「device layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(409ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a twisted inclined alignment film using a twisted inclined alignment liquid crystal layer having no optical axes when viewed diagonally in vertical and lateral directions in relation to the normal direction of a film plane and having no differences in an inclined visual direction when applied to an image display device and a twisted inclined alignment film.例文帳に追加

フィルム平面の法線方向に対して、上下左右の方向で斜視した際の光学軸がなく、画像表示装置に適用した際に斜視方向での差異のない、ねじれ傾斜配向液晶層を用いたねじれ傾斜配向フィルムの製造方法およびねじれ傾斜配向フィルムを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a p-type nitride compound semiconductor, having characteristics of a low resistance according to a high hole concentration in a growing crystal, having no dry spots on the surface of the crystal and furthermore, not lowering mass productivity, a semiconductor wafer having a p-type nitride layer obtained by the method, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

成長結晶に高正孔濃度による低抵抗の特質が備わるとともに、結晶表面の荒れがなく、さらに、量産性を低めることのないｐ型窒化物系化合物半導体の製造方法と、これより得られるｐ型窒化物層を備えた半導体ウエハおよび半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

The toilet seat device includes the toilet seat, the heating wire 460 whose outer periphery is coated with a resin insulating layer on the back surface side of the sitting surface of the toilet seat, an electrical lead wire 470 for supplying electricity to the heating wire, and a connection part 475 where the heating wire 460 and the electrical lead wire 470 are thermally caulked.例文帳に追加

この便座装置は、便座と、前記便座の前記着座面の裏面側に樹脂絶縁層で外周被覆された発熱線４６０と、発熱線に電気を供給するリード線４７０と、前記発熱線４６０と前記リード線４７０とを熱かしめした接続部４７５とを備えたものである。 - 特許庁

To provide a high-precision and high-performance liquid crystal display device having high luminance, by controlling the angle or the density of the fine structure of a particulate columnar laminate of an inorganic alignment layer, such as a SiOx film formed by oblique vapor deposition or directional sputtering, by arranging the alignment of liquid crystal in the order, and by reducing color unevenness.例文帳に追加

斜方蒸着或いは指向性スパッタリングにより形成するＳｉＯｘ膜等の無機系配向膜の微粒子の柱状積層の微細構造の角度や密度をコントロールし、液晶配向を揃え、色ムラを低減して高輝度、高精細、高性能の液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

In an antenna device 1 including a substantially disc like circuit board 3 on which a ground conductor layer 33 is provided, and a sheet-metal antenna element 2 mounted on the circuit board 3, a radiation conductor plate 20 consisting of a metal flat plate is arranged parallel to the circuit board 3 and five metal pieces 21-25 are used to support the radiation conductor plate 20.例文帳に追加

接地導体層３３が設けられた略円板状の回路基板３に板金製のアンテナ素子２が取り付けられたアンテナ装置１であって、金属平板からなる放射導体板２０が回路基板３と略平行に配置されていると共に、５個の金属片２１〜２５が放射導体板２０を支持している。 - 特許庁

A thermal transfer recording method and a thermal transfer recording device, comprising a recording intermediate member of a closed loop base material disposed across a plurality of drums, a dying layer transfer part disposed on the drum outer circumference, a plurality of image recording parts provided each on the outer circumference of a plurality of drums, and an image transfer part disposed on another drum, are provided.例文帳に追加

複数のドラムに跨る閉ループ基材からなる記録中間体と、ドラム外周上に配置された染着層転写部と、複数のドラムの外周上にそれぞれ配置された複数の画像記録部と、他のドラムに配置された画像転写部とで構成された熱転写記録方法及び熱転写記録装置。 - 特許庁

The power storage device has a plurality of power storage elements (11), a case (20) for storing the liquefied heat exchange medium (30) performing heat exchange between the power storage elements at a sealed state and including a gas layer (50) in the inside, and a fan (41) arranged in the case and giving flowing force to the heat exchange medium with turning motions.例文帳に追加

複数の蓄電素子（１１）と、蓄電素子との間で熱交換を行うための液状の熱交換媒体（３０）とを密閉状態で収容し、内部に気体の層（５０）を含むケース（２０）と、ケース内に配置され、回転動作によって熱交換媒体に流動力を与えるためのファン（４１）と、を有する。 - 特許庁

The writing device 2 is equipped with: a light irradiating means 18 that imagewisely irradiates the optical modulation element 1 with light; and a voltage applying means 17 that, following the light irradiation by the light irradiating means 18, applies a driving voltage to set a phase state of the display layer 7 to the pair of electrode layers 5, 6 of the optical modulation element 1.例文帳に追加

光変調素子１に、像様に光を照射する光照射手段１８と、光照射手段１８による光照射に続いて、光変調素子１の一対の電極層５，６に、表示層７の相状態を設定する駆動電圧を印加する電圧印加手段１７と、を備える書き込み装置２。 - 特許庁

The liquid crystal display device D is provided with a pair of substrates 11 and 12 stuck to each other via a sealing material 13 of a photosetting resin provided in an endless closed pattern and a liquid crystal layer 14 wherein a liquid crystal material is encapsulated in a part enclosed by the sealing material 13 between the pair of substrates 11 and 12.例文帳に追加

液晶表示装置Ｄは、無端状の閉パターンに設けられた光硬化型樹脂のシール材１３が介設されて貼り合わされた一対の基板１１，１２と、一対の基板１１，１２間のシール材１３で囲われた部分に液晶材料が封入されて構成された液晶層１４と、を備える。 - 特許庁

In the semitransmission type liquid crystal display device equipped with a semitransmission type liquid crystal panel 20 having a plurality of pixels each comprising a transmission part 33 transmitting the light from the back light 10 and a nontransmission part 36 reflecting external light, an irregular reflection layer 30 which directs the light from the back light 10 to the transmission part 33 is provided at the nontransmission part 36.例文帳に追加

バックライト１０からの光を通す透過部３３と外光を反射する非透過部３６から成る複数の画素を有する半透過型液晶パネル２０を備えた半透過型液晶表示装置に、バックライト１０からの光を透過部３３に向ける乱反射層３０を非透過部３６に設ける。 - 特許庁

This LED module (illumination device) 100 is equipped with a wiring circuit board 10 having a wiring layer 13 formed on the upper face, a plurality of light-emitting parts 20 installed on the upper face of the wiring circuit board 10, and constant current circuits 30 installed on the upper face of the wiring circuit board 10 and electrically connected to the light-emitting parts 20.例文帳に追加

このＬＥＤモジュール（照明装置）１００は、上面上に配線層１３が形成された配線基板１０と、配線基板１０の上面上に設けられた複数の発光部２０と、配線基板１０の上面上に設けられ、発光部２０と電気的に接続された定電流回路３０とを備えている。 - 特許庁

In a printed storage medium 19a where an extremely thin thermal color-developing layer 23 is provided on a relatively thick optical recording member 20, the thickness is nearly the same as the specifications of the optical recording member 20, and data can be loaded and unloaded into and from the reproducing device of the medium 19a and recorded data can be reproduced stably and securely.例文帳に追加

比較的厚い光記録部材２０の上に極薄い感熱発色層２３が設けられる印刷記録媒体１９ａは、その厚みが光記録部材２０のスペックとほぼ同じであり、媒体１９ａの再生装置への出入れおよび記録データの再生が安定的かつ確実である。 - 特許庁

The method for bonding a diamond optical device is provided in which when a diamond crystal 31 for X-ray diffraction and a diamond, crystal 32 for distortion relaxation are bonded by pressing and heating, irradiating respective bonding surfaces of the diamond crystals 31 and 32 with a metal nanoparticle cluster as a bonding material from a cluster source and forming a reaction layer on each of the bonding surfaces.例文帳に追加

Ｘ線回析用ダイヤモンド結晶31および歪緩和用ダイヤモンド結晶32を加圧および加熱して接合するに際し、接合材として、双方のダイヤモンド結晶体31、32の接合面にクラスター源から金属ナノ粒子のクラスターをそれぞれ照射し、接合面に反応層を形成させる。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head provided with an MR element, in which a sufficient bias magnetic field for domain control can be supplied to a magnetization free layer of an MR laminate, consequently, proper linear response having no noise can be performed, a magnetic disk drive device provided with the thin-film magnetic head, and to provide a manufacturing method for the thin-film magnetic head.例文帳に追加

充分な磁区制御用バイアス磁界をＭＲ積層体の磁化自由層に供給することができ、その結果、ノイズのない良好な線形応答が可能なＭＲ素子を備えた薄膜磁気ヘッド、薄膜磁気ヘッドを備えた磁気ディスクドライブ装置、及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

This member is structural parts relating to charges in an image forming device, such as a secondary transfer roll 1, and it has an outermost layer 13 having at least either a comblike graft polymer of silicone monomers and acrylic monomers or a comblike graft polymer of fluorine monomers and acrylic monomers dispersed in a fluoroolefinvinylether resin.例文帳に追加

画像形成装置における電荷が関与する二次転写ロール１等の構成部品であって、フルオロオレフィンビニルエーテル樹脂に、シリコーン系モノマーとアクリル系モノマーからなるクシ型グラフトポリマー又はフッ素系モノマーとアクリル系モノマーからなるクシ型グラフトポリマーの少なくとも一方を分散してなる最外層１３を有する構成とした。 - 特許庁

A photovoltaic device includes: a silicon substrate having a plurality of grooves; a doped silicon layer, installed on one surface of the silicon substrate; a first electrode installed adjacent to the silicon substrate; and a second electrode, installed at a side opposite to the surface of the silicon substrate adjacent to the first electrode.例文帳に追加

本発明の光起電装置は、複数の溝を有するシリコン基板と、前記シリコン基板の一つの表面に設置されたドープシリコン層と、前記シリコン基板に隣接して設置された第一電極と、前記第一電極に隣接したシリコン基板の表面と反対側に設置された第二電極と、を含む。 - 特許庁

The device is characterized by having a band gap voltage setting means for setting a band gap voltage of one or a plurality of materials composing the photoelectric conversion layer, and a reverse bias applying means for sequentially applying all the set band gap voltages as the reverse bias voltage, two electrodes sandwiching the short circuit section.例文帳に追加

そして、光電変換層を構成する１又は複数の材料のバンドギャップ電圧を設定するバンドギャップ電圧設定手段と、短絡部を挟む２つの電極に、設定された全てのバンドギャップ電圧を逆バイアス電圧として順次印加する逆バイアス電圧印加手段とを有することを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device 50 includes a wiring board 10, having a pad 11P defined at a necessary location in the outermost wiring layer, a plurality of semiconductor elements (chips) 20a, 20b mounted on the wiring board in parallel in a face-up state, and the interposer 30 mounted astride on the chips.例文帳に追加

半導体装置５０は、最外層の配線層の所要の箇所に画定されたパッド１１Ｐを有する配線基板１０と、この配線基板上にフェイスアップの態様で並列して実装された複数の半導体素子（チップ）２０ａ，２０ｂと、各チップ上にまたがって実装されたインターポーザ３０とを備える。 - 特許庁

Thus, the automatic playing device creates accompaniment patterns recording events generated in response to performance on a new layer LY performed while hearing the performance (event reproduction) recorded previously and performing music decoration requested by a user by repeating improvisatorial trial and error since they are so-called multiplex recording.例文帳に追加

したがって先に記録した演奏（イベント再生）を聴きつつ行われる演奏に応じて生成されるイベントを新たなレイヤＬＹに記録する、所謂多重録音となる為、即興的な試行錯誤を繰り返してユーザ所望の音楽的修飾が施された伴奏パターンを作り上げることが出来る。 - 特許庁

The semiconductor device includes a diode 7 that is formed on a semiconductor substrate and serves as a temperature detection element to detect abnormal heat generation, and a thermal conduction layer 102 that is formed between the diode 7 and the semiconductor substrate and has a thermal conductivity higher than that of the semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明にかかる半導体装置は、半導体基板上に形成された、異常発熱を検出するための温度検出用素子であるダイオード７と、ダイオード７と半導体基板との間に形成され、半導体基板より高い熱伝導率を有する熱伝導層１０２と、を備えるものである。 - 特許庁

The liquid crystal driving device applies, to an active matrix liquid crystal panel which applies a predetermined voltage for display to each of a plurality of drain electrodes and gate electrodes and a common electrode on the side facing a liquid crystal layer, a gradation voltage of a voltage level according to the display data to the drain electrodes.例文帳に追加

本発明に係る液晶駆動装置は、複数のドレイン電極とゲート電極、および液晶層の対向側にあるコモン電極のそれぞれに対し、所定の電圧を印加して表示を実現する、アクティブマトリクス型液晶パネルに対し、該ドレイン電極へ表示データに応じた電圧レベルの階調電圧を印加する。 - 特許庁

Disclosed is the method for manufacturing the field-effect semiconductor device which includes a stage of changing the physical or chemical state of the carbon nanotubes by performing plasma processing for the carbon nanotubes when the field-effect semiconductor such as a field-effect transistor 6 using carbon nanotubes for the channel layer 5 is manufactured.例文帳に追加

カーボンナノチューブをチャネル層５に用いた電界効果トランジスタ６等の電界効果半導体装置を製造するに際し、前記カーボンナノチューブに対してプラズマ処理を行うことによって前記カーボンナノチューブの物理的又は化学的状態を変化させる工程を有する、電界効果半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The semiconductor device has such an element integrated structure that a Zener diode (protection element) 2 for gate electrode protection against an overvoltage is connected to a DMOS transistor 1 in one element region E2 on one semiconductor substrate structure (P-type semiconductor substrate 10 having an epitaxial layer 11).例文帳に追加

この半導体装置は、一半導体基板構造（エピタキシャル層１１を有するＰ型半導体基板１０）上で過電圧に対するゲート電極保護のためのツェナダイオード（保護素子）２が一つの素子領域Ｅ２においてＤＭＯＳトランジスタ１に接続されて構成された素子一体化構造となっている。 - 特許庁

The phosphor layer 5 in the EL device is composed of a phosphor thin film that comprises a phosphor material containing a metal element belonging to any one kind of alkali metals, rare earth metals and transition metals, a group 2 element, a group 13 element, sulfur, a halogen, and a luminescence center material.例文帳に追加

このＥＬ素子１における蛍光体層５は、アルカリ金属、希土類金属及び遷移金属のうちのいずれか一種に属する金属元素、２族元素、１３族元素、硫黄、ハロゲン、並びに発光中心材料を含有する蛍光体材料からなる蛍光体薄膜により構成されている。 - 特許庁

A mixture layer of an acrylate-based multifunctional compound having two or more of polymerizable functional groups polymerizable by the UV ray and a photoinitiator is formed on a surface of the object material and the mixture is cured by flash irradiation with UV ray using a UV ray emission device having a flash type discharge mechanism.例文帳に追加

対象の基材表面に、紫外線によって重合しうる重合性官能基を２個以上有するアクリレート系多官能性化合物及び光重合開始剤の混合物の層を形成し、これにフラッシュ式放電機構の紫外線発光装置を用いて紫外線を閃光的に照射し、前記混合物を硬化させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical integrated device having several semiconductor optical devices integrated on a substrate and a method for manufacturing it by which deformation due to abnormal growth of the semiconductor layer structure in the neighborhood of the boundary between two optically connected semiconductor optical devices is reduced.例文帳に追加

複数の半導体光素子が基板上に集積された半導体光集積素子において、光学的に接続された２つの半導体光素子の境界近傍での半導体層構造の異常成長による変形が低減される半導体光集積素子、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A liquid crystal driving device applies a gradation voltage of a voltage level according to display data to drain electrodes for an active matrix liquid crystal panel that realizes display, by applying a predetermined voltage to a plurality of drain electrodes and gate electrodes, and common electrodes on the side opposite to a liquid crystal layer.例文帳に追加

本発明に係る液晶駆動装置は、複数のドレイン電極とゲート電極、および液晶層の対向側にあるコモン電極のそれぞれに対し、所定の電圧を印加して表示を実現する、アクティブマトリクス型液晶パネルに対し、該ドレイン電極へ表示データに応じた電圧レベルの階調電圧を印加する。 - 特許庁

Since an infrared light cutting function can be imparted to the color filter layer 26, a semiconductor imaging device 100 having low infrared light transmittance required by the infrared light cutting function in addition to high visible light transmittance required by the color filter function can be provided.例文帳に追加

この構成によって、カラーフィルタ層２６に赤外光カット機能を持たせることができるので、カラーフィルタ機能で要求される可視光の高透過率性に加えて、赤外光カット機能で要求される赤外光低透過率性を合わせ持った半導体撮像装置１００を提供できるようになる。 - 特許庁

To form a dielectric film whose principal component is PZT stabilizing a polarization property by adding rare earth ion or alkaline earth element to an upper part of wiring layers or between wiring layers made by applying a wiring layer forming process of a semiconductor device in a capacitor and a method of manufacturing the capacitor.例文帳に追加

キャパシタ及びその製造方法に関し、半導体装置の配線層形成工程を適用して作製した配線層の上方或いは配線層間に希土類イオン、或いは、アルカリ土類元素を添加して分極特性を安定化したＰＺＴを主成分とする誘電体膜の形成を可能にしようとする。 - 特許庁

A boron phosphide based semiconductor device 10 (11) comprises at least a p-type boron phosphide system semiconductor layer 104 and a p-type ohmic electrode 105 formed thereon, wherein the p-type ohmic electrode 105 is formed of an alloy of nickel and boron.例文帳に追加

この発明のリン化硼素系半導体発光素子１０（１１）は、少なくともｐ形リン化硼素系半導体層１０４とその上に形成したｐ形オーミック電極１０５と備えるリン化硼素系半導体素子であって、ｐ形オーミック電極１０５を、ニッケルと硼素との合金から構成した、ことを特徴としている。 - 特許庁

In the semiconductor device thus configured, a sheet n-type burried diffusion layer 3 over the lower section of the entire semiconductor element formation region S connected to the drain leading electrodes 15A, 15B is embedded inside the semiconductor substrate in the entire lower section of the semiconductor element formation region S.例文帳に追加

こうした半導体装置において、半導体素子の形成領域Ｓ全体の下方における半導体基板の内部に、半導体素子の形成領域Ｓの下方全体にわたる面状のＮ型埋込拡散層３をドレイン引出電極１５Ａ，１５Ｂと接続された状態で埋込形成するようにした。 - 特許庁

The electrophoresis display device is constituted by fastening electrophoresis display elements obtained by housing electrophoretic particles and a dispersion medium into microcapsules only onto the patterned electrodes, thereby forming an electrophoresis display element layer between the electrodes, at least one electrode of which is the patterned electrode having the prescribed pattern.例文帳に追加

電気泳動表示装置を、少なくとも一方の電極が所定のパターン形状を有するパターン電極である電極間に、電気泳動粒子と分散媒体をマイクロカプセルに収納してなる電気泳動表示素子が上記パターン電極上のみに固着されて電気泳動表示素子層をなすものとする。 - 特許庁

This semiconductor laser device comprises a semiconductor substrate 1, an active layer formed internally in the semiconductor substrate 1, an electrode formed on two electrode surfaces facing each other on the semiconductor substrate 1 and a dielectric film 5 formed on the emission end face 3 of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

本発明にかかる半導体レーザ素子は、半導体基板１と、半導体基板１の内部に形成された活性層と、半導体基板１の相対向する２つの電極面上に形成された電極と、半導体基板１の発光端面３上に形成された誘電体膜５とを備えた半導体レーザ素子である。 - 特許庁

In a nonvolatile semiconductor memory device, a first element isolation insulating layer in a memory cell region is configured by embedding a first oxide film in a first element isolation groove in the memory cell region, and the top surface of the first oxide film exists between the top surface of a semiconductor substrate and the top surface of a first gate electrode.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、メモリセル領域の第１素子分離絶縁層が当該メモリセル領域の第１素子分離溝内に第１の酸化膜を埋め込んで構成され、第１の酸化膜の上面が半導体基板の上面と第１ゲート電極の上面との間に存在するように構成されている。 - 特許庁

In the substrate for liquid crystal display device, at least one out of the substrates holding a liquid crystal composition layer in between is a transparent substrate, and light scattering particles of 0.4 μm to 20 μm average particle diameters are dispersed on the observer's side substrate.例文帳に追加

本発明の液晶表示素子用基板は、液晶組成物層を挾持してなる基板の少なくとも一方が透明な基板である液晶表示素子用基板であって、該基板の観察者側基板が平均粒径０．４μm以上２０μｍ以下の光拡散粒子が分散されていることを特徴とするものである。 - 特許庁

Further, the device includes a storage capacitance 70a having a first portion 301 covering the data line side LDD region 1b and a second portion 302 covering the pixel electrode side LDD region 1c and having a larger width in the X direction than the first portion 301, formed in an overlay side of the semiconductor layer 1a.例文帳に追加

更に、半導体層１ａよりも上層側に形成されており、データ線側ＬＤＤ領域１ｂを覆う第１部分３０１と、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃを覆うと共に第１部分３０１よりＸ方向の幅が広い第２部分３０２とを有する蓄積容量７０ａとを備える。 - 特許庁

The semiconductor device 1 includes the superjunction region in an n-type epitaxial layer 13 comprising a plurality of n-type epitaxial layers 13X formed on an n+-type semiconductor substrate 12 by providing an n-type pillar region 15 and a p-type pillar region 14 alternately along a top surface of the n+-type semiconductor substrate 12.例文帳に追加

半導体装置１は、ｎ＋型半導体基板１２上に形成された複数のｎ型エピタキシャル層１３Ｘからなるｎ型エピタキシャル層１３内に、ｎ型ピラー領域１５とｐ型ピラー領域１４とをｎ＋型半導体基板１２の上面に沿って交互に設けてなるスーパージャンクション領域を備える。 - 特許庁

The elector-optical device is provided with a plurality of pixel electrodes 141 which are divided by barrier ribs 150 made of an insulating material and are arranged on a base with active elements, a lamination body containing a light-emitting layer 140B arranged on the pixel electrodes 141, and a counter electrode 154 arranged on the lamination body.例文帳に追加

アクティブ素子を有する基体上に、絶縁性材料からなる隔壁１５０により隔てられた複数の画素電極１４１と、画素電極１４１上に配置された発光層１４０Ｂを含む積層体と、積層体上に配置された対向電極１５４と、を備えた電気光学装置である。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device includes: forming a rare earth metal silicide film and an amorphous silicon film on an electrode layer; and performing crystallization of the amorphous silicon film by heating the rare earth metal silicide film and the amorphous silicon film with microwave so that it has crystal orientation according to the crystal structure of the rare earth metal silicide film.例文帳に追加

電極層の上に希土類金属シリサイド膜とアモルファスシリコン膜とを形成し、希土類金属シリサイド膜とアモルファスシリコン膜とをマイクロ波を用いて加熱することにより、希土類金属シリサイド膜の結晶構造に応じた結晶配向を持つように、アモルファスシリコン膜を結晶化させる。 - 特許庁

The device has a resistance element 6 formed on a resistance element forming region 17 of a Si substrate 1, using a wiring layer 20 formed at the same time as forming a gate electrode 12 of a MOS type transistor 22 constituting a memory cell in a transistor forming region 18 of the substrate 1 when forming the resistance element 6.例文帳に追加

開示されている半導体装置１０は、シリコン基板１の抵抗素子形成領１７に抵抗素子６を形成するにあたり、基板１のトランジスタ形成領域１８にメモリセルを構成するＭＯＳ型トランジスタ２２のゲート電極２２の形成時に同時に形成された配線層２０を用いて抵抗素子６を形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device provided with fuse wiring for element separation for separating a defective element, an etching stop film (insulating film) 180 capable of securing a selection ratio in respect to a metal wiring insulating film 120 is provided on the upper surface of the metal wiring insulating film 120 provided on the upper layer of metal wiring 110 for fuse.例文帳に追加

不良素子を分離するための素子分離用ヒューズ配線を設けた半導体装置で、ヒューズ用金属配線１１０の上層に設けられる金属配線間絶縁膜１２０の上面に、金属配線間絶縁膜１２０に対して選択比を確保できるエッチング停止膜（絶縁膜）１８０を設ける。 - 特許庁

A wafer for semiconductor device is formed using a compound semiconductor substrate 1, having the surface crystal orientation face (111), the face equivalent to the face (111) or the face of the lowest density of a dangling bond, whereby interfacial carriers between the substrate and a semiconductor layer on the substrate are remarkedly decreased.例文帳に追加

表面の結晶面方位が（１１１）の面、（１１１）の面と等価な面、あるいはダングリングボンド密度の最も小さい面を有する化合物半導体基板１を用いて半導体装置用ウェハを形成することによって、基板とその上の半導体層との間の界面キャリアが著しく減少する。 - 特許庁

The optical device has a colored stimulation responding polymer gel 10 and a liquid 12 which can be absorbed in the polymer gel 10 held between a colored electrode 16 and an electrode 20 facing each other, and has a light- shielding layer 14 on the colored electrode 16.例文帳に追加

対向した有色電極１６と電極２０との間に、有色の刺激応答性高分子ゲル１０及び該有色の刺激応答性高分子ゲル１０中に吸収可能な液体１２を挟持してなる光学素子であって、前記有色電極１６上に遮光性層１４を有することを特徴とする光学素子である。 - 特許庁

The reticle having a transparent resin layer transferred with convexoconcaves of a mold for manufacturing the reticle is manufactured on the transparent substrate using the mold for manufacturing the reticle formed with an inorganic resist film having a plurality of the convexoconcaves of a micro lens configuration, and the reticle is used for the imaging device.例文帳に追加

型基板の上に、複数のマイクロレンズ形状の凹凸を有する無機レジスト膜が形成されている焦点板製造用型を用いて、透光性基板の上に、その焦点板製造用型の凹凸が転写された透光性樹脂層を有する焦点板を製造し、その焦点板を撮像装置に用いる。 - 特許庁

Related to a nitride semiconductor device comprising a nitride luminous element layer 9 on a GaN substrate 1, the GaN substrate 1 is doped with Mg, whose doping amount is 1×1017-1×1020 cm-3, with the thickness of the GaN substrate 1 being 100 μm or larger.例文帳に追加

ＧａＮ基板１上に窒化物系の発光素子層９を有する窒化物系半導体素子において、ＧａＮ基板１はＭｇがドーピングされており、そのドーピング量が１×１０^17ｃｍ^-3以上、１×１０^20ｃｍ^-3以下の範囲であり、且つ前記ＧａＮ基板１の厚みが１００μｍ以上であることを特徴とする。 - 特許庁