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block (programming)の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 44件
MEMORY CELL PROGRAMMING METHOD FOR SIMULTANEOUSLY PROGRAMMING MANY MEMORY BLOCK GROUPS, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
多数のメモリブロックグループを同時にプログラミングするメモリセルプログラミング方法及び半導体装置 - 特許庁
To provide a memory cell programming method for simultaneously programming many memory block groups, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加
多数のメモリブロックグループを同時にプログラミングするメモリセルプログラミング方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁
METHOD FOR PROGRAMMING EVENT-DRIVEN TYPE FUNCTION BLOCK, AND PROGRAM RECORDING MEDIUM例文帳に追加
イベント駆動型ファンクションブロックのプログラミング方法とプログラム記録媒体 - 特許庁
PARTIAL BLOCK DATA PROGRAMMING AND READING OPERATIONS IN NONVOLATILE MEMORY例文帳に追加
不揮発性メモリにおける部分的ブロックデータのプログラミング動作および読出し動作 - 特許庁
PARTIAL BLOCK DATA PROGRAMMING AND READING OPERATION IN NON-VOLATILE MEMORY例文帳に追加
不揮発性メモリにおける部分的ブロックデータのプログラミング動作および読出し動作 - 特許庁
COMPRESSION PROGRAMMING METHOD USING BLOCK SORT COMPRESSION ALGORITHM, PROCESSOR SYSTEM USING THE PROGRAMMING METHOD AND METHOD FOR INFORMATION DISTRIBUTION SERVICE例文帳に追加
ブロックソート圧縮アルゴリズムを用いた圧縮プログラミング方法、該圧縮プログラミング方法を用いたプロセッサシステム及び情報配信サービス方法 - 特許庁
DISPLAY SWITCHING METHOD FOR LADDER PROGRAM INCLUDING FUNCTION BLOCK CALLING INSTRUCTION AND PROGRAMMING DEVICE例文帳に追加
ファンクションブロック呼び出し命令を含むラダープログラムの表示切替方法及びプログラミング装置 - 特許庁
To realize a programming including execution control by branch conditions, without lowering the readability in the circumstance of Function Block Diagram (FBD) language programming.例文帳に追加
FBD言語プログラミングの環境において、分岐条件による実行制御を含んだプログラミングを可読性を下げることなく実現することにある。 - 特許庁
To update data in less than all of the pages of a non-volatile memory block, by programming new data on unused pages of either the same block or other block.例文帳に追加
同じブロックまたは別のブロックのいずれかのブロックの未使用ページに新しいデータをプログラムすることにより、不揮発性メモリブロックのページのすべてよりも少ないページ数でデータを更新する。 - 特許庁
In programming, the program potential Vpgm and transfer potential Vpass are not applied to the word lines WL<0>, WL<1>, WL<2>, WL<3> in the second block.例文帳に追加
プログラミング時に、第二ブロック内のワード線WL<0>,WL<1>,WL<2>,WL<3>にプログラム電位Vpgm及び転送電位Vpassが印加されない。 - 特許庁
High parallelism is maintained in a small adaptive meta block by programming two or more adaptive meta blocks at the same time.例文帳に追加
同時に2つ以上の適応メタブロックをプログラムすることによって、小さな適応メタブロックで高い並列性を維持する。 - 特許庁
A programming apparatus comprises a work block definition unit 41, a process flow editing unit 42 and a control program generating unit 43.例文帳に追加
プログラム作成装置は、作業ブロック定義部41と、工程フロー編集部42と、制御プログラム生成部43とを備える。 - 特許庁
To provide a programming method of a flash memory device including at least one memory block having memory cells in which word lines and bit lines are arranged.例文帳に追加
ワードラインとビットラインで配列されたメモリセルを有する少なくとも一つのメモリブロックを含むフラッシュメモリ装置のプログラム方法を提供する。 - 特許庁
In the read operation, the selection gates can be formed perfectly to the off-state by programming the selection gates in the non-selection memory block, and the leakage current of the non-selection block at the read operation can be suppressed.例文帳に追加
読み出し時には、非選択のメモリブロック内の選択ゲートをプログラムすることにより、選択ゲートを完全にオフ状態にすることができ、読み出し時の非選択ブロックにおけるリーク電流を抑制できる。 - 特許庁
To provide a means for automatically converting a work flow evaluated by an IDEF to a function block for exactly performing a work evaluation on the prestage and the preparation of the function block while saving labor in the case of programming by using the function block.例文帳に追加
ファンクションブロックを用いてプログラミングする場合の前段階での作業評価とファンクションブロックの作成とを、手間がかからず的確に実行可能とするため、IDEFで評価した作業フローをファンクションブロックに自動変換する手段を提供する。 - 特許庁
To provide a program development support device for a safety controller capable of preventing a programming mistake such as arranging a function block in an inappropriate position, and easily finding a mistake in case such a programming mistake occurs.例文帳に追加
ファンクションブロックを不適切な位置に配置すると言ったプログラミングミスが生じ難く、かつそのようなプログラミングミスが生じた場合には、そのことを容易に発見することが可能な安全コントローラのプログラム開発支援装置を提供すること。 - 特許庁
To provide a method for programming a nonvolatile memory having at least one memory block with memory cells located at the intersections of rows and columns.例文帳に追加
行と列の交差領域に配列されたメモリセルを有する少なくとも一つのメモリブロックを含む不揮発性メモリ装置をプログラムする方法が開示されている。 - 特許庁
Programming related to the specification of block data transfer for video and image processing algorithm is substantially reduced using these templates.例文帳に追加
ビデオおよび画像処理アルゴリズムに対するブロックデータ転送を規定することにかかわるプログラミングは、これらのテンプレートを用いることによって実質的に減じられる。 - 特許庁
When programming CBC mode, note that the PlaintextXorMask must be set to the IV (or the previous ciphertext, if the ciphertext being attacked is not in the first block). 例文帳に追加
CBCモードのプログラミングでは、 PlaintextXorMask は初期化ベクトル(あるいは攻撃している暗号文が最初のブロックでない場合には、前の暗号文)にセットしなくてはならない。 - Electronic Frontier Foundation『DESのクラック:暗号研究と盗聴政策、チップ設計の秘密』
To provide a program development support device for safety controller capable of preventing a programming error such as arranging a function block in an inappropriate position, and in an inappropriate order, when such a programming error arises, to easily find the fact, and also to facilitate parameter verification of an output condition function block in a program after completion.例文帳に追加
ファンクションブロックを誤った位置に配置したり、誤った順序で配置すると言ったプログラミングミスが生じ難く、かつそのようなプログラミングミスが生じた場合には、そのことを容易に発見することができ、しかも完成後のプログラムにおける出力条件ファンクションブロックのパラメータ検証も容易とすること。 - 特許庁
When a block is selected by a block selecting means, nonselect blocks among a plurality of blocks are not influenced by the operation of a selected block and all row line means, not connected with a selected block, are set at 0 V at the time of reading out data or data programming.例文帳に追加
そして、上記ブロック選択手段によるブロックの選択時、上記複数のブロックのうちの非選択ブロックは、上記選択されたブロックの動作による影響を受けず、上記選択ブロックに接続されない上記行線手段の全ては、データ読み出し時またはデータプログラム時に0Vに設定されることを特徴としている。 - 特許庁
A cause and effect function block, which can be easily integrated into a function block diagram programming environment in a process plant safety system to implement a cause and effect logic, includes a set of cause inputs and a set of effect outputs.例文帳に追加
プラント安全システムの機能ブロックダイヤグラムプログラミング環境に容易に組み込んで、原因結果ロジックを実装するための原因結果機能ブロックは、原因入力の集合と結果出力の集合とを含んでいる。 - 特許庁
To reduce a time required for programming to improve working efficiency by detecting improper notation of a block diagram before generating a program code from the block diagram, in a software development support device automatically generating a program by a computer language based on the block diagram.例文帳に追加
本発明は、ブロック図に基づいて計算機言語によるプログラムを自動生成するソフトウェア開発支援装置おいて、ブロック図からプログラムコードを生成する前に、不適切なブロック図の表記を検出することにより、プログラミングに要する時間を短縮して作業効率を高めることを目的としている。 - 特許庁
As the global fuse circuit is used also for programming a delay element in the clock control circuit, delay in the clock control circuit is made substantially same as delay in the data block.例文帳に追加
グローバル・ヒューズ回路は、クロック制御回路内の遅延素子をプログラムする際にも用いるので、クロック制御回路およびデータ・ブロック内の遅延は本質的に同一となる。 - 特許庁
To provide a NAND flash memory device and a method of programming the same which are capable of rising a boosting level of a channel by isolating each source line of a flash memory cell block and controlling the each source line per block.例文帳に追加
フラッシュメモリセルブロックそれぞれのソースラインを分離し、それぞれのソースラインをブロック単位で制御することにより、チャンネルのブーストレベルを上昇させることが可能なNANDフラッシュメモリ素子及びそのプログラム方法を提供する。 - 特許庁
To provide a programming description generation device for hardware verification for generating an operation model to be accurately verified with cycle precision regardless of the sequence of the calculation of calculation formula showing the operation of a function block as descriptions with which hardware is expressed in general-purpose programming language.例文帳に追加
ハードウェアを汎用プログラミング言語で表現した記述として、機能ブロックの動作を示す計算式を計算する順番によらず、サイクル精度で正確に検証する動作モデルを生成することができるハードウェア検証用プログラミング記述生成装置を得る。 - 特許庁
In a laser processing process, the electrode pattern formation programming area of a dielectric block 1 is irradiated with a laser beam to remove prescribed thickness from the electrode pattern formation programming area, and in a succeeding surface correction process, a dielectric part deteriorated by laser beam irradiation is removed or repaired.例文帳に追加
レーザ加工工程で誘電体ブロック1の電極パターン形成予定領域にレーザビームを照射して電極パターン形成予定領域を所定厚み分除去し、続く表面修正工程で、レーザビームの照射によって変質した誘電体部分の除去または修復を行う。 - 特許庁
A control system, safety system, etc. within a process plant may each use one of more state machine function blocks that can be easily integrated into a function block diagram programming environment.例文帳に追加
プロセスプラント内の制御システム、安全システムなどは、それぞれ、機能ブロックダイアグラムプログラミング環境と容易に一体化させられうる一または複数の状態マシン機能ブロックを用いうる。 - 特許庁
In an arithmetic block BL1, a cold water valve opening θC, a hot water valve opening θH and the humidifier operating rate M required are found according to a mathematical programming type model prediction control method.例文帳に追加
演算ブロックBL1において、数理計画型モデル予測制御方法に従って、必要とされる冷水弁開度θC,温水弁開度θHおよび加湿器稼働率Mを求める。 - 特許庁
A delay time control signal generating section 21b generates three delay time control signals for programming the delay time of each delay element included in the same delay block 24a, 24b, 24c.例文帳に追加
遅延時間制御信号生成部21bは、同じ遅延ブロック24a、24b、24cに含まれる遅延素子ごとにそこでの遅延時間をプログラムするための3つの遅延時間制御信号を生成する。 - 特許庁
To provide one or more state machine functional blocks which can be used in a control system, a safety system, etc. in a process plant and which can easily be integrated in a functional block diagram programming environment.例文帳に追加
プロセスプラント内の制御システム、安全システム等に於いて使用され得る、機能ブロックダイヤグラムプログラミング環境に容易に統合し得る一又はそれ以上の状態マシン機能ブロックを提供する。 - 特許庁
Then an electrode film 10 is plated on the surface of the dielectric block in an electrode film formation process, and in a facing process, a projected part other than the electrode pattern formation programming area is removed by removing the prescribed thickness from the surface of the dielectric block to pattern the electrode film 10.例文帳に追加
その後、電極膜形成工程で誘電体ブロック表面に電極膜10をメッキし、面出し工程で誘電体ブロック表面の所定厚み分の除去によって電極パターン形成予定領域以外の突出部を除去して電極膜10をパターンニングする。 - 特許庁
The program development support device incorporates a mechanism for guiding an arrangement of each function block to a corresponding column so that each function block is arranged to a specific column determined according to the kind when a plurality of the kinds of function blocks are respectively arranged on a programming field.例文帳に追加
複数種のファンクションブロックのそれぞれをプログラミングフィールド上に配置するに際して、各ファンクションブロックが、その種別に応じて決められた特定の列に配置されるように、各ファンクションブロックの該当する列への配置を誘導するための仕組みが組み込まれている。 - 特許庁
The semiconductor device further integrating and systemizing a plurality of integrated circuits different in functions such as a dram block 1, a logic circuit block 2 and an analog circuit block 3 is provided with a test control circuit 4 controlling input of a test signal to each integrated circuit, and a fuse programming circuit block 5 restricting the input of the test signal to each integrated circuit from the test control circuit 4.例文帳に追加
DRAMブロック1、論理回路ブロック2、アナログ回路ブロック3など機能の異なった複数の集積回路をさらに集積してシステム化した半導体装置であって、各々の集積回路へのテスト信号の入力を制御するテストコントロール回路4と、このテストコントロール回路4から各集積回路へのテスト信号の入力を所定の集積回路の1つに限定するヒューズプログラミング回路ブロック5とを設ける。 - 特許庁
After the completion of first programming starting from the first memory address of a nonvolatile memory array 220, a second address 208 from the last functioning as a protective register is set and made to correspond to the number of a protective block 210.例文帳に追加
非揮発性メモリアレイ220の第1のメモリアドレスから始まる最初のプログラミングの完了後に、保護レジスタとして働く最後から2番目のアドレス208がセットされて、保護ブロック210の番号と対応する。 - 特許庁
The repair circuit comprises: a repair address detection part for determining the presence of a defect on the basis of a plurality of test data signals output from a memory block and storing an address corresponding to a memory block determined to be defective; and an anti-fuse part for electrically programming repair addresses stored in the repair address detection part.例文帳に追加
メモリブロックから出力される複数のテストデータ信号によって不良の可否を判断し、不良と判断されたメモリブロックに該当するアドレスを格納するリペアアドレス検出部と、リペアアドレス検出部に格納されたリペアアドレスを電気的にプログラミングするアンチヒューズ部とを備えることを特徴とする。 - 特許庁
A programming method of the nonvolatile data storage device including a plurality of memory blocks sharing one block word line includes the steps of: selecting the plurality of memory blocks, applying program voltage to a selected word line of a memory block in which the program is executed among the plurality of memory blocks, and applying bipolar-prohibited voltage to a word line of a memory block in which a program in the plurality of memory blocks is prohibited.例文帳に追加
一つのブロックワードラインを共有する複数のメモリブロックを含む不揮発性データ貯蔵装置のプログラム方法は、前記複数のメモリブロックを選択する段階と、前記複数のメモリブロックの中でプログラムが実行されるメモリブロックの選択されたワードラインにプログラム電圧を印加する段階と、前記複数のメモリブロックの中のプログラムが禁止されるメモリブロックのワードラインにバイポーラ禁止電圧を印加する段階とを含む。 - 特許庁
The method of operating the nonvolatile memory includes steps of backing up first data successfully programmed to a first target page of the nonvolatile memory to provide local back-up data; determining success/failure of programming of second data to the first target page; and programming the local back-up data to a second target page in a second block of the nonvolatile memory.例文帳に追加
ローカルバックアップデータを提供するために不揮発性メモリの第1ブロックの第1ターゲットページに成功的にプログラムされた第1データをバックアップする段階と、第1ターゲットページでの第2データのプログラミングの成敗を決定する段階と、ローカルバックアップデータを不揮発性メモリの第2ブロックの第2ターゲットページにプログラミングする段階と、を含む不揮発性メモリの動作方法を提供する。 - 特許庁
The method for operating the memory system including a flash memory device includes: programming at least one page belonging to a selected memory block of the flash memory device; and determining the selected memory block or the flash memory device to be invalid according to whether the number of times of a loop of the programmed page is out of a reference loop range.例文帳に追加
フラッシュメモリ装置を含むメモリシステムの動作方法において、前記フラッシュメモリ装置の選択されたメモリブロックに属する少なくとも一つのページをプログラムする段階と、前記プログラムされたページのループ回数が基準ループ範囲を外れるか否かに従って、前記選択されたメモリブロック又は前記フラッシュメモリ装置が無効であることを決定する段階とを有する。 - 特許庁
For eliminating necessity of copying the pages of an unchanged data to a new block or programming a flag in the page of replaced data, the pages of new data are identified by the same logical address as the pages of replaced data, and a time stamp showing when each page is written is written.例文帳に追加
無変化のデータページを新しいブロックの中へコピーしたり、置換されたデータページの中へフラグをプログラムしたりする必要がないようにするために、この新しいデータページは、置換されたデータページと同じ論理アドレスにより特定され、各ページがいつ書込まれたかを記すタイムスタンプが付加される。 - 特許庁
The programming method includes that program voltage is applied to a selected word line out of word lines, first pass voltage is applied to at least one word line being adjacent to the selected word line, and second pass voltage is applied to the most outer block word line out of word lines.例文帳に追加
本発明のプログラム方法は、ワードラインのうち選択されたワードラインにプログラム電圧を印加し、選択されたワードラインに隣接する少なくとも一つのワードラインに第1パス電圧を印加し、ワードラインのうち最外郭ワードラインに第2パス電圧を印加することを含む。 - 特許庁
In the nonvolatile semiconductor memory device for programming memory cells which have a first or a second logic status, and for deleting them in sector units in accordance with input data having a plurality of bit information, the memory cell transistors of cell array block and transistors of column decoder block have a plurality of sectors which are formed by sharing a bulk area, to provide a sector structure formed of the shared bulk.例文帳に追加
第1または第2論理状態を有するメモリセルを、複数のビット情報を有する入力データに応じてプログラムしセクタ単位に消去する不揮発性半導体メモリ装置において、セルアレイブロックのメモリセルトランジスタとコラムデコーダーブロックのトランジスタが一つのバルク領域を共有して形成されたセクタを複数有し、共有バルクで形成されたセクタ構造を有する半導体メモリ装置とした。 - 特許庁
This configuration data updating device for updating a configuration ROM to be applied for configuring the large-scaled integrated circuit having a regular logical block structure capable of programming including an FPGA is provided with a means 36 for backing up the data of the configuration ROM before update.例文帳に追加
FPGAを含むプログラミングが可能な規則的な論理ブロック構造を有する大規模集積回路のコンフィグレーションを行うのに適用されるコンフィグレーションROMを更新するためのコンフィグレーションデータ更新装置において、前記コンフィグレーションROMの更新前のデータをバックアップする手段36を備えた。 - 特許庁
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| この対訳コーパスは独立行政法人情報通信研究機構の集積したものであり、Creative Commons Attribution-Share Alike 3.0 Unportedでライセンスされています。 |
原題:”Cracking DES: Secrets of Encryption Research, Wiretap Politics, and Chip Design ” 邦題:『DESのクラック:暗号研究と盗聴政策、チップ設計の秘密』 | This work has been released into the public domain by the copyright holder. This applies worldwide. 日本語版の著作権保持者は ©1999 山形浩生<hiyori13@alum.mit.edu>である。この翻訳は、全体、部分を問わず、使用料の支払いなしに複製が認められる。 |
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