「comparing element」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

When the position of the lens is deviated, the control part 108 detects position deviation of the lens by comparing a difference between a current position of the lens transmitted by the Hall element 308 and the stored position of the lens.例文帳に追加

レンズの位置がずれたとき、制御部１０８は、ホール素子３０８が伝えた現在のレンズの位置と、記憶したレンズの位置との差分を比較して、レンズの位置ずれを検出する。 - 特許庁

To provide bonding wire whose high-frequency resistance can be reduced comparing to single-wire bonding wire and that can be applied for connection between a semiconductor element designed for high-frequency and wiring electrodes or the like.例文帳に追加

単線のボンディングワイヤに比べて高周波抵抗を低減できるようにすると共に、高周波対応の半導体素子と配線電極等との接続に応用できるようにする。 - 特許庁

The presence/absence of a camera-shake is detected by comparing a principal object of an image acquired from an imaging element at a prescribed point of time with a principal object of an image acquired before the prescribed point of time.例文帳に追加

撮像素子から所定時点に取得された画像の主被写体と所定時点以前に取得された画像の主被写体とを比較することで、手ぶれの有無を検出する。 - 特許庁

The cell voltage detection circuit detects reduction in an output voltage of a lithium cell 11 by comparing the output voltage with a threshold (voltage detection level) of a voltage detection element 13.例文帳に追加

電池電圧検出回路は、リチウム電池１１の出力電圧の低下を、その出力電圧を電圧検出素子１３の閾値（電圧検出レベル）と比較することで検出する。 - 特許庁

A second resistor R5 connected in series with the second switching element Q6 generates a voltage proportional to the load current, and detects the overcurrent by comparing the voltage with the threshold voltage.例文帳に追加

第２のスイッチング素子Ｑ６に直列に接続した第２の抵抗Ｒ５にて負荷電流に比例した電圧を生成し、前記しきい値電圧と比較して過電流を検出する。 - 特許庁

A hysteresis comparator 10 outputs a rectangular signal Vrct, while comparing the first sine wave signal Vs1 with the second sine wave signal Vs2 output from the Hall element 120.例文帳に追加

ヒステリシスコンパレータ１０は、ホール素子１２０から出力される第１正弦波信号Ｖｓ１と第２正弦波信号Ｖｓ２とを比較し、方形波信号Ｖｒｃｔを出力する。 - 特許庁

An input switching circuit 16 controls an order of entering the input analog signal Vin and a reference voltage Vref into a voltage comparing element constituting the circuit 12.例文帳に追加

入力切替回路１６は、入力アナログ信号Ｖｉｎおよびリファレンス電圧ＶｒｅｆのＡＤ変換回路１２を構成している電圧比較素子への入力順番を制御する。 - 特許庁

Then, this device is provided with a step for calculating the drop probability related with the packet being any probability that the packet is dropped from the element and a step for comparing the drop probability with the random number, and when the drop probability is greater than the random number, the packet is dropped from the element.例文帳に追加

次に、パケットがエレメントから失われる確率である、パケットに関する廃棄確率を計算するステップを備え、廃棄確率を乱数と比較するステップをもち、廃棄確率が乱数より大きい場合にエレメントからパケットを廃棄する。 - 特許庁

This method of monitoring the wear of the driving device, characterized by recording the first value which is the driving degree of at least one driving machine element, recording the second value which is the driven degree of at least one driven machine element, and comparing the recorded values with each other.例文帳に追加

少なくとも一つの駆動を行う機素の駆動の度合いである第一の値を記録すること、少なくとも一つの駆動される機素の駆動の度合いである第二の値を記録すること、記録した値を比較することから成る方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of improving a gate breakdown voltage comparing to the conventional identically sized semiconductor device, reducing an area of element isolation region by making an element isolation layer the structure including no bird's beak to miniaturize the element, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

従来の同一サイズの半導体装置と比較してゲート耐圧を向上させるとともに、素子分離層をバーズビークを含まない構造とすることにより素子分割領域の面積を縮小し、素子の微細化を図ることができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, a second gas species specifying part 53 discriminates the gas species of the reducing gas by comparing the output voltage V of the sensor element 10 stored in an atmospheric output voltage memory part 52 with the output voltage V of the sensor element 10 accompanying the temperature change of the heater coil 12.例文帳に追加

また、第２ガス種特定部５３は、大気中出力電圧記憶部５２に記憶されたセンサ素子１０の出力電圧Ｖと、ヒータコイル１２の温度変化に伴うセンサ素子１０の出力電圧Ｖとを比較して還元性ガスのガス種を識別する。 - 特許庁

A multifunctional peripheral device 1 obtains color image data of an original G to be copied by a color pre-scan processing (S3) and specifies the component attributes of each component picture element, by comparing color data of each component picture element which constitutes the color image data and reference data for distinction (S6).例文帳に追加

多機能周辺装置１は、カラープレスキャン処理（Ｓ３）により、当該原稿Ｇのカラー画像データを取得し、カラー画像データを構成する各構成画素の色データと、判別基準データとを比較することで、各成分画素の成分属性を特定する（Ｓ６）。 - 特許庁

When a communication section 34 performs transmitting receiving operations, the comparing circuit 41 turns off a switching element 63 and disconnects the connection to the determining circuit 62 to cancel the function of the irradiation detecting section 53.例文帳に追加

制御回路４１は、通信部３４で送受信動作を行っている場合はスイッチング素子６３をオフさせ、判定回路６２との接続を切断して照射検出部５３の機能を無効化する。 - 特許庁

Furthermore, the variation of distance between the magnet and the magneto-resistive element, i.e. tilting of the rotational body, can be detected by comparing peak values of P1, P3, P5, ..., P95 with prior peak values of the same numbers.例文帳に追加

さらに交流波形Ｓのピーク値Ｐ１，Ｐ３，Ｐ５，・・・Ｐ９５を前回の同じ番のピーク値と比較することで、磁石と磁気抵抗効果素子の距離の変動、すなわち回転体の傾きを検出できる。 - 特許庁

A personal information identifying means 22 is constituted as a network element for comparing the subscriber information of a called party, in a calling message with the subscriber information stored in the personal information storing means 21.例文帳に追加

個別情報識別手段２２は、発呼メッセージ中にある被呼者の加入者情報と、個別情報記憶手段２１に蓄積された加入者情報との比較を行うネットワーク要素である。 - 特許庁

A break failure detecting section 16 detects the break failure by comparing the off-gate current flowing from the gate G of the semiconductor element 12 to the gate driving circuit 13 with the robust current.例文帳に追加

断線故障検出部１６は、少なくとも半導体素子１２のゲートＧよりゲート駆動回路１３へ流れ込むオフゲート電流を健全時の電流と比較して断線故障を検出する。 - 特許庁

To prevent stress from being applied to a motor and a power element by determining the abnormality of a PWM command signal by comparing digital comparators and by prohibiting an output from a buffer circuit.例文帳に追加

本発明は、ＰＷＭ指令信号の異常をディジタルコンパレータの比較により判定し、バッファ回路からの出力を禁止して、モータ及びパワー素子へのストレス付加を防止することを目的とする。 - 特許庁

Therefore, the distance between the gate electrodes 24 and between the sidewalls 26 can be significantly shortened and an element area can be reduced comparing to a conventional FET, and thus higher integration of the FET can be achieved.例文帳に追加

したがって、従来のＦＥＴに比してゲート電極２４間およびサイドウォール２６間の距離を著しく縮小でき、素子面積を縮小でき、延いてはＦＥＴの高集積化が可能になる。 - 特許庁

The comparison part 24 evaluates the degree of non-satisfaction concerning the element indicating the ability value not meeting the level value of the model by comparing the measured ability value with the level value of the set model.例文帳に追加

比較部２４は、計測された能力値と、設定されたモデルのレベル値との比較により、モデルのレベル値に満たない能力値を示した要素につき、その満足しない程度を評価することもできる。 - 特許庁

This electronic apparatus is equipped with an impact detection element, a controller 21 for comparing the level of an impact detected by the detection element with a reference value, and a memory 22 in which, when the level of a detected impact exceeds the reference value, the controller 21 stores the state of the excessive impact.例文帳に追加

衝撃検知素子と、この衝撃検知素子によって検出した衝撃レベルを基準値と比較する制御器２１と、この制御器２１によって前記検出衝撃レベルが基準値を超えた過大衝撃時にその状態を記憶するメモリ２２とを備えた電子機器。 - 特許庁

As a result, insulation withstanding pressure between the cell region R1 where JFET is formed and a diode forming region R2 can be improved, because an oxide film for element isolation does not break comparing to the case where element isolation is performed by arranging the oxide film inside a trench.例文帳に追加

これにより、トレンチ内に酸化膜を配置して素子分離を行う場合と比べて、素子分離用の酸化膜が絶縁破壊されることが無いため、ＪＦＥＴが形成されるセル領域Ｒ１とダイオード形成領域Ｒ２との間の絶縁耐圧を向上できる。 - 特許庁

To allow electric potential of a midpoint of a magnetic resistance element to fluctuate by a temperature rise, and to allow a pulse duty of an output signal waveform of a comparing means to fluctuate by a temperature since a temperature characteristic of a resistance value of the magnetic resistance element and a temperature characteristic of a resistance value of a variable resistance are not the same.例文帳に追加

磁気抵抗素子の抵抗値の温度特性と可変抵抗の抵抗値の温度特性が同一でないため、温度上昇により磁気抵抗素子の中間点の電位が変動し、比較手段の出力の信号波形のパルスデューティが温度によって変動する。 - 特許庁

The element comprises a photoelectric conversion section that provides light receiving elements for receiving the input light signals in parallel and outputting an electric signal in which the output of each light receiving element is added; and a comparator for comparing the electric signal from the photoelectric conversion section with a prescribed voltage level.例文帳に追加

本素子は、入力光信号を受光する受光素子を並列に設け、各受光素子の出力を加算した電気信号を出力する光電変換部と、この光電変換部からの電気信号を所定の電圧レベルで比較するコンパレータとを設けたことを特徴とするものである。 - 特許庁

In the failure detector, a short-circuit failure detecting section 17 detects the short-circuit failure by comparing an on-gate current flowing from a gate driving circuit 13 of the semiconductor element 12 to a gate G or an off-gate current flowing from the gate G to the gate driving circuit 13 of the semiconductor element 12 with a normal current.例文帳に追加

短絡故障検出部１７は半導体素子１２のゲート駆動回路１３からゲートＧに流れ込むオンゲート電流または半導体素子１２のゲートＧよりゲート駆動回路１３へ流れ込むオフゲート電流を健全時の電流と比較して短絡故障を検出する。 - 特許庁

This image fetching function-equipped display device has: a pixel area 1 having a plurality of pixels; a photosensor element 2 provided in each the pixel; and a microcomputer 3 comparing largeness of a threshold value and largeness of a decision target value based on multi-gradation data in each the pixel corresponding to intensity of light received by the photosensor element 2 to perform the binary decision.例文帳に追加

画素を複数備えた画素領域１と、画素毎に設けられた光センサ素子２と、光センサ素子２で受けた光の強度に対応する画素ごとの多階調データに基づく判定対象値と閾値とを大小比較して２値判定するマイクロコンピュータ３とを備える。 - 特許庁

By comparing a difference between a temperature detected in a first temperature detection part provided near an amplification element and a temperature detected in a second temperature detection part provided away from the amplification element with a set temperature set inside a memory, whether or not the amplification element is normal is decided, and an alarm signal is outputted in the case that it is abnormal.例文帳に追加

増幅素子の近傍に設けられた第一の温度検知部で検出した温度と、増幅素子から離れたところに設けられた第二の温度検知部で検出した温度との差をメモリ内に設定してある設定温度と比較することにより増幅素子が正常であるか否か判断し、異常である場合にはアラーム信号を出力する。 - 特許庁

An improvement object prioritizing means 13 acquires the production time constituting element-based time information and the constituting element-based improvement candidate information, calculates an improvement effect for each component by comparing the production time constituting element-based time with the component-based improvement probability, and determines an improvement object which should be preferentially improved and the order thereof.例文帳に追加

改善対象優先順位付け手段１３は、生産時間構成要素別時間情報と構成要素別改善見込情報とを取得し、生産時間構成要素別時間と構成要素別改善見込とを比較して構成要素別に改善効果を算出し、優先的に改善に取り組むべき改善対象とその順番とを決定する。 - 特許庁

This circuit is a read-out circuit for a magnetic memory device reading out information recorded in a memory cell having a magneto-resistance element, and has a reference cell connected in series to the magneto-resistance element, and a comparator comparing a potential at a connection point of the magneto-resistance element and the reference cell with the reference potential.例文帳に追加

磁気抵抗素子を有するメモリセルに記録された情報を読み出す磁気メモリ装置の読み出し回路であって、前記磁気抵抗素子に対して直列に接続される参照セルと、前記磁気抵抗素子と前記参照セルとの接続点の電位と基準電位とを比較する比較器と、を有する磁気メモリ装置の読み出し回路。 - 特許庁

The differential output is binarized, by comparing the differential output of the mid-point electric potential (Va, Vb) of the magnetoresistive element pairs (1, 2) by a first comparator 4, in which a first threshold voltage Vth1 is set.例文帳に追加

各磁気抵抗素子対（１、２）の中点電位（Ｖａ、Ｖｂ）の差動出力を第１の閾値電圧Ｖｔｈ１が設定された第１の比較器４により比較することによって差動出力は２値化される。 - 特許庁

Thereby, in front and rear of movement of the magnetic body 4, different magnetic flux densities are detected by the detecting element 6, and whether the inclination sensor 1 is inclined or not is accurately detected by comparing the difference.例文帳に追加

これにより、磁石体４が移動する前と後では、検出素子６で検出される磁束密度が異なることになり、この違いを比較し傾斜センサ１が傾いているか否かを的確に検出することができる。 - 特許庁

Further, when an amplitude distribution design value of an element position to be monitored is grasped, whether a desired amplitude distribution is obtained can be discriminated by comparing amplitude quantities of signals obtained from monitor terminals 10 as to the respective subarrays.例文帳に追加

またモニタする素子位置の振幅分布設計値を把握していれば、モニタ端子１０から得た信号の振幅量を各サブアレイに関して比較を行い、所望の振幅分布となっているかを把握できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where an analog capacitive element is installed without substantially increasing the number of processes by comparing it with a semiconductor device itself where a logic circuit and a DRAM cell circuit are mixed, for example.例文帳に追加

例えば、ロジック回路とＤＲＡＭセル回路が混載される構成の半導体装置自体と比較して、工程数の実質的な増加を引き起こさないで、アナログ容量素子を付設する構成の半導体装置の提供。 - 特許庁

To detect the data to evaluate the way of singing of a singer with respect to the intrinsic singing melody information given by a MIDI message by executing singing evaluation in accordance with the degree of deviation of a singing value from a reference value with respect to a prescribed sound element in accordance with the output of a comparing means.例文帳に追加

ＭＩＤＩメッセージで与えられた基準歌唱メロディに対する歌唱音声のピッチ、レベル等の楽音要素のずれを検出する情報を改良し、歌唱評価の精度を上げる。 - 特許庁

A pulse width control circuit 24 controls the pulse width of a control signal Sc by comparing a value Ds obtained adding the waveform value to the output voltage value DVo with a reference value Dr and exerting on/off-control of the switch element SW.例文帳に追加

そして、パルス幅制御回路２４は、出力電圧値ＤＶｏに波形値を加算した値Ｄｓと基準値Ｄｒとを比較してスイッチ素子ＳＷをオンオフ制御する制御信号Ｓｃのパルス幅を制御する。 - 特許庁

Each processor element generates data obtained by fixing a digit designated when writing a numerical value characteristic to the processor element by a binary system to '0' or '1', compares the data generated by each processor element and a numerical value designated by an instruction code simultaneously through all the processor elements, and sets the comparing result to a flag included in the arithmetic control register.例文帳に追加

各プロセッサエレメントにて、プロセッサエレメントに固有の数値を２進法により表記させた際の、指定された位を“０”若しくは“１”に固定させたデータを生成し、上記の各プロセッサエレメントにて生成されたデータと、命令コードにより指定された数値を全プロセッサエレメントに渡って同時に比較し、比較結果を上記演算制御レジスタに含まれるフラグに設定する。 - 特許庁

By comparing preliminarily calculated signals specific to the joint of every kind, the bent part or cavity part or the like with the signal of voltage fluctuations, the constituent element or state of the piping 100 at each position is estimated.例文帳に追加

あらかじめ求めた各種継手部、屈曲部又は凹み等のそれぞれに特有の信号と電圧変動の信号とを比較することにより、各位置における配管１００の構成要素又は配管の状態を推定する。 - 特許庁

Then a clock S7 generated by delaying a clock CLK2 to be a standard by the selected delay element and a reference clock CLK1 have their frequencies divided by frequency dividing circuits 1 and 2 to the same frequency and a phase comparing circuit 3 compares the phases of both clocks.例文帳に追加

その後、被基準クロックCLK2を前記選択された遅延素子で遅延したクロックＳ７と、基準クロックCLK1とを、分周回路１、２で分周し、同一周波数として、この両クロックを位相比較回路３で位相比較する。 - 特許庁

A base station of a destination guiding system extracts and indicates the destination thought to be suitable for the specified moving body, by comparing accumulated information of the each moving body with a constitutional element of the specified vehicle.例文帳に追加

目的地案内システムの基地局は、蓄積した各移動体の情報と、特定の移動体の構成要素とを比較することにより、その移動体に適していると思われる目的地を抽出して指示することができる。 - 特許庁

In addition, authenticity is determined by comparing the characteristic information of the optical change element image placed on a card front surface and the characteristic information stored in the memory in the inside of the IC card, and access to other stored information in the inside of the memory is permitted.例文帳に追加

また、カード表面に設置された光学変化素子像の特性情報と、予めＩＣカード内部のメモリに記憶された特性情報を比較して真偽を判定し、前記メモリ内部の他の記憶情報へのアクセスを許可する。 - 特許庁

The change over circuit is equipped with a comparator for comparing the specified varying voltage with previously set reference voltage; and a switching element for sequentially applying voltage to the luminescent member based on the resulting voltage of the comparator.例文帳に追加

そして、前記切替回路は、所定の変化電圧とあらかじめ設定した基準電圧とを比較する比較器と、この比較器の結果信号に基づいて前記発光部材に順次電圧を印加するスイッチング素子とを備えている。 - 特許庁

The method includes a step for collecting a query signal (including reflected constitutional element) from the evaluated long structure, and for comparing the signal with a reference signal selected from a known geometric feature part stored in a database.例文帳に追加

本方法は、評価される長さのある構造物から問合せ信号（反射される構成要素を含む）を集め、その信号を、データベースに保管された既知の幾何学的特徴部から選択された基準信号と比較する段階を含む。 - 特許庁

To realized an organic EL element which has efficiency sufficient with just a mixed emission layer without performing precise doping in blue color area at low concentration, an emission life that can stand a practical use, and a manufacturing margin, can keep a drive voltage lower comparing with an EL element using a bipolar type mixture layer.例文帳に追加

青色の領域において低濃度での精密なドーピングを行うことなく混合発光層のみで十分な効率と、実用に耐えうる発光寿命、さらには広い製造マージンを持ち、しかも、バイポーラ型混合層を用いたＥＬ素子に比べると駆動電圧を低く抑えることの可能な有機ＥＬ素子を実現する。 - 特許庁

A recognizing device 1 of an optical reflecting element 2 is provided with an illuminating means 4 for radiating illuminating light, a photodetector 5 for receiving reflected light from the optical reflecting element 2, a signal processing part, an A/D converter, a memory and a CPU or the like and performs pattern recognizing processing by comparing image data with previously stored reference data.例文帳に追加

反射光学素子２の認識装置１は、照明光を照射する照明手段４、反射光学素子２からの反射光を受光する受光素子５、信号処理部、Ａ−Ｄ変換器、メモリ、ＣＰＵなどを備え、画像データと予め記憶された基準データとを比較してパターン認識処理を行う。 - 特許庁

The defect in the inspected image is detected locally in the defect detecting part 53, by comparing a picture element value included in a local area with a corresponding picture element value of the reference image, while moving two-dimensionally the local area of the inspected image after position-corrected from a corresponding position of the reference image.例文帳に追加

欠陥検出部５３では、位置補正後の被検査画像の局所領域を、参照画像の対応する位置から２次元的に移動しつつ局所領域に含まれる画素値と参照画像の対応する画素値とを比較することにより、被検査画像中の欠陥が局所的に検出される。 - 特許庁

The voltage detecting circuit for comparing a voltage to be detected with a reference voltage and outputting a signal, based on the result of comparison, includes an inverting amplifier circuit including an active element having a control terminal, a threshold voltage of which is no larger than the reference voltage, and the voltage to be detected is applied to the control terminal of the active element.例文帳に追加

検出すべき電圧を基準電圧と比較し、比較結果に基づいた信号を出力する電圧検出回路であって、制御端子のしきい値電圧が基準電圧以下である能動素子を含んだ反転増幅回路を含み、検出すべき電圧を能動素子の制御端子に入力するようにした。 - 特許庁