「device layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(415ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method and device of an electroluminescent element in which the constituting layer in the emission region that is almost impossible of patterning is formed uniformly and in high quality membrane and the patterning is performed in a wide viscosity range and in wide selections of use of solvent, and which can be implemented in a short time.例文帳に追加

パターニングが不可能とされる発光領域の構成層を均一かつ高膜質にパターン化して形成する上に、そのパターン化を幅広い粘度範囲及び広範囲の溶剤の選択使用下で行える短時間に実施可能な電界発光素子の製造方法及びその装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of producing a color filter for a liquid crystal display device by which formation of a gap between a black matrix and a color layer or overlapping of color layers are prevented and the color filter having satisfactory quality can be obtained, and to provide a photomask used for the production of the color filter.例文帳に追加

ブラックマトリックスと着色層の間に隙間ができたり、着色層同士の重なりが発生したりしないような、良好な品質の液晶表示素子用カラーフィルターを得ることが可能な液晶表示素子用カラーフィルターの製造方法およびカラーフィルターの製造に使用されるフォトマスクを提供する。 - 特許庁

To provide a fixing device for preventing the occurrence of an abnormal image caused by slippage and slack of a fixing belt and for dealing with color image formation of a high speed layer by providing configuration enhancing sheet separation, in particular, separation characteristics without using a means such as oil application.例文帳に追加

ベルトを駆動する際の負荷抵抗を低減することにより定着ベルトのスリップや浮きに起因する異常画像の発生を防止すると共にシート分離性、特にオイル塗布などの手段を用いないで分離特性を高めることが可能な構成を備えて高速層のカラー画像形成にも対応できる定着装置を提供する。 - 特許庁

In the capacitor device comprising a capacitor bank 11 composed of a plurality of electric double layer capacitor cells and an electrolytic capacitor 12 connected in parallel to the capacitor bank 11, the capacitance of the parallel-connected electrolytic capacitor 12 is set to be not less than 0.1% and not more than 10% of the capacitance of the capacitor bank 11.例文帳に追加

複数の電気二重層コンデンサセルで構成されるコンデンサバンク１１と、このコンデンサバンク１１に並列接続される電解コンデンサ１２とを具備するコンデンサ装置において、上記並列接続される電解コンデンサ１２の静電容量を、上記コンデンサバンク１１の静電容量の０．１％以上で１０％以下とする。 - 特許庁

In this purifying device for the storeroom of the transport vehicle, honeycomb-like plates where titanium oxide active layer is formed are stacked at spaces in multilayers so that air can pass through the interior of the storeroom of the transport vehicle, whereby the air in the storeroom is passed to come into contact with the honeycomb-like plates coated with titanium oxide.例文帳に追加

前記目的を達成するための本発明に係る輸送車両庫内浄化装置は、酸化チタン活性層を形成したハニカム状板を輸送車両庫の内部に空気通過が可能となるよう間隙をあけて庫内空気が通過し酸化チタンをコートしたハニカム状板に接触するよう重複層にして取付けた。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus of manufacturing a semiconductor light emitting device which reduce the variance of irradiation of a laser light and entirely and uniformly form an isolation layer for isolating a growth substrate by reducing the warpage of a large-area wafer (growth substrate and supporting substrate), as a part of a process of removing the growth substrate for the large-area wafer.例文帳に追加

大面積ウェハ（成長用基板および支持基板）の成長用基板除去プロセスの一環として、該ウェハの反りを低減することで、レーザ光の照射むらを低減し、成長用基板を分離するための分離層を全面均一に形成できる半導体発光素子の製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 10 comprises a base plate 20, a semiconductor chip 30 mounted on the base plate 20 with the front surface being faced down, and a molded resin layer 40 which is arranged on the same surface of the base plate 20 on which the semiconductor chip 30 is mounted, being separated from the semiconductor chip 30, and arranged at the periphery of the semiconductor chip 30.例文帳に追加

半導体装置１０は、基板２０と、表面をフェイスダウンした状態で基板２０に実装された半導体チップ３０と、半導体チップ３０が実装された基板２０の同一面上に、半導体チップ３０と離間し、半導体チップ３０の周囲に設けられた成型樹脂層４０と、を備える。 - 特許庁

The silicon carbide semiconductor device is equipped with low-concentration well regions 103 formed on the surface layer of an epitaxial region 102, source regions 105 formed inside the low-concentration well regions 103, and a high-concentration well region 104 formed under the source region 105 as bonded to the low-concentration well regions 103.例文帳に追加

エピタキシャル領域１０２の表層部に形成された低濃度ウエル領域１０３と、低濃度ウエル領域１０３内に形成されたソース領域１０５と、ソース領域１０５の直下に、低濃度ウエル領域１０３に接合して形成された高濃度ウエル領域１０４とを備えて構成される。 - 特許庁

The spacer for the liquid crystal panel, which is made of resin and disposed for keeping a fixed thickness of a liquid crystal layer in the liquid crystal display device having the liquid crystal sealed between a pair of substrates disposed oppositely to each other is characterized in that the standard deviation value of the thickness of the spacer is 2% or less of the mean value of the thickness.例文帳に追加

互いに対向して配される一対の基板間に液晶が封入された液晶表示素子で、該液晶層の厚さを一定に保つために配置された樹脂製スペーサーにおいて、該スペーサーの膜厚の標準偏差値が平均値の２％以下であることを特徴とする液晶パネル用スペーサー。 - 特許庁

(1) The developing method includes the process wherein a planographic printing plate having a silicone layer is developed in the automatic developing device having a pretreatment section, developing section, posttreatment section, and rinsing section, and also wherein the wastewater from the developing section and rinsing section undergoes an adsorbing treatment in an activated carbon treatment tank containing only activated carbon.例文帳に追加

（１）シリコーン層を有する平版を前処理部、現像部、後処理部、水洗部を有する自動現像装置で現像する工程において、現像部および水洗部から排出された排水を活性炭のみを有する活性炭処理槽で吸着処理することを特徴とする現像方法。 - 特許庁

In a manufacturing system 1 for the dye-sensitized solar cell, a resin film 91, of which a conductive layer has been formed, is pulled out from a roll 90 to be pasted onto a frame 8 and a frame 80 with film member 92 pasted onto the frame 8 is obtained by cutting the film 91, by a pasting device 101.例文帳に追加

色素増感型の太陽電池の製造システム１では、貼付装置１０１において、ロール９０から導電層が形成された樹脂フィルム９１が引き出されて架台８上に貼付され、フィルム９１が切断されることにより架台８上にフィルム部材９２が貼付されたフィルム付き架台８０が得られる。 - 特許庁

The plane size of the light-emitting device can be made smaller than an n-type electrode 9 is formed on the n-type contact layer 3 because the n-type electrode 9 is formed on the substrate 11 by imparting a conductivity to the substrate 11 composed of the ZnO single crystal in this case.例文帳に追加

このとき、ＺｎＯ単結晶の基板１１に導電性を持たせることで、基板１１にｎ型電極９を形成することができるため、ｎ型コンタクト層３上に、ｎ型電極９を形成する場合より、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の平面サイズを小さくすることができる。 - 特許庁

This cleaning device is provided with the toner carrier having conductivity and moving the electrified toner while being carried on its surface and cleaner members 15 and 16 rotated in a pressurized contact with the toner carrier and held in a potential for attracting the from the toner carrier and the cleaning members 15 and 16 comprise a metal having high electrical resistance layer on their surface.例文帳に追加

本発明のクリーニング装置は、導電性を有し、帯電したトナーを表面に担持して移動するトナー担持体と、トナー担持体に圧接して回転し、トナー担持体からトナーを引きつける電位に保持されたクリーナ部材を備え、クリーナ部材が表面に高電気抵抗層を有する金属からなる。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming an oxide film (silicon oxide film) 13 on a semiconductor substrate (silicon substrate) 11, then conducting a plasma process for nitriding only a surface of the film 13 to form a nitride layer 14, and thereafter forming the silicon nitride film 15 on the plasma processed film 13.例文帳に追加

半導体基板（シリコン基板）１１上に酸化膜（酸化シリコン膜）１３を形成した後、酸化シリコン膜１３の表面のみを窒化するプラズマ処理を行って窒化層１４を形成し、その後、プラズマ処理を行った酸化シリコン膜１３上に窒化シリコン膜１５を形成することで、上記課題を解決する。 - 特許庁

In a semiconductor device 1 on which a circuit wiring board 20 and a semiconductor package 10 are mounted, an electrode 21 patterned on a surface of the circuit wiring board 20 and a solder 11 formed in an array to the semiconductor package 10 as an electrode terminal are electrically connected via an intermediate layer 30.例文帳に追加

回路配線基板２０と半導体パッケージ１０とを実装させた半導体装置１において、回路配線基板２０の表面にパターニングされた電極２１と、半導体パッケージ１０に電極端子としてアレイ状に形成された半田１１とが中間層３０を介して電気的に接続されていることを特徴とする。 - 特許庁

A surface-emitting semiconductor device has: insulation layers 107 and 108 embedding separation grooves for partially separating a waveguide path in an optical resonator formed by a pair of reflecting mirrors, namely a distributed reflection type multilayer film mirror 104 and a dielectric multilayer film mirror 11; and a quantum well active layer 105.例文帳に追加

面発光型半導体装置は、分布反射型多層膜ミラー（１０４）と誘電体多層膜ミラー（１１）とからなる一対の反射鏡で構成される光共振器の導波路の一部が分離溝で分離され、分離溝を埋め込むシリコン系の絶縁層（１０７，１０８）と、量子井戸活性層（１０５）とを有する。 - 特許庁

This invention relates to the printing device configured so that the conductive paste 4 is supplied onto the double-sided plate 2 where a plurality of layer-connection holes 1 are formed, and a squeegee 5 is pressed onto the double-sided plate 2 and moved, then, the conductive paste 4 is pushed in each hole 1 so as to fill each hole 1 with the paste 4.例文帳に追加

層間接続用の穴１を複数設けて形成された両面板２上に導電性ペースト４を供給すると共に、この両面板２上にスキージ５を押圧しながら移動させることによって、各穴１に導電性ペースト４を押し込んで充填するようにした印刷装置に関する。 - 特許庁

The surface-emission semiconductor laser device 10 comprises a laser element 34 including an n-type multilayer film reflector 24, an active layer 26 and a p-type multilayer film reflector 28 formed on a substrate 20, and a light absorption-thermal conversion region 50 for generating heat by absorbing light located contiguously to the laser element 34.例文帳に追加

面発光型半導体レーザ装置１０は、基板２０上に、ｎ型の多層膜反射鏡２４、活性層２６、およびｐ型の多層膜反射鏡２８とを含むレーザ素子部３４が形成され、さらに、レーザ素子部３４と隣接する位置に、光を吸収し発熱する光吸収熱変換領域５０を有する。 - 特許庁

To provide a method of depositing a SiC-based film of low dielectric constant having excellent characteristic as a barrier film or the like for preventing diffusion of metal of a wiring layer into an interlayer dielectric, and also to provide a manufacturing method of semiconductor device using the SiC deposited with the method as a barrier film.例文帳に追加

配線層の金属の層間絶縁膜中への拡散を防止するバリア膜等として優れた特性を有する低誘電率のＳｉＣ膜を成膜することができるＳｉＣ系膜の成膜方法、及びその成膜方法により成膜されるＳｉＣ膜をバリア膜として用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the color filter comprising a resin matrix and a coloring layer arranged on a transparent substrate, the color filter and the color liquid crystal display device are characterized by having the resin black matrix consisting of particles with ≥1 Ω.cm volume resistivity and a polymer and by having ≤100 Å surface roughness of the resin black matrix.例文帳に追加

透明基板上に樹脂マトリックス、および着色層を設けたカラーフィルターにおいて、上記樹脂ブラックマトリックスが体積抵抗率１Ω・ｃｍ以上の粒子とポリマーからなり、該樹脂ブラックマトリックスの表面粗度が１００オングストローム以下であることを特徴とするカラーフィルター、およびカラー液晶表示装置。 - 特許庁

The semiconductor device includes a source region 10 in contact with a silicon substrate 1 for forming a Schottky junction, a drain region 11, and an insulation layer provided to coat an area where a border between the silicon substrate 1 and the source region 10 is exposed and an area where a border between the silicon substrate 1 and the drain region 11 is exposed.例文帳に追加

シリコン基板１と接してショットキー接合を形成するソース領域１０,ドレイン領域１１と、上記シリコン基板１とソース領域１０との境界が露出する部分およびシリコン基板１とドレイン領域１１との境界が露出する部分を被覆するように設けられた絶縁層を備える。 - 特許庁

Part of the laser beam out of the collimator lens 3, however, is fed back to the active layer 2 of the semiconductor laser device 1 via a spatial filter constituted of a slit 5 and other elements, arranged in the far view field (Fourier plane) which is apart from the collimator lens 3 by approximately a focal length, and of a diffraction grating mirror 6.例文帳に追加

一方、コリメータレンズ３からのレーザービームの一部は、コリメータレンズ３から見て、おおよそ焦点距離だけ離れた遠視野位置（フーリエ面）に配置されたスリット５などの素子と回折格子の鏡６により形成される空間フィルターを介して、半導体レーザー１の活性層２にフィードバックする。 - 特許庁

A large number of the granular silicon which contains a single conducting semiconductive impurity are arranged on a substrate which functions as an electric pole and the conducting semiconductive impurity is contained in a semiconductive layer formed on a part or the whole of the surface of the granular silicon to constitute the photoelectric device.例文帳に追加

さらに、粒状シリコンに一導電型半導体不純物を含有させて一方の電極となる基板上に多数配設し、この粒状シリコンの表面領域の一部またはこの粒状シリコン上に形成した半導体層に他の導電型半導体不純物を含有させて光電変換装置とする。 - 特許庁

To reduce excessive damages to an image carrier without changing the physical properties of material or the constitution of a main body remarkably in an image forming device using a cleaning blade consisting of thermoplastic or thermosetting polyurethane and having a coating layer of low friction efficiency formed at a part in contact with the image carrier at any rate of a blade surface.例文帳に追加

熱可塑性又は熱硬化性ポリウレタンからなり、該ブレード表面の少なくとも像担持体に接触する部分に低摩擦係数のコーティング層が形成されたクリーニングブレードを用いる画像形成装置において、材料の物性や本体の構成を大きく変えることなく、像担持体への過剰な傷を軽減する。 - 特許庁

Internal stress generated between an oxidized region provided near the active layer and the interlayer insulating film can be reduced by using a separation groove 30 formed on a surface protection film 32 covering the interlayer insulating film, so that the increase of dislocations is suppressed, so that the VCSEL array device of high reliability is available.例文帳に追加

活性層近傍に設けられた酸化領域と層間絶縁膜との間に生ずる内部応力を、層間絶縁膜を覆う表面保護膜３２に形成された分離溝３０を利用して緩和できるようにしたから、転位の増殖を抑え、高信頼性の半導体レーザアレイ素子を得ることができる。 - 特許庁

To provide an element for a color plane display high in contrast by forming a material such as iron or nickel in place of conventional carbon and boron on a fluorescent substance layer laminated on base glass to prevent halation by re-entry of rear face scattered electrodes from a fluorescent substance of a display device utilizing an electron beam.例文帳に追加

ペースガラス上に積層された蛍光体層上に従来の炭素及び硼素の代りに鉄又はニッケルなどの材料を形成することで、電子ビームを利用した表示装置の蛍光体からの後面散乱電子の再突入によるハレーションを無くし、コントラストの高いカラー平面ディスプレイ用素子を提供しようとする。 - 特許庁

To provide a semiconducting crystal with high resistance, which can used for an electronic device requiring precise control of resistance even in the case where the semiconducting crystal contains a Si atom or an O atom in a crystal such as a nitride semiconductor crystal grown selectively and epitaxially by using an inhibition layer.例文帳に追加

阻害層を用いて選択エピタキシャル成長させた窒化物半導体結晶のように、結晶中にＳｉ原子またはＯ原子を含んでしまう半導体結晶であっても、抵抗を高くし、抵抗の精密な制御が必要な電子デバイスにも用いることができる半導体結晶を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a substrate 102 on the surface of which a recess 104 in a closed shape when viewed in the direction of the normal of substrate is provided and a semiconductor layer 103 formed on the surface of the substrate 102 by the crystal growth from at least inner surfaces 105, 106, and 107 of the recess 104.例文帳に追加

基板法線方向から見て閉じた形状の窪み１０４が表面に設けられた基板１０２と、少なくとも窪み１０４の内面１０５、１０６、１０７からの結晶成長によって基板１０２の表面上に形成された半導体層１０３とを備えた半導体装置である。 - 特許庁

To provide an organic EL element with its performance improved by the use of a fluorocarbon system (CFx) as a material for a hole injection layer, particularly, with the improvement of a sealing property of a sealing cap which becomes a problem when the CFx is used, its manufacturing method, and an organic EL display device.例文帳に追加

正孔注入層の材料にフルオロカーボン系（ＣＦｘ）を用いて有機ＥＬ素子の性能の向上を図るとともに、特にＣＦｘを用いたときに問題となる封止キャップの封止性を向上させた有機ＥＬ素子およびその製造方法並びに有機ＥＬ表示装置を提供する。 - 特許庁

The film forming device is composed of a reaction tube forming a carbon protective film by a CVD method and cylindrical counter electrodes in which the magnetic recording medium in which the magnetic layer has been formed is made run along the surfaces, and, oppositely to the magnetic recording medium running before and after the reaction tube, electron feeding devices 8 are provided.例文帳に追加

成膜装置は、ＣＶＤ法によりカーボン保護膜を成膜する反応管と、磁性層が形成された磁気記録媒体が表面に沿って走行される円筒状の対向電極とから構成し、反応管の前後に走行する磁気記録媒体に対向して電子供給装置を設ける。 - 特許庁

In the device, a front substrate and a rear substrate arranged to face each other form a discharging space in which discharging gas is filled up, and at least a pair of electrodes for performing display discharging and a phosphor layer emitting visible light by utilizing ultraviolet rays emission by discharging of the discharging gas are provided.例文帳に追加

対向して配置された前面板と背面板が放電空間を形成し、前記放電空間に放電ガスが充填されており、表示放電を行うための少なくとも一対の電極と、前記放電ガスの放電による紫外線発光を利用して可視光を発光する蛍光体層を有する。 - 特許庁

The developing device includes: a stirring-and-conveying section that conveys developer stored in a housing while stirring it; the developer carrier that holds developer conveyed by the stirring-and-conveying section; a regulating member that regulates the layer thickness of developer held on the developer carrier; and a heat receiving section that is brought into contact with the developer.例文帳に追加

本発明の現像装置は、筐体内に収納された現像剤を攪拌しながら搬送する攪拌搬送部と、該攪拌搬送部によって搬送されてくる現像剤を担持する現像剤担持体と、該現像剤担持体に担持された現像剤の層厚みを規制する規制部材と、現像剤と接触する受熱部とを有している。 - 特許庁

The light emitting device 10 is provided with a substrate 11, a barrier 19 which is formed on the substrate 11 and demarcates a recess part on the substrate 11, the light emitting element 12 formed on the substrate 11 so that the position of a light emitting layer 16 will be regulated by the recess part, and the lens 20 overlapped on the light emitting element 12 and formed in the recess part.例文帳に追加

発光装置１０は、基板１１と、基板１１上に形成されて基板１１上に凹部を画定する隔壁１９と、その凹部によって発光層１６の位置が規制されるように基板１１上に形成された発光素子１２と、発光素子１２に重なり凹部内に形成されたレンズ２０とを備える。 - 特許庁

In a barrier-layer forming step in the semiconductor device manufacturing method adopting damascene interconnect, it is controlled so that a nitrogen gas density in an atmosphere around a semiconductor substrate is relatively low at an early stage and at a final stage of the step and relatively high at an intermediate stage of the step.例文帳に追加

ダマシン配線が採用される半導体装置の製造方法における、バリア層形成工程において、半導体基板の周囲の雰囲気中の窒素ガスの濃度が、当該工程の初期および終期において相対的に低く、当該工程の中期において相対的に高くなるように制御する。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with laminated three semiconductor layers 1, 2, 3; an insulating layer 7 provided among the three semiconductor layers 1, 2, 3 provided adjacently; electrodes 11, 12, 13 respectively connected to the three semiconductor layers 1, 2, 3; and circuits 21, 22, 23 connected to these electrodes 11, 12, 13.例文帳に追加

積層される３つの半導体層１，２，３と、互いに隣接する上記３つの半導体層１，２，３の間に介設された絶縁層７と、上記３つの半導体層１，２，３のそれぞれに接続された電極１１，１２，１３と、この各電極１１，１２，１３に接続される回路２１，２２，２３とを備える。 - 特許庁

An electrode 4 for exciting surface acoustic waves and a single- layer pad electrode 5, connected with the excitation electrode 4 and being thicker than the exciting electrode 4, are arranged on a piezoelectric substrate 1 and a protective film 2 is formed on the excitation electrode 4 and at the outer circumferential part of the pad electrode 5 thus producing a surface acoustic wave device.例文帳に追加

圧電基板１上に、弾性表面波を励振する励振電極４と、励振電極４に接続され励振電極４より厚い単層のパッド電極５とをそれぞれ配設するとともに、励振電極４の上及びパッド電極５の外周部に保護膜２を形成した弾性表面波装置とする。 - 特許庁

A liquid display device 10 includes: a counter substrate 2 having a common electrode 23; a TFT array substrate 3 arranged to face the counter substrate 2; a liquid crystal layer 4 disposed between the counter substrate 2 and the TFT array substrate 3; and a touch sensor 6 detecting a touch position on a touch surface 211.例文帳に追加

液晶表示装置１０は、共通電極２３を有する対向基板２と、前記対向基板２に対して対向配置されたＴＦＴアレイ基板３と、対向基板２とＴＦＴアレイ基板３との間に設けられた液晶層４と、タッチ面２１１のタッチ位置を検出するタッチセンサ６とを有している。 - 特許庁

In this liquid crystal display device, a gate electrode 11, a gate insulating film 12, the active layer 14 provided with a source 14s and a drain 14d, an interlayer insulating film 15 and a flattened insulating film 17 are laminated in this order on an insulative substrate 10, and the display electrode 18 connected to the source 14s is provided on the flattened film 17.例文帳に追加

絶縁性基板１０上に、ゲート電極１１、ゲート絶縁膜１２、ソース１４ｓ及びドレイン１４ｄを備えた能動層１４、層間絶縁膜１５、及び平坦化絶縁膜１７を順に積層し、ソース１４ｓに接続した表示電極１８を平坦化絶縁膜１７上に設ける。 - 特許庁

To provide an inexpensive color filter for a liquid crystal display device which has an excellent light shielding property without providing a light shielding film even when using a metal thin film black matrix when the width of a picture frame is extremely narrow, and in which wirings on a counter substrate are not corroded and an electrostatic discharge can be prevented even without providing the insulating layer inside a shield case.例文帳に追加

額縁の幅が極めて狭い際に、金属薄膜のブラックマトリックスを用いても、遮光フィルムを設けずに、遮光性は良好で、対向基板の配線を腐食せず、シールドケースの内側に絶縁層を設けずとも静電放電を防止できる廉価な液晶表示装置用カラーフィルタを提供すること。 - 特許庁

The method for manufacturing the compound semiconductor device comprises the steps of acquiring a lower electrode resist pattern 21 of a T-shaped gate electrode, then forming a pattern shrink material 1 in thickness of 3,000 to 40,000 Å on the entire surface, diffusing an acid from the lower layer resist pattern 21 in the shrink material 1, and mixing and baking 7 to crosslink the shrink material 1.例文帳に追加

図１（ロ）に示すように、Ｔ型ゲート電極の下部電極部レジストパタン２１を得た後、パタンシュリンク材１を３０００〜４０００オングストロームの膜厚で全面に形成して、下層レジストパタン２１からの酸をパタンシュリンク材１に拡散させ、パタンシュリンク材１が架橋するミキシングベーク７を行う。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor integrated circuit device comprises steps of uniformly depositing an amorphous silicon film on a substrate in which a memory cell region and an element region are formed, patterning the amorphous silicon film on the memory cell region while the amorphous silicon film remains coating on the element region on the substrate, and forming a laminated gate electrode or a single layer gate of the flash memory unit.例文帳に追加

メモリセル領域と素子領域とを画成された基板上にアモルファスシリコン膜を一様に堆積し、さらに基板上の素子領域を前記アモルファスシリコン膜で覆ったまま、メモリセル領域において前記アモルファスシリコン膜をパターニングし、フラッシュメモリ装置の積層ゲート電極あるいは単層ゲートを形成する。 - 特許庁

The sliding base-isolating device 1 is equipped with: a sliding base-isolating bearing 6 which comprises a laminated rubber body 4 constituted by alternately laminating a reinforcing plate 2 and a rubber layer 3 and the sliding member 5 fixed to the undersurface of the laminated rubber body 4; and the smooth plate 7 which serves as the other material slidably abutting on the sliding member 5 of the bearing 6.例文帳に追加

滑り免震装置１は、補強板２とゴム層３とを交互に積層してなる積層ゴム体４及び積層ゴム体４の下面に固定された滑り部材５を有する滑り免震支承６と、滑り免震支承６の滑り部材５に摺動自在に当接した相手材としての平滑板７とを具備している。 - 特許庁

In this semiconductor device, the microstructure and the electric circuit for controlling the microstructure can be provided over the one substrate by manufacturing the microstructure in a such way that a structural layer having polycrystalline silicon obtained by thermal crystallization or laser crystallization by using a metal element is formed and processed at low temperature.例文帳に追加

半導体装置が有する微小構造体は、金属元素を用いて熱結晶化又はレーザ結晶化された多結晶シリコンを有する構造層を形成し低温プロセスで作製することにより、微小構造体、当該微小構造体を制御する電気回路を同一基板上に備えることができる。 - 特許庁

The semiconductor device has a semiconductor substrate 11, a gate insulating film 15a formed on the semiconductor substrate 11, having at least one layer containing nitrogen, and a plurality of high-dielectric films with different dielectric constants are laminated, and a full silicide gate electrode 24 formed on the gate insulating film 15a.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１１と、半導体基板１１の上に形成され、少なくとも一層が窒素を含み、誘電率が互いに異なる複数の高誘電体膜が積層されてなるゲート絶縁膜１５ａと、ゲート絶縁膜１５ａの上に形成されたフルシリサイドゲート電極２４とを備えている。 - 特許庁

The nitride semiconductor light-emitting device comprises at least a substrate, an active layer composed of a nitride semiconductor mainly containing In and Ga, a p electrode, and an n electrode, and is characterized in that at least one of the p electrode and the n electrode is electrically divided into two or more regions.例文帳に追加

本発明の窒化物半導体発光素子は、少なくとも基板、ＩｎとＧａを主に含有する窒化物半導体からなる活性層、ｐ電極およびｎ電極を含むものであって、ｐ電極およびｎ電極の少なくとも一方が電気的に２領域以上に分離されていることを特徴としている。 - 特許庁