage to the base material.例文帳に追加

基材３の周囲にプラズマを形成し、基材に負のパルス電圧を印加することによってイオン注入を行うプラズマソースイオン注入法により作製したダイヤモンドライクカーボン膜あるいは非晶質カーボン膜であって、水素含有量が３０原子％未満である薄膜を摺動面に被覆した。 - 特許庁

The ink set comprises at least a black ink and a yellow ink, wherein: the black ink contains, as a colorant, carbon black in which at least one hydrophilic group is bonded to the surface of each carbon black particle directly or through another atomic group; and the yellow ink contains, as a colorant, a compound represented by general formula (I).例文帳に追加

少なくとも、ブラックインクとイエローインクとを含むインクセットであって、前記ブラックインクが色材として、カーボンブラック粒子の表面に少なくともひとつの親水性基が直接又は他の原子団を介して結合しているカーボンブラックを含有し、前記イエローインクが色材として、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含有することを特徴とするインクセット。 - 特許庁

To provide a method for producing a high performance material by which a crystals constituting a material such as a semiconductor can be refined and further grown in such a manner that the crystal orientation is made uniform without deforming the shape of the material and adding impurities thereto and a compositional gradient structure on an atomic scale can be formed.例文帳に追加

半導体などの材料を構成している結晶を、材料の形状を変形させたり、不純物を添加したりすることなく、微細化し、更には結晶方位を揃えて結晶を成長させること、および原子スケールの組成傾斜構造を形成させることができる高性能材料の製造方法を提供する。 - 特許庁

The rhodopsin prepared from the eyeball of a cow is crystallized, a mercury derivative is prepared using a long time, six diffraction data are measured from only one crystal by MAD method (a measuring method by changing wavelength especially using radiated light from a SPring-8 and a beamline with a trichromator), and a crystal structure of GPCR can be analyzed by atomic resolution.例文帳に追加

牛の眼球から調製したロドプシンを結晶化した後、長時間かけて水銀誘導体を調製し、その後ＭＡＤ法（特に、ＳＰｒｉｎｇ−８の放射光とトリクロメータを備えたビームラインを使って波長を変えて測定する方法）を使って、ただひとつの結晶から６つの回折データを測定することにより、原子分解能でＧＰＣＲの結晶構造解析に成功した。 - 特許庁