「current-source」に関連した英語例文の一覧と使い方(116ページ目) - Weblio英語例文検索

The prescribed circuit comprises, for example, a current mirror circuit having a paired transistor with a commonly connected gate and a differential circuit wherein a source is commonly connected, an input signal is supplied to the gate, and an output signal is generated in a drain.例文帳に追加

上記所定の回路は、たとえば、ゲートが共通に接続されたトランジスタ対を有するカレントミラー回路と、ソースが共通接続されゲートに入力信号が供給されドレインに出力信号が生成される差動回路を含む。 - 特許庁

To shorten optimum warm-up time for an image forming apparatus provided with a fixing device using a radiation heater and to improve a fixing property without increasing a high harmonic electric current and a fluctuation in power source voltage (flicker noise).例文帳に追加

輻射ヒータによる定着装置を備える構成において、高調波電流や電源電圧変動（フリッカノイズ）を増加させることなく、当該画像形成装置に最適なウォームアップ時間の短縮や定着性の向上を図る。 - 特許庁

When a control circuit charges and discharges bit lines through the virtual power source node, the circuit charges and discharges bit lines by controlling gate voltage of the PMOS and the NMOS transistors to restrict a generated peak current.例文帳に追加

制御回路は、仮想電源ノードを通じてビットラインをチャージしたり、ディスチャージたりする時、発生するピーク電流を制限するために、ＰＭＯＳ及びＮＭＯＳトランジスタのゲート電圧を制御してビットラインをチャージしたり、ディスチャージしたりする。 - 特許庁

The transistor 92a controls the switching operation of the FET 92b according to the value of voltage applied from the power generation member 30, and the current flowing between the source and the drain of the FET 92b is controlled according to this switching operation.例文帳に追加

トランジスタ９２ａは、発電部材３０から印加される電圧値に応じてＦＥＴ９２ｂのスイッチング動作が制御され、当該スイッチング動作に応じてＦＥＴ９２ｂのソース−ドレイン間に流れる電流が制御される。 - 特許庁

In an oscillator including a resonant circuit L, C, RCU and an amplifier circuit V, R1, R2, R3 connected as a virtual negative resistance, a direct current source I1 is connected in series with the resonant circuit L, C, RCU.例文帳に追加

共振回路Ｌ，Ｃ，ＲCUと仮想負性抵抗として接続される増幅器回路Ｖ，Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３を含む発振器において、直流電流源Ｉ１は、共振回路Ｌ，Ｃ，ＲCUと直列に接続されている。 - 特許庁

A resistor 5 connected between the conductive parts 3, 3 and an inverter 4 as the power source apparatus for applying high voltage to the conductive parts 3, 3 restricts the current flowing between the conductive parts 3, 3 to suppress the occurrence of overcurrent.例文帳に追加

導電部３，３と導電部３，３に高電圧を印加する電源装置としてのインバータ４との間に接続されている抵抗器５は、導電部３，３に流れる電流値を制限して過電流の発生を抑制する。 - 特許庁

In parallel with two or more switching circuit-breakers, an electric double-layer capacitor is connected, and when the switching circuit breakers are operated energy discharged from this electric double-layer capacitor is used, and a DC current is supplied from the DC power source.例文帳に追加

複数の切替遮断器と並列に電気二重層キャパシタを接続し、切替遮断器操作時にこの電気二重層キャパシタよりの放電エネルギーを使用すると共に、直流電源から直流電流を供給する。 - 特許庁

By switching the sleep signal, a power supply current is cut off and by not fixing an internal circuit voltage to the power source GND but floating in a sleep state, when the sleep state is canceled, operation can be recovered quickly.例文帳に追加

スリープ信号を切り換えることによって、スリープ状態では電源電流を遮断し、かつ回路内部電圧を電源、GNDに固定せず浮かせることで、スリープ状態が解除された場合に高速に動作を復帰させることができる。 - 特許庁

Therefore, the voltage between the source and the drain of an access transistor connected to the data holding node of an L level and an access transistor connected to a data holding node of a H level can be reduced to a level at which the problem of a GIDL current is not caused.例文帳に追加

これにより、Ｌレベルのデータ保持ノードに接続されたアクセストランジスタおよびＨレベルのデータ保持ノードに接続されたアクセストランジスタのソース・ドレイン間電圧を、ＧＩＤＬ電流の問題が生じないレベルに下げることができる。 - 特許庁

The display device using light emitting diodes is provided with: a plurality of light emitting diodes 1 arranged in a display pattern of a character, a graphic, a symbol or the like; and a power source 2 connected to the light emitting diodes 1 and supplying the current to turn on the light emitting diodes 1.例文帳に追加

発光ダイオードの表示装置は、文字、図形、記号等の表示パターンに配列してなる複数の発光ダイオード１と、発光ダイオード１に接続されて発光ダイオード１に電流を流して点灯する電源２とを備える。 - 特許庁

To provide a CMOS device having a laminated spacer structure in which a SAC technique is applied, where a short circuit is prevented from occurring between a source and a drain, and the current drive performance of an n-channel MISFET is kept well balanced with that of a p-channel MISFET.例文帳に追加

ＳＡＣ技術を適用した積層スペーサ構造のＣＭＯＳデバイスにおいて、ソース、ドレイン間のショート等を防ぎ、さらにｎチャネルＭＩＳＦＥＴとｐチャネルＭＩＳＦＥＴとの電流駆動能力のバランスを確保する。 - 特許庁

When the photocoupler 213 is turned on by the weak current, earth signals S1 and S2 are sent out of open collector terminals 216 and 217, the DC power source 5 transits to a sleep state and the power-down control circuit 9 recognizes such a state.例文帳に追加

微弱電流によってフォトカプラ２１３がオンになると、オープンコレクタ端子２１６，２１７からは地気信号Ｓ１，Ｓ２が送出され、直流電源５をスリープ状態に遷移し、パワーダウン制御回路９は、その状態を認識する。 - 特許庁

To provide a gate insulating field effect transistor where a source/ drain junction area below a gate electrode is made to be shallow and the resistance of the area is made to be low, and to provide a fine complementary gate insulating field effect transistor whose current is large and whose high speed operation is realized.例文帳に追加

本願発明の第１の課題は、ゲート電極下のソース・ドレイン接合領域の浅接合化と当該領域の低抵抗化とを合わせて実現したゲート絶縁型電界効果型トランジスタを提供することである。 - 特許庁

To provide a power source device for an arc gouging which realizes an excellent arc starting by controlling a short-circuit current which arises at arc start.例文帳に追加

ガウジング作業を開始するにはカーボン電極を被加工材に短絡させることによってアークスタートを行うが、この短絡させた瞬間に大きな値の短絡電流が流れて被加工材が溶けすぎてしまい大きなくぼみが生じてしまう。 - 特許庁

This invention features that plastic contacting the surface of the resistor melts at 100°C-130°C and when only part of it loses its insulating property, leak current flows into a nonflammable material instantly and an electric source is interrupted with a controller by way of a lead wire.例文帳に追加

本発明は抵抗体面に接する樹脂が１００℃〜１３０℃で溶解し一部分でも絶縁性がなくなると寸時に不燃素材に漏洩電流が流れリード線を通じてコントローラーで電源遮断させる構成にした。 - 特許庁

The current source of the most significant bit of the DA conversion circuit 20A comprises transistors arranged at first, third, fifth, and seventh rows of a first group of transistors 10A and second, fourth, sixth, and eighth rows of a second group of transistors 10B adjacent to the group 10A.例文帳に追加

ＤＡ変換回路２０Ａの最上位ビットの電流源は、第１のトランジスタ群１０Ａの第１，３，５，７行、および群１０Ａと隣り合う第２のトランジスタ群１０Ｂの第２，４，６，８行に配置されたトランジスタで構成される。 - 特許庁

To provide a charging member evaluation method capable of exactly evaluating whether a charging member can prevent such an excessive current that the limit of an electric source is actuated for a defective part from flowing even when there is the defective part in a member to be charged.例文帳に追加

被帯電部材の欠陥部があっても、欠陥部に電源のリミットが働くほど過剰な電流が流れてしまうことない帯電部材であるか否かを正確に評価することができる帯電部材評価方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion device that accumulates electric charges in a capacitive element, detects the intensity of light and operates without increasing the number of components such as a fixed current source or a switch even when the quantity of light incidence is small.例文帳に追加

入射光量が小さい場合であっても、容量素子への電荷の蓄積を行い、光の強度の検出ができ、構成する定電流源またはスイッチ等の素子数を増加させることなく動作させることを課題とする。 - 特許庁

A liquid pressure source is provided, which gives the current to be conducted in a coil of a gate-out valve based on the difference between the intended braking force and the target braking force, and generates the liquid pressure equal to or higher than the target braking force between a wheel cylinder and the gate-out valve.例文帳に追加

制動意図と目標制動力との差に基づいてゲートアウトバルブのコイルに通電する電流値を与えると共に、ホイルシリンダとゲートアウトバルブとの間に目標制動力以上の液圧を発生可能な液圧源を備えた。 - 特許庁

A superconducting coil is used connected to an exciting DC power source, together with a current shutoff switch in series, where a metal cylinder of high conductivity is provided between the winding layers of a superconducting winding wound on a cylindrical bobbin.例文帳に追加

励磁用直流電源に電流遮断スイッチと共に直列に接続して用いる超電導コイルにおいて、巻枠円筒部に巻きつけられた超電導巻線部の層間に良電気伝導の金属円筒を具備してなる。 - 特許庁

To provide a substrate for light source having a low thermal resistance and exhibiting high heat dissipation effect without using a heat sink in which a light emitting element can be used in a large current region while dealing with high output, and to provide an illuminator employing it.例文帳に追加

熱抵抗が小さくヒートシンクなどを使用しなくても放熱効果が高く、発光素子を大電流領域で使用可能で高出力化にも対応可能な光源用基板及びこれを用いた照明装置を提供する。 - 特許庁

A bias supply section 150 supplies a bias current based on an intensity control signal according to the electrical signal converted by the light receiving section 120 and on the reference voltage output from the variable power supply 140 to the light source 110.例文帳に追加

バイアス供給部１５０は、受光部１２０によって変換された電気信号に応じた強度制御信号と、可変電源１４０から出力された参照電圧と、に基づくバイアス電流を光源１１０へ供給する。 - 特許庁

To reduce power consumption at the time of standby by reducing a pattern area of a bit line pre-charge equalizing circuit of a DRAM and reducing a leak current made to flow toward a word line of a short-circuited defective part between a word line and a bit line from a pre-charge power source line.例文帳に追加

ＤＲＡＭのビット線プリチャージ・イコライズ回路のパターン面積を低減し、ワード線・ビット線間短絡不良部分のワード線方向へプリチャージ電源線から流れるリーク電流を軽減し、待機時の消費電力を軽減する。 - 特許庁

The LUT 3 outputs a correction data which is determined from the most significant four bit data of the current image data input from the signal source 1 and the most significant four bit data of the one frame preceding image data input from the frame memory 2, to the adder 4.例文帳に追加

ＬＵＴ３は、信号源１から入力される現在の画像データの上位４ビットとフレームメモリ２から入力される１フレーム前の画像データの上位４ビットとから決まる補正データを加算器４に出力する。 - 特許庁

The outdoor unit 3 includes a first switch SW1 which is turned ON when current flows to a relay coil RY, and a power source circuit 33 that is operated when AC power is supplied thereto by the first switch SW1 turning ON.例文帳に追加

室外機３は、リレーコイルＲＹに電流が流れることによってＯＮになる第一スイッチＳＷ１と、第一スイッチＳＷ１がＯＮになることで交流電力が供給されて動作する電源回路３３を備える。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a MOS-type field effect transistor for reducing power consumption without losing speediness in a circuit by reducing the leak current between a source and a drain and reducing power consumption in standby.例文帳に追加

ソース・ドレイン間リーク電流を低減し、スタンバイ時の消費電力を削減することで、回路の高速性を損なわず、消費電力を低減できるＭＯＳ型電界効果トランジスタの製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

For example, the pump 2 can deliver the electrolyte solution L from a salt water tank 3 to the electrolytic cell 1 with two kinds of supply power, which are switched corresponding to the change of the polarity of the direct-current power source 4.例文帳に追加

例えばポンプ２は塩水タンク３から電解槽１へと、二種の送出能力で電解質溶液Ｌを送出可能であり、この二種の送出能力は直流電源４の極性の入れ替えに対応して切り替えられる。 - 特許庁

To provide a motor which is manufactured more simply, and can improve drive efficiency by reducing an eddy current loss, a pump having the motor as a drive source, and a water heater, a dishwasher and a washing machine each equipped with the pump.例文帳に追加

より簡単に製造できつつ、渦電流損を低減して駆動効率を向上させることの可能なモータ、当該モータを駆動源とするポンプおよび当該ポンプを搭載した給湯機器、食器洗浄機、洗濯機を得る。 - 特許庁

When a switch SW opens and an AC power source PS and a rectifier circuit 11 are interrupted, the secondary voltage of an insulating transformer T1 is not generated, and a base current supplied to the base of the transistor Q21 of a discharge controller 22 becomes zero.例文帳に追加

スイッチＳＷが開いて交流電源ＰＳと整流回路１１とが遮断されると、絶縁トランスＴ１の２次側電圧は発生せず、放電制御部２２のトランジスタＱ２１のベースに供給されるベース電流は０になる。 - 特許庁

The LED light source includes a plurality of colored LEDs, emitting one among a plurality of spectral outputs by one or more currents that flows through the colored LEDs where each current has a variable time average flow.例文帳に追加

ＬＥＤ光源は、複数のカラーＬＥＤを有し、カラーＬＥＤは、カラーＬＥＤを流れる１つ以上の電流によって複数のスペクトル出力のうちの１つを放射し、各電流は、可変時間平均流量を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which prevents increases of parasitic transistor performance, a leak current, and a capacity between a gate electrode and a source region and a drain region, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

本発明は、寄生トランジスタ動作、ゲート電極とソース領域及びドレイン領域との間のリーク電流及び容量の増大を防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Accordingly, the excessive injection of the free carrier (positive hole) from the gate region 9 is inhibited, and a large number of free carriers (electrons) can be injected from the source region 4, thus easily obtaining a desired DC signal current amplification factor.例文帳に追加

その結果、ゲート領域９からの自由キャリア（正孔）の過剰な注入を抑止し、ソース領域４から多量の自由キャリア（電子）を注入することができ、所望の直流信号電流増幅率を容易に得ることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit in which influence of noise in high voltage is little, dispersion of voltage in low voltage is eliminated, and current consumption at standby is little, and a power source supply method.例文帳に追加

高電圧におけるノイズの影響が小さく、低電圧における電圧のバラツキが無く、さらに、スタンバイ時における消費電流が小さい、半導体集積回路及び電源供給方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A first light 46 having a wavelength which produces a light excitation current is cast by applying a bias voltage in the range wherein a p-n junction constituting a transistor inside the semiconductor device 42 is not in its conduction state by a voltage source 43.例文帳に追加

半導体装置４２内のトランジスタを構成するｐｎ接合が導通状態にならない範囲のバイアス電圧を電圧源４３により印加して、光励起電流を生じさせる波長の第１の光４６を照射する。 - 特許庁

To provide a lighting device capable of making the tube current flowing in all discharge tubes nearly constant with a circuit of simple structure when two-tube serial light source connecting in series two discharge tubes are connected in parallel a plurality of pieces.例文帳に追加

２本の放電管が直列に接続された２管直列光源を複数並列に接続した場合に、簡単な構成の回路で全ての放電管に流れる管電流をほぼ一定にすることができる照明装置を提供する。 - 特許庁

The operation parameter is determined by an operator through user interface included in a computer 36 of the system, and the computer memorizes the function determining the current regulating factor of the X-ray source in relation to the determined parameters.例文帳に追加

操作パラメータはシステムのコンピュータ（３６）に含まれるユーザ・インタフェイスを介して操作者により決定し、またコンピュータには、決定されたパラメータに対してＸ線源電流調節ファクタを決定する関数を記憶することができる。 - 特許庁

The voltage of the capacitor 108 is detected on the basis of the drain current of the monitor TFT 106 during the irradiation with radiation to control a radiation source so as to obtain the optimum radiation image on the basis of the voltage of the capacitor 108.例文帳に追加

放射線が照射されている間、コンデンサ１０８の電圧を、モニター用ＴＦＴ１０６のドレイン電流によって検知し、該電圧によって最適な放射線画像が得られるように放射線源を制御する。 - 特許庁

In order to reduce the leakage current, the step discontinuities are back-filled with an insulating material such as silicon nitride (SiN), forming a flat surface relative to the source and drain regions, to enable the gate metal to be formed flat.例文帳に追加

リーク電流を低減するために、ステップ状不連続部は窒化ケイ素（ＳｉＮ）などの絶縁材料で埋め戻され、ソース及びドレイン領域に関して平坦な表面が形成され、ゲート金属を平坦に形成することを可能にする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can be made very small without lowering driving force of a transistor and prevent junction leakage current increase between a gate electrode and a source electrode in a dynamic threshold performance transistor (DTMOS).例文帳に追加

動的閾値動作トランジスタ（ＤＴＭＯＳ）において、トランジスタの駆動力を低下させることなく微細化させると共に、ゲート電極とソース電極との間の接合リーク電流増大を防止できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The pixel bias current source limits an output voltage of the pixel when an incidence of a very strong light occurs on one pixel and more, and is provided with a feature of a voltage limiter to prevent an inversion video noise from being output.例文帳に追加

この画素バイアス電流源は、非常に強い光が１つ以上の画素上に入射した際に、画素の出力電圧を制限して、反転ビデオノイズが出力されるのを防止する電圧リミッタの特徴も具えている - 特許庁

In a voltage level generation circuit 12, by using the second voltage VLCD2 for generating middle potential levels V3, V4 used in a liquid crystal drive circuit, consumption of the current supplied from the low voltage source VDD is reduced.例文帳に追加

電圧レベル生成回路１２において、液晶駆動回路で使用される中間電位レベルＶ３、Ｖ４の生成にこの第２の電圧ＶＬＣＤ２を利用することで、低電圧電源ＶＤＤからの消費電流を低減する。 - 特許庁

Thus, since a plurality of channels 21 is formed between the source electrodes 17 and the drain electrodes 18, the overall length of the channel width is significantly extended, compared with the length of a movable gate 15, and a large drain current can be taken out.例文帳に追加

ソース電極１７とドレイン電極１８との間に形成されるチャネル２１も複数となって、可動ゲート１５の長さと比較して、チャネル幅の全長が大幅に長くなり、大きなドレイン電流が取り出せるようになる。 - 特許庁

The adjustment module 42 includes a resistance element 53 and adjusts a current flowing in LED 18 by selectively mounting or not mounting it to the mounting member 41 to easily adjust the luminance of a light source unit 12.例文帳に追加

調整モジュール４２は、抵抗素子５３を含んでなり、取付け部材４１に選択的に取付け、又は取付けないことでＬＥＤ１８に流れる電流を調整して、光源ユニット１２の輝度を容易に調節可能となっている。 - 特許庁

The function generator generates the specific waveforms for the arc welding voltage and/or current directed respectively toward the welding gun and an electric contact 70 of a workpiece 80 to the power source 100 along lines 102 and 104.例文帳に追加

関数発生器は、電源１００に、ライン１０２および１０４に沿って、それぞれ、溶接ガンおよび被加工物８０の電気接触子７０へ向けられるアーク溶接電圧および／または電流のための特定の波形を生成させる。 - 特許庁

To enhance the capability of supplying a current of an internal power source voltage generating circuit 14a incorporated in a semiconductor memory only during the time when a latch signal F for latching FUSE setting state of a redundant address setting section is active.例文帳に追加

半導体記憶装置に内蔵する内部電源電圧発生回路１４ａの電流供給能力を、冗長アドレス設定部のＦＵＳＥ設定状態ラッチ用のラッチ信号Ｆがアクティブ期間中のみ、増強させる。 - 特許庁