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device layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 21674



例文

The semiconductor device is equipped with: a semiconductor substrate; an active region formed in a tap region 40 of the semiconductor substrate; a transistor region 36; and a silicide wiring region 38; a gate electrode 21 formed on the silicide wiring region 38 down to the transistor region 36; and a metal silicide layer 44a provided on the active region.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板と、半導体基板のタップ領域40、トランジスタ領域36、及びシリサイド配線領域38に形成された活性領域と、シリサイド配線領域38上からトランジスタ領域36上に亘って形成されたゲート電極21と、活性領域上に設けられた金属シリサイド層44aとを備えている。 - 特許庁

The sheet peeling device 10 includes a cutting unit 16 of cutting the base sheet and adhesive layer, a feeding unit 12 of feeding the peeling tape PT, a sticking unit 14 of sticking the peeling tape PT on the adhesive sheet S, and a moving unit 15 capable of peeling the adhesive sheet S by relatively moving the wafer W and peeling tape PT.例文帳に追加

シート剥離装置10は、基材シート及び接着剤層を切断する切断手段16と、剥離用テープPTを繰り出す繰出手段12と、接着シートSに剥離用テープPTを貼付する貼付手段14と、ウエハWと剥離用テープPTと相対移動させることで接着シートSを剥離可能な移動手段15とを備えている。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion element exhibiting high photoelectric conversion efficiency (high sensitivity) and low dark current and having high light selectivity (an absorption maximum wavelength in a thin film absorption spectrum of a photoelectric conversion layer is within a range between 400-520 nm) relative to B light for exhibiting a low color mixture rate, an image pickup device, and a method for driving the photoelectric conversion element.例文帳に追加

高光電変換効率(高感度)、低暗電流を示し、かつ、低い混色率を示すための高度なB光に対する光選択性(光電変換層の薄膜吸収スペクトルにおける吸収極大波長が400〜520nmの範囲内)を有する光電変換素子、撮像素子、及び光電変換素子の駆動方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a film mirror that prevents deterioration of a silver reflection layer from reducing the regular reflectance, is light in weight and flexible, suppresses the manufacturing cost, enables area enlargement and mass production, has high light resistance and high weatherability, and has good regular reflectance to sunlight, to provide a method of manufacturing the film mirror, and to provide a reflecting device for solar power generation using the film mirror.例文帳に追加

銀反射層の劣化による正反射率の低下を防止するとともに、軽量で柔軟性があり、製造コストを抑え大面積化・大量生産することのできる耐光性及び耐候性に優れ、太陽光に対して良好な正反射率を有するフィルムミラー、その製造方法、及びそれを用いた太陽熱発電用反射装置を提供する。 - 特許庁

例文

In the display device P, a second glass plate 6, which is oppositely arranged to a first glass plate 4 and an opaque or colored resin film 5 adhered to a portion of one side of the first glass plate 4 by a pressure sensitive adhesive layer 10 or the like so as to place the resin film 5 therebetween, is adhered by an active energy line curable resin 12 or the like.例文帳に追加

第1ガラス板4と、この第1ガラス板4の片面の一部に感圧接着層10などによって接着された不透明または有色の樹脂フィルム5とに対して、同樹脂フィルム5を間に挟むように対向配置された第2ガラス板6が活性エネルギー線硬化性樹脂12などによって接着されているディスプレイ装置Pとした。 - 特許庁


例文

A semiconductor device 1 is equipped with a semiconductor substrate 11 which has an integrated circuit on the side of a principal surface 11a, wiring 23 and an electrode 25 which are formed on an insulator film 14 covering a passivation film 13, a light-shielding sealing layer 26 covering other than the electrode 25, and a heat spreader 30 which is disposed on a rear surface 11b of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体装置1が、集積回路を主面11a側に有した半導体基板11と、パッシベーション膜13上の被覆した絶縁膜14上に形成された配線23、及び電極25と、電極25以外を覆う遮光性の封止層26と、半導体基板11の裏面11bに設けられたヒートスプレッダ30と、を備える。 - 特許庁

This semiconductor light emitting device includes: a support substrate 30; a semiconductor film 10 including a luminescent layer 12 formed on the support substrate; a surface electrode formed on a surface of the semiconductor film on a light extraction surface side; and a reflective film 20 formed between the support substrate and the semiconductor film and forming a reflective surface in an interface with the semiconductor film.例文帳に追加

半導体発光装置は、支持基板30と、支持基板上に設けられた発光層12を含む半導体膜10と、半導体膜の光取り出し面側の表面に設けられた表面電極と、支持基板と半導体膜との間に設けられて半導体膜との界面において反射面を形成する反射膜20と、を含んでいる。 - 特許庁

The organic luminescent device includes: a first electrode, a light emitting member located on the first electrode and including at least two light emitting units displaying the same colors or colors different from each other, a second electrode located on the light emitting member, and a sealing filler layer located on the second electrode and including a light emitter displaying at least one color.例文帳に追加

有機発光装置は、第1電極と、前記第1電極上に位置し、同一または互いに異なる色を表示する少なくとも二つの発光ユニットを含む発光部材と、前記発光部材上に位置する第2電極と、前記第2電極上に位置し、少なくとも一つの色を表示する発光体を含む封止用充填層と、を含む。 - 特許庁

To provide a liquid resin composition showing little sedimentation of a filler during storage and giving a resin composition layer with superior stability of thickness, a low elastic modulus and sufficient low stress property, and to provide a semiconductor device excellent in reliability by using the liquid resin composition as a die attach paste for a semiconductor or an adhesive material for a heat sink member.例文帳に追加

保存時の充填剤の沈降が少なく樹脂組成物層の厚み安定性に優れかつ弾性率が低く十分な低応力性を有する液状樹脂組成物及び該液状樹脂組成物を半導体用ダイアタッチペーストまたは放熱部材接着用材料として使用することで信頼性に優れた半導体装置を提供する。 - 特許庁

例文

The nonvolatile semiconductor memory device 1 includes: a laminate ML in which a plurality of insulating films 15 and electrode films 14 are alternately laminated; a silicon pillar 31 extending in a laminating direction of the insulating films 15 and the electrode films 14 in the laminate ML; and a charge storage layer 26 between the electrode film 14 and the silicon pillar 31.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置1において、それぞれ複数の絶縁膜15及び電極膜14が交互に積層された積層体MLを設け、積層体ML内に、絶縁膜15及び電極膜14の積層方向に延びるシリコンピラー31を設け、電極膜14とシリコンピラー31との間に電荷蓄積層26を設ける。 - 特許庁

例文

To provide an organic light-emitting display device capable of protecting a pixel zone and minimizing contact resistance between an upper electrode and an upper electrode power source line by effectively removing an organic layer outside the pixel zone upon connecting the upper electrode with the upper electrode power source line and improving light-emitting characteristics of an organic light-emitting element, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

本発明は、画素領域を保護すると共に、画素領域の外側の有機物層を効果的に除去して、上部電極及び上部電極電源ラインの接続時にこれらの間の接触抵抗を最少化し、有機発光素子の発光特性を向上させることができる有機発光表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The organic display device is provided with a substrate body, a plurality of organic light-emitting elements formed on the substrate body, a sealing thin film formed on the substrate body and covering the plurality of the organic light-emitting elements, and a parallax barrier rib layer formed on a boundary area between the plurality of the organic light-emitting elements.例文帳に追加

本発明の実施形態による有機発光表示装置は、基板本体と、前記基板本体上に形成された複数の有機発光素子と、前記基板本体上に形成され、前記複数の有機発光素子をカバーする封止薄膜と、前記複数の有機発光素子の間の境界領域上に形成された視差隔壁層とを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device using a nitride semiconductor, which is configured such that an InN-based semiconductor used as a channel layer semiconductor obtains pinch-off characteristics even in the presence of residual background electrons of high density, and superior electron transport characteristics (high electron mobility and a high saturation electron speed) of the InN-based semiconductor are utilized, and a method of fabricating the same.例文帳に追加

チャネル層半導体として用いるInN系半導体において、高濃度の残留背景電子が存在していても、ピンチオフ特性が得られ、InN系半導体の優れた電子輸送特性(高い電子移動度および高い飽和電子速度)が活用可能となる、窒化物半導体を用いた導体装置およびその作製法を提供すること。 - 特許庁

To provide a solar battery which can reduce the loss of carriers and can achieve a higher energy conversion efficiency than before, and to provide a method for manufacturing the solar battery, by which a light absorption layer having quantum dots can be formed in a relatively low temperature process by a method requiring no vacuum equipment nor a complicated device, such as coating or printing.例文帳に追加

キャリア損失を抑制し、従来よりも高いエネルギー変換効率が得られる太陽電池、および比較的低温プロセスで、しかも真空装置や複雑な装置の必要ない塗布法または印刷法などによって量子ドットを有する光吸収層を形成することができる太陽電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing an organic EL light-emitting device includes a step of forming the common electrode, after forming a disconnection-proof structure which contacts with a part of the functional layer except a substrate, the bank, and a pixel electrode and strides across the pixel region along rows or columns, by injecting the liquid material into the pixel region surrounded by the bank.例文帳に追加

バンクで囲まれた画素領域に、液状材料を吐出することにより、基板、バンク及び、画素電極上を除く機能層の一部に接しており、かつ行方向又は列方向に沿って前記画素領域を跨る断線防止構造を形成した後、共通電極を形成することを特徴とする有機EL発光装置の製造方法。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a first semiconductor element and second semiconductor element whose back surfaces don't have each of the terminal surfaces and are bonded with an adhesive layer interposed between them; a terminal member provided on the same surface as the terminal surface of the second semiconductor element; and a conductive wire connecting the terminal member with the terminal surface of the first semiconductor element.例文帳に追加

半導体装置が、互いの端子面を有さない背面同士が接着剤層を介して接着された第1の半導体素子と第2の半導体素子と、第2の半導体素子の端子面と同一面に設けられた端子部材と、前記端子部材と前記第1の半導体素子の端子面とを接続する導電性ワイヤとを備える。 - 特許庁

The developing device includes: the developer carrier for developing an electrostatic latent image, carried on an electrostatic latent image carrier, with developer; a supply member for supplying the developer to the developer carrier; and a regulating means for forming the thin layer of developer by regulating the amount of developer supplied to the surface of the developer carrier by use of the supply member.例文帳に追加

現像装置は、静電潜像担持体に担持された静電潜像を、現像剤を用いて現像する現像剤担持体と、現像剤担持体に現像剤を供給する供給部材と、供給部材によって現像剤担持体の表面に供給された現像剤の量を規制して現像剤の薄層を形成する規制手段とを備える。 - 特許庁

The liquid crystal display device has: a liquid crystal cell; a polarizer arranged on the display side of the liquid crystal cell; and an optical conversion layer which is arranged closer to the display side than the polarizer, and has a function for converting linear polarization having passed through the polarizer into elliptic polarization.例文帳に追加

液晶セルと、上記液晶セルの表示側に配置された偏光子と、上記偏光子よりも表示側に配置され、上記偏光子を透過した直線偏光を楕円偏光に変換する機能を有する光学変換層を有することを特徴とする液晶表示装置を提供することにより上記課題を解決するものである。 - 特許庁

This water supply device is such that a filter coated with a titanium oxide photocatalyst film is arranged inside a purifier with an outer wall made of translucent plastics and the filter coated with the titanium oxide photocatalyst film is sealed in a water pipe made of translucent plastics or the titanium oxide photocatalyst film is coated on the pipe wall of the water pipe through the middle layer.例文帳に追加

透光性樹脂で外壁が構成された濾過器の内部に酸化チタン光触媒薄膜がコーティングされたフィルターを設けると共に、透光性樹脂製の送水管に酸化チタン光触媒薄膜がコーティングされたフィルターを内封するか、送水管の管壁に中間層を介して酸化チタン光触媒薄膜をコーティングする。 - 特許庁

To provide a curable resin solution composition improving flatness of a color filter surface and forming a transparent protection layer for the color filter with nearly no optical anisotropy, high indentation hardness and a high refractive index, a color filter and a liquid crystal display device preventing generation of a defective display.例文帳に追加

本発明は、カラーフィルター表面の平坦性を向上させ、光学異方性がほとんどない、押し込み硬度および屈折率が高いカラーフィルター用透明保護膜を作成することができる硬化性樹脂溶液組成物およびカラーフィルターならびに表示不良の発生を防止することができる液晶表示装置を提供せんとするものである。 - 特許庁

The silicon carbide semiconductor device is provided with a silicon carbide substrate, a plurality of nitrogen-containing silicon carbide layers which are stacked on the silicon carbide substrate, and an oxide film which is formed by thermally oxidizing such the silicon carbide layer among the silicon carbide layers that is different from one closest to the silicon carbide substrate.例文帳に追加

本発明に係る炭化珪素半導体装置は、炭化珪素基板と、当該炭化珪素基板上に積層された複数の窒素含有炭化珪素層と、当該複数の窒素含有炭化珪素層のうち、前記炭化珪素基板に最も近い窒素含有炭化珪素層とは異なる窒素含有炭化珪素層を熱酸化処理して形成した酸化膜とを備える。 - 特許庁

To automatically select an oscillation circuit according to piezoelectric sensors when the piezoelectric sensors of mutually different types are mounted to a connection terminal in a device that sucks an object to be sensed by forming a suction layer on the surface of a piezoelectric vibrator and senses the object to be sensed in a sample fluid according to a change in an oscillation frequency.例文帳に追加

圧電振動子の表面に吸着層を形成して感知対象物を吸着し、発振周波数の変化に応じて試料流体中の感知対象物を感知する装置において、互いに異なる種別の圧電センサを接続端子に装着したときに、その圧電センサに応じた発振回路を自動で選択すること。 - 特許庁

The semiconductor device comprises: a first interlayer insulating film formed on a insulating film on a semiconductor layer and a gate electrode; a second interlayer insulating film formed on the first interlayer insulating film; and contact holes provided in the second interlayer insulating film, the first interlayer insulating film, and the insulating film.例文帳に追加

本発明における半導体装置において、半導体層上の絶縁膜およびゲイト電極上に形成された第1の層間絶縁膜と、前記第1の層間絶縁膜の上に形成された第2の層間絶縁膜と、前記第2の層間絶縁膜、前記第1の層間絶縁膜、および前記絶縁膜に設けられたコンタクトホールとを有する。 - 特許庁

This anchor installed for supporting a line body represented by a rope on a slope having a ledge and a surface soil layer covering the upper part of the ledge includes an anchor rod which comprises a line body mounting part at the head and which is buried in the ledge and a bearing blade device which is positioned so as to surround the anchor rod and fixed by driving rods separated from the anchor rod.例文帳に追加

岩層と該岩層の上部を覆う表土層とを有する斜面にロープで代表される条体を支持するため設置されるアンカーにおいて、該アンカーが頭部に条体の取付け部を有し、前記岩層に埋設されたアンカーロッドと、アンカーロッドを囲むように位置されたアンカーロッドとは別の打込みロッドで固定される支圧羽根装置を有している。 - 特許庁

To provide a filter for a display, which includes an electromagnetic shield material ensuring low electric resistance even when the line width of a pattern is made narrower, preventing an image from being whitened by external light and image light and preventing reduction in image contrast when the convex-pattern-layer-formed side of the electromagnetic shield material is directed toward the display panel; and to provide an image display device using the filter.例文帳に追加

パターンの線幅をより一層微細化しても低い電気抵抗とすることができ、電磁波シールド材の凸状パターン層形成側をディスプレイパネルに向けて設置したときに、外光及び画像光による画像の白化、画像コントラストの低下が防止できる電磁波シールド材を含むディスプレイ用フィルタ及びこれを用いた画像表示装置を提供する。 - 特許庁

The gas fuel ejection nozzles Nj are ascendably and descendably supported by blowing height control mechanisms 39U, 39D, a charge height in the width direction is measured by a charge height measuring device disposed on the input side of the hood and, based on the measured charge height of the charged layer, the blowing height of the blowing height control mechanism is controlled by a controller.例文帳に追加

気体燃料噴射ノズルNjを吹込み高さ制御機構39U,39Dで昇降可能に支持し、前記フードの入側に設けた装入高さ測定装置で幅方向の装入高さを測定し、測定した前記装入層の装入高さに基づいて制御装置で前記吹込み高制御機構の吹込み高さを制御する。 - 特許庁

The liquid crystal display device includes a liquid crystal display panel 10, a lower polarizing plate 30 stuck to the liquid crystal display panel 10, a backlight module 16 including an optical sheet 20 and a frame 24 enclosing the optical sheet 20, and a second adhesive layer 32 present between the lower polarizing plate 30 and the optical sheet 20 with the frame 24.例文帳に追加

液晶表示装置は、液晶表示パネル10と、液晶表示パネル10に貼り付けられた下偏光板30と、光学シート20及び光学シート20を囲むフレーム24を含むバックライトモジュール16と、下偏光板30と、光学シート20及びフレーム24と、の間に介在する光透過性の第2粘着層32と、を有する。 - 特許庁

To increase a pixel opening rate and also a storage capacity at the same time, and moreover, decrease the degradation of a display picture which is caused by irregularities generated on an alignment film surface near pixel electrodes, in an electro-optical device of a type provided with an intermediate conductive layer for relaying between pixel electrodes and TFTs for switching the pixels.例文帳に追加

画素電極と画素スイッチング用TFTとの間に中継用の中間導電層を備えた形式の電気光学装置において、画素開口率を高めると同時に蓄積容量を増大させ、しかも画素電極付近における配向膜の表面に凹凸が生じることによる表示画像の品位低下を低減する。 - 特許庁

To provide a manufacturing device of an uneven film, which can improve a processing speed by producing no offset to a film substrate or no unpainted portion due to bubbles on a resin layer in manufacturing the uneven film, and further, improve the processing speed without upsizing an equipment such as a recovery apparatus of a resin liquid.例文帳に追加

凹凸フィルムの製造に当たって、フィルム基材への裏移りを生じさせることなく、また樹脂層に泡かみを生じることなく加工速度を向上させることができ、更に樹脂液の回収装置等の設備の大型化を伴うことなく加工速度を向上させることの可能な凹凸フィルムの製造装置を提供する。 - 特許庁

This liquid crystal display device has pixel electrodes formed on opposite surfaces of an electrode substrate 4 and the other electrode substrates disposed opposite each other across a liquid crystal layer, and is configured to have a transparent electrode section formed of a transparent electrode film and a reflection electrode section formed of a reflection electrode film, which are electrically connected, on one pixel region of one pixel electrode.例文帳に追加

液晶層を介在して対向配置された電極基板4ともう一方の電極基板との対向面には、それぞれ画素電極が形成されており、一方の画素電極における1画素領域に、電気的に接続された、透明電極膜からなる透明電極部と、反射電極膜からなる反射電極部とが設けられている。 - 特許庁

The display device 10 comprises, on a first substrate 12, a semiconductor film constituting a thin film transistor 23, a pixel electrode 27, a terminal part 34 and a TEG 28 provided in a wiring non-forming area, and a manufacturing process management mark part 29 provided on the semiconductor film constituting the TEG 28 through at least one insulating layer.例文帳に追加

表示装置10は、第1基板12において、薄膜トランジスタ23、画素電極27、端子部34及び配線の非形成領域に設けられたTEG28を構成する半導体膜と、TEG28を構成する半導体膜上に少なくとも1層の絶縁層を介して設けられた製造工程管理用マーク部29と、を備える。 - 特許庁

In the display device, the peripheral drive circuit and the active matrix circuit are formed on the first substrate, the spacer, for maintaining the interval between the first substrate and the second substrate and made of the resin material, is disposed at the upper part of the peripheral driving circuit and a resin layer is formed between the peripheral drive circuit and the spacer.例文帳に追加

また、周辺駆動回路及びアクティブマトリクス回路が第1の基板に形成され、前記第1の基板と第2の基板との基板の間隔を保持する、樹脂材料でなるスペーサーが前記周辺駆動回路の上方に配置され、樹脂層が前記周辺駆動回路と前記スペーサーとの間に形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a scrap melting method and a scrap melting device in which a polluted range by hazardous substances can be suppressed to a minimum when hazardous substances such as radioactive substances are melted in an induction heating furnace, and the volume reduction ratio of the scraps is increased without causing any forming during or after the melting and cavities in a slag layer when the slag is solidified.例文帳に追加

放射性廃棄物等の有害物質を誘導加熱炉内で溶融する際にも有害物質等による汚染範囲を最小限に抑え、溶融中あるいは溶融完了後のフォーミングや、スラグ固化時のスラグ層中の空洞を発生させずに廃棄物の減容率を高める廃棄物溶融方法及び廃棄物溶融装置を提供する。 - 特許庁

The connector has an inner connector 122 made of an electrically insulating material having a terminal 121 connected to an output terminal of a semiconductor device, and an outer connector 123 covering this inner connector and made of an electromagnetic shielding material 111 mounted on an outside resin layer 113 of the case in a contacted state with the electromagnetic shielding material 111 of the case.例文帳に追加

コネクタは、半導体装置の出力端子に接続された端子121を有する電気絶縁材からなるインナコネクタ122と、このインナコネクタを被覆するとともにケースの電磁波シールド層111に接触した状態でケースの外側樹脂層113に取り付けられた電磁波シールド材からなるアウタコネクタ123とを有する。 - 特許庁

The device for applying compression treatment to a part of a wearer's body includes:first and second opposing bladder layers; a connecting section including a portion of at least one of the first and second bladder layers; a line of weakness in the connecting section; and an overlying layer in generally opposing relationship to one of the first and second bladder layers.例文帳に追加

着用者の身体の一部に圧縮治療を適用するためのデバイスであって、第1および第2の対向する袋層と、該第1および第2の袋層のうちの少なくとも1つの一部分を含む連結部分と、該連結部分における弱線と、該第1および第2の袋層のうちの1つに対して概ね対向関係にある被覆層とを含む、デバイス。 - 特許庁

Consequently, the thermal relaxation layer of the soft resin spacer 16 is located between the integrated semiconductor light emitting element body 17 and optical lens 14, and the semiconductor light emitting device can be realized which prevents the interface peeling at each of members against a thermal stress in variation of an external temperature, is high in a light discharge efficiency, and has a high reliability.例文帳に追加

そのため、一体化した半導体発光素子体17と光学レンズ14との間に軟質樹脂スペーサ16による熱応力緩和層を備えたことになり、外部温度変化時の熱応力に対して各部材間の界面剥離を阻止し、光取出し効率の高い、高信頼性の半導体発光装置を実現することができた。 - 特許庁

To provide a vibration control device for a vehicle, advantageously exhibiting vibration control effect by setting the natural frequency of an independent mass member to a higher frequency region than the natural frequency of a vibration member to be vibration-controlled while effectively securing the spring component of a rubber elastic body layer in the independent mass member.例文帳に追加

独立マス部材におけるゴム弾性体層のばね成分が有効に確保されつつ、独立マス部材の固有振動数が制振すべき振動部材の固有振動数よりも高周波数域に設定されることによって、目的とする制振効果が有利に発揮され得る新規な構造の車両用制振装置を提供することにある。 - 特許庁

The electrophoretic display device 20 is provided with an electrode, a pair of opposing substrates and an electrophoretic dispersion liquid layer arranged between the pair of substrates and having an electrophoretic dispersion liquid containing at least a kind of electrophoretic particles and has a first display region 81 and a second display region 82 with mutually different display colors.例文帳に追加

本発明の電気泳動表示装置20は、電極と、対向する1対の基板と、該1対の基板間に設けられ、少なくとも1種の電気泳動粒子を含む電気泳動分散液を有する電気泳動分散液層とを備え、表示色が互いに異なる第1の表示領域81と、第2の表示領域82とを有している。 - 特許庁

A III-nitride semiconductor light emitting device includes: a plurality of III-nitride semiconductor layers including an active layer 40 for generating light by recombination of electrons and holes; and a substrate 10 used to grow the plurality of III-nitride semiconductor layers and including a protrusion 90 with two opposite sides 91 rounded.例文帳に追加

電子と正孔の再結合により光を生成する活性層40を備える複数個のIII族窒化物半導体層と、複数個のIII族窒化物半導体層の成長に利用される基板10として、対向する2つの辺91が丸められている突起90を有する基板10とを備えるIII族窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The developing device 12 including a toner conveying body 13 which conveys first toner and a restricting member 15 which restricts the thickness of a layer of the first toner conveyed by the toner conveying body 13 coats the surface of the restricting member 15 with second toner having a charging quantity per unit mass different from the charging quantity of the first toner per unit mass.例文帳に追加

第1のトナーを搬送するトナー搬送体13及びトナー搬送体13に搬送される第1のトナーの層の厚さを規制する規制部材15を含む現像装置12において、規制部材15の表面に、第1のトナーの単位質量当たりの帯電量と異なる単位質量当たりの帯電量を備える第2のトナーを塗布する。 - 特許庁

To provide an electron source which is a thin film type electron source having a lower electrode and an upper electrode and an electron acceleration layer comprising an insulator or a semiconductor between them starting a diode current at lower threshold voltage than in the prior art and capable of securing a diode current required for electron emission even at low voltage, and to realize an image display device having a long service life and low power.例文帳に追加

下部電極と上部電極、その間に絶縁体や半導体からなる電子加速層を有する薄膜型電子源で従来よりダイオード電流が低い閾値電圧で立ち上がり、低電圧でも電子放出に必要なダイオード電流が確保できる電子源を提供し、長寿命、低消費電力の画像表示装置を実現すること。 - 特許庁

Between layers of the second TFT90 and the transparent substrate 2, a dielectric multilayer film 30 for constituting a light resonance device 3 is formed, and between the layers of dielectric multilayer film 30 and the pixel electrode 4, the interlayer-insulating film 5 at an area flatly superposed on the light emitting layer 65, a gate-insulating film 92, and the insulation-protecting film 20 are removed.例文帳に追加

第2のTFT90と透明基板2との層間に、光共振器3を構成する誘電体多層膜30が形成され、誘電体多層膜30と画素電極4との層間では、発光層65と平面的に重なる領域の層間絶縁膜5、ゲート絶縁膜92および絶縁保護膜20が除去されている。 - 特許庁

To provide a vertical magnetic recording medium wherein quality of a reproducing signal is heightened by controlling magnetic domains of a soft magnetic base layer and demagnetization of recording magnetization due to a floating magnetic field is suppressed and which has a high medium S/N ratio at ≥7.75 gigabit/cm^2 recording density, and also to provide a high density magnetic recording device having high reliability.例文帳に追加

軟磁性下地層の磁区を制御することにより再生信号の品質を高め、さらに浮遊磁界による記録磁化の減磁を抑制した、1平方センチあたり7.75ギガビット以上の記録密度で高い媒体S/Nを有する垂直磁気記録媒体を提供し、信頼性の高い高密度磁気記録装置の実現を容易にする。 - 特許庁

The material is selected such that, under assembled state of the semiconductor device 9, the bending rigidity of the reinforcing member 14a is higher than that of the semiconductor element 1a, and thickness dimensions are set such that the adhesive layer 4b allows the deformation of the semiconductor element 1a under a state where the reinforcing member 14a is bonded to the semiconductor element 1a.例文帳に追加

半導体装置9を構成した状態において、補強部材14aの曲げ剛性は半導体素子1aの曲げ剛性よりも大きく、かつ半導体素子1aに補強部材14aを接合した状態において接着層4bが半導体素子1aの変形を許容するような材質選定、厚み寸法設定とする。 - 特許庁

The semiconductor substrate which has the initial thickness (first thickness) has only the element formation portion made thin to a second thickness and after a metal layer is formed on its backside, the initial peripheral part which still has the initial thickness (first thickness) of the semiconductor device is ground from the backside to a third thickness to form a peripheral portion which has a small step with the element formation portion.例文帳に追加

初期の厚み(第1の厚み)を有する半導体基板の、素子形成部のみを第2の厚みまで薄化し、その裏面に金属層を形成した後、初期の半導体基板の厚み(第1の厚み)を残した初期周辺部を裏面側から第3の厚みになるまで研削し、素子形成部との段差が少ない周辺部を形成する。 - 特許庁

The image forming apparatus comprises a function separated photoreceptor whose charge transport layer in an outermost surface contains fine fluororesin particles, a digital image exposure device with a recording dot density of400 dot/in, and a toner having a volume average particle diameter of 2-5.5 μm and including ≤1.0 vol.% of particles whose volume particle diameter is ≤1 μm.例文帳に追加

最表面の電荷輸送層がフッ素含有樹脂微粒子を含有する機能分離型感光体、記録ドット密度が400ドット/インチ以上のデジタル像露光装置、および体積平均粒径が2〜5.5μmであり、かつ体積粒径1μm以下の粒子の含有割合が1.0体積%以下であるトナーを備えた画像形成装置。 - 特許庁

This light emitting device comprises a substrate, a plurality of light emitting diodes disposed on the substrate at intervals, projection portions for heat radiation projected on the substrate to be interposed between at least some of the plurality of light emitting diodes, and a phosphor-containing resin layer provided so as to cover the light emitting diodes and projection portions.例文帳に追加

本発明の発光装置は、基板と;基板上に所定の間隔をおいて配置された複数の発光ダイオードと;複数の発光ダイオードの間の少なくとも一部に介在するように前記基板上に突設された放熱用の凸部と;前記発光ダイオード及び前記凸部を覆うように設けられた蛍光体含有樹脂層と;を具備することを特徴とする。 - 特許庁

In the semiconductor device comprising a semiconductor element, wiring for inputting/outputting signals, and a heat dissipating plate, the heat dissipating plate is made of a composite material of Cu and at least one kind of particles of Cu2O, Al2O3 and SiO2 and a metal layer bonded to an insulating substrate or the semiconductor element is bonded directly to the heat dissipating plate.例文帳に追加

半導体素子と、信号を入出力する配線と、放熱板とを有する半導体装置において、前記放熱板はCuとCu_2O,Al_2O_3及びSiO_2の少なくとも1種の粒子との複合材であり、絶縁基板に接合されている金属層、あるいは半導体素子に接合されている金属層は放熱板と直接接合されている。 - 特許庁

An Ellipsometer is arranged in the orienter chamber 55 and by measuring the thickness of ion implemented region (amorphous layer) in a substrate or the thickness of the formed film without exposing a wafer to the atmosphere outside a manufacturing device until a series of processes such as film forming, annealing, and etching is completed, the management of the condition setting of the next process etc. is made possible.例文帳に追加

オリエンターチャンバ55にエリプソメータが配設され、成膜,アニール,エッチング等の一連のプロセスが終了するまでウエハを製造装置外の大気にさらすことなく、基板内のイオン注入領域(アモルファス層)の厚みや、成膜した膜の厚みなどをエリプソメータにより測定することで、次の処理の条件設定などの管理が可能となる。 - 特許庁

例文

To provide a method for manufacturing optical recording medium, which is suitable to a DVD-9 and a next-generation multilayered disk, and which allows adhesive layer with a high light transmittance to be bonded to a substrate without shortage and protrusion at a substrate end using an UV adhesive, even if a discrete substrate has a warpage or variation in thickness, and its device.例文帳に追加

本発明は、DVD−9や次世代多層ディスクに適合し、光透過率が高い接着層を、単体基板に反りや厚みの変動があっても、UV接着剤を用いながら基板端部に不足やはみ出しもなく貼り合わせができる光記録媒体の製造方法及びその装置を提供することを目的とする。 - 特許庁




  
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