「device layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(427ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method for fabricating a semiconductor device where silicon insulation films having a different thickness are formed, respectively, in a specified region and other specified region on a substrate, HMDS coating and heating are performed prior to coating of a photoresist layer when photolithographic etching, i.e., boring of an opening 28W, is performed in the process for removing the specified region of a first silicon insulation film 28.例文帳に追加

基板上の特定領域と、他の所定領域において、相互に厚さを異にするシリコン絶縁膜が形成されて成る半導体装置の製造方法であって、第１のシリコン絶縁膜２８の特定領域の除去工程におけるフォトリソグラフィによるエッチング、即ち開口２８Ｗの穿設において、フォトレジスト層の塗布に先立って、ＨＭＤＳ被着と加熱を行うものである。 - 特許庁

A communication device used in a mobile communication system is provided with a means for generating first control information including retransmission information to data channels received in the past, a means for generating second control information including scheduling information on a wireless resource, and a generating means for generating a transmission signal including a low-layer control channel including at least one of the first or second control information.例文帳に追加

移動通信システムで使用される通信装置は、過去に受信したデータチャネルに対する再送情報を含む第１制御情報を生成する手段と、無線リソースのスケジューリング情報を含む第２制御情報を生成する手段と、第１及び第２制御情報の少なくとも一方を含む低レイヤ制御チャネルを含む送信信号を生成する生成手段とを有する。 - 特許庁

The attracting device 3 has a positive electrode disposed on the lower face of the working arm 12, a negative electrode disposed adjacent to the positive electrode on the lower face of the working arm 12, an insulating layer to cover the positive electrode and the negative electrode on the lower face of the working arm 12, and a voltage source to generate a potential difference between the positive electrode and the negative electrode.例文帳に追加

吸着装置３を、加工用アーム１２の下面に設けられた正電極と、加工用アーム１２の下面に正電極と隣接して設けられた負電極と、加工用アーム１２の下面に正電極及び負電極を覆うようにして設けられる絶縁層と、正電極と負電極との間に電位差を生じさせる電圧源とを有する構成とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device provided with a heat conduction plate 2 and a semiconductor element 1 joined to this heat conduction plate via a solder layer 8, includes the steps of melting a solder intervening between the heat conduction plate 2 and the semiconductor element 1 and cooling a portion of the heat conduction plate 2 opposite to a center part of the semiconductor element 1 more gently than the other portion.例文帳に追加

伝熱板２と、この伝熱板にはんだ層８を介して接合される半導体素子１を備えた半導体装置の製造方法において、前記伝熱板２と前記半導体素子１との間に介在するはんだを溶融するステップと、前記伝熱板２のうち前記半導体素子１の中央部に対向する部分を他の部分に比し緩やかに冷却するステップと、を設ける。 - 特許庁

The fixing device 60 for fixing a toner image carried on a recording material is equipped with a fixing roll 61, an endless belt 62 which moves as in contact with the fixing roll 61 and which is composed of a single layer prepared by compounding 100 parts by weight of a fluorocarbon resin, such as polytetrafluoroethylene resin and 10 to 40 parts by weight of a reinforcing filler, such as acicular whiskers.例文帳に追加

記録材に担持されたトナー像を定着する定着装置６０であって、定着ロール６１と、定着ロール６１に接触しながら移動し、ポリテトラフルオロエチレン樹脂等のフッ素樹脂１００重量部と針状ウィスカー等の補強性フィラー１０重量部〜４０重量部とを配合してなる単一層から構成されるエンドレスベルト６２と、を有する定着装置６０。 - 特許庁

The field emission type image display device 1 is constructed of a filed emission electron source 2 arranged in a vacuum container and a phosphor screen 3 which is arranged in the vacuum container opposed to the field emission electron source 2 and has a plurality of recessed portions 11 on the face opposed to the field emission electron source 2 and in which a phosphor layer 12 is formed in the recessed portions 11.例文帳に追加

電界放出型画像表示装置1を、真空容器内に配置された電界放出型電子源2と、電界放出型電子源2と対向して前記真空容器内に配置され、かつ、電界放出型電子源2との対向面に複数の凹所11を有すると共に、凹所11内に蛍光体層12が形成された蛍光体スクリーン3とにより構成する。 - 特許庁

In a semiconductor device including a contact layer, a metal interconnection and an interlayer insulating film on a semiconductor substrate having a gate electrode formed thereon, the interlayer insulating film is formed on the metal interconnection by bias-applied plasma CVD using source gas containing hydrogen atoms, and a silicon oxynitride film is provided in the underlayer of the metal interconnection and the interlayer insulating film.例文帳に追加

ゲート電極を形成した半導体基板上に、コンタクト層と、金属配線と、層間絶縁膜とを備える半導体装置であって、層間絶縁膜は、水素原子を含む原料ガスを用いて、バイアス印加したプラズマＣＶＤにより金属配線上に形成し、金属配線および層間絶縁膜の下層にシリコン酸窒化膜を有することを特徴とする。 - 特許庁

This electron emission device comprises electron emission parts 4 such as carbon nanotubes substantially electrically connected to a cathode electrode 1, which are formed or inserted in pores 3 formed on a porous layer 2 on the cathode electrode 1, with the pitch of the electron emission parts being large, compared with the pitch of the pores so that the adjacent electron emission parts keep a distance.例文帳に追加

カソード電極１上の多孔質層２に形成された細孔３の中に、カソード電極に実質的に電気的に接続されたカーボンナノチューブ等の電子放射部４が形成または挿入されており、隣接する電子放射部との距離が離れるように、細孔のピッチに比較して電子放射部のピッチが大きくなるように電子放射デバイスを構成する。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor having an intermediate layer whose potential is excellently stabilized even when being repeatedly uses without causing any image defect such as black spot, and an image forming method, an image forming device and a process cartridge using the electrophotographic photoreceptor.例文帳に追加

本発明の目的は電位安定性の良好な、且つ黒ポチ等の画像欠陥を発生しない電子写真感光体を提供することであり、更に詳しくは黒ポチ等の画像欠陥を発生させず、繰り返し使用でも電位安定性の良好な、中間層を有する電子写真感光体、及び該電子写真感光体を用いた画像形成方法、画像形成装置、プロセスカートリッジを提供することにある。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium capable of maintaining writing ability during recording, making an improvement in the perpendicular orientation of a perpendicular magnetic recording layer compatible with the uniformity and micronization of the crystal grain diameter, and recording and reproducing high-density information, to provide a method of manufacturing the magnetic recording medium, and to provide a magnetic recording and reproducing device.例文帳に追加

記録時の書き込み能力を維持しつつ、垂直磁気記録録層の垂直配向性を向上させることができ、また、垂直配向性の向上と磁性結晶粒子の粒径の均一化及び微細化を両立させることができ、情報の高密度記録再生が可能な磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor device includes a silicon layer formed with first and second circuits including respective electrodes; an SOI chip 1 having an embedded insulating film, and a supporting substrate in which a concave portion 1d where the embedded insulating film is exposed is formed in a portion corresponding to a formation region of the first circuit; and a base silicon substrate 14 formed with a compensating oxide film 15 on the surface.例文帳に追加

半導体装置は、それぞれ電極を含む第１および第２の回路が形成されたシリコン層と、埋め込み絶縁膜と、当該埋め込み絶縁膜が露出する凹み部１ｄが前記第１の回路の形成領域に対応する部分に形成された支持基板とを有するＳＯＩチップ１と、表面に補償酸化膜１５が形成された台座シリコン基板１４とを備える。 - 特許庁

In the cleaning blade of the fixing roller of the fixing device comprising the fixing roller and the pressuring roller, the cleaning blade comprises the stuck layers of different materials of at least two or more layers, and the thermal expansion coefficient of a blade constitution material at the side of non-contact is larger than that of the layer at the side of contacting the fixing roller of the blade.例文帳に追加

定着ローラと加圧ローラから成る定着装置の定着ローラのクリーニングブレードにおいて、該クリーニングブレードは少なくとも２層以上の異なる材料の貼り合わせ層から成り、該ブレードの定着ローラと当接する側の層のブレード構成材料の熱膨張率よりも、非当接側のブレード構成材料の熱膨張率を大きくしたことを特徴とする。 - 特許庁

A heating heater provided to a heat fixing device has a plurality of electric heating resistance layers, at least one of which is larger in calorific value at ends than at the center part; when the print number or print rate of small-sized recording materials is larger than specified, a heating resistance layer having large end calorific value is preferentially supplied with electric power in a cleaning sequence.例文帳に追加

加熱定着装置に具備された加熱ヒータが複数の通電発熱抵抗層を有し、少なくとも1本の通電発熱抵抗層の端部発熱量が中央部より大きく、小サイズ記録材のプリント枚数またはプリント割合が所定以上の場合は、クリーニングシーケンス時の発熱抵抗層への通電を端部発熱量の大きい発熱抵抗層に優先的に通電する。 - 特許庁

This liquid crystal device has a liquid crystal layer sandwiched between a couple of substrates arranged opposite each other, and is made easy to mount on external equipment by providing an external connection terminal on at least one side of an end part of one substrate or either on at least one side of the mount surface of one substrate or outside the display area of one substrate.例文帳に追加

本発明の液晶装置は、互いに対向配置された一対の基板間に液晶層が挟持された液晶装置であって、一方の基板の端部の少なくとも一辺、もしくは一方の基板の実装面の少なくとも一辺または一方の基板の表示領域外の少なくとも一辺のいずれかにに外部接続端子を設けて、外部機器への実装を容易にした。 - 特許庁

In the manufacturing method of the semiconductor device in which the gate insulation film is formed on a silicon single crystal substrate for the gate insulation film, an oxide layer is formed by an organic metal chemical vapor deposition method using a gaseous mixture having an oxidizing gas and an organic metal gas composed of the cyclopentadienyl complex of elements composed of one or more kinds of Ln (Ln is rare earth element).例文帳に追加

本発明は、シリコン単結晶基板上に、ゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造法において、前記ゲート絶縁膜を、Ｌｎ（Ｌｎは希土類元素）の１種類以上からなる元素のシクロペンタジエニル錯体からなる有機金属ガスと酸化性ガスとを有する混合ガスを用いた有機金属化学気相成長法によって酸化物層を形成することを特徴とする。 - 特許庁

In the vertical alignment type liquid crystal display device having a pair of substrates having electrodes on their mutually confronted surfaces and a liquid crystal layer containing the vertical alignment type liquid crystal molecules held between the pair of the substrates, pretilt directions of the liquid crystal molecules are twisted between the pair of the substrates by deviating their alignment axes defined by alignment layers of the respective substrate surfaces from each other.例文帳に追加

対向する基板表面に電極を有する一対の基板と、この一対の基板間に挟持される垂直配向型液晶分子を含む液晶層とを有する垂直配向型液晶表示デバイスにおいて、各基板表面の配向層で規定する配向軸をずらすことにより、上記一対の基板間で、液晶分子のプレチルト方向をツイストさせる。 - 特許庁

The low-heat-contraction silicon-rich silicon-nitride film can be used for forming a spacer in a CMOS device, used as a part of a dielectric stack to prevent short circuit in a densely mounted SRAM array, or used in the BiCMO treatment to form a base nitride layer and/or a nitride spacer for insulating a base from an emitter.例文帳に追加

低熱収支シリコンリッチ窒化ケイ素膜は、ＣＭＯＳ装置にスペーサを形成するために使用することが可能であり、密に実装されたＳＲＡＭアレイにおける短絡を防止するために、誘電体スタックの一部として使用することが可能であり、ベースをエミッタから絶縁するベース窒化物層および／または窒化物スペーサを形成するために、ＢｉＣＭＯ処理において使用することが可能である。 - 特許庁

The non-volatile memory device includes at least one pair of first electrode lines, at least one second electrode line interposed between the at least one pair of first electrode lines, and at least one data storage layer interposed between at least one pair of first electrode lines and at least one second electrode line, which may locally store a resistance change.例文帳に追加

少なくとも一対の第１電極ラインと、少なくとも一対の第１電極ラインの間に介在された少なくとも１本の第２電極ラインと、少なくとも一対の第１電極ラインと少なくとも１本の第２電極ラインとの間に介在され、局部的に抵抗変化を保存しうる少なくとも１層のデータ保存層と、を備える不揮発性メモリ素子である。 - 特許庁

In the device, the retardant layer (c) comprises at least one kind of tacky agents selected from a rubber-acrylc tacky and silicone-tacky agents as a base.例文帳に追加

（ａ）薬物不透過性の支持体、（ｂ）支持体に接して設けられ、拡散によって薬物を放出する放出面を有する薬物保存層、（ｃ）薬物保存層から皮膚への薬物の放出を一定時間遅らせるための実質的に薬物を含まない遅延層、（ｄ）薬物保存層と遅延層との中間に設けられた、両層を投与部位への貼付時までの間隔離し、貼付時に患者自身で除去可能な分離膜。 - 特許庁

The semiconductor device has a semiconductor chip 1 with an electrode pad 10, a semiconductor chip 2 with an electrode pad 20, an adhesive layer 3 provided between the semiconductor chip 1 and semiconductor chip 2 and fixing the semiconductor chip 1 and semiconductor chip 2 so that the electrode pad 10 and electrode pad 20 face each other, and a plating portion 4 electrically connecting the electrode 10 and electrode 20 to each other.例文帳に追加

電極パッド１０を有する半導体チップ１と、電極パッド２０を有する半導体チップ２と、半導体チップ１と半導体チップ２との間に設けられ、電極パッド１０と電極パッド２０が対向するように半導体チップ１と半導体チップ２を固定する接着剤層３と、電極パッド１０と電極パッド２０とを電気的に接続するめっき部４と、を備える。 - 特許庁

To provide a method for forming an antiglare antireflection layer which has excellent film property (film uniformity and adhesive strength) and also has superior dazzle prevention effect, sharpness, visibility, and tightness of black in display of a moving picture, the antiglare antireflection film and its manufacturing method, a display device using the antiglare antireflection film, and an antiglare antireflection processing apparatus.例文帳に追加

本発明の目的は、膜物性（膜均一性、接着性）が良好で、ぎらつき防止効果、鮮鋭性、視認性及び動画を表示したときの黒のしまりに優れた防眩性反射防止層の形成方法、防眩性反射防止フィルムとその製造方法、防眩性反射防止フィルムを用いた表示装置及び防眩性反射防止加工装置を提供することにある。 - 特許庁

The liquid crystal display device is obtained by disposing the optical film in the upper and/or lower side of a liquid crystal cell which is produce by disposing a nematic liquid crystal layer having positive dielectric anisotropy and 60 to 120° or 180 to 270° twist angle between two glass substrates having electrodes at least one of the glass substrates being transparent.例文帳に追加

また、電極を有する２枚のガラス基板の少なくとも一方が透明であり、この２枚のガラス基板の間に正の誘電率異方性を有し、ツイスト角が６０度〜１２０度、又は１８０度〜２７０度であるネマチック液晶層を配置した液晶セルにおいて、液晶セルの上側及び／又は下側に上記の光学フィルムを配置してなる液晶表示装置も提供される。 - 特許庁

The radiation imaging device comprises a plurality of photoelectric conversion elements, and a scintillator for converting incident radiation into light having a wavelength detectable through the photoelectric conversion element in which light from the scintillator 9 is shielded by extending a conductive layer 6 being connected with a part of the plurality of photoelectric conversion elements to cover the part of photoelectric conversion elements.例文帳に追加

複数の光電変換素子と、入射する放射線を光電変換素子により検知可能な波長の光に変換するシンチレータと、を備え、複数の光電変換素子の一部の光電変換素子について、一部の光電変換素子とそれぞれ接続される導電層６を延長して一部の光電変換素子を覆い、シンチレータ９からの光を遮光してなる。 - 特許庁

A liquid crystal display device has a driving substrate where a plurality of pixels each having a pixel region and a peripheral region enclosing the pixel region are formed in a matrix form, and a monochrome filter substrate which is disposed opposite to the driving substrate with a liquid crystal layer interposed and has light transmission regions and light shield regions formed according to pixel regions and peripheral regions.例文帳に追加

液晶表示装置は、それぞれが画素領域及び画素領域を囲む周辺領域を有する複数の画素がマトリクス状に形成された駆動基板と、液晶層を挟んで駆動基板と対向して配置され、画素領域及び周辺領域にそれぞれ対応して形成される透光領域及び遮光領域を有するモノクロフィルタ基板とを備える。 - 特許庁

The organic EL display device comprises a plurality of segments 10 or the like including a substrate 11, an anode 12 laminated thereon, an organic light emitting layer 13 laminated thereon, and a cathode 14 laminated thereon; and a setting means 45 for setting initial brightness of segments driven relatively more frequently brighter than that of segments driven relatively less frequently.例文帳に追加

有機ＥＬ表示デバイスは、基板１１と、その上に積層された陽極１２と、その上に積層された有機発光層１３と、その上に積層された陰極１４とから成る複数のセグメント１０等と：相対的に駆動頻度が高いセグメントの初期輝度を、相対的に駆動頻度が低いセグメントの初期輝度よりも明るく設定する設定手段４５と；から成る - 特許庁

In the fixing device having the heat fixing member and a pressurization fixing member pressure welded to the heat fixing member, the heat fixing member is at least equipped with: the fluoroelastomer surface layer 3 to which carbon black to which surface oxidation processing is performed is distributed; and an oil supply means for applying dimethylsilicon oil having unsaturated bonding to the surface of the heating fixing member.例文帳に追加

加熱定着部材と、該加熱定着部材に圧接される加圧定着部材とを有する定着装置において、加熱定着部材は、表面酸化処理されたカーボンブラックが分散されたフルオロエラストマー表層を少なくとも具備し、該加熱定着部材の表面に不飽和結合を有するジメチルシリコーンオイルを塗布するオイル供給手段を備えることを特徴とする定着装置。 - 特許庁

The semiconductor device includes second conductive high density regions 21a, 21b which are embedded in a surface of a second conductive element forming region 12 formed on a first conductive semiconductor layer 11, surround a semiconductor element formed on the second conductive element forming region 12, and are formed by separating from the first conductive element separation region 23 for separating the semiconductor element.例文帳に追加

第１導電型半導体層１１上に形成された第２導電型素子形成領域１２の表面に埋め込まれるとともに、第２導電型素子形成領域１２に形成された半導体素子を囲み且つ半導体素子を分離する第１導電型素子分離領域２３から離間して形成された第２導電型高濃度領域２１ａ、２１ｂを有する。 - 特許庁

When a facsimile is manually sent, a call set message in which data representing 3.1 kHz audio are set at a transmission capability information element and data representing group 2/group 3 facsimile are set at a high-order layer conformity information element is sent out, so that a group 3 facsimile device connected to the addressed subscriber circuit is properly called out.例文帳に追加

手動ファクシミリ送信時には、「伝達能力」情報要素には「３．１ＫＨｚオーディオ」をあらわすデータをセットするとともに、「高位レイヤ整合性」情報要素には「グループ２／グループ３ファクシミリ」をあらわすデータをセットした呼設定メッセージを送出するので、指定宛先の加入者回線に接続されているグループ３ファクシミリ装置を適切に発呼できるという効果を得る。 - 特許庁

In the active matrix display device provided with the top gate film transistor 20 provided with a channel area 14a consisting of the polycrystal semiconductor, the gate insulating film 15 of the transistor 20 is provided with a plurality of protrusion parts 18 at least on a part of a contacting face with a conductive layer 16 formed on it.例文帳に追加

本発明のアクティブマトリクス型表示装置は、多結晶半導体からなるチャネル領域１４ａを備えたトップゲート型薄膜トランジスタ２０を具備したアクティブマトリクス型表示装置であって、前記薄膜トランジスタ２０のゲート絶縁膜１５には、その上に形成された導電層１６との接触面の少なくとも一部に複数の突起部１８が設けられていることを特徴とする。 - 特許庁

The peeling film having a conductive film 17 is stuck on a display material side of the front plate 1 across an adhesive layer and the front plate 4, is mounted on an inspection plate 4; and a probe 2 and a probe 3 are brought into electric contact with the transparent electrode 13 and conductive film 17, and a driving voltage generating device 6 applies a driving voltage between electrodes to perform defect inspection.例文帳に追加

前面板１の表示材料側に接着層を介して導電性フィルム１７を具備する剥離フィルムを張り合わせて検査プレート４の上に載置し、プローブ２とプローブ３をそれぞれ透明電極部１３と導電性フィルム１７に電気的にコンタクトさせ、駆動電圧発生装置６より、駆動電圧を電極間に印加することにより欠陥検査を行う。 - 特許庁

The exhaust emission control device 30 is provided including a housing 31 defining a flow out direction of exhaust gas and a plurality of porous thin plates 32 which is nonwoven porous heat resistant alloy containing aluminum and is provided with oxidized layer and contains A1_20_3 on a surface, the thin plates being laminated in the flow out direction 33 inside of the housing 31, and carrying catalyst such as platinum or palladium.例文帳に追加

排ガスの流出方向を規定するハウジング３１と、そのハウジング３１の内部に、流出方向３３に積層された複数の多孔性の薄板３２とを有し、薄板３２は、不織多孔性のアルミニウム含有耐熱性合金で、表面にＡｌ_2Ｏ_3を含む酸化層を備え、白金やパラジウムなどの触媒を担持した排ガス浄化装置３０を提供する。 - 特許庁

A liquid is fed from a fine droplet jet opening to a dispersion block 4 formed of nets and fine fibers, and fine droplets held thereon or permeated and diffused on a fine fiber layer are scattered over by the air flow of a motorized fan converged in the air flows and jetted, or the air flows are heated and then jetted in a process of atomizing the liquid and a device therefor is provided.例文帳に追加

液体を微小液滴噴射口からネット及び微細繊維からなる分散ブロックに噴射し、前記微細繊維層に留掛又は浸透拡散された微小液滴をモーター駆動ファンの空気流で離散飛翔させ、空気流中で収束させ噴出又は前記空気流を加熱した後に噴出させる液体の霧化方法及びその装置を提供した。 - 特許庁

In the display device, in which display is carried out by the unpolarized image light and the touch panel 11 having the polarizing plate 14 is used, deterioration in luminance of the touch panel 11 due to the polarizing plate 14 can be prevented while reducing reflection of the outside light when a reflection type polarizing plate 35 and a diffusion layer 36 are arranged between the display 32 and the touch panel 11.例文帳に追加

非偏光の映像光によって表示を行なう表示装置において、偏光板１４を備えるタッチパネル１１を用いたときに、ディスプレイ３２とタッチパネル１１との間に反射型偏光板３５と拡散層３６とを設けることによって、外光の映り込みの低減を実現しながら、しかもタッチパネル１１の偏光板１４による輝度低下を低減する。 - 特許庁

The optical pickup device includes a photodetector 17 which is irradiated with return light reflected from a signal recording layer of the optical disk D and generates a focus error signal, wherein the direction of the tilt of the optical disk D and the degree of the tilt are detected by the position of a part with a large light intensity in a spot generated in the photodetector 17 by irradiation with the return light.例文帳に追加

光ディスクＤの信号記録層から反射された戻り光が照射されるとともにフォーカスエラー信号を生成する光検出器１７を備えた光ピックアップ装置であり、前記光検出器１７に戻り光が照射されて生成されるスポット内に生成される光強度大部の位置によって光ディスクＤの傾きの方向及び傾きの度合いを検出する。 - 特許庁

To realize a temperature measuring function by forming a semiconductor material layer on a glass face covering a time display face of a wrist watch, and by forming thereon a temperature sensor, a temperature detection circuit and a semiconductor memory in a membrane shape in micron order by a membrane formation process of a semiconductor device, almost without changing the thickness and the weight of the whole wrist watch from that of the conventional wrist watch.例文帳に追加

腕時計の時刻表示面を覆うガラス面に半導体材料層を形成し、その上に半導体デバイスの薄膜形成プロセスにより、ミクロンオーダーの薄膜状に、温度センサー、温度検出回路、および半導体メモリーを形成し、これにより腕時計全体の厚みや重量を従来の腕時計とほとんど変えることなく、温度測定機能を実現する。 - 特許庁

A mask for evaporation having an opening part effective for forming a light emitting pixel, and a dummy opening part formed at the perimeter of an arrayed effective opening area of the effective opening part, not used for forming a light emitting pixel, is used when manufacturing the organic electroluminescent device having a light emitting layer by a mask evaporation method.例文帳に追加

マスク蒸着法により発光層がパターニングされる有機電界発光装置の製造方法であって、発光層用の蒸着マスクに発光画素を構成するための有効開口部と該有効開口部の配列した有効開口領域周囲に発光画素の構成には使用されないダミー開口部とを具備することを特徴とする有機電界発光装置の製造方法。 - 特許庁

The semiconductor device includes a main-body transistor region 10 and an ESD protective element region 30, and has a drain region 11 including a semiconductor layer of a first conductivity type, a drift region 12 including a first conductivity semiconductor region formed on the drain region 11, and body regions 14 and 34 including a second conductivity semiconductor region formed at the drift region 12.例文帳に追加

本体トランジスタ領域１０と、ＥＳＤ保護素子領域３０とからなり、第１導電型の半導体層からなるドレイン領域１１と、ドレイン領域１１上に形成された第１導電型半導体領域から成るドリフト領域１２と、ドリフト領域１２に形成された第２導電型半導体領域から成るボディ領域１４，３４とを備える。 - 特許庁

To provide a method of monitoring the penetration of carbon dioxide into the underground capable of continuously measuring, over a long period, the behavior of carbon dioxide pressed into the underground and operable at the minimum cost by using a rather simple device when carbon dioxide is pressed and adsorbed into a carbon layer in the underground and hydrocarbon gas released by replacing the carbon dioxide is collected.例文帳に追加

地中の炭層に二酸化炭素を圧入して吸着させ、これに置換して放出された炭化水素系ガスを回収する際に、地中に圧入される二酸化炭素の挙動を長期的に連続して測定でき、しかも比較的簡単な装置を用いて、可及的に低コストで運用できる二酸化炭素ガスの地中浸透モニタリング方法とすることである。 - 特許庁

The semiconductor integrated device comprises a semiconductor substrate 10 having a semiconductor integrated circuit 22 formed on the surface, and a supporting substrate 14 bonded to the semiconductor substrate 10 through an epoxy resin layer 32 and acryl resin layers 50-1 and 50-2 wherein the acryl resin layers 50-1 and 50-2 have a total film thickness of 1-10 μm.例文帳に追加

表面上に半導体集積回路２２が形成された半導体基板１０と、半導体基板１０にエポキシ樹脂層３２及びアクリル樹脂層５０−１，５０−２を介して固着された支持基体１４とを含み、アクリル樹脂層５０−１，５０−２は１μｍ以上１０μｍ以下の合計膜厚を有することを特徴する半導体集積装置によって上記課題を解決できる。 - 特許庁

To provide a casting method using a metal die and a sand die preventing any defects in a surface layer by which casting defects are prevented by advancing excellent directional solidification based on the result of the flow solidification simulation in a parts of complicated shape and a cast product of high quality can be manufactured, and a casting device.例文帳に追加

表面層に欠陥を発生させないことを第一義に考えられた金型および砂型による鋳造方法であり、複雑形状部品においては流れ凝固シミュレーション結果に基づいて、良好な指向性凝固を進行させることにより鋳造欠陥の発生を防止し、高品位の鋳物の製造を実現できる鋳造方法および鋳造装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes the processes of: forming a wettability improving film on a surface of a semiconductor substrate; coating a surface of the wettability improving film with a dopant diffusing agent containing dopants of a first conductivity type and a second conductivity type; and forming a dopant diffusion layer by diffusing the dopants in the semiconductor substrate from the dopant diffusing agent.例文帳に追加

半導体基板の表面上にぬれ性改善膜を形成する工程と、ぬれ性改善膜の表面上に第１導電型または第２導電型のドーパントを含有するドーパント拡散剤を塗布する工程と、ドーパント拡散剤から半導体基板にドーパントを拡散させることによってドーパント拡散層を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

In the vertical alignment type liquid crystal display device having a pair of substrates having electrodes on their opposing surfaces and a liquid crystal layer containing the vertical alignment type liquid crystal molecules held between the pair of the substrates, pretilt directions of the liquid crystal molecules are twisted between the pair of substrates by deviating their alignment axes defined by alignment layers of the respective substrate surfaces from each other.例文帳に追加

対向する基板表面に電極を有する一対の基板と、この一対の基板間に挟持される垂直配向型液晶分子を含む液晶層とを有する垂直配向型液晶表示デバイスにおいて、各基板表面の配向層で規定する配向軸をずらすことにより、上記一対の基板間で、液晶分子のプレチルト方向をツイストさせる。 - 特許庁

This presents a manufacturing method for a semiconductor device that has an MOS transistor 10 and a thin film resistance element 30 on one and the same silicon substrate 1, which includes the steps of forming a thin film resistance element 30 on an interlayer insulating film 40 after a top layer electrode 27 has been formed and performing laser annealing treatment on this thin film resistance element 30 to modify its behavior.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ１０と薄膜抵抗素子３０とを同一のシリコン基板１上に有する半導体装置の製造方法であって、最上層電極２７を形成した後で、層間絶縁膜４０上に薄膜抵抗素子３０を形成する工程と、この薄膜抵抗素子３０にレーザーアニール処理を施してその特性を改質する工程と、を含む。 - 特許庁

To provide a a silicon carbide substrate; an optoelectronic diode having a nitride active layer of group III; a buffer structure selected from a group consisting of gallium nitride and indium gallium nitride between the silicon carbide substrate and the optoelectronic diode, and an optoelectronic device in which stress induced destruction generated in the buffer structure is not generated in other part of the buffer structure but is generated in a specified region.例文帳に追加

炭化ケイ素基質；第ＩＩＩ族窒化物活性層を有するオプトエレクトロニックダイオード；炭化ケイ素基質とオプトエレクトロニックダイオードとの間の窒化ガリウムおよび窒化インジウムガリウムからなる群から選ばれる緩衝構造；および緩衝構造内で生じる応力誘発破壊が緩衝構造内の他の部分ではなくて所定の領域に生じるようなオプトエレクトロニックデバイスを提供する。 - 特許庁

In this exhaust emission control device, an exhaust emission control catalyst carrying platinum on a carrying layer containing at least cerium is arranged in an exhaust gas flow passage, an open close valves are installed on an upstream and a downstream of the catalyst in exhaust gas flow respectively, and the open close valve are closed after making atmosphere of the catalyst reducing atmosphere and making platinum metal state before engine stop.例文帳に追加

少なくともセリウムを含む担持層上に白金を担持してなる排ガス浄化用触媒を排ガス流路に配置し、排ガス流路中の前記触媒の上流及び下流側にそれぞれ開閉バルブを設置し、エンジン停止前に前記触媒を還元性雰囲気にして白金を金属状態にした後、開閉バルブを閉じることを特徴とする、排ガス浄化装置。 - 特許庁