「device layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(421ページ目) - Weblio英語例文検索

To send and receive a high frequency signal reducing a transmission loss by preventing the characteristic impedance of a transmission path of a passing through conductor that connects an electrode pad and a semiconductor device from varying from a predetermined value (50 Ω) due to the generation of unnecessary capacitance between an inner layer ground conductor and the electrode pad in an insulating substrate.例文帳に追加

絶縁基板内の内層接地導体と電極パッドとの間で不要なキャパシタンスが発生し、これが電極パッドと半導体素子とを接続する貫通導体等の伝送路の特性インピーダンスを所定値（５０Ω）から変化させるのを防ぎ、高周波信号を伝送損失を小さくして送受信し得るようにすること。 - 特許庁

In the printing plate material having an image forming function layer on a plastic support, in which the image recording device having the exposure drum of 250 mm or more in diameter is used to form an image by being irradiated with a laser beam on the exposure drum, the printing plate material has a winding habit curl of 0 mm to 90 mm.例文帳に追加

直径が２５０ｍｍ以上の露光ドラムを有する画像記録装置を用いて、該露光ドラム上でレーザービームを照射し画像形成する、プラスチック支持体上に画像形成機能層を有する印刷版材料において、該印刷版材料の巻癖カールが０ｍｍ以上９０ｍｍ以下であることを特徴とする印刷版材料。 - 特許庁

A semiconductor device includes a visible light emitting semiconductor, at least one transparent spacer having a radius and disposed such as to encapsulate the light emitting semiconductor, a layer including a fluorescent material disposed on top of the transparent spacer, and a lead frame connected to the light emitting semiconductor that supplies power to the light emitting semiconductor and enables the light emitting semiconductor to emit light.例文帳に追加

半導体装置であって、可視光発光半導体と、発光半導体をカプセル封止するよう配置された少なくとも１つの半径を有する透明スペーサと、透明スペーサの上に配置された、蛍光材料を含む層と、発光半導体に接続されて、発光半導体に電力を供給し、発光させるリード・フレームとを有する。 - 特許庁

The light emitting device having a highly efficient heat dissipation structure comprises a steam circulation faint heat temperature equalizer wherein an electrode circuit is provided on the surface of the steam circulation faint heat temperature equalizer, an insulation layer is provided between the electrode circuit and the steam circulation faint heat temperature equalizer, and the electrode circuit is isolated electrically from the steam circulation faint heat temperature equalizer.例文帳に追加

本発明の高効率の散熱構造を有する発光装置は、蒸気循環式微熱均温器からなり、蒸気循環式微熱均温器表面上に、電極回路を設け、この電極回路と蒸気循環式微熱均温器の間に絶縁層を設置して、電極回路と蒸気循環式微熱均温器を電気的に隔絶している。 - 特許庁

In the optical device including the first transparent electrode installed on an transparent substrate, the second electrode installed opposing to the first electrode, and a luminous layer which is installed between the first electrode and the second electrode, which emits light by the application of a voltage, the transparent substrate is used in which the refractive index increases toward the direction which light spreads.例文帳に追加

透明基板１と、透明基板上に設けられた透明な第１の電極と、第１の電極と対向して設けられた第２の電極と、第１の電極と第２の電極との間に設けられ、電圧印加により発光する発光層と、を含む光デバイスにおいて、光が伝播する方向に屈折率が増加する透明基板を用いる。 - 特許庁

The image pickup device has the image pickup means having a light emitting element having an organic compound layer between a pair of electrodes, illuminates the object by means of the surface light emission of the light emitting element, and range-finds the distance between the object and the image pickup means by laser light contained in the side light emission of the light emitting element.例文帳に追加

本発明の撮像装置は、一対の電極間に有機化合物層を有する発光素子を備えた撮像手段を有し、前記発光素子の面発光によって被写体を照明し、前記発光素子の側面発光に含まれるレーザ光によって前記被写体と前記撮像手段との距離を測距することを特徴としている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor package substrate, which is easy to form many pins, easy to realize high density and miniaturization, having high reliability and no need for installing a stiffener, by improving a traditional semiconductor package substrate and enhancing a flatness of a multi-layer wiring structure film, and method for manufacturing a semiconductor device using the same.例文帳に追加

従来の半導体パッケージ基板を改良し、多層配線構造膜の平坦性を向上させることにより、多ピン化、高密度化及び微細化が容易で信頼性が高くスティフナを装着する必要がない新規な半導体パッケージ基板の製造方法及びそれを使用する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 10 has a semiconductor element 12 and the substrate 11 joined together with the junction layer 13, wherein the thin film 15 is formed on the external surface of the substrate, and a crack 17 is formed in the thin film at a part not joined to the semiconductor element 12, so the thin film on the substrate is arranged discontinuously by the crack.例文帳に追加

半導体素子１２と基板１１とが接合層１３によって接合された半導体装置１０であって、基板にはその外表面に薄膜１５が形成され、薄膜のうち、半導体素子１２と非接合な部分の薄膜には亀裂１７が形成され、基板上の薄膜は亀裂によって断続的に配置されている。 - 特許庁

In the semiconductor device having an electrode 101 that electrically contacts a conductive layer which is a mounted object and a structure 102 which more protrudes than the electrode 101 and is shaped into a predetermined pattern formed of a resin, the structure 102 is provided with a recess 106 or a salient corresponding to the recess or the salient which is the mounted object.例文帳に追加

被実装対象の導電層と電気的に接触する電極１０１と、電極１０１よりも突出し、樹脂により所定のパターンに形成される構造体１０２と、を有する半導体装置であって、構造体１０２には、被実装対象の凹部または凸部に対応した凹部１０６または凸部が設けられたことを特徴とする。 - 特許庁

This device is provided with the switching element Tr formed on a semiconductor substrate (or a semiconductor layer supported by a substrate) 2, and the sensing pad electrode SP connected to one impurity area 6b of it for inducing electric charges for an amount corresponding to a capacitance value between a detection object (finger) and the electrode or supplying them through the switching element Tr.例文帳に追加

半導体基板（または基板に支持された半導体層）２に形成されたスイッチング素子Ｔｒと、その一方の不純物領域６ｂに接続され、検出対象物（指）との間の静電容量値に応じた量の電荷が誘起、またはスイッチング素子Ｔｒを介して供給されるセンシングパッド電極ＳＰとを有する。 - 特許庁

The sliding device has a first sliding material having a sliding layer 164 obtained by solidifying a solid lubricant containing at least a PTFE with a thermosetting resin and, simultaneously, having a PTFE content of 10-40 vol.% and a second sliding material composed of a body material 146 provided with nickel based platings 150 and 152 which slide with each other.例文帳に追加

並びに、少なくともＰＴＦＥを含有する固体潤滑剤が熱硬化樹脂で固められて成り、かつ、ＰＴＦＥの含有率が１０〜４０vol％の範囲にある摺動層１６４を備えた第１摺動材と、ニッケル系メッキ１５０、１５２が施された母材１４６から成る第２摺動材とが互いに摺動する摺動装置。 - 特許庁

The resonant frequency in the antenna part, and a resonance part including a metal part positioned in a magnetic layer and a rear part thereof is set to a higher frequency band than a prescribed frequency fc (13.56 MHz) sent from an external device, thereby suppressing fluctuations of a maximum distance communicable even if variations occur in the resonant frequency.例文帳に追加

アンテナ部と磁性層およびその背部に位置する金属部を含む共振部での共振周波数を、外部装置から送られる規定周波数ｆｃ（１３．５６ＭＨｚ）よりも高い周波数帯域に設定することにより、共振周波数にばらつきが生じても通信可能な最大距離の変動を抑えることが可能である。 - 特許庁

A semiconductor device 100 comprises a semiconductor chip 101, a wiring board 200 on which the semiconductor chip 101 is mounted on one surface 201 and provided with a plurality of lands 103 on another surface 203, a solder resist layer 107 covering the other surface 203 and having openings 105 on the lands 103, and solder bumps 111 provided on the lands 103.例文帳に追加

半導体装置１００は、半導体チップ１０１と、一方の面２０１に半導体チップ１０１を搭載し、他方の面２０３に複数のランド１０３を有する配線基板２００と、他方の面２０３を被覆し、ランド１０３上に開口部１０５を有するソルダーレジスト層１０７と、ランド１０３上に設けられた半田バンプ１１１とを備えている。 - 特許庁

To provide a fixing device capable of holding an appropriate energizing state over a long term, making sliding resistance at a contact part between a supply electrode and a receiving electrode small, simplifying at least the structure of the contact part between the supply electrode and the receiving electrode and facilitating appropriate energizing regardless of the disposing position of a heating layer.例文帳に追加

適正な通電状態を長期間に亘り保持したり、供給電極と受電電極との接触部の摺動抵抗を小さくしたり、少なくとも供給電極と受電電極との接触部の構造を簡単にしたり、発熱層の配設位置にかかわらず適正な通電を容易にしたりすることのできる定着装置を提供すること。 - 特許庁

In the electrooptical device having the resin film on a substrate, the top surface of the resin film is formed into a rugged shape, a light reflecting film is formed on the rugged shape, and the light shield layer is formed under the resin film in a region overlapping the region where the rugged shape is formed.例文帳に追加

基板上に樹脂膜を備えた電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器において、樹脂膜の上面には凹凸形状が形成してあるとともに、当該凹凸形状の上には光反射膜が形成してあり、樹脂膜の下層であって凹凸形状が形成してある領域と重なる領域に遮光層が形成してある。 - 特許庁

The liquid crystal display device comprises lower and upper substrates, a UV curing sealant formed to have a part for controlling a liquid crystal flow in at least two corner regions between the both substrates and a liquid crystal layer formed in the inside region of the UV curing sealant between the both substrates.例文帳に追加

本発明の液晶表示素子は、下部基板及び上部基板と、前記両基板の間で、少なくとも２つのエッジ領域に液晶流れ調節部を有するように形成されたＵＶ硬化型シール剤と、前記両基板の間のＵＶ硬化型シール剤の内側の領域に形成された液晶層とを含んで構成されることを特徴とする。 - 特許庁

This semiconductor device has a contact 103 and a buried metal wiring 106 which penetrate a film 105 having a hydrogen barrier property and is electrically connected between interlayers, and in a region other than a part just under the metal wiring, an opening 104 is provided, and a hydrogen diffusion route to a lower layer of a second insulation film 102 is provided.例文帳に追加

水素バリア性を有する膜１０５を貫通し、層間を電気的に接続するコンタクト１０３及び埋め込み金属配線１０６を有する半導体装置であって、金属配線直下の部分以外の領域において、開口１０４が設けられており、第２の絶縁膜１０２の下層への水素拡散経路が設けられている。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing a wide polarizing film which has excellent optical characteristics and in-plane unifomity, to provide the polarizing film obtained by the method, to provide an optical film formed by laminating the polarizing film and another optical layer, and to provide an image display device applying the polarizing film or the optical film.例文帳に追加

光学特性に優れ、面内均一で幅広な偏光フィルムの製造方法を得ることを目的とし、さらには、この製造方法で得られた偏光フィルムや、この偏光フィルムと他の光学層を積層した光学フィルムおよび、前記偏光フィルムあるいは前記光学フィルムを適用した画像表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

An organic light emitting device of the present invention is provided with: an asymmetrically organometallic chelate complex of A wt.%; a polyamine compound of B wt.% containing two or more polytertiaryamines in the chemical formula; and a light emitting layer containing a phosphorescent material of C wt.%, while C is set much less than the sum of A and B.例文帳に追加

本発明の有機発光デバイスは、Ａ重量％の非対称有機金属キレート錯体、その化学式に２個またはそれ以上の三級アミンが含まれるＢ重量％のポリアミン化合物、およびＣ重量％のリン光発光材料を含む発光層を備え、ＣはＡとＢの和よりも著しく小さいように設定されている。 - 特許庁

To provide a method of removing defects in an organic electro-luminescent device, which can effectively remove defects that occur in a organic EL layer during its production process, and to provide its manufacturing method which can raise the production yield when manufacturing organic EL devices.例文帳に追加

本発明は、有機ＥＬ素子の製造工程において生じる有機ＥＬ層内の欠陥を効率的に除去することができる有機ＥＬ素子の欠陥の除去方法、および、その除去方法を利用することにより、有機ＥＬ素子の製造における歩留まりを向上させることができる有機ＥＬ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a developing device where the occurrence of leakage is eliminated by setting developing bias low by attaining low resistance at an entire toner carrier by considering a resin and an additive used for the surface layer of a toner carrier, the toner carrier whose life is prolonged as the toner carrier and a system and which copes with a high image quality and an environment and its manufacturing method.例文帳に追加

トナー担持体の表面層に使用する樹脂、添加材を検討し、トナー担持体全体を低抵抗にすることにより現像バイアスを低く設定し、リークの発生しない現像装置を提供し、トナー担持体、システムとしての高寿命、高画質化、環境に対応できるトナー担持体及び、その製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The liquid crystal device can suppress the reactivity of a radical to suppress the polymerization of a liquid crystal molecule 30 because even if the radical is generated in the liquid crystal molecule 30 in a liquid crystal layer 6 having received a light from a light source 107, the radical reacts with a polymerization inhibitor 31 comprising a hydroquinone having a benzene ring with a hydroxy group as a basic skeleton to eliminate the radical.例文帳に追加

光源１０７からの光を受けた液晶層６内の液晶分子３０にラジカルが発生しても、そのラジカルは、ヒドロキシ基を有するベンゼン環を基本骨格としたヒドロキノンからなる重合抑制剤３１と反応することによって消失するので、ラジカルの反応性を抑え、ひいては液晶分子３０の重合を抑えることができる。 - 特許庁

Then, when an organic layer is formed on an element forming substrate using a vacuum vapor deposition device, the organic EL element material 11 is input into a deposition source and then, in the process of reducing pressure of the vacuum chamber, the ampul 13 is ruptured by pressure difference of inside and outside, thereby the exposed organic EL material 12 is heated and evaporated.例文帳に追加

そして、真空蒸着装置を用いて素子形成用基板上に有機層を形成する場合は、その有機ＥＬ素子用材料１１を蒸着源に投入した後、真空チャンバ内を減圧する過程で、アンプル１３を内外圧力差により開裂させ、これによって露出した有機ＥＬ材料１２を加熱して蒸発させる。 - 特許庁

To provide a drying storage method of a resin film for a two-layer flexible substrate, and a heating dryer therefor that can eliminate the occurrence of an insulation failure even if the wiring pitch is narrow by preventing the resin film from absorbing oxygen and moisture before it is set to a film forming device in the following process after the resin film is dried by heating.例文帳に追加

樹脂フィルムを加熱乾燥した後、次工程の成膜装置にセットするまでの間に樹脂フィルムが酸素や水分を吸収することを防ぎ、配線ピッチが狭くても絶縁不良の発生をなくすることができる、２層フレキシブル基板用樹脂フィルムの乾燥保管方法、及びそのための加熱乾燥装置を提供する。 - 特許庁

The translator support device 10 searches, when a translated phrase within a translate display column 21c of a work screen 21 is corrected, unit portions of layers containing the corrected position in ranges, and reflects the correction to each of unit parts of all layers containing the unit part of the lowest layer of the detected unit parts of layers.例文帳に追加

翻訳者支援装置１０は、作業画面２１の訳文表示欄２１ｃ内の翻訳語句に修正が加えられると、その修正箇所を範囲に含む階層の単位部分を検索し、検出した階層の単位部分のうち最も下位の階層の単位部分を含む全ての階層の単位部分のそれぞれに対し、その修正を反映する。 - 特許庁

In a current collecting device mounted on a moving body 44, current collectors 10 are placed at apexes or apexes and the center position of a regular polygon with a prescribed diameter causing to keep a relative condition between the band electrodes 33, 36 on the surface layer of the power feeding board and the current collectors 10 even when the moving body 44 runs in any direction.例文帳に追加

移動体４４に搭載された集電器は、所定の直径を有する正多角形の頂点位置または頂点位置と中心位置に集電子１０を配置することにより移動体４４がいかなる方向に走行しても給電板の表面層の帯状電極３３，３６と集電子１０との相対条件が保たれる。 - 特許庁

A semiconductor storage device crystallizes variable resistive element material layers arranged on side surfaces of multiple semiconductor layers in a stacked structure concurrently by applying a first current to any one of semiconductor layers in the stacked structure, and thereafter applies a second current to semiconductor layers other than the semiconductor layer to which the first current has been applied.例文帳に追加

本発明に係る半導体記憶装置は、積層体内のいずれかの半導体層に第１の電流を印加して積層体内の複数の半導体層の側面に配置されている抵抗変化材料層を一括して結晶化した後、第１の電流を印加した半導体層以外の半導体層に第２の電流を印加する。 - 特許庁

The ZnO buffer layer 3 having small specific resistance is grown on a conductive Si substrate 2, and n-type GaN, n-type AlGaN, InGaN (light emitting), p-type AlGaN, and p-type GaN layers 4, 5, 6, 7, and 8 are successively grown, thus forming the semiconductor light emitting device 1 having double hetero junction structure.例文帳に追加

導電性Ｓｉ基板２の上に比抵抗の小さなＺｎＯバッファ層３を成長させ、ＺｎＯバッファ層３の上に順次ｎ型ＧａＮ層４、ｎ型ＡｌＧａＮ層５、ＩｎＧａＮ層（発光層）６、ｐ型ＡｌＧａＮ層７、ｐ型ＧａＮ層８を成長させることにより、ダブルへテロ接合構造の半導体発光素子１を形成する。 - 特許庁

The inside ventilation layer 17A having an upstair ventilation part 41 connected through the attic space 31 and a downstair ventilation part 21 at the rear side of the small roof 13 is installed while connecting the attic space and the foundation side under floor space, and a forcible ventilation device ( ventilation part ) 18 opening/closing the connection between the space 14 and the outdoor side is installed in the attic space 14.例文帳に追加

小屋根13の裏側の小屋裏空間31を通して連通された階上側通気部41と階下側通気部21とを有する内側通気層17Aを、屋根裏空間と基礎側床下空間とを連通して設けるとともに、屋根裏空間14にこの空間14と屋外との連通を開閉する強制換気装置（換気部）18を設ける。 - 特許庁

The color filter and a liquid crystal display device using the same are achieved, in which, concerning the coloring layer, the area of a triangle formed by connecting each chromaticity coordinate of red, green, and blue in the XYZ color specification system measured by using a C light source is not smaller than 80% on the NTSC standard ratio, and the thickness is not thicker than 4 μm.例文帳に追加

また、着色層について、Ｃ光源を使用して測定した、ＸＹＺ表色系色度図における赤、緑、青の各色度座標を結んでなる三角形の面積がＮＴＳＣ規格比８０％以上であり、かつ膜厚が４μｍ以下であることカラーフィルター、およびこれを用いた液晶表示装置を実現する。 - 特許庁

This display device includes a translucent substrate 20, a light-emitting element such as an organic EL element 50 formed on the surface of the substrate 20, and a low reflective layer 31 consisting of an indium tin oxide film 31A and a titanium film 31B laminated in order from the substrate side on the opposite surface to the surface of the substrate 20 on which the light-emitting element is formed.例文帳に追加

本発明の表示装置は、透光性を有する基板２０と、基板２０の一面に形成された有機ＥＬ素子５０等の発光素子と、基板２０の発光素子が形成された側と反対側の面に、基板側から順次積層されたインジウム錫酸化膜３１Ａおよびチタン膜３１Ｂからなる低反射層３１とを備えている。 - 特許庁

In exposing the liquid crystal composition containing the photosensitive material, the orientation of the liquid crystal molecules is adjusted with application of voltage to a liquid crystal composition layer and the orientation of the liquid crystal molecules is made nearly constant, or the orientation of the liquid crystal molecules is made uniform by adjusting construction of the liquid crystal display device, or a display defect is controlled so as to be excluded from a display region.例文帳に追加

感光性の材料を含む液晶組成物を感光させるに際して、液晶組成物層に電圧を印加して液晶分子の配向を調整し、液晶分子の配向をほぼ一定にし、あるいは液晶表示装置の構造を調整して液晶分子の配向を均一化し、または表示欠陥を表示領域外に規制する。 - 特許庁

Even in the case of the illumination device in which the organic EL panels equipped with a connecting terminal for supplying a power supply are connected in the plurality of numbers of sheets, since a lead wire to supply to each is installed exclusively from the power supply, the brightness unevenness can be suppressed to the minimum since a voltage drop due to resistance (sheet resistance) of an anode layer is suppressed.例文帳に追加

電源を供給する接続端子を備えた有機ＥＬパネルを複数枚接続した照明装置であっても、それぞれに供給する導線が供給電源から専用に設けられているので、陽極層の抵抗（シート抵抗）による電圧降下が抑制されるので輝度ムラを最小限に抑えることができる。 - 特許庁

The vertically aligned liquid crystal device having an over-layer structure is provided with: a data line on the element substrate side; a switching element such as TFD connected with the data line; an insulating film formed on the data line and switching element; a pixel electrode formed on the insulating film; and a contact hole which connects the switching element to the pixel electrode.例文帳に追加

オーバーレイヤー構造を有する垂直配向方式の液晶装置であって、素子基板側にデータ線と、データ線と接続されたＴＦＤなどのスイッチング素子と、データ線とスイッチング素子の上に形成された絶縁膜と、当該絶縁膜の上に形成された画素電極と、スイッチング素子と画素電極とを接続するコンタクトホールとを備える。 - 特許庁

The method of manufacturing the photoelectric conversion device 100 includes a step of forming a photoelectric converting layer 3 of silicon on a substrate 1 by using a plasma CVD technique using a gas containing a silane gas and a hydrogen gas as a raw material gas under the condition where a flow rate of the hydrogen gas per unit area of the substrate 1 is 80 slm/m^2 or more.例文帳に追加

基板１上に、シラン系ガスと水素ガスとを含むガスを原料ガスとするプラズマＣＶＤ法を用いて、前記基板１の単位面積当たりの前記水素ガス流量８０ｓｌｍ／ｍ^２以上の条件で、シリコン系の光電変換層３を形成する工程を含むことを特徴とする光電変換装置１００の製造方法。 - 特許庁

The phase correcting element 4 having a pair of transparent substrates in which electrodes are formed respectively and a liquid crystal layer which is held between the substrates and is bendingly aligned is set up between a collimator lens 3 and a 1/4 wavelength plate 5 of the optical head device, and the phase correcting element 4 is voltage driven by a phase correcting element control circuit 10.例文帳に追加

それぞれ電極が形成された一対の透明な基板と基板間に挟持されてベンド配向された液晶層とを備えている位相補正素子４を、光ヘッド装置のコリメートレンズ３と４分の１波長板５との間に設置し、位相補正素子４が位相補正素子制御回路１０によって電圧駆動されるようにする。 - 特許庁

The semiconductor device has: a gate insulating film 3 formed on a semiconductor substrate 1; a second gate electrode part 20b of a gate electrode 20, which is sequentially formed on the gate insulating film 3, and which includes a TiN film 4 and a polysilicon film 5; and a layer insulating film 8 formed on the semiconductor substrate 1 to cover the gate electrode 20.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１の上に形成されたゲート絶縁膜３と、該ゲート絶縁膜３の上に順次形成され、ＴｉＮ膜４とポリシリコン膜５とにより構成されたゲート電極２０の第２のゲート電極部２０ｂと、半導体基板１の上にゲート電極２０を覆うように形成された層間絶縁膜８とを有している。 - 特許庁

This semiconductor device provided with the MOS type capacitor is provided with an insulating film 3 formed on a semiconductor substrate 1, an upper electrode 40 formed on the insulating layer 3, a plurality of openings 42 formed on the upper electrode 40, and an impurity region 7 formed on the semiconductor substrate 1 positioned below each of the openings 42.例文帳に追加

本発明に係るＭＯＳ型キャパシタを具備する半導体装置は、半導体基板１に形成された絶縁膜３と、絶縁膜３上に形成された上部電極４０と、上部電極４０に形成された複数の開口部４２と、複数の開口部４２それぞれの下方に位置する半導体基板１に形成された不純物領域７とを具備する。 - 特許庁

A semiconductor device 100 comprises a silicon substrate 10, a gate electrode 21 formed on the silicon substrate 10 through a gate insulating layer 16, first and second impurity diffusion layers 18 and 20 formed on the silicon substrate 10, and side wall insulating layers 15a and 15b formed on the side surface part of the gate electrode 21.例文帳に追加

半導体装置１００は、シリコン基板１０と、シリコン基板１０上にゲート絶縁層１６を介して形成されたゲート電極２１と、シリコン基板１０に形成された第１不純物拡散層１８および第２不純物拡散層２０と、ゲート電極２１の側面部に形成されたサイドウォール絶縁層１５ａ，１５ｂとを含む。 - 特許庁

In the semiconductor device, the GaAs group vertical cavity surface-emitting laser (VCSEL) structure formed on the surface of a GaAs monocrystal substrate by epitaxial growth is directly joined with the surface of a 1st base body constituted of forming a compound semiconductor layer on the surface of Si group monocrystal substrate consisting of Si, SiGe or Ge by epitaxial growth.例文帳に追加

Ｓｉ、又は、ＳｉＧｅ、又は、ＧｅからなるＳｉ系単結晶基板の上にエピタキシャル成長による化合物半導体層が設けられている第１の基体上に、ＧａＡｓ単結晶基板上にエピタキシャル成長により形成されたＧａＡｓ系面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）構造体が直接接合されていることを特徴としている。 - 特許庁

This semiconductor device has a through electrode 5 which is so formed as to penetrate a semiconductor substrate 6, a conductor pad 14 formed on the through electrode 5 and composed of a conductor electrically connected to the through electrode 5, and a wiring layer 3 formed on the surface of the semiconductor substrate 6 and electrically connected with the conductor pad 14.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板６を貫通して形成された貫通電極５と、貫通電極５の上に形成され、貫通電極５と電気的に接続する導電体からなる導電体パッド１４と、半導体基板６の表面に形成され、導電体パッド１４と電気的に接続する配線層３とを備える。 - 特許庁

The heating/heat-retaining device which is safely heated by a microwave oven and is repeatedly used by embedding a heat generation part which is made by solidifying by using a heat generating material, a heat retaining-insulating material, and a bonding material with an insulating layer made of a material with a heat resistance property and a heat insulating property and encapsuling it in a heat resistant container 3 is provided.例文帳に追加

発熱材料と保温・断熱材料と結合材料を用いて固化・作製した発熱部を、耐熱性と断熱性をもつ素材からなる断熱層で包埋し、さらに耐熱性容器３に封入することにより、電子レンジによって安全に加熱することが可能で、繰り返し使用が可能である加熱・保温具を提供する。 - 特許庁

By analyzing the heating condition of the baking device based on the state of the reflected light in the dielectric layer 330 different in a smoothness state of the surface depending on a melting condition, the gist that a baking temperature is high when smoothness is high and luminance of the reflected light is large, and the baking temperature is low when the smoothness is low and the luminance is small can be recognized.例文帳に追加

溶融状態により表面の平滑状態が異なる誘電体層３３０における反射光の状態に基づいて、焼成装置の加熱状態を解析することにより、平滑度が高く反射光の輝度が大きい場合に焼成温度が高く、平滑度が低く輝度が小さい場合に焼成温度が低い旨を認識できる。 - 特許庁

The heating device 12 is provided with a heater 13 formed of a base material 17 in which heating elements are buried inside or are installed on a surface or a surface layer, and a heating face 2 is formed or formed by the heating elements themselves, and with a bar plate 1 which is arranged on the heating face 2, and a workpiece substrate can be disposed on a surface of the face.例文帳に追加

発熱体が内部に埋設され、又は表面若しくは表層に配設されるとともに発熱面２が形成された、或いは発熱体自体により発熱面２が形成された基材１７からなるヒータ１３と、発熱面２上に配設され、その表面上に被加熱基板を配置し得るカバープレート１とを備えた加熱装置１２である。 - 特許庁

A light emitting device includes: a light emitting element 20 that emits light by being supplied with power; a light reflection portion 30 formed around the light emitting element 20 excluding the top surface; a wavelength conversion layer 40 formed so as to cover all of the light emitting element 20 and the light reflection portion 30; and a submount element 50 protecting the light emitting element 20 from excessive voltage.例文帳に追加

電源が供給されることで発光する発光素子２０と、発光素子２０の天面を除く周囲に形成された光反射部３０と、発光素子２０および光反射部３０の全体を覆うように形成された波長変換層４０と、過度な電圧から発光素子２０を保護するサブマウント素子５０とを備えた。 - 特許庁