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device layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 21674



例文

The data transfer control device for data transfer via a serial ATA bus includes a transport controller 10 supplied with and operated on a clock CLK2 generated by a physical layer circuit 100 according to a reference clock CLK1, and a link controller 50 supplied with and operated on the clocks CLK1 and CLK2.例文帳に追加

シリアルATAバスを介してデータ転送を行うデータ転送制御装置は、基準クロックであるCLK1に基づき物理層回路100により生成されたクロックCLK2が供給され、クロックCLK2に基づき動作するトランスポートコントローラ10と、クロックCLK1、CLK2が供給され、CLK1、CLK2に基づき動作するリンクコントローラ50を含む。 - 特許庁

Fabrication process of the silicon carbide semiconductor device 1 comprises a step for forming a trench 11 in the major surface 2b of the epitaxial growth layer 2, a step for forming the silicon carbide semiconductor region 3 selectively in the trench 11 by epitaxial growth, and a step performing heat treatment for activating impurities in the silicon carbide semiconductor region 3.例文帳に追加

炭化珪素半導体装置1の製造方法は、エピタキシャル成長層2の主表面2bに溝11を形成する工程と、溝11内に選択的に炭化珪素半導体領域3をエピタキシャル成長により形成する工程と、炭化珪素半導体領域3中の不純物を活性化させるための熱処理を施す工程とを備えている。 - 特許庁

In the MOVPE method there is obtained a growth speed of 10 μm/Hr or higher by lowering the group V/III ratio under a definite condition, and by applying this to the growth of an A surface nitride-based semiconductor layer on an R surface sapphire substrate, an application to a light emitting element and an electronic device using the A surface nitride-based semiconductor is executed.例文帳に追加

MOVPE法において一定条件下でV/III比を下げることにより、10μm/Hr以上の成長速度が得られ、またこれをR面サファイア基板上のA面窒化物系半導体層の成長に適用することにより、A面窒化物系半導体を用いた発光素子および電子デバイスへの応用を行う。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device equipped with a high quality diamond membrane by reducing limitations to the growth temperature of the diamond membrane while effectively utilizing the merit of nucleus formation pre-treatment for forming a porous layer, with which a uniform high density nucleus formation can be provided over a wide area, and the diamond membrane of smooth surface can be easily provided.例文帳に追加

大面積に均質で高密度の核生成が実現でき、表面が平滑なダイヤモンド薄膜が得られやすいという多孔質層を形成する核生成前処理の長所を活かしながら、ダイヤモンド薄膜の成長温度に対する制約を少なくして、高品質なダイヤモンド薄膜を含む半導体装置を作製する方法を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a tape winding device for a wire and a manufacturing system of an insulation wire core for tape winding capable of winding a tape body without elongation and cutting, maintaining a prescribed outer diameter of an insulation body, keeping the winding shape constant, easily forming an insulation wire core for tape winding into a perfect circular shape when forming an insulation layer of a coaxial cable having porous tape body.例文帳に追加

同軸ケーブルの多孔質テープ体からなる絶縁体層の形成において、テープ体の伸びや切断なしに巻回することが可能で、絶縁体外径を所定外径に維持し、巻き付け形状を一定化でき、さらには真円形状にも容易に成形することが可能な線材のテープ巻装置及びテープ巻絶縁線心の作製システムを提供する。 - 特許庁


例文

To solve the problem wherein, in a conventional solid-state imaging device in which a single-layer silicon oxide film formed on a semiconductor substrate is patterned into a prescribed shape by wet etching to form a field insulation film, a short circuit between electrodes is easily caused on a side face (etching face) of the field insulation film when forming various electrodes by patterning a conductive film by etching.例文帳に追加

半導体基板上に形成した単層のシリコン酸化膜をウェットエッチングにより所定形状にパターニングしてフィールド絶縁膜を形成する従来の固体撮像素子では、導電膜をエッチングによってパターニングして種々の電極を形成する際に、フィールド絶縁膜の側面(エッチング面)上において電極同士の短絡が生じやすい。 - 特許庁

The manufacturing method of the thin-film device includes a step of transferring a thin-film element (transfer object layer 110) on a second conductive transfer substrate 120 and a step thereafter of connecting an electrode terminal 130 for imparting reference potential to a thin film element circuit formed of the thin-film element, or the like, to the second conductive transfer substrate 120.例文帳に追加

本発明に係る薄膜装置の製造方法は、導電性を有する第二転写基板120上に薄膜素子(被転写層110)を転写した後、その薄膜素子などによって形成された薄膜素子回路に基準電位を与える電極端子130を、導電性を有する第二転写基板120と接続する。 - 特許庁

To provide a soil sampling device, which can facilitate collection in a narrow place without generating a large noise or vibration, precisely discriminate and collect the soil in a surface layer and the soil in a place having a large depth without mixing, and carry the collected soil in order to an analysis chamber as it is to enable, particularly, precise analysis of heavy metal contamination.例文帳に追加

狭い場所での採取も容易に行え、大きな騒音や振動の発生もなく、表層の土壌と深度の深い場所の土壌とを乱すことなく正確に区別して混ざらないように採取でき、採取した土壌は乱さずそのまま分析室に持ち込むことができ、特に重金属汚染の分析を正確にできる土壌サンプリング装置を得る。 - 特許庁

The circuit device is structured such that the most portion of a circuit board is molded with an elastic resin except its one surface, and only molded portions enclosing fixed parts of terminal fixtures for fixing the board to a wiring conductor layer are molded with a rigid resin, thus making the elastic resin molded portions absorb a bending force due to the shrinkage difference between the board and the mold resin.例文帳に追加

回路基板の片面を除く大部分は弾性樹脂でモールドされていて,上記基板の端子金具と配線導体層との固着部分を囲むモールド部分のみ剛性樹脂でモールドさた回路装置とし,基板とモールド樹脂の収縮率の差により発生する湾曲力を弾性樹脂モールド部に吸収させるようにした。 - 特許庁

例文

The semiconductor device comprises a substrate 100 on which a circuit is formed, a multilayer wiring layers formed on the substrate 100 with a protection insulation film 300 formed on a surface, and an electrode pad 200 disposed on a top layer of the multilayer wiring layers and connected to the circuit with a surface lying substantially in the same plane with the protection insulation film 300.例文帳に追加

この半導体装置は、回路が形成された基板100と、この基板100上に形成され、表面に保護絶縁膜300が形成された多層配線層と、この多層配線層の最上層の配線層に位置し、上記回路に接続し、かつ、表面が保護絶縁膜と略同一面となっている電極パッド200と、を備える。 - 特許庁

例文

To provide a tape carrier for a semiconductor device which can improve a yield when a product is conveyed to next step by eliminating a warp at a copper wiring pattern layer forming time and a warp at a heat curing time of a thermosetting type solder resist, and which can improve the working efficiency of a product processing treatment in next step and the dimensional quality of the product.例文帳に追加

銅配線パターン層形成時の反りと熱硬化型ソルダレジストの熱硬化時の反りを無くすことによって、製品を次工程へ搬送する際の歩留まりを向上させることができ、次工程における製品加工処理の作業効率および製品の寸法品質を向上させることができる半導体装置用テープキャリアを提供する。 - 特許庁

Further, the line connection device 100 comprises a layer 1 monitor 102 for monitoring the status of a received signal received by the optical signal controller 101, and a status notification function 106 for transmitting a subscriber line failure information indicative of a failure in the subscriber line, when changes in the status of the received signal satisfy a predetermined condition.例文帳に追加

さらに、回線接続装置100は、光信号制御部101が受信する受信信号の状態を監視するレイヤ1監視部102と、受信信号の状態の変化が所定の条件を満足した場合、加入者回線の障害を示す加入者回線障害情報を送信する状態通知機能部106とを備える。 - 特許庁

The device has a plurality of pixel areas formed where electrodes and plasma channels cross each other, and a liquid crystal layer included in each pixel area is divided into a plurality of liquid crystal areas by a 1st dielectric wall which is parallel to the extending direction of an electrode and a 2nd dielectric wall which is parallel to the extending direction of a plasma channel.例文帳に追加

電極とプラズマチャネルとが交差する領域にそれぞれが形成される複数の絵素領域を有し、各絵素領域に含まれる液晶層は、電極の伸長方向に平行な第1誘電体壁と、プラズマチャネルの伸長方向に平行な第2誘電体壁とによって、複数の液晶領域に分割されている。 - 特許庁

The optical fiber illumination device comprises: the plurality of optical fibers 1 having an arbitrary design region D; an optical fiber fixing member 2 which fixes the optical fibers 1; and a light source 10 disposed on an end part of the optical fibers 1, wherein at least one part of colored layer X is disposed on the design region D.例文帳に追加

任意のデザイン領域Dを有する複数本の光ファイバ1と、前記光ファイバ1を固定する光ファイバ固定部材2と、前記光ファイバ1の端部に設けられた光源10とを備える光ファイバ照明装置であって、前記デザイン領域Dに少なくとも1箇所の着色層Xを有することを特徴とする光ファイバ照明装置。 - 特許庁

The communication circuit holder 10 comprises at least a structure formed by successively superposing a first substrate, a first adhesive member, a second adhesive member and a second substrate, a space part formed by removing a part of the first substrate and the first adhesive layer, and a semiconductor device having RFID function, provided on the second adhesive member.例文帳に追加

第一基材、第一接着部材、第二接着部材および第二基材を順に重ねてなる構造体、前記第一基材の一部と第一接着部材とを除いてなる空間部、前記第二接着部材の上に設けられたRFID機能を有する半導体装置、を少なくとも備えたと通信用回路保持体10を提供する。 - 特許庁

The liquid crystal device is provided with a liquid crystal layer 2 of which the distribution of refractive indexes is controlled with voltage application between two sheets of transparent substrates 1 with a comb shaped electrode array 3 formed thereon and an optical path deflection driving means 5 which varies a state of voltage application to the comb shaped electrode array 3 and a Fresnel lens is obtained by controlling the applied voltage.例文帳に追加

櫛形電極アレイ3を形成した2枚の透明基板1間への電圧印加によって屈折率分布の制御が可能な液晶層2と、櫛形電極アレイ3への電圧印加状態を変化させる光路偏向駆動手段5とを有し、上記印加電圧の制御によって、フレネル状のレンズを得ることができる。 - 特許庁

To provide a method for producing a polycrystalline thin film and a method for producing a composite nanocrystal layer, with which variation in size of a great number of columnar crystals grown in a direction perpendicular to one surface of a substrate and variation in formation positions can be suppressed, and a field-emission electron source enhancing electron emission efficiency and a luminescent device enhancing luminous efficiency.例文帳に追加

基板の一表面に垂直な方向へ成長させる多数の柱状結晶のサイズや形成位置のばらつきを抑制可能な多結晶薄膜の製造方法および複合ナノ結晶層の製造方法、並びに、電子放出効率の向上が可能な電界放射型電子源、発光効率の向上が可能な発光デバイスを提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device includes a process to remove an organic substance from a semiconductor region, a process to remove an oxide film formed on a surface of the semiconductor region, and a process to dry without using an organic solvent as a drying treatment, before the silicide layer is formed at the semiconductor region with a line width of 50nm or less.例文帳に追加

50nm以下の線幅の半導体領域にシリサイド層を形成する前に、前記半導体領域から有機物を除去する工程と、前記半導体領域表面に形成された酸化膜を除去する工程と、乾燥処理として有機溶媒を用いない乾燥を行う工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

A conductive roller 1A includes a conductive elastic layer 3 formed on the outer periphery of a shaft body 2, in which a developer conveying area 5 on the outer surface satisfies the following conditions (1) and (2), and a developing device and an image forming apparatus are formed by including the conductive roller 1A.例文帳に追加

軸体2の外周に形成された導電性弾性層3を備えて成る導電性ローラ1Aであって、外表面における現像剤搬送領域5が下記条件(1)及び(2)を満足することを特徴とする導電性ローラ1A、並びに、この導電性ローラ1Aを備えてなることを特徴とする現像装置及び画像形成装置。 - 特許庁

In this bearing manufacturing device 1, a process for sealing the whole of the washer 5 to prevent impregnation of the resin powder 4 with the pressure medium 10 is unnecessary, and the even forming pressure can be applied to the resin powder 4 by isotropic pressurization, and a bearing pad 20 having a sliding layer 20 formed at even forming density can be manufactured efficiently.例文帳に追加

軸受製造装置1によれば、圧力媒体10により樹脂粉末4が浸漬されることを防止する台金5全体の封止処理などが不要である共に、等方性加圧にて樹脂粉末4に対し均一な成形圧力を加えることができるので、成形密度の均一な摺動層20を有する軸受パッド2を効率良く製造できる。 - 特許庁

To reduce excessive damages to an image carrier without changing the physical properties of material or the constitution of a main body remarkably in an image forming device using a cleaning blade consisting of thermoplastic or thermosetting polyurethane and having a hard layer obtained by impregnating isocyanate compound in a part in contact with the image carrier at any rate of a blade surface and heating and hardening it.例文帳に追加

熱可塑性又は熱硬化性ポリウレタンからなり、ブレード表面の少なくとも像坦持体に接触する部分にイソシアネート化合物を合浸させた後加熱硬化して硬化層を形成したクリーニングブレードを用いる画像形成装置において、材料の物性や本体の構成を大きく変えることなく像担持体への過剰な傷を軽減する。 - 特許庁

In the semiconductor device having an SRAM consisting of a plurality of memory cells 50, path gate transistors Q5, Q6 constituting each memory cell 50 are each a bulk transistor (directly formed on a silicon substrate), and the other transistors Q1-Q4 are each an SOI transistor (formed on an Si layer of an SOI structure partially formed on the silicon substrate).例文帳に追加

複数のメモリセル50からなるSRAMを有する半導体装置であって、メモリセル50を構成するパスゲートトランジスタQ5,Q6は(シリコン基板に直接形成された)バルクトランジスタであり、それ以外のトランジスタQ1〜Q4は(シリコン基板に部分的に形成されたSOI構造のSi層に形成された)SOIトランジスタである。 - 特許庁

In the liquid crystal device 100, retardation values of a retardation plate 25 and a liquid crystal layer 50 are equal to each other, and the slow axis of the retardation plate 25 and the initial aligning direction of the liquid crystal are nearly vertical to each other.例文帳に追加

本発明の液晶装置100は、位相差板25のリタデーションと液晶層50のリタデーションとは互いに等しく、位相差板25の遅相軸は液晶の初期配向方向と略直交しており、式(1)で表される位相差板25のNz値(NzR)と液晶層50のNz値(NzLC)との和(NzR+NzLC)は略1である。 - 特許庁

In a first polishing device 1, that supplies polishing liquid 31 for polishing a metal layer 26 being formed on the surface to be polished of a substrate 21 to be polished, for example, an atomic absorption photometer, an electrometer, or an ammeter is provided as a detector 19 that measures the amount of constituents of metals contained in the polishing liquid or polishing waste liquid.例文帳に追加

研摩液31を供給して被研磨基板21の被研磨面に形成した金属層26を研摩する第1の研摩装置1において、研磨液もしくは研摩廃液中に含まれる金属成分量を測定する検出器19として、例えば原子吸収分析装置、電位計、もしくは電流計を備えたものである。 - 特許庁

The antireflection film having a low refractive index layer consisting of cured coating film formed of a cured composition containing a fluorine-containing copolymer having (meth)acryloil group and curing agent having a cationic polymerizable group, the antireflection film provided with the antireflection coating on the transparent supporting body and the image display device equipped with the antireflection film are provided.例文帳に追加

(メタ)アクリロイル基を有する含弗素共重合体とカチオン重合性基を有する硬化剤を含む硬化組成物により形成された硬化皮膜よりなる低屈折率層を有する反射防止膜、透明支持体上にこの反射防止膜を設けた反射防止フィルム、及びこの反射防止フィルムを備えた画像表示装置。 - 特許庁

Hereby, since components such as a filament or a grid in the fluorescent display tube 2 can be shielded from the line of sight of a driver by a coloring layer 32 having a low light transmittance in the non-display state of the fluorescent display tube 2, the display device 1 capable of improving the outward appearance in the non-display state can be acquired.例文帳に追加

これにより、蛍光表示管2の非表示状態において、光透過率の低い着色層32により蛍光表示管2内のフィラメントおよびグリッド等の構成物を運転者の視線から遮ることができるので、非表示状態における見映えを向上させられるディスプレイ装置1を提供することができる。 - 特許庁

The immunochromatographic device is equipped with a layer having a decomposition agent holding region having a decomposition agent supported thereon and a reagent holding region containing a reaction reagent, and the decomposition agent holding region contains a porous material and is treated with the decomposition agent before a specimen to be examined is reacted with the reaction reagent.例文帳に追加

分解剤を担持する分解剤保持部位を有する層、および反応試薬を含む試薬保持部位を備えた免疫クロマトデバイスであって、該分解剤保持部位を有する層が多孔質性材料を含み、そして該分解剤保持部位が、被検体試料が該反応試薬と反応する前に該分解剤で処理されるように配置される、免疫クロマトデバイス。 - 特許庁

This method for manufacturing the semiconductor device for forming an impurity implantation region on the surface of a semiconductor substrate by an ion implantation method includes processes of: forming a mask layer including an SiO_2 film and a thin metal film on the surface of the semiconductor substrate; and implanting impurity ions.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、イオン注入法により半導体基板の表面に不純物の注入領域を形成する半導体装置の製造方法であって、半導体基板の表面に、SiO_2膜と金属薄膜を備えるマスク層を形成する工程と、不純物イオンの注入を行なう工程を備えることを特徴とする。 - 特許庁

In the electrooptical device, at least a part of the frame period is divided into sub-field periods, a driving voltage applied between a pixel electrode and a facing electrode for each sub-field is selected either an ON-voltage or an OFF voltage, and thereby, transmission light of an electrooptical layer is controlled and a plurality of grayscales are displayed.例文帳に追加

電気光学装置は、フレーム期間の少なくとも一部が複数のサブフィールド期間に分割され、サブフィールド期間ごとに画素電極と対向電極との間に印加される駆動電圧を、オン電圧およびオフ電圧のいずれか一方から選択することで、電気光学層の透過光を制御して複数の階調を表示する。 - 特許庁

To provide a color filter base of a transflective liquid crystal display device, which comprises a photosensitive colored composition capable of reproducing a fine through-hole whose diameter is 10 μm or less in a colored reflective part of a transparent colored pixel, having high sensitivity, and excellent in development process margin and in adhesion to an overcoat layer.例文帳に追加

半透過型液晶表示装置のカラーフィルタ基板であって、透明着色画素の着色反射部に特に、径10μmあるいはそれ以下の微細なスルーホールを再現することができ、かつ高感度、現像プロセスマージンに優れ、オーバーコート層との密着性に優れる感光性着色組成物からなるカラーフィルタ基板を提供する。 - 特許庁

In the liquid crystal display device 1, a transparent electrode 100 constituting a display liquid crystal cell 30 has a plurality of patterns 102 to form a desired pattern in an outer circumferential section 101 with which a display region as a whole is formed, and at least a portion of liquid crystal molecules of a liquid crystal layer 20 is interposed between transparent electrodes 13a, 13b.例文帳に追加

本発明に関する液晶表示装置1は、表示液晶セル30を構成する透明電極100が、表示領域全体を形成する外周部101の中に所望パターンを形成するパターン102・・を複数有し、透明電極13a、13bは、液晶層20の液晶分子の少なくとも一部を挟持している。 - 特許庁

The surface light emitting device includes a transparent substrate 1 and a light emitting element 7 which is arranged on one surface of the transparent substrate 1 and is a laminate including a transparent electrode 2 becoming a positive electrode, a negative electrode 6 becoming the negative electrode opposed to the transparent electrode 2, and a luminous layer 4 pinched between the transparent electrode 2 and the negative electrode 6.例文帳に追加

本発明の面発光装置は、透明基板1と、透明基板1の一方の面上に配置されている発光素子7であって、陽極となる透明電極2、透明電極2と対向する陰極になる陰電極6、および透明電極2と陰電極6とに挟まれている発光層4を含む積層体である発光素子7とを有する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the semiconductor device provided with a source/drain made of an epitaxial growth layer on a semiconductor substrate near a gate electrode, the gate electrode 3a is formed on the semiconductor substrate 1 made of silicon via a gate insulating film 2a, and a TEOS sidewall 5 is formed on the gate insulating film 2a and a side wall of the gate electrode 3a.例文帳に追加

ゲート電極脇の半導体基板上にエピタキシャル成長層からなるソース・ドレインを備えた半導体装置の製造方法であって、シリコンからなる半導体基板1上にゲート絶縁膜2aを介してゲート電極3aを形成し、ゲート絶縁膜2aおよびゲート電極3aの側壁にTEOSサイドウォール5を形成する。 - 特許庁

A step of manufacturing the semiconductor device 100 includes a step of forming a pair of electrode groups 24 and 16 which are connected with a main electrode on the surface of the semiconductor multilayer portion 11 in the element region 100a, and a step of forming a sputter layer 12 on the surface of the semiconductor multilayer portion 11 in the element isolation region 100b by using a sputtering method.例文帳に追加

半導体装置100は、素子領域100a内の半導体積層部11の表面に、主電極に接続する一対の電極群24,16を形成する電極群形成工程と、素子分離領域100b内の半導体積層部11の表面に、スパッタ法を用いてスパッタ層12を形成するスパッタ工程を備えている。 - 特許庁

The liquid crystal display device is provided with a liquid crystal display panel 11 having a liquid crystal layer provided between a facing glass substrate 2 provided on the display surface side and a TFT glass substrate 1 opposed thereto and a transparent conductive film 7 for shielding radiation noise, formed on the display surface of the facing glass substrate 2 and having40 nm and ≤160 nm film thickness.例文帳に追加

表示面側に設けられた対向ガラス基板2とこれに対向するTFTガラス基板1との間に液晶層が設けられた液晶表示パネル11と、対向ガラス基板2における表示面に形成され、膜厚が40nm以上、160nm以下である輻射ノイズ遮断用透明導電膜7とを備えている。 - 特許庁

To solve a problem that in a semiconductor light emitting device wherein a sub-mount is adhered onto a stem of a package and a semiconductor laser chip is mounted thereupon with a junction down, rotation of polarization is caused by residual stress applied to an active layer of the semiconductor laser chip after assembly owing to a difference in coefficient of linear expansion between a mount portion and the semiconductor laser chip.例文帳に追加

パッケージのステム上にサブマウントを接着し、その上に半導体レーザチップをジャンクションダウンで実装する半導体発光装置において、マウント部と半導体レーザチップとの線膨張係数の違いにより、組み立て後の半導体レーザチップの活性層に残留応力がかかり、それによって偏光の回転が起こってしまう。 - 特許庁

A semiconductor device has an emitter electrode 107 formed on a circular emitter layer 104 in a circular shape, the center points of four circular emitters are equal in distance between circular emitters which are adjacent at the shortest distance, and the center points P1, P2, and P3, and P2, P3, and P4 are uniformly arranged almost at vertexes of regular triangles.例文帳に追加

円形型形状を有する円形エミッタ層104上にエミッタ電極107が形成され、4個の円形型エミッタの中心点が、最も近距離で隣接する円形型エミッタ間で等距離となり、中心点P1、P2、P3と中心点P2、P3、P4はそれぞれほぼ正三角形の頂点をなすように均一に配置されている。 - 特許庁

To provide a polarizing plate which is extremely excellent in adhesion between a polarizer and a polarizer-protecting film in high-temperature or high-humidity environments, while being excellent in optical characteristics, has only a few appearance defects and permits the application of a conventional general-purpose adhesive layer thereto; and also to provide a high-quality image display device using such a polarizing plate.例文帳に追加

高温または高湿下の環境における偏光子と偏光子保護フィルムとの接着性に極めて優れ、光学特性にも優れ、従来汎用の接着剤層を適用することができる、外観欠点が少ない偏光板を提供すること、そのような偏光板を用いた高品位の画像表示装置を提供すること。 - 特許庁

The thin DC power supply device 10 is equipped with the highly heat conductive substrate 1 provided with components for power conversion including a semiconductor 4, a chip inductor 5 and a chip capacitor 6 which are arranged thereon, while at least one surface of the substrate 1 or a metallic plate is provided with a highly heat conductive insulating layer formed thereon and whose thickness is not more than 200μm.例文帳に追加

電源用半導体4、チップインダクタ5およびチップコンデンサ6を含む電力変換用部品が配設される高熱伝導率の基板1であって、基材となる金属板の少なくとも1つの面に高熱伝導の絶縁層が形成され、厚みが200μm以下である基板1を備えた薄型の直流電源装置10とする。 - 特許庁

To provide a digital broadcast reception device and a digital broadcast reception method that shorten the time for which a user is unable to view a program if a reception state changes owing to movement, and enable a program of weak-layer transmission consisting of video and audio of high quality to be viewed in an area wherein the program is receivable.例文帳に追加

移動などによって受信状態が変化したときに、利用者が番組を視聴できない時間を短くするとともに、高品質な映像および音声から構成される弱階層伝送の番組を受信できる地域では、弱階層伝送の番組を視聴可能なデジタル放送受信装置およびデジタル放送受信方法を提供する。 - 特許庁

In one aspect, the integrated circuit device includes a base 506, at least one die 502 and 504 attached onto the base 506, and a counter balance layer 508 located at least on a part of at least one side of the base 506 and arranged to compensate for at least part of a difference in thermal expansion existing between the base 506 and the die 502 and 504.例文帳に追加

一態様では、集積回路デバイスは、ベース506と、ベース506に取り付けた少なくとも1つのダイ502、504と、ベース506の少なくとも片面の少なくとも一部分上にあり、ベース506とダイ502、504の間に存在する熱膨張の差の少なくとも一部分を補償するようになされた、カウンターバランス層508とを含む。 - 特許庁

The semiconductor device comprises the semiconductor chip such that a multilayer interconnection structure, having an interlayer insulation film of a low dielectric constant, is formed on a silicon substrate, and the sealing resin layer for sealing the semiconductor chip.例文帳に追加

シリコン基板上に低比誘電率の層間絶縁膜を有する多層配線構造が形成された半導体チップと、この半導体チップを覆う封止樹脂層とを備えた半導体装置において、前記封止樹脂層は、室温での線膨張係数(α)、室温でのヤング率(E)および膜厚(h)が下記(1)式の関係を満たすことを特徴とする半導体装置。 - 特許庁

To provide a vinylidene fluoride-based copolymer having good adhesive property to a substrate such as of metal and high thermal stability, thus highly suitable as an electrode binder for non-aqueous electrochemical devices such as secondary batteries or electrical double layer capacitors, to provide a composition containing the copolymer, and to provide such an electrochemical device.例文帳に追加

金属等の基体に対し良好な接着性を有するとともに、優れた耐熱安定性を有することにより、二次電池あるいは電気二重層キャパシタ等の非水系電気化学素子の電極用バインダーとして優れた適性を有するフッ化ビニリデン系共重合体ならびにこれを含む組成物および電気化学素子を与える。 - 特許庁

In the charging member installed in the electrophotographic device and carrying out a charging process of a surface to be electrified while a voltage is applied, the AC frequency dependency of conductance in the main dispersion of a conductive elastic body layer constituting the charging member is ≥0.9 and < 1.0.例文帳に追加

電子写真装置に配設され、被帯電体面を電圧が印加された状態で帯電処理する帯電部材において、該帯電部材を構成する導電性弾性体層の主分散におけるコンダクタンスの交流周波数依存性が0.9以上1.0未満であることを特徴とする帯電部材及び該帯電部材を用いた電子写真装置。 - 特許庁

By so doing, inexpensiveness, high-speed rotation, high accuracy and long service life can be obtained without intervention of the air layer in the bearing device.例文帳に追加

少なくとも2組の動圧発生溝103、104を有した中空スリーブ102と回転軸101とを有し、動圧発生溝103、104の間が折り返し部207を有した第1のテーパ部208と第2のテーパ部209を設けることにより、軸受装置内に空気層を介在させることなく、安価で、高速回転・高精度・長寿命に適する動圧流体軸受装置が得られる。 - 特許庁

In a liquid crystal device comprising laminated plural liquid crystal panels, a first liquid crystal panel A out of the plural liquid crystal panels is provided with a sandwiched bistable liquid crystal 3 and a second liquid crystal panel B different from the first liquid crystal panel is provided with a sandwiched composite layer 22 comprising a liquid crystal 22b and a polymer 22a.例文帳に追加

複数の液晶パネルが積層されてなる液晶装置において、前記複数の液晶パネルのうちの第1の液晶パネル(A)には双安定性を有する液晶(3)が挟持されてなり、前記第1の液晶パネルとは異なる第2の液晶パネル(B)には液晶(22b)と高分子(22a)とからなる複合層22が挟持されてなる。 - 特許庁

To provide a liquid crystal alignment layer which can be easily formed at a low cost without needing vacuum treatment, can reliably secure satisfactory alignment properties since a surface shape is formed with satisfactory reproducibility, is easily compatible with a large-sized substrate and compatibly has high durability and light resistance and to provide a liquid crystal device.例文帳に追加

本発明は、真空処理を必要とせず非常に簡易に、かつ低コストに液晶配向膜が形成でき、再現性良く表面形状が作られるので確実に良好な配向性が確保できると共に、基板の大面積化にも対応しやすく、高い耐久性・耐光性も兼ね備える液晶配向膜及び液晶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a heat insulation device for a manhole in which transfer of heat from the underside of a cover body of the manhole can be securely prevented to prevent fusion of snow on the cover body of the manhole by holding a sufficient interval between the cover body of the manhole and a heat insulating plate member for forming a thick air layer between them.例文帳に追加

マンホール内でマンホールの蓋体と断熱板材との間に充分な間隔を保持させて、その間に厚い空気層を形成することにより遮熱を確実に行わせ、それにより、マンホールの蓋体への下方からの熱の伝達を確実に防止して、マンホール蓋上の融雪を防止するマンホールの断熱装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing toner in high yield by coating surfaces of toner base particles with a resin layer while maintaining a fluidized state of the powder particles, and suppressing aggregation deposition of particles in an apparatus, and also to provide the toner obtained by the method, a developer containing the toner, and a developing device and an image forming apparatus using the developer.例文帳に追加

粉体粒子を流動させた状態を保持しつつトナー母粒子表面に樹脂層を被覆し、装置内部での凝集付着を抑えた収率の高いトナーの製造方法およびその製造方法で得られたトナー、前記トナーを含む現像剤、ならびに前記現像剤を用いる現像装置および画像形成装置を提供する。 - 特許庁

例文

A semiconductor device manufacturing method comprises a step of cutting a laminated product including a die-bonding film and a semiconductor wafer laminated on the die-bonding film with a rotary blade, and a step of performing plasma discharge processing 6 on a periphery of a face of an adhesive layer 1 of the dicing tape bonding the die-bonding film.例文帳に追加

ダイボンディングフィルムと、前記ダイボンディングフィルム上に積層された半導体ウェハとを含む積層品を回転刃で切断する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記ダイボンディングフィルムを貼り付けるダイシングテープの粘着層1の面の周囲にプラズマ放電処理6を施す工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁




  
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