「device layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(411ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device, e.g. a heterojunction bipolar transistor, comprising a plurality of emitter layers formed on one base layer which is formed on a semiconductor substrate in which variation in heat dissipation can be suppressed significantly among emitters by dissipating heat efficiently, and to provide its fabricating process.例文帳に追加

半導体基板上の一つのベース層上に形成された複数のエミッタ層から構成されるヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、放熱を効率良く行ない、エミッタ間の放熱のばらつきを大幅に低減できるヘテロ接合バイポーラトランジスタなどの半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In this semiconductor integrated device, a circuit portion 2 has protective layers 44-46 formed on the front surface thereof; and a sensor portion 3 is formed with a residual portion obtained by removing a portion formed on the circuit portion, out of a non-lead ferroelectric material 31 formed on the whole of a semiconductor substrate front surface including a protective layer surface of the circuit portion.例文帳に追加

半導体集積装置は、回路部２は、表面に保護層４４〜４６が成膜されており、センサ部３は、回路部の保護層表面を含む半導体基板表面の全体に成膜された非鉛強誘電体材料３１のうち該回路部に成膜された部分を除去した残余部により構成されている。 - 特許庁

This hologram heat transfer device 50 is provided with a receiving roller 10, and a heating roller 11 for holding a hologram transfer foil 18 and a medium 14 to be transferred on a heat transfer plane 70 to heat-press the hologram transfer foil 18 onto the medium 14 to be transferred by heating and pressing a hologram transfer layer on the hologram transfer foil 18 between the receiving roller 10 and the heating roller 11.例文帳に追加

ホログラム熱転写装置５０は、受ローラー１０と、受ローラー１０との間で、ホログラム転写箔１８と被転写媒体１４とを熱転写平面７０上において挟持して、ホログラム転写箔１８のホログラム転写層を加熱押圧して被転写媒体１４に熱圧着する加熱ローラー１１とを備えている。 - 特許庁

This flaw detector 1 is provided with an ultrasonic probe 2 arranged away by a prescribed distance from the surface of the laminated roller 3 supported in a rotatable manner, and a control device 6 for determining the success or failure of the laminated roller 3 on the basis of information on the internal layer separation of the laminated roller 3 inputted from the ultrasonic probe 2.例文帳に追加

回転自在に支持された積層ロール３の表面から所定距離だけ離れて配置される超音波探触子２と、超音波探触子２から入力される積層ロール３の内部層間剥離に関する情報に基づいて積層ロール３の合否を判定する制御装置６とを備える探傷装置１である。 - 特許庁

The semiconductor device has tubular dummy wiring which includes an opening through which wiring for connecting semiconductor elements and external connection terminals passes, extends in an insulating film which is arranged on a semiconductor layer including the semiconductor elements, surrounds the whole of the semiconductor elements and is arranged inside the external connection terminals.例文帳に追加

半導体素子と外部接続端子とを接続する配線が貫通する開口部を含み、前記半導体素子を含む半導体層上に設けられた絶縁膜内に延在して前記半導体素子の全体を囲み、かつ前記外部接続端子の内側に配置された筒状ダミー配線を有する。 - 特許庁

In this capacitance type input device 1, the shielding conductive layer 18 faces one face 10a of a translucent substrate 10 where translucent electrodes 11, 12 for detecting an input operation position are formed, so that the translucent electrodes 11, 12 can be protected from external noise.例文帳に追加

静電容量型入力装置１では、透光性基板１０において、入力操作位置を検出するための透光性電極１１、１２が形成されている一方面１０ａ側にシールド用導電層１８を対向させているので、透光性電極１１、１２を外部ノイズから保護することができる。 - 特許庁

This liquid crystal device 1 includes a first substrate having a pixel electrode 14, a second substrate disposed opposite to the first substrate, a liquid crystal layer held between the first substrate and the second substrate, and a depression type pixel transistor 13 for switching an electric signal supplied to a pixel electrode 14.例文帳に追加

本発明の液晶装置１は、画素電極１４を有する第１基板と、第１基板に対向して配置された第２基板と、第１基板と第２基板との間に挟持された液晶層と、画素電極１４に供給される電気信号をスイッチングするデプレッション型の画素トランジスタ１３と、を備えている。 - 特許庁

The elctrochromic dimming device which has the transparent conductive film 7 and an organic electrochromic layer 3 laminated, in the order on the glass substrate 1 is characterized in that the transparent conductive film 7 consists mainly of ZnO and an alkali earth metal fluoride compound and contains the alkali earth metal fluoride compound at ≥10 wt.%.例文帳に追加

ガラス基板１上に、透明導電膜７および有機エレクトロクロミック層３が順に積層されたエレクトロクロミック調光装置において、透明導電膜７は、ＺｎＯとフッ化アルカリ土類金属化合物とを主成分としてなり、フッ化アルカリ土類金属化合物を１０ｗｔ％以上含むことを特徴とする。 - 特許庁

In the method for manufacturing the semiconductor device having an element isolation structure of a shallow trench isolation system, after a trench 14 is formed on a surface of a silicon substrate 11; an inner surface 14a of the trench 14 is cleaned to remove a pollutant, and next a defective layer 15 of the inner surface 14a of the trench 14 is removed.例文帳に追加

シャロートレンチアイソレーション方式の素子分離構造を有する半導体装置の製造方法であって、シリコン基板１１の表面に溝１４を形成した後に、溝１４の内表面１４ａを洗浄して汚染物を除去し、次いで、溝１４の内表面１４ａの欠陥層１５を除去する。 - 特許庁

The semiconductor device in an embodiment generally includes a metallic plate 24, a low melting-point metal 25, an insulating layer 26, a buried through-hole 17, a solder ball 20, a wiring pattern 22, a metallic bump 23, a sealing resin 19, an insulator cover resist 21, and a semiconductor chip 18.例文帳に追加

図１に示すように、本実施の形態１に係る半導体装置は、金属板２４と低融点金属２５と絶縁層２６と埋込スルーホール１７と半田ボール２０と配線パターン２２と金属バンプ２３と封止樹脂１９と絶縁体カバーレジスト２１と半導体チップ１８とで概略構成される。 - 特許庁

For this semiconductor device, a silicon region 4 insulated by an insulating layer 2 and a dielectric isolation region 3 is formed on an SOI substrate 1, a polysilicon resistor 6 is formed via an insulation protective film 5 at the upper part of the silicon region 4, the polysilicon resistor 6 and the silicon region 4 are electrically connected, and the polysilicon resistor 6 is used as a resistor.例文帳に追加

ＳＯＩ基板に絶縁層２や誘電体分離領域３で絶縁されたシリコン領域４を形成し、そのシリコン領域４上部に絶縁保護膜５を介してポリシリコン抵抗６を形成し、そのポリシリコン抵抗６とシリコン領域４を電気的に接続して、ポリシリコン抵抗６を抵抗体として使用する。 - 特許庁

An outer package case 11 of an electric double-layer capacitor device has first connection means 3 and 4 provided on both the opposing surfaces to directly connect at least two products, and second connection means 7a and 8a, provided on both the opposing surfaces other than the first connection means 3 and 4.例文帳に追加

電気二重層コンデンサ装置の外装ケース１１は、２個以上の製品を直接接続するよう互いに対向する一面の双方に設けた第１の結合手段３，４と、該第１の結合手段３，４を除く互いに対向する一面の双方に設けた第２の結合手段７ａ，８ａとを有している。 - 特許庁

Since an overcoating film 45 for flattening the ruggedness generated in color filters is formed at lower layer sides of stripe shaped data lines 52 in the counter substrate 7b of a liquid crystal device, difference in level 450 is formed at the boundary part of the formation zone 45a and the non- formation zone 45b of an overcoating film 45.例文帳に追加

液晶装置の対向基板７ｂにおいて、ストライプ状のデータ線５２の下層側には、カラーフィルタに生じた凹凸を平坦化するためのオーバーコート膜４５が形成されているため、オーバーコート膜４５の形成領域４５ａと非形成領域４５ｂの境界部分に段差４５０が形成されている。 - 特許庁

This waste treatment device is provided with a drying furnace 11 for drying the sludge up to the moisture content of 60 wt.% or less, and a waste treatment furnace 1 for heating and burning the garbage and the sludge by making high temperature gas flow to a waste material layer formed of the garbage and the sludge dried by the drying furnace 11.例文帳に追加

汚泥を含水率６０重量％以下まで乾燥させる乾燥炉１１と、塵芥と前記乾燥炉１１で乾燥した汚泥とで形成した廃棄物層に高温ガスを流通させて前記塵芥と前記汚泥とを加熱・燃焼する廃棄物処理炉１とを設けたことを特徴とする廃棄物処理装置。 - 特許庁

In a developing device 2, a doctor blade 116 uniformizes the layer thickness of the developer captured on the surface of a developing sleeve 119 to regulate the amount of the developer supplied to a photoreceptor 3, the doctor blade 116 being disposed facing one magnetic pole 120b of a plurality of magnetic poles located inside the developing sleeve 119, via the developing sleeve 119.例文帳に追加

現像装置２では、現像スリーブ１１９表面に捕獲された現像剤の層厚を一定にして感光体３への現像剤供給量を規制するドクターブレード１１６は、現像スリーブ１１９内部の複数の磁極のうちの１つである磁極１２０ｂと現像スリーブ１１９を介して対向配置されている。 - 特許庁

To provide a ultra-violet light prevention device for a classy accessories for head which is directly installable as an anti-aging method, while progress of destruction of ozone layer caused increase of anxiety for skin cancer or cataract and outgoing without any protecting means become hard and many supplements or cosmetics removing moles, freckles, lentigo, etc., are available.例文帳に追加

太陽のオゾン層の破壊が進み皮膚ガンや白内障の心配が多くなり、何らかの防備なしでは、外出ができなくなり、又はシミ、ソバカス、ホクロ等、とりのぞくサプリメント、美容品が多い中、老化予防対策としても直接防備できる、おしゃれな頭部装身用紫外線防止具を提供する。 - 特許庁

To alleviate an influence of post spacers on liquid crystal alignment, and to moderate disorder of the liquid crystal alignment caused by a switching element in a liquid crystal display device having a liquid crystal layer interposed between a pair of substrates which are separated from each other with the post spacers arranged in a panel and protrusions formed in the panel.例文帳に追加

パネル内に配置された柱状スペーサによって一対の基板を離間して液晶層を狭持しており、またパネル内に突起が形成されている液晶表示装置において、該柱状スペーサによる液晶配向への影響を緩和し、またスイッチング素子による液晶配向の乱れを緩和する。 - 特許庁

The semiconductor device has a plurality of capacity elements 41, an upper insulating film 34 and a second layer insulating film 28 composed of different materials and formed on each capacity element 41, and a bit line contact plug 31 formed in a region between the capacity elements 41 and connected to a bit line 33.例文帳に追加

半導体装置は、複数の容量素子４１と、各容量素子４１の上に形成された互いに異なる材料からなる上部絶縁膜３４及び第２の層間絶縁膜２８と、容量素子４１同士の間の領域に形成され、ビット線３３と接続されたビット線コンタクトプラグ３１とを備えている。 - 特許庁

To provide a gallium nitride based semiconductor light emitting device in which a lattice unmatching problem with an Al introduction is avoided, cracks are prevented from occurring without thinning a thickness of Al_xGa_1-xN, and an Al composition X of an AlGaN layer is increased with a large light emission output and a long lifetime.例文帳に追加

Ａｌ導入に伴う格子不整問題を回避し、Ａｌ_xＧａ_1-xＮの厚みを薄することなくクラックの発生を防止し、かつ、ＡｌＧａＮ層のＡｌ組成Ｘを高くした、発光出力が大きく、しかも寿命が長い窒化ガリウム系半導体発光装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a TFT which is enhanced in transistor characteristics, even if a polycrystalline semiconductor film obtained by making an amorphous semiconductor undergo laser annealing process is used as an active layer, a method of manufacturing an active matrix substrate, and an electro-optic device provided with an active matrix substrate formed by this method.例文帳に追加

非晶質の半導体膜にレーザアニールを施して得た多結晶性の半導体膜を能動層として用いた場合でも、良好なトランジスタ特性を有するＴＦＴの製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、およびこの方法で製造したアクティブマトリクス基板を用いた電気光学装置を提供すること。 - 特許庁

The lamination type photoelectric transfer device 1 has a dye-sensitized photoelectric transfer body 3 including an electrolyte, a catalyst layer 15 to lower overvoltage, and a thin-film photoelectric transfer body 2 which is composed of an amorphous semiconductor and has a light transmission property, laminated in the order on the main surface of a conductive substrate 11.例文帳に追加

積層型光電変換装置１は、導電性基板１１の主面に、電解質を含む色素増感型光電変換体３と、過電圧を下げる触媒層１５と、非晶質の半導体から成るとともに光透過性を有する薄膜光電変換体２とが順次積層されている構成である。 - 特許庁

To provide a diode element capable of reducing an in-plane luminance difference when it is applied to a display device by suppressing unevenness of a distribution of an electron emission quantity in a plane or between adjacent pixels caused by film formation unevenness in forming an electron acceleration layer of an MIM type diode element suitable for a thin-film electron source by anodic oxidation.例文帳に追加

薄膜電子源に好適なＭＩＭ型ダイオード素子の電子加速層を陽極酸化で形成する際の成膜不均一に起因する面内もしくは隣接画素間の電子放出量の分布の不均一を抑制し、表示装置に適用した場合の面内輝度差を低減可能としたダイオード素子を提供する。 - 特許庁

For recording in an optical disk having two or more recording layers, film thickness information of the reflective layer of an optical disk constituted of a half-transmissive film is obtained from the pre-mounted firmware of the optical disk device, or an optical disk pre-storing the film thickness information, and an adjustment coefficient of recording power is calculated.例文帳に追加

二層以上の記録層を持つ光ディスクの記録において、半透過膜で生成された光ディスクの反射層の膜厚情報を予め実装した光ディスク装置のファームウェア上、あるいは予め膜厚情報を格納した光ディスクから取得し、記録パワーの調整係数を算出する。 - 特許庁

The liquid crystal display device 100 has: a backlight unit 10; the liquid crystal display panel 20a having an arrangement pattern 22a of pixels (dots) arranged in a matrix shape having rows and columns; and the light diffusion layer 30a disposed on the viewer side of the liquid crystal display panel and having the stripe structure extending in the vertical direction.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置１００は、バックライトユニット１０と、行および列を有するマトリクス状に配列された絵素（ドット）の配列パターン２２ａを有する液晶表示パネル２０ａと、液晶表示パネルの観察者側に配置され、垂直方向に延びるストライプ構造を有する光拡散層３０ａとを有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a thin-film semiconductor device capable of keeping an interface between a gate insulation film and a thin-film conductor layer under good conditions free from the influence of formation of a source/drain electrode and thereby having a fine bottom-gate-bottom-contact type thin-film transistor structure with good characteristics.例文帳に追加

本発明は、ソース／ドレイン電極の形成に影響されることなくゲート絶縁膜と薄膜半導体層との界面を良好な状態に維持することが可能で、これにより微細でありながらも特性の良好なボトムゲート・ボトムコンタクト型の薄膜トランジスタ構成の薄膜半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The developing device 2 includes: a housing 4; a developing sleeve 30 supported by the housing 4; a stationary permanent magnet 32 disposed within the developing sleeve 30; and the layer thickness regulating blade 40 disposed on the housing 4 so that its leading edge face is located with an empty space left from the peripheral surface of the developing sleeve 30.例文帳に追加

現像装置２は、ハウジング４と、ハウジング４に支持された現像スリーブ３０と、現像スリーブ３０内に配置された静止永久磁石３２と、先端面が現像スリーブ３０の周表面に対し隙間をおいて位置するようハウジング４に配設された、層厚規制ブレード４０とを備えている。 - 特許庁

To provide an optical pickup device in which a satisfactory spot is formed by suppressing the occurrence of a spherical aberration in recording and reproducing optical disks of different specifications, the spherical aberration generated by a thickness error of a cover layer in use is corrected, and the information reading of the different optical disks can be stably performed.例文帳に追加

規格の異なる光ディスクの再生及び記録に際し、球面収差の発生を抑え良好なスポットを形成するとともに、使用時にカバー層の厚み誤差によって生じる球面収差を補正し、異なる光ディスクの情報読取を安定的に行なうことができる光ピックアップ装置を提供する。 - 特許庁

A display device 100 has a structure including: white non-charged large diameter particles 6 and porous members 17 which almost fill the space inside a display layer 20; and black charged particles 5 which have a smaller diameter than that of the large diameter particles 6 and can migrate in a plurality of pores of the porous members 17.例文帳に追加

表示装置１００は、白色で無帯電の大径粒子６と、多孔質部材１７とで、表示層２０内の空間を略満たすとともに、大径粒子６よりも小径で、かつ、多孔質部材１７内の複数の孔の中を泳動可能な黒色の帯電した粒子５を備えた構成を有している。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: an insulating film II4 that has a surface; a semiconductor layer that is formed on the surface of the insulating film II4 and includes a channel region TP2 and a pair of source and drain regions TP1 and TP4 sandwiching the channel region TP2; and power supply wiring TP1 for supplying power to the source region TP1.例文帳に追加

表面を有する絶縁膜ＩＩ４と、絶縁膜ＩＩ４の表面上に形成され、かつチャネル領域ＴＰ２と、チャネル領域ＴＰ２を挟む１対のソース／ドレイン領域ＴＰ１，ＴＰ４とを含む半導体層と、ソース領域ＴＰ１に電源を供給するための電源供給配線ＴＰ１とを備えている。 - 特許庁

To provide a magnetic recording device capable of securing the durable life of a disk by relaxing a local and excessive contact state between a slider head and the disk regarding a magnetic recorder using a flexible disk, where dynamic fluctuation is promoted by a high-speed rotation, and it is difficult to hold a stable air layer with the slider head.例文帳に追加

高速回転により動的変動を助長しやすく、かつスライダヘッド間に安定した空気層膜が保持しにくいフレキシブルディスクを用いた磁気記録装置において、スライダヘッドとディスクの局所的でかつ過度な接触状態を緩和し、ディスクの耐久寿命を確保することが可能な磁気記録装置を実現する。 - 特許庁

At least one layer of the sheet-like laminate is cut and peeled continuously along its longitudinal direction by a cutting and peeling device 6 which is equipped with the rotator 5, a feeding mechanism 8 to feed the sheet-like laminate to the rotator 5, and a receiving mechanism 9 to receive the sheet-like laminate after cutting and peeling.例文帳に追加

前記回転体５と、この回転体５側へ前記シート状積層体を送る送り機構８と、切削剥離後のシート状積層体を引き取る引取機構９とを備えた切削剥離装置６により、前記シート状積層体の少なくとも１層をその長手方向に沿って連続的に切削剥離する。 - 特許庁

As viewed in a cross section of a trench gate electrode 12 extending along a surface 2a of a semiconductor substrate 2 in the semiconductor device 1, a trench gate electrode 12, an n^+-type source region 20, a p-type body contact region 30, a buried insulator layer 50 and an n^+-type drain region 60 are arranged in this order.例文帳に追加

半導体装置１を半導体基板２の表面２ａに沿って伸びているトレンチゲート電極１２を横断する断面で観測すると、トレンチゲート電極１２とn^+型ソース領域２０とp型ボディコンタクト領域３０と埋込絶縁体５０とn^+型ドレイン領域６０がその順序で配置されている。 - 特許庁

To prevent deterioration in characteristics due to application of a DC to a light-modulating layer when an abnormality occurs on a reference clock signal in a flat surface display device configured so as to control a video signal output based on the reference clock signal, and also to achieve an improvement in productivity as well as low cost.例文帳に追加

基準クロック信号に基づいて映像信号の出力を制御するように構成された平面表示装置において、基準クロック信号に異常が発生した時に光変調層への直流印加による特性劣化を防止するとともに、生産性の向上と低コスト化を達成する。 - 特許庁

In the electro-optical device, plural pixel electrodes (9a) are disposed on the side opposed to a liquid crystal layer (50) of a first substrate (10) and a first pixel electrodes group to be inverse-driven in a first period and a second pixel electrodes group to be inverse-driven in a second period complementary to the first period are included.例文帳に追加

電気光学装置において、複数の画素電極（９ａ）は、第１基板（１０）の液晶層（５０）に対向する側に配置されており、第１周期で反転駆動されるための第１画素電極群及び該第１周期と相補の第２周期で反転駆動されるための第２画素電極群を含む。 - 特許庁

In a liquid crystal display device which conducts field sequential color displaying, a superimposing voltage is applied to pixel electrode as well as wiring that forms accumulated capacitors during a signal voltage holding interval of the pixel electrodes and superposition is temporarily made to the voltage that is to be applied to a liquid crystal layer through the capacitors so as to prevent the occurrence of reverse transition.例文帳に追加

フィールド・シーケンシャル・カラー表示を行う液晶表示装置において、画素電極の信号電圧保持期間中に、画素電極と共に蓄積容量を形成する配線に重畳電圧を印加し、一次的に蓄積容量を介して液晶層に印加される電圧に重畳させて、逆転移を防止する。 - 特許庁

The network device 9 has a first communication data generating part for generating communication data to be transmitted and received on a first protocol layer, a memory 8 for storing the communication data generated by the first communication data generating part, and a first bypass part for guiding the communication data generated by the first communication data generating part to the memory.例文帳に追加

第一のプロトコル・レイヤーで送受信される通信データを生成する第一の通信データ生成部と、第一の通信データ生成部が生成した通信データを保存するメモリ８と、第一の通信データ生成部が生成した通信データをメモリへ導く第一のバイパス部とを有するネットワーク装置９によって解決する。 - 特許庁

In the liquid crystal display device, a reflection preventing film having a polylactic acid type resin as a supporting body and the polarizing plate having a polylactic acid type polymer film or a cycloolefin type polymer film as the protective film of at least one side surface of the polarizing plate are used by sticking them to each other directly or via another transparent layer.例文帳に追加

ポリ乳酸系樹脂を支持体とする反射防止フィルムと、ポリ乳酸系ポリマーフィルム又はシクロオレフィン系ポリマーフィルムを少なくとも片面の偏光板保護フィルムとする偏光板とを、直接又は他の透明層を介して貼り合わせて用いたことを特徴とする液晶表示装置。 - 特許庁

For the manufacturing method of the information recording medium including the molding process of the substrates 202, a manufacture line is constituted by including one injection molding device 12 which molds two substrates 202 by injection at the same time and four pigment solution coating machines 38 which form a pigment recording layer 204 where information is recorded.例文帳に追加

また、基板２０２の成形工程を含む情報記録媒体の製造方法において、該基板２０２を２枚同時に射出成形する１台の射出成形装置１２と、情報を記録するための色素記録層２０４を形成する４台の色素溶液塗布機３８とを含んで製造ラインを構成する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a source region 10 and a drain region 11 that adjoin a silicon substrate 1 to form a Schottky junction, and an insulating layer provided to cover both of a portion where an interface of the silicon substrate 1 and the source region 10 is exposed and a portion where an interface of the silicon substrate 1 and the drain region 11 is exposed.例文帳に追加

シリコン基板１と接してショットキー接合を形成するソース領域１０,ドレイン領域１１と、上記シリコン基板１とソース領域１０との境界が露出する部分およびシリコン基板１とドレイン領域１１との境界が露出する部分を被覆するように設けられた絶縁層を備える。 - 特許庁

To provide a measuring method and measuring device capable of providing sufficient electric contact of a probe needle with an electrode pad even when a relatively thick insulating layer is disposed on the surface of an electrode pad of the semiconductor chip, in measuring the electrical characteristic of a semiconductor chip in a state of the semiconductor wafer using a probe card.例文帳に追加

プローブカードを用いた半導体ウェハの状態での半導体チップの電気特性の測定において、半導体チップの電極パッドの表面に比較的厚い絶縁膜がある場合でも、プローブ針と電極パッドとの良好な電気的接触が得られるような測定方法および測定装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a junction hole of a semiconductor device which can form a junction hole with minuteness and high aspect ratio with a mixture gas including at least a fluorocarbon gas for an etching gas to etch an interlayer dielectric film covering an electrically conducting layer, controlling generation of side spread in the junction hole.例文帳に追加

少なくとも導電層を被覆する層間絶縁膜をエッチングするエッチングガスにフルオロカーボンガスを含む混合ガスを用いて、接続孔内部で横方向広がり部の発生を抑制しながら、微細で且つ孔アスペクト比の接続孔を形成できる半導体装置の接続孔形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an inorganic solid electrolyte high in ion conductivity, high in thermal and electrochemical stability, which is expected to be applied to a battery material such as a lithium ion secondary cell etc., an electric storage material such as an electrolysis condenser, an electric double layer capacitor etc. and an electrochemical device such as an indicating element etc.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池等の電池用材料、電解コンデンサ、電気二重層キャパシタ等の蓄電材料や表示素子等の電気化学デバイスへの応用が期待される高いイオン伝導性、熱的・電気化学的に安定性が高い固体電解質の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method for obtaining a conductive coating film comprises steps of: applying the colloidal solution of metal, using an ink jet device, on a surface of a substrate where a receptive layer for jetted ink is formed; and drying the resultant film at a temperature of 100°C or below.例文帳に追加

金属コロイド溶液をインクジェット方式により基材に塗布して、導電性コーティング膜を得る方法において、上記塗布が行われる基材表面にインクジェットインク用受容層が形成されており、塗布後の乾燥が１００℃以下で行われることを特徴とする導電性コーティング膜の形成方法。 - 特許庁

In a cutting device for cutting the wafer held on a chuck table by the cutting blade, a wafer fixing plate 8 held on the chuck table to fix the wafer is composed of: a plate main body 80 for dressing the cutting blade; and an adhesive layer 81 applied on a surface of the plate main body 80.例文帳に追加

チャックテーブルに保持されたウェーハに切削ブレードを切り込ませて切削を行う切削装置において、切削装置において、チャックテーブルに保持されてウェーハを固定するウェーハ固定プレート８を、切削ブレードをドレッシングするプレート本体８０とプレート本体８０の表面に塗布された粘着層８１とで構成する。 - 特許庁

The photosensitive body 11 with a coating layer comprising dispersed inorganic particulates, an electrifying member 13 mainly comprising a material with catalytic activity and electrical conductivity and a surface adjusting member 21 to clean a surface of the photosensitive body 11 are provided on an image forming part of the image forming device.例文帳に追加

画像形成装置の画像形成部に、無機微粒子を分散した被覆層を有する感光体１１と、触媒作用を有しかつ導電性を有する材料を主体として構成される帯電部材１３と、感光体１１の表面を清浄化するための表面性調整部材２１とを設ける。 - 特許庁