「crystallize」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

(c) A first laser pulse is emitted to be incident on a part of the silicon film to heat the silicon film, and, while a heat effect by the first laser pulse still remains, a second laser pulse is emitted to be incident on the same incident position to temporarily melt the silicon film at the incident position to crystallize the silicon film.例文帳に追加

（ｃ）前記シリコン膜の一部に、第１のレーザパルスを入射させて、該シリコン膜を加熱し、該第１のレーザパルスの熱的影響が残っている状態で、同一位置に第２のレーザパルスを入射させることにより、入射位置のシリコン膜を一時的に溶融させ、結晶化させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method capable of efficiently distributing elements which promote the crystallization of amorphous silicon on the surface of an amorphous silicon film so as to stably crystallize amorphous silicon when a semiconductor device is manufactured by crystallizing an amorphous silicon film by the use of elements promoting the crystallization of amorphous silicon.例文帳に追加

非晶質珪素の結晶化を助長する元素を使って、非晶質膜珪素膜を結晶化させて半導体装置を作製するに際して、結晶化を好適に行える状態となるように前記元素を非晶質珪素膜の表面へ効率よく配することのできる半導体装置の作製方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the solid electrolyte including the synthesizing step of reacting compounds of one or more kinds selected from phosphorous sulfide, germanium sulfide, silicon sulfide and boron sulfide with lithium sulfide to generate the amorphous solid electrolyte, and the crystallizing step of heating the amorphous solid electrolyte in a solvent to crystallize the electrolyte.例文帳に追加

硫化りん、硫化ゲルマニウム、硫化ケイ素、硫化ほう素から選択される１種以上の化合物と、硫化リチウムを反応させて非晶質の固体電解質を生成させる合成工程と、前記非晶質の固体電解質を溶媒中で加熱して結晶化させる結晶化工程を含む固体電解質の製造方法。 - 特許庁

The objective substance is inexpensively obtained in good yield with high purity from filtration of precipitated product by mixing water that is a poor solvent, to the reaction liquid to crystallize the product after distilling away low boiling fractions than the reaction solvent.例文帳に追加

好ましくは、反応液中から反応溶媒より低沸点である成分を蒸留により系外へ留去する操作を行った後、反応液中から生成物を晶析させるための貧溶媒である水と混合し、析出した生成物を濾別することにより、安価に高収率、高純度で目的物を得る。 - 特許庁

The ceramics is obtained by mixing a rutile type titanium oxide powder material as a main material with a metal powder material having high ionization tendency in an almost same amount as the main material to prepare an electrolyte, electrolyzing the electrolyte in a proper solvent to crystallize and deposit a substance on the cathode, adding specified additives and catalysts to the substance and firing.例文帳に追加

ルチル系酸化チタン粉粒体を主材とし、該主材にそれと略同量のイオン化傾向が大きな金属の粉粒体を混合して形成した電解質を適宜溶媒中で電気分解し、その陰極に析出付着した物質に所要の添加物，触媒を加えて焼成した。 - 特許庁

In the method for producing the solid silicon by bringing a silicon melt 1 containing eutectic impurities into contact with a cooling body 10 to crystallize silicon 2 on the surface of the cooling body 10, the temperature of the silicon melt 1 is lowered with the lapse of the contact time of the silicon melt 1 with the cooling body 10.例文帳に追加

共晶系不純物を含むシリコン融液１に冷却体１０を接触させ、該冷却体１０の表面にシリコン２を晶出させる固体シリコンの製造方法であって、シリコン融液１の温度を、シリコン融液１と冷却体１０との接触時間の経過に伴って下げるようにした。 - 特許庁

The manufacturing method includes a process (S1) to form an amorphous semiconductor layer, a process (S3) to form a polysilazane layer having negative photosensitivity on the front surface of the semiconductor layer, and a process (S4) to crystallize the predetermined region of the semiconductor layer by irradiating light to the predetermined region of the semiconductor layer while exposing the polysilazane layer.例文帳に追加

非晶質の半導体層を形成する工程（Ｓ１）と、その半導体層の表面に、ネガ型の感光性を有するポリシラザン層を形成する工程（Ｓ３）と、ポリシラザン層の所定領域に光を照射して、ポリシラザン層を露光するとともに、半導体層の所定領域を結晶化する工程（Ｓ４）と、を有する。 - 特許庁

To provide a mouth part crystallizing device of a preform constituted so as not only to efficiently heat-treat the mouth part of the bottle molding preform comprising a thermoplastic polyester to sufficiently crystallize the same but also to correspond to the preform of every length without performing the replacement of parts and the adjustment of setting.例文帳に追加

熱可塑性ポリエステルからなるボトル成形用のプリフォームの口部を、効率よく加熱処理して十分な結晶化をさせることができ、また種々の長さのプリフォームに対しても部品交換やセッティング調整をすることなく対応することができるプリフォームの口部結晶化装置を提供すること。 - 特許庁

After the metal catalyst layer 8 is removed, a heat treatment is carried out in a state wherein an insulating layer 15 having an opening 15a and a second amorphous silicon layer 1x are formed to crystallize the second amorphous silicon layer 1x with a part contacting the polycrystalline silicon layer 4y as a starting point at a bottom of the opening 15a.例文帳に追加

金属触媒層８を除去した後、開口部１５ａを備えた絶縁層１５、および第２非結晶シリコン層１ｘを形成した状態で熱処理を行ない、第２非結晶シリコン層１ｘを、開口部１５ａの底部で多結晶シリコン層４ｙと接している部分を起点にして結晶化させる。 - 特許庁

The method comprises steps of: providing a substrate; forming an amorphous silicon layer on the substrate; forming a removable organic film on the amorphous silicon layer; irradiating the organic film with a laser to crystallize the amorphous silicon layer to form a polycrystalline silicon layer; and removing the organic film.例文帳に追加

基板を提供するステップと、前記基板上に非晶質シリコン層を形成するステップと、前記非晶質シリコン層上に除去可能な有機膜を形成するステップと、前記有機膜上にレーザーを照射して、非晶質シリコン層を結晶化して多結晶シリコン層を形成するステップと、前記有機膜を除去するステップとを含む。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for processing a semiconductor which can effectively crystallize an amorphous silicon laminated on a different type substrate, such as a glass board and can thereby manufacture a semiconductor device which needs a film thickness thicker than a substrate for a TFT, a solar cell, etc.例文帳に追加

ガラス基板等の異種基板上に積層させた非晶質シリコンをより効果的に結晶化させることができ、これによって、ＴＦＴ用基板や太陽電池等のより厚い膜厚を必要とする半導体装置の作製を可能とする半導体加工方法および半導体加工装置の提供。 - 特許庁

The method of optical resolution comprises subjecting a solution containing the enantiomer mixture of (A) a compound having a naturally and preferentially crystallizable chirality, with (B) a compound of the object of the resolution to crystallization, to preferentially crystallize one enantiomer of the compound of the object of the resolution.例文帳に追加

本発明の光学分割法は、自然に優先晶出可能なキラリティーを有する化合物（Ａ）と、分割対象化合物（Ｂ）のエナンチオマー混合物とを含む溶液を晶析操作に付し、前記化合物（Ａ）の晶出に随伴して、前記分割対象化合物（Ｂ）の一方のエナンチオマーを優先的に晶出させることを特徴とする。 - 特許庁

To accurately and selectively crystallize only one of semiconductor films arranged adjacent to each other, to form an amorphous TFT and a microcrystal silicon TFT on the same transparent insulating substrate at the same time, and to provide a TFT with amorphous silicon and microcrystal silicon mixed in a semiconductor layer.例文帳に追加

近接配置される半導体膜の一方のみを精度良く選択的に結晶化することができ、アモルファスＴＦＴと微結晶シリコンＴＦＴを同じ透明絶縁性基板上に同時に形成することや、非晶質シリコンと微結晶シリコンが一つの半導体層内で混在したＴＦＴを得ることが可能となる。 - 特許庁

This nanocarbon composite 1 is produced by heating a dispersion containing a polyamic acid compound and the nanocarbon 2 to convert (imidize) the polyamic acid compound to a polyimide resin and to crystallize the polyimide resin on at least part of the surface of the nanocarbon 2 in this dispersion.例文帳に追加

このナノカーボン複合体１は、ポリアミド酸系化合物とナノカーボン２とを含有する分散液を加熱することにより、この分散液中において、ポリアミド酸系化合物をポリイミド系樹脂に変化（イミド化）させるとともに、ナノカーボン２の表面の少なくとも一部において結晶化させることにより製造される。 - 特許庁

The semiconductor film 3 formed on the substrate 2 is irradiated with laser light 21 in a non-oxidative processing atmosphere containing hydrogen gas 31 and while a temperature of the substrate 2 is held not higher than a fusion point, the semiconductor film 3 is heated to not lower than 1,000°C to be fused, and then solidified to crystallize the semiconductor film 3.例文帳に追加

水素ガス３１を含み且つ非酸化性の処理雰囲気中で基板２上に形成された半導体膜３にレーザ光１を照射し、基板２の温度を融点以下に保持したまま、半導体膜３を１０００℃以上に加熱して溶融させその後凝固させることにより、半導体膜３を結晶化させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor film and its manufacturing method which heat treats and has an amorphous semiconductor film irradiated with a laser beam or strong rays, such as ultraviolet or infrared rays to crystallize this film, improves the orientation ratio of the obtained crystalline semiconductor film, and forms active regions with such a crystalline semiconductor film.例文帳に追加

非晶質半導体膜を加熱処理とレーザー光または紫外線、赤外線などの強光の照射により結晶化して得られる結晶質半導体膜の配向率を高め、そのような結晶質半導体膜で活性領域を形成した半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Thereafter, the attenuated laser beam 9 is passed through a uniformalizing device 5 for performing shaping and uniformalizing operations over the attenuated laser beam 9 to form a laser beam 9 having a uniform intensity distribution, to melt and crystallize an amorphous Si film formed on a glass substrate 8, and to form a polycrystalline Si film.例文帳に追加

その後、減衰されたレーザ光９をビームの整形および均一化を行う均一化装置５を通して、所定の形に整形するとともに、均一な強度分布をもつレーザ光９にしてガラス基板８上に形成された非晶質Ｓｉ膜を溶融、結晶化し、多結晶Ｓｉ膜を形成する。 - 特許庁

The method for producing the di-μ-chlorobis(1,5-cyclooctadiene) diiridium(I) contains a step to react an iridium chloride compound with 1,5-cyclooctadiene and an alcohol in the presence of water and a step to add water to a solution produced by the reaction and containing the formed di-μ-chlorobis(1,5-cyclooctadiene) diiridium(I) to crystallize the product.例文帳に追加

本発明のジ−μ−クロロビス（１，５−シクロオクタジエン）二イリジウム（Ｉ）の製造法は、水の存在下、塩化イリジウム類と１，５−シクロオクタジエンとアルコールとを反応させる工程、及び反応により生成したジ−μ−クロロビス（１，５−シクロオクタジエン）二イリジウム（Ｉ）を含む溶液に水を加えて晶析する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The method for producing 1,2,3-propanetricarboxylic acid plate crystals comprises cooling a water solution containing 45-60 wt.% 1,2,3-propanetricarboxylic acid from a temperature of ≥60°C to 30°C under stirring of 3,000-20,000 Reynolds number to crystallize 1,2,3-propanetricarboxylic acid.例文帳に追加

１，２，３−プロパントリカルボン酸を４５〜６０重量％含有する水溶液を６０℃以上の温度から３０℃まで冷却して晶析するに際して、撹拌レイノルズ数３，０００〜２０，０００の撹拌下に、１５℃／時間以下の冷却速度で冷却して晶析することを特徴とする１，２，３−プロパントリカルボン酸板状結晶の製造方法 。 - 特許庁

In the method of manufacturing a polarizer for a fiber optic gyroscope, a large crystal (50) is obtained by placing a seed crystal (42) in the saturated aqueous solution (44) of the polarizer material which is heated up to a prescribed temperature and cooling the saturated aqueous solution (44) to a low temperature to crystallize a portion that cannot dissolve in water around the seed crystal (42).例文帳に追加

本発明による光ファイバジャイロ用偏光子の製造方法は、所定の温度に加熱された偏光子物質の飽和水溶液(44)中に種結晶(42)を位置させ、この飽和水溶液(44)の温度を低温とすることにより、水に溶けきれない分が種結晶(42)周りに結晶化し、大結晶(50)を得る方法である。 - 特許庁

The method of forming a polycrystalline silicon film comprises steps of forming an electrically insulating thermally conductive layer on a substrate, forming an amorphous silicon layer on the thermally conductive layer, patterning the amorphous silicon layer to form an amorphous silicon island, and annealing the amorphous silicon island to crystallize amorphous silicon.例文帳に追加

基板に電気絶縁性熱伝導層を形成する工程と、熱伝導層上に非晶質シリコン層を形成する工程と、非晶質シリコン層をパターニングして非晶質シリコンアイランドを形成する工程と、アイランドをアニーリングして非晶質シリコンを結晶化する工程と、を含む多結晶シリコンフィルムの製造方法である。 - 特許庁

The simple method for producing the maleimide-carboxylic acid is to hydrolyze a maleimide-carboxylic acid ester in 40-80 mass% aqueous sulfuric acid solution, add the organic solvent dissolving the maleimide- carboxylic acid and hardly compatible with water, wash the separated organic solvent layer, dehydrate the layer and crystallize the maleimide-carboxylic acid to purify the same which is the objective product.例文帳に追加

マレイミドカルボン酸エステルを濃度４０〜８０質量％の硫酸水溶液中で加水分解した後、マレイミドカルボン酸は溶解するが水とは相溶しにくい有機溶媒を加え、分離した有機溶媒層を水洗、脱水後、目的生成物であるマレイミドカルボン酸を再結晶精製するという、マレイミドカルボン酸の簡便な製造方法を提供。 - 特許庁

Especially, such a method forms the secondary active regions (14a and 14b) through a step to crystallize the secondary single-crystal semiconductor material from a pattern composed of the secondary polycrystal and/or amorphous semiconductor materials as well as an interface region between the pattern and the preselected primary active regions (1a and 1b).例文帳に追加

そのような方法は、特に、多結晶および／またはアモルファス形態の第２の半導体材料から成るパターンおよび前記パターンと予め選択された第１の活性領域（１ａ，１ｂ）との間の界面領域から単結晶形態で第２の半導体材料を結晶化させるステップにより第２の活性領域（１４ａ，１４ｂ）を形成することから成る。 - 特許庁

A polyester produced by using an aluminum compound and a phosphorus compound as polymerization catalysts is compounded with an infrared absorbing agent to increase the absorptivity of infrared rays of an infrared heater, quickly crystallize the mouth of the bottle with heat to improve the productivity in molding and obtain a polyester bottle having high transparency and faint color.例文帳に追加

アルミニウム化合物およびリン化合物を重合触媒とするポリエステルに赤外線吸収剤を配合することで、赤外線ヒーターの吸収能力を高め、ボトルの口栓部を短時間で加熱結晶化させ、成形時の生産性を高めると共に、ボトルとしての透明性、着色の問題が少ないポリエステル製ボトル提供する。 - 特許庁

To provide a tetraamine compound having high heat resistance and its molecule not liable to crystallize, and having excellent characteristics, when used as a material for an organic EL element, such as low voltage drive, long life, etc., especially, among materials forming an EL element, a compound which attains long life and low voltage drive of the element, when used as a hole-injection transport bed.例文帳に追加

高い耐熱性を有し、分子が結晶化しにくく、有機ＥＬ素子用材料として用いた場合に、低電圧駆動、長寿命などの優れた特性を有するテトラアミン化合物、ＥＬ素子を構成する材料のうち、特に、正孔注入輸送層として用いた場合に、素子の長寿命化、低電圧駆動化が達成される化合物を提供する。 - 特許庁

The surfactant composition contains ≤50 mass% of (a) the alkyl sulfate salt, 40 to 70 mass% of (c) a nonionic surfactant, and (d) water of such an amount that the nonionic surfactant does not gelate at 60°C, and the alkyl sulfate salt does not crystallize at 60°C, wherein the viscosity at 60°C is ≤1 (Pa s).例文帳に追加

（ａ）：アルキル硫酸塩を５０質量％以下；（ｃ）：非イオン性界面活性剤を４０〜７０質量％；及び（ｄ）：該非イオン性界面活性剤が６０℃にてゲル化せず、かつ該アルキル硫酸塩が６０℃にて結晶化しない量の水；を含有してなる界面活性剤組成物であって、６０℃における粘度が１Ｐａ・ｓ以下である界面活性剤組成物。 - 特許庁

The method for isolating 1,3-bis(3-aminophenoxy)benzene comprises reducing 1,3-bis(3-nitrophenoxy)benzene with hydrazines in an alcoholic solvent in the presence of an iron halide catalyst to obtain a reaction product, concentrating the alcoholic solution of the reaction product, mixing the concentrated solution with water to crystallize 1,3-bis(3-aminophenoxy)benzene, and separating the crystals.例文帳に追加

鉄ハロゲン化物触媒の存在下、１，３−ビス（３−ニトロフェノキシ）ベンゼンをヒドラジン類により還元することによって得られる反応生成物をアルコール溶液として得、これを濃縮し、濃縮液と水を混合することによって１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼンを晶出させ、これを分離することからなる１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼンの単離方法。 - 特許庁

A first method for the crystallization of an amorphous silicon film, is to crystallize the film by primarily applying a high voltage of about 500V-2,000 V to electrodes from one direction of a substrate, and then again crystalize the film by secondarily applying the high voltage of about 500V-2,000 V to the electrodes configured in a direction perpendicular to the position of the primary crystallization process.例文帳に追加

本発明による非晶質シリコン膜の結晶化のための第１方法は、一次的に基板の一方向から５００Ｖ〜２０００Ｖの高電圧を印加して結晶化し、二次的に前記電極を一次結晶化工程の位置と垂直な方向で構成して約５００Ｖ〜２０００Ｖの高電圧を印加してもう一度結晶化を進める。 - 特許庁

The method for crystallizing and/or refining an organic compound is characterized in that, when a suspension liquid containing an organic compound suspended in an organic dispersion medium is stirred to crystallize and/or refine the organic compound, the liquid is stirred in a stirring tank equipped with paddle blades while the uppermost parts of the paddle blades are always kept under the liquid surface in the stirring tank.例文帳に追加

有機分散媒体中に有機化合物が懸濁した懸濁液を撹拌し、該有機化合物を晶析及び／又は精製するに当たり、パドル翼を具備した撹拌槽において、パドル翼の最上部を撹拌槽中の懸濁液面以下に常時保持しながら撹拌を行うことを特徴とする有機化合物の晶析及び／又は精製方法。 - 特許庁

In order to crystallize the neck part by heating on the occasion of molding a preform, a heating device h is attached to neck part molds 7a and 7b consisting of splits, while the preform neck part made to fit to a core mold 7 is spaced minutely from the core mold to prevent excessive cooling of the preform in the process of crystallization of the neck part.例文帳に追加

プリフォームの成形時にネック部を加熱して結晶化させるために、割型からなるネック部金型７ａ、７ｂに加熱装置ｈを付設するとともに、コア金型７に被着されているプリフォームネック部の結晶化進行中にコア金型から微小間隙を空けることによりプリフォームの過冷却を防止するようにしたこと。 - 特許庁

The epitaxial ferroelectric film 2 having a perovskite type structure is formed by forming an amorphous film on a single crystal substrate 1 of LiNbO_3, LiTaO_3 or the like, having an ilmenite structure, then heating the single crystal substrate 1 on which the amorphous film has been formed to a temperature higher than the crystallization temperature so as to crystallize the amorphous film.例文帳に追加

イルメナイト型構造を有するＬｉＮｂＯ_３やＬｉＴａＯ_３等の単結晶基板１上にアモルファス膜を形成し、次いで該アモルファス膜が形成された単結晶基板１を結晶化温度よりも高い温度に加熱してアモルファス膜を結晶化させ、ペロブスカイト型構造を有するエピタキシャル強誘電体膜２を形成する。 - 特許庁

In the dephosphorization method for wastewater, wastewater is injected in an adsorption column filled with an adsorbent to make phosphoric acid adsorbed on the adsorbent and, when the adsorbent reaches a saturation point of adsorption, a sodium hydroxide aqueous solution is injected in the adsorption column to make phosphoric acid desorbed and the desorption liquid is cooled to crystallize phosphoric acid to recover the same.例文帳に追加

排水を吸着剤を充填した吸着塔に注入してリン酸を吸着剤に吸着させ、吸着剤の吸着飽和に達した場合には吸着塔に水酸化ナトリウム水溶液を注入してリン酸を脱着し、該脱着した脱着液は冷却してリン酸を晶出させて回収する排水のリン除去方法である。 - 特許庁

The method comprises a step for preparing an insulating substrate, a step for forming an amorphous silicon layer on the substrate, a step for forming a capping layer of a refractive index 1.78-1.90 on the amorphous silicon layer, a step for forming a metal catalyst layer on the capping layer, and a step for heat-treating the substrate to crystallize the amorphous silicon layer into a polycrystalline silicon layer.例文帳に追加

絶縁基板を準備する段階と、基板上に非晶質シリコン層を形成する段階と、非晶質シリコン層上に屈折率が１．７８から１．９０のキャッピング層を形成する段階と、キャッピング層上に金属触媒層を形成する段階と、基板を熱処理して非晶質シリコン層を多結晶シリコン層に結晶化する段階を含む。 - 特許庁

A manufacturing method of a piezoelectric element comprises: a process for forming seed titanium layer by coating Titanium (Ti) at least twice or more on a lower electrode formed on a substrate; and a process for forming a piezoelectric precursor film by coating piezoelectric material on the seed titanium layer, and thereafter calcining the piezoelectric precursor film so as to crystallize, thereby forming a piezoelectric material layer.例文帳に追加

基板上に形成した下電極上にチタン（Ｔｉ）を少なくとも２回以上塗布して種チタン層を形成する工程と、種チタン層上に圧電材料を塗布して圧電体前駆体膜を形成すると共に圧電体前駆体膜を焼成して結晶化させることで圧電体層を形成する工程とを設ける。 - 特許庁

The recycled PET molding method has a heating process S1 for heat-treating the amorphous flaky pieces of recycled PET not only to remove moisture contained in the flaky pieces but also to crystallize the flaky pieces and an injection molding process S5 using the heat-treated crystalline flaky pieces as a molding material to injection-mold the same.例文帳に追加

リサイクルＰＥＴの非結晶フレーク状片を加熱処理し、フレーク状片に含まれる水分を除去するとともに、このフレーク状片を結晶化させる加熱工程Ｓ１と、加熱処理した結晶フレーク状片を成形材料として用いて射出成形する射出成形工程Ｓ５と、を有するリサイクルＰＥＴの成形方法。 - 特許庁

This method for producing the terephthalic acid is provided by dissolving the crude terephthalic acid obtained by oxidizing p-xylene by heating under pressure, evaporating water by reducing the pressure to crystallize the terephthalic acid, bringing condensed water obtained by condensing the evaporated water in contact with p-xylene, then separating the water and reusing in any of the processes of the production of the terephthalic acid.例文帳に追加

パラキシレンを酸化して得られた粗テレフタル酸を、加圧下で昇温することにより水に溶解させた後、減圧により水を蒸発しテレフタル酸を晶析させ、蒸発する水を凝縮させた凝縮水をパラキシレンと接触させた後分離し、テレフタル酸製造のいずれかの工程で再使用するテレフタル酸の製造方法。 - 特許庁

The refrigerator 5 comprises a compressor 52 for compressing a coolant vapor, the heater/coolant condenser 53 for heating a circulation water within the fresh water circulation path with the compressed high-pressure superheated steam, an expansion valve 54 for reducing the pressure of a liquefied high-pressure coolant, and the crystallizer/evaporator 51 for evaporating the pressure reduced coolant to crystallize the sea water.例文帳に追加

冷凍装置５を、冷媒蒸気を圧縮する圧縮機５２と、圧縮された高圧過熱蒸気で淡水循環路内の循環水に加熱する加熱器兼冷媒凝縮器５３と、液化した高圧の冷媒を減圧する膨張弁５４と、減圧された冷媒を蒸発させて海水を結晶化する結晶缶兼蒸発器５１により構成する。 - 特許庁

The crystallized polyester resin composition comprises at least one polyester resin A crosslinked by at least one radical generator and at least one non-crosslinked polyester resin B that is same to or different from the above polyester resin, wherein the resin A and the resin B are homogeneously melted to mix and crystallize.例文帳に追加

少なくとも１種のラジカル発生剤により架橋された少なくとも１種のポリエステル樹脂Ａと、上記ポリエステル樹脂と同一または異なる少なくとも１種の非架橋ポリエステル樹脂Ｂとからなり、樹脂Ａおよび樹脂Ｂの両者が均一に溶融混合および結晶化されていることを特徴とする結晶化ポリエステル樹脂組成物。 - 特許庁

The 1st and 2nd photosensitive glass plates 1, 2 are superposed in aligned state and heat-treated in the closely contacting state to crystallize the 1st and 2nd latent images 11, 21 and weld the 1st and 2nd glass plates 1, 2 with each other to form a laminated glass 9.例文帳に追加

次に、第１および第２の感光性ガラス板１、２を位置合わせして重ね合わせ、しかる後に第１および第２の感光性ガラス板１、２を密着させた状態で熱処理を行って第１および第２の潜像部１１、２１を結晶化するとともに、第１および第２の感光性ガラス板１、２同士を融着させて積層ガラス９とする。 - 特許庁

This method of producing the crystalline polymer material oriented in a prescribed direction, characterized by mixing, melting and kneading the single crystals of a crystal nucleating agent and a polymer material, forming the kneaded crystal nucleating agent-compounded polymer material into a prescribed shape, and then applying a prescribed magnetic field and a prescribed thermal treatment to the formed article to crystallize the polymer.例文帳に追加

所定の方位に配向した結晶性高分子材料の製造方法であって、結晶造核剤の単結晶と高分子材料とを混合・溶融・混練し、混練して得た結晶造核剤配合高分子材料を所定の形状に成形した後、所定の磁場を付与しつつ所定の熱処理を行こない結晶化することを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor layer 15 in the thin film transistor TFT is formed, by patterning a photothermal conversion layer 22 only on a region which serves as a channel layer on an amorphous silicon thin film 15x formed on one surface side of the substrate 11, and then irradiating the whole area of the substrate 11 with a laser beam BM, by laser beam scanning and applying thermal annealing to crystallize the amorphous silicon thin film 15x.例文帳に追加

薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層１５は、基板１１の一面側に成膜された非晶質シリコン薄膜１５ｘに対して、チャネル層となる領域上にのみ光熱変換層２２をパターニング形成した後、レーザー光ＢＭを走査して基板１１全域に照射し、熱アニールを施すことにより、非晶質シリコン薄膜１５ｘが結晶化されて形成される。 - 特許庁

The method and apparatus for the sewage treatment comprising adding a ferrous flocculating agent to the sewage, then subjecting the sewage to flocculation separation, subjecting the treated water to a biological treatment, anaerobically digesting the flocculation separated sludge to convert the iron phosphate in the sludge to iron sulfide and phosphoric acid ions, then adding Mg ions to the anaerobically digested and desorbed liquid to crystallize an MAP (magnesium ammonium phosphate).例文帳に追加

下水に鉄系凝集剤を添加した後、凝集分離し、該処理水を生物処理するとともに、凝集分離汚泥を嫌気性消化することによって汚泥中のリン酸鉄を、硫化鉄及びリン酸イオンに変化させたのち、嫌気性消化脱離液にＭｇイオンを添加してＭＡＰを晶析させることを特徴とする下水処理方法、及び装置。 - 特許庁

The production method of a polycarbonate comprises solid phase polymerization of a polycarbonate prepolymer, where the polycarbonate prepolymer is brought in contact with a poor solvent or a swelling solvent in an amount of at least 0.001 mass% and less than 5 mass% based on the total amount of the polycarbonate prepolymer and the poor solvent or the swelling solvent thereby to crystallize, and is subsequently subjected to solid phase polymerization.例文帳に追加

ポリカーボネートプレポリマーの固相重合によりポリカーボネートを製造する方法において、ポリカーボネートプレポリマーを、該ポリカーボネートプレポリマーと貧溶媒または膨潤溶媒との合計量に対して、０．００１質量％以上、かつ５質量％未満の貧溶媒または膨潤溶媒と接触させて該ポリカーボネートプレポリマーを結晶化させ、ついで固相重合するポリカーボネートの製造方法。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device comprises the steps of depositing a silicon layer containing an amorphous silicon on a substrate 10, doping a dopant to form a source/drain region, performing heat treatment under H_2O atmosphere and a constant temperature to crystallize the amorphous silicon, simultaneously activating the dopant to form a semiconductor layer 24, and preventing the substrate 10 from damaging by heat, by reducing the heat treatment processes.例文帳に追加

基板１０上に非晶質シリコンを含むシリコン層を蒸着し、不純物をドーピングしてソース／ドレイン領域を形成し、Ｈ_２Ｏ雰囲気、一定温度下で熱処理して非晶質シリコンを結晶化すると同時に不純物を活性化して半導体層２４を形成することにより、熱処理工程を減らすことによって熱による基板１０の損傷を防止することができる。 - 特許庁

To obtain a crystalline semiconductor film having a wide area, such that when an energy is applied to crystallize a nonsingle-crystal semiconductor film, such as amorphous or polycrystalline films formed on a nonsingle-crystal insulation film or nonsingle-crystal insulation substrate, the irregular nucleus growth is suppressed, crystal grains having an orientation easy to grow the crystal are controlled, so as to make the crystal orientation approximately uniform.例文帳に追加

非単結晶絶縁膜上または非単結晶絶縁基板上に、非晶質または多結晶等の非単結晶半導体薄膜を形成してエネルギーを加えて結晶化する際に、不規則な核発生を抑制し、かつ、結晶成長し易い方位を有する結晶粒を制御して成長し、大略結晶方位の揃った大面積の結晶性半導体膜を得る。 - 特許庁