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device layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 21674件
There is provided the electroluminescent device comprising a cathode, an anode and a light-emitting layer (LEL) located therebetween and comprising a phosphorescent guest material, a hole- and electron-transporting host material, and an efficiency-enhancing material having an ionization potential lower than that of the host material and a triplet energy level that is lower than that of the phosphorescent guest material by no more than 0.2 eV.例文帳に追加
カソードと、アノードと、それらの間に配置された発光層(LEL)とを含み、該発光層が、リン光性ゲスト物質と、正孔および電子を輸送するホスト物質と、ホスト物質のイオン化ポテンシャルよりも低いイオン化ポテンシャル、および、リン光性ゲスト物質の三重項エネルギーレベルよりも最大でも0.2eV低い三重項エネルギーレベルを有する効率向上物質とを含むエレクトロルミネセンスデバイスが開示される。 - 特許庁
The display device includes first and second translucent substrates 301, 302 placed facing each other so as to hold a liquid crystal layer 303 therebetween, and further includes at least one touch sensor 208 placed on any of edges of the first and second translucent substrates 301, 302, for detecting the action of external force accompanying contact of an object on the first and second translucent substrates 301, 302.例文帳に追加
ディスプレイ装置は、液晶層303を挟むよう対向して配置される第1及び第2の透光基板301、302を有し、更に、第1及び第2の透光基板301、302の周縁部のいずれかに配置され、物体の接触に伴う外力が第1及び第2の透光基板301、302に働いていることを検知する少なくとも1つのタッチセンサ208を有する。 - 特許庁
To provide a dicing tape-integrated film for a semiconductor back surface, the film which keeps a good detachability when a semiconductor element is picked up, prevents generation of chip scattering and chipping of the semiconductor element when dicing a semiconductor wafer, and prevents cutting water used in dicing from intruding between an adhesive layer and a flip-chip film used for a semiconductor back surface when dicing the semiconductor wafer, and to provide method for producing a semiconductor device.例文帳に追加
半導体素子のピックアップの際の良好な剥離性を維持しつつ、半導体ウェハのダイシングの際の半導体素子のチップ飛びやチッピングの発生、ダイシングの際に用いる切削水が粘着剤層とフリップチップ型半導体裏面用フィルムとの間に進入するのを防止することが可能なダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
The semiconductor device includes: an interlayer insulating film III1 so formed as to cover a switching element TR formed over a main surface of a semiconductor substrate SUB; flat plate-like lead wiring LEL; coupling wiring ICL coupling the lead wiring LEL and the switching element TR with each other; and a magnetoresistive element TMR including a magnetization free layer MFL the orientation of magnetization of which is variable and which is formed over the lead wiring LEL.例文帳に追加
半導体基板SUBの主表面上に形成されたスイッチング素子TRを覆うように形成された層間絶縁膜III1と、平板状の引出配線LELと、引出配線LELとスイッチング素子TRとを接続する接続配線ICLと、磁化の向きが可変とされた磁化自由層MFLを含み、引出配線LEL上に形成された磁気抵抗素子TMRとを備える。 - 特許庁
The method of manufacturing the ZnO-based semiconductor device includes the processes of: preparing a substrate; supplying Zn, O and N on the upper side of the substrate; supplying an element which is added to ZnO when necessary to change a band gap; and forming a ZnO-based semiconductor layer doped with N to exhibit n-type conductivity with increased n-type carrier concentration as compared with the case that doping with N is not performed.例文帳に追加
ZnO系半導体装置の製造方法は、基板を準備する工程と、基板上方に、Zn、O、及びNを供給するとともに、必要に応じて、ZnOに添加することによりバンドギャップを変化させる元素を供給し、Nをドープすることにより、Nをドープしない場合に比べてn型キャリア濃度が増したn型伝導性を示すZnO系半導体層を形成する工程とを有する。 - 特許庁
To provide: a metal substrate with an insulating layer which has high insulation, and superior heat resistance, bending resistance, and long-term reliability and a manufacturing method thereof; a semiconductor device using the substrate and a manufacturing method thereof; a solar cell using the substrate and a manufacturing method thereof; an electric circuit using the substrate and a manufacturing method thereof; and a light-emitting element using the substrate and a manufacturing method thereof.例文帳に追加
高い絶縁性を有し、かつ耐熱性、耐曲げ性、長期信頼性に優れたフレキシブルな絶縁層付金属基板およびその製造方法、この基板を用いた半導体装置およびその製造方法、この基板を用いた太陽電池およびその製造方法、この基板を用いた電子回路及びその製造方法、ならびにこの基板を用いた発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
The liquid crystal display device includes a light source, a first polarizer, a first transparent film, a liquid crystal cell having a pair of transparent substrates and a polymeric stabilized blue phase liquid crystal disposed therebetween, a second transparent film, and a second polarizer, disposed in this order, and is characterized in that one of the pair of transparent substrates is an array substrate and that no color filter layer is disposed on the other transparent substrate.例文帳に追加
光源、第1の偏光子、第1の透明フィルム、一対の透明基板とその間に配置される高分子安定化ブルー相液晶とを有する液晶セル、第2の透明フィルム、及び第2の偏光子がこの順に配置され、一対の透明基板のいずれか一方が、アレイ基板であり、且つ他方の透明基板にカラーフィルタ層が配置されていないことを特徴とする液晶表示装置である。 - 特許庁
The sheet-like circuit device has a filmy base 11, a circuit pattern including circuit elements 12, 13 formed on the base 11, first outside connecting electrode terminals 14, 15 and second electrode terminals 16 connected to the circuit pattern, and an adhesive layer 17 adhesive at room temperature formed on at least either the circuit pattern forming surface or the filmy base 11 surface.例文帳に追加
フィルム状基材11と、フィルム状基材11に形成された回路素子12、13を含む回路パターンと、回路パターンに接続された外部接続用の一方の電極端子14、15、他方の電極端子16と、回路パターン形成面およびフィルム状基材11表面の少なくとも一方の面上に形成された常温で粘着性を有する粘着層17とを有する構成からなる。 - 特許庁
This device for judging abnormality judges whether gas molecules adhering on a coating layer and a detection side electrode of the oxygen concentration sensor are oxygen molecules or un-burned component molecules (step 915) when abnormality judgment execution conditions are satisfied (step 910), and applies predetermined voltage corresponding to the judgment result between a base side electrode and a detection side electrode (step 920, 925) to remove the adhering gas molecules.例文帳に追加
この異常判定装置は、異常判定実施条件が成立すると(ステップ910)、酸素濃度センサの検出側電極及びコーティング層に付着しているガス分子が酸素分子であるか未燃成分分子であるかを判別し(ステップ915)、その判別結果に応じた所定の電圧を基準側電極と検出側電極との間に印加し(ステップ920、925)、同付着しているガス分子を除去する。 - 特許庁
To provide a control method of an electric heating device with extremely high safety having a heating element formed by winding a secondary heating conductor around a first heating conductor through an insulation layer, capable of quickly detecting a short-circuit between the first heating conductor and the second heating conductor, and stopping current supply upon the detected short-circuit.例文帳に追加
第1発熱導体の周囲に絶縁層を介して第2発熱導体を巻いた発熱体を有する電気採暖具において、第1発熱導体と第2発熱導体の短絡の発生を迅速に検出でき、この短絡の発生の検出によりこれらの発熱体に供給する電流を停止できる、極めて安全性の高い電気採暖具の電流制御方法及び電気採暖具を提供する。 - 特許庁
The reflector 10 is characterized by having a double sided adhesive sheet 18 comprising a transparent film substrate 15 provided with first and second adhesive layers 16, 17 on both surfaces and joined to a reflection substrate 13 with a plurality of recessing parts formed on the surface via the first adhesive layer 16, the method for manufacturing the same and the liquid crystal display device provided with the reflector 10.例文帳に追加
本発明は、表面に複数の凹部が形成された反射基板13上に、透明のフィルム基板15の両面に第1粘着層16と第2粘着層17とを備える両面粘着シート18が、前記第1粘着層16を介して接合されたことを特徴とする反射体10及びその製造方法、並びに係る反射体10を備えた液晶表示装置を提供する。 - 特許庁
The semiconductor device 100 comprises a surface-mounted diode 100d which has an n conduction type impurity diffusion region 12 and a p conduction type impurity diffusion region 13 arranged adjacently to each other in the surface layer of a semiconductor substrate 11, and which is structured by forming a pn junction S at the interface between the n conduction type impurity diffusion region 12 and p conduction type impurity diffusion region 13.例文帳に追加
半導体基板11の表層部において、隣接して配置されるn導電型不純物拡散領域12とp導電型不純物拡散領域13とを有し、n導電型不純物拡散領域12とp導電型不純物拡散領域13の界面でPN接合部Sが形成されてなる表面型ダイオード100dを備える半導体装置100とする。 - 特許庁
In the developing device 10 having the rotating sleeve 13 and the blade 11 regulating the thickness of a powder developer layer formed on the sleeve 13 and using powder developer, the blade 11 has an end face 17a opposed to the outer peripheral surface of the sleeve 13 and an abutting member 12 abutting on the outer peripheral surface of the sleeve 17a is provided at both ends of the end face 17a.例文帳に追加
回転スリーブ13と、この回転スリーブ13上に形成される粉末現像剤層の厚みを規制するブレード11とを有する、粉末現像剤を用いた現像装置10において、前記ブレード11は、前記回転スリーブ13外周面に対向する端面17aを有し、この端面17a両端部に、前記回転スリーブ17a外周面に当接する当接部材12が設けられている。 - 特許庁
In this liquid crystal display device, a liquid crystal layer is held between a pair of substrates; one of the substrates is provided with pixel electrodes arranged into a matrix form, and common electrodes arranged corresponding to each row of the pixel electrodes and forming storage capacities facing each pixel electrode in each row; and each common electrode is connected electrically with a 1st common electrode signal supply line.例文帳に追加
本発明の液晶表示装置は、一対の基板間に液晶層が挟持されてなり、該一対の基板の一方が、行列状に配列された画素電極と、該画素電極の各行にそれぞれ対応して設けられ該各行の該画素電極のそれぞれと対向して蓄積容量を形成する共通電極と、を有し、該共通電極が第1共通電極信号供給線と電気的に接続されてなる。 - 特許庁
In the optical disk wherein two signal layers of first and second signal layers 1B and 1D are provided from an incident light surface side in which the laser beam emitted from the optical pickup incorporated in an optical disk recording and reproducing device is made incident, the visible image can be formed on the second signal layer 1D by the laser beam emitted from the incident light surface side.例文帳に追加
光ディスク記録再生装置に組み込まれている光学式ピックアップから照射されるレーザー光が入射される入射光面側から第1信号層1B及び第2信号層1Dの2つの信号層が設けられている光ディスクであり、入射光面側より照射されるレーザー光によって第2信号層1Dに可視画像を形成することが出来るように構成されている。 - 特許庁
In the base-isolating device 6, a base 3 with a surface layer on which at least three or more convex protrusions 2 flush with one another are arranged, and a sliding plate 4 with a flat and smooth surface are combined together in the state of low friction by point contact between them.例文帳に追加
平坦な上面を有する下基礎コンクリート7の上の一部若しくは全部に、同一高さの凸曲面突起2が少なくとも3個以上で配置された表層を有する基台3と、平滑な表層を有する滑走板4との点接触による低摩擦の組合せでなる免震装置6を設置し、前記免震装置の上に建築物の上基礎コンクリート8を形成して基礎部Aとした免震建物1とする。 - 特許庁
A semiconductor device is the PMOS transistor formed on an active region 104 of a semiconductor substrate 101 isolated by an element isolation region 102, and the PMOS transistor has a gate insulating film 105b formed on the active region 104, a gate electrode 106b formed on the gate insulating film, a sidewall 108b, and a source/drain diffused layer region 107b.例文帳に追加
半導体装置は、半導体基板101における素子分離領域102によって分離された活性領域104上に形成されたPMOSトランジスタであって、このPMOSトランジスタは、活性領域104上に形成されたゲート絶縁膜105bと、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極106bと、サイドウォール108bと、ソース・ドレイン拡散層領域107bとを備える。 - 特許庁
The multidomain liquid crystal display device consists of a first substrate 31 and a second substrate 33 on which pixel regions are formed, a liquid crystal layer formed between the substrates 31 and 33, a first dielectric structure 53 formed on one of the pixel region, a second dielectric structure 53 formed on the other pixel region, and a third dielectric structure 53 formed between these dielectric structures 53.例文帳に追加
画素領域が形成された第1基板31及び第2基板33と、これら基板31,33の間に形成された液晶層と、画素領域の一方に形成された第1誘電体構造物53と、画素領域の他方に形成された第2誘電体構造物53と、これらの誘電体構造物53の間に形成された第3誘電体構造物53とからなるマルチドメイン液晶表示素子を提供する。 - 特許庁
To provide an electrophotographic apparatus which retains good properties, is excellent in durability even in repetitive use, keeps stable potential, and is free of occurrence of image defects such as a drum ghost even in the case of an electrophotographic apparatus not equipped with a charge eliminating device, by arbitrarily controlling physical properties in a photosensitive layer in an electrophotographic photoreceptor containing a polyarylate resin.例文帳に追加
ポリアリレート樹脂を含有する電子写真感光体において、感光層中の物性値を任意的に制御することにより、電子写真感光体として良好な特性を維持し、繰り返し使用においても耐久性に優れ、安定した電位特性を保ち、更に除電手段を具備しない電子写真装置においてドラムゴーストといった画像欠陥がない電子写真装置を提供することにある。 - 特許庁
To improve an image height characteristic, to improve lightening of a lens and securing of operation distance, while to secure stable operation of an optical pickup device without eliminating the lens design flexibility, even when an objective lens performing recording or reproducing of information for an optical recording medium is used as a high NA lens of a single lens that converges short wavelength light on an optical recording layer.例文帳に追加
光記録媒体に対して情報の記録/再生を行う対物レンズが、短波長光を光記録層上に収束しうる単玉の高NAレンズとして使用される場合にも、像高特性を良好なものとすることができ、レンズの軽量化および作動距離の確保を良好に図ることができるとともに、レンズ設計の自由度を損なうことなく、光ピックアップ装置の安定した動作を確保する。 - 特許庁
In the semiconductor device having an insulation film structure where an organic insulation film is laid on an inorganic insulation film, the insulation film structure has a moisture absorbing first insulation film 12, a second insulation film 13 formed on the first insulation film 12 in order to reduce permeation of moisture to the upper layer, and an organic insulation film 14 formed on the second insulation film 13.例文帳に追加
無機絶縁膜上に有機絶縁膜を積層した絶縁膜構造を有する半導体装置において、絶縁膜構造は、吸湿性を有する第1の絶縁膜12と、前記第1の絶縁膜12上に形成された上層への水の透過を減少させる第2の絶縁膜13と、前記第2の絶縁膜13上に形成された有機絶縁膜14とを有する半導体装置である。 - 特許庁
The semiconductor device has a semiconductor layer formed on a semiconductor substrate 11 with an insulating film 12 interposed therebetween and having a ridge structure portion made partially thick, an optical waveguide composed of a lengthwise partial region of the ridge structure portion and having a light path along the length, and a transistor portion constituted using the other lengthwise partial region of the ridge structure portion on the path of the optical waveguide.例文帳に追加
半導体基板11上に絶縁膜12を介して形成され、部分的に肉厚とされたリッジ構造部分を有する半導体層と、リッジ構造部分の長手方向の一部の領域によって構成され、その長手方向が光の経路とされた光導波路と、光導波路の経路上においてリッジ構造部分の長手方向の他の一部の領域を用いて構成されたトランジスタ部とを備える。 - 特許庁
To provide a junction element with high joining property of an ion exchange membrane to use as the junction of the separator and the electrode layer preventing output drop of a fuel cell even after a long use using an ion exchange membrane mainly comprising a crosslinked ion exchange resin with high dimensional stability, high heat resistance, and high methanol permeability suitable for the junction in an electrochemical device such as a direct methanol fuel cell.例文帳に追加
直接メタノール型燃料電池等の電気化学的デバイスにおける隔膜−電極接合体として好適な、寸法安定性、耐熱性、メタノール非透過性に優れた架橋型のイオン交換樹脂を主とするイオン交換膜を用いた隔膜−電極接合体において、隔膜であるイオン交換膜と、電極層との接合性がよく、長期間の使用によっても燃料電池出力の低下しない接合体。 - 特許庁
On at least one side of a polyimide film, a film-shaped joining member 5-15 μm in total thickness with an adhesive layer containing a thermoplastic polyimide formed, when metal foil and an adhesive joining member are laminated by a hot roll lamination device having at least one pair of metal rolls, the tension of a film-shaped lamination member is 0.1-1 N/cm.例文帳に追加
ポリイミドフィルムの片面または両面に熱可塑性ポリイミドを含有する接着層を形成した総厚5〜15μmのフィルム状接合部材を一対以上の金属ロールを有する熱ロールラミネート装置により、金属箔と接着性接合部材とを貼り合わせる際、フィルム状積層部材の張力を0.1〜1N/cmとすることにより、寸法安定性に優れたフレキシブル金属張積層板を製造できる。 - 特許庁
To provide a light emitting diode element for improving light take-out efficiency and having high light emitting efficiency by forming a cover layer wherein the change of an antireflection effect by the heat generation of a light emitting diode chip is small without the need of microfabrication to a substrate and the light emitting diode chip or an optical member for converging light, and to provide a light emitting diode device using it.例文帳に追加
基板や発光ダイオードチップへの微細加工や集光用光学部材を必要とせず、かつ、発光ダイオードチップの発熱による反射防止効果の変化が小さい被覆層を発光ダイオードチップ上に形成することによって光の取り出し効率を向上させ、高い発光効率を有する発光ダイオード素子およびそれを用いた発光ダイオード装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
The toner concentration detecting device is provided with a cylindrical member 2 which is rotated by a motor, a blade 4 abutted against the outer periphery surface of the cylindrical member 2 and a toner concentration sensor 3 for detecting the toner concentration from optical characteristics of a toner thin layer, formed by the blade 4 (reflectance transmissivity, etc.), and a cleaning mechanism 8 for automatically cleaning the adhering and residual toner on the cylindrical member 2.例文帳に追加
モータで回転する円筒状部材2と、この円筒状部材2の外周面上に当接するブレード4と、このブレード4で形成したトナー薄層の光学的特性(反射率や透過率など)からトナー濃度を検出するトナー濃度センサ3とを備えたトナー濃度検出装置であって、円筒状部材2上に付着・残留したトナーを自動でクリーニングするためのクリーニング機構8を備えた。 - 特許庁
In individual regions corresponding to pixels on a surface of an alignment layer constituting the substrate for aligning the liquid crystal used in a liquid crystal panel for display in the multidomain mode liquid crystal display device, a plurality of hydrophilic regions containing at least a first hydrophilic part which is relatively more hydrophilic and a second hydrophilic part which is relatively less hydrophilic and is connected to the first hydrophilic part are regularly formed.例文帳に追加
マルチドメイン方式の液晶表示装置の表示用液晶パネルに使用される液晶配向用基板を構成している配向膜の表面のうちで画素に対応する個々の領域内に、相対的に高親水性の第1親水部と該第1親水部に連なる相対的に低親水性の第2親水部とを少なくとも含んでいる親水性領域を複数、規則的に形成する。 - 特許庁
To obtain at a high speed of a glossy image of high quality which is free of image blacking and toner peeling due to the presence of an air bubble in toner by an image forming device which fixing an unfixed toner image while transferring it onto a recording medium by supplying sufficient heat to the toner image and recording medium and fusing the toner image so that it is buried in the recording medium having a thermoplastic resin layer.例文帳に追加
未定着トナー像を記録媒体上に転写すると同時に定着する方式の画像形成装置において、トナー像及び記録媒体に十分な熱供給を行い、トナー像を熱可塑性の樹脂層を有する記録媒体に埋め込むように融着させ、トナー内に気泡を取り込むことによる画像の黒ずみや、トナーの剥げ落ちのない光沢のある高品質な画像を高速で得ることである。 - 特許庁
The adhesive spacer for the liquid crystal display device is constructed by coating a surface of a seed particle with an adhesive layer derived from adhesive particulates and is characterized by having the adhesive particulates composed of polymer particles containing 0.1 to <50 wt.% component derived from the specified polymerizable monomer having the long-chain alkyl group.例文帳に追加
本発明にかかる液晶表示装置用接着性スペーサーは、シード粒子の表面を接着性微粒子に由来する接着層で被覆してなる液晶表示装置用の接着性スペーサーであって、前記接着性微粒子が、長鎖アルキル基を有する特定の重合性単量体由来の構成成分を0.1重量%以上かつ50重量%未満含む重合体粒子であることを特徴とする。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing semiconductor devices by which harmful effects due to residues of deteriorated layer formed in a metal film during a wet etching process on subsequent processes and on device characteristics can be reduced, and high-quality semiconductor devices can be stably manufactured when it has a process for wet etching the metal film and a process for dry etching the metal film afterward.例文帳に追加
金属膜をウエットエッチングする工程と、この後、この金属膜をドライエッチングする工程を有する場合において、ウエットエッチング工程において金属膜に形成された変質層の残渣に起因する以後の工程に与える悪影響及びデバイス特性に与える悪影響を軽減することができ、良質な半導体装置を安定的に製造することのできる半導体装置の製造方法等を提供する。 - 特許庁
To provide an optical film for a display device providing a high quality polarizing plate or laminated article having an excellent moisture permeability, dimensional stability and low haze, and hardly having irregularity in drying or creases when a polarizing protective film and a polarizer are bonded with an adhesive in a cellulose ester film with a multilayer structure having a layer containing a high concentrated non-phosphoric plasticizer, and a manufacturing method therefor.例文帳に追加
高濃度の非リン酸エステル系可塑剤を含有する層を有する多層構成のセルロースエステルフィルムにおいて、透湿性と寸法安定性に優れるとともにヘイズが低く、接着剤による偏光板保護フィルムと偏光子との貼合の際に、乾燥むらあるいは皺が入りにくく、高品質な偏光板あるいは積層品が得られる表示装置用の光学フィルムあるいはその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of forming a pattern of a semiconductor device in which a smaller photomask pattern stage can be achieved by performing an etching stage for photomask patterns using photosensitive film patterns as an etch-stop layer after forming the photosensitive film patterns between the photomask patterns by using a self-alignment system using negative photoresist and then performing a heat treatment stage for expanding the photoresist film patterns.例文帳に追加
本発明は、ネガ型フォトレジスト(Negative Type Photo Resist)を用いた自己整列方式を利用してフォトマスクパターンの間に感光膜パターンを形成し、感光膜パターンを拡大するための熱処理工程を行った後、感光膜パターンをエッチング防止膜として用いてフォトマスクパターンに対してエッチング工程を行うことにより、さらに微細なフォトマスクパターン工程が可能な半導体素子のパターン形成方法を提供するものである。 - 特許庁
To prevent disconnection and short-circuiting of electrode terminals by introducing a surface hydrophobic modifying layer into a sealing member by which not only migration phenomenon of silver electrodes is minimized without transmission and absorption of external moisture into the device but also, shrinkage and expansion change of the electrode terminals are minimized in spite of environmental variation of the outside since stability is retained even in the state of high temperature.例文帳に追加
本発明は、シーリング部材に表面疎水性改質処理層を導入することによって、外部の湿気が装置内部に透過吸収されずに、銀電極のマイグレーション現象が最少化されるだけでなく、高温の状態でも安定性を有するので外部の環境的変化にも電極端子の収縮及び膨張の変化を最少化して、電極端子の断線及び短絡を防止できる。 - 特許庁
The semiconductor module has a multilayered substrate 103, at least four terminal electrodes 102 provided on the surface of the multilayered substrate 103, an electrical function layer 109 selectively provided at an internal area of the multilayered substrate 103, placed on the lower position of all terminal electrodes 102 in the substrate thickness direction, and the semiconductor device 101 flip-chip bonded to the terminal electrodes 102.例文帳に追加
本発明の半導体モジュールは、多層基板103と、多層基板103の表面に少なくとも4つ設けられた端子電極102と、全ての前記端子電極102の基板厚み方向の下方に位置する前記多層基板103の内部領域に選択的に設けられた電気機能層109と、端子電極102にフリップチップ実装された半導体装置101とを有している。 - 特許庁
The electrophoresis display device in which pixels each having a first electrode 21, a second electrode 22 opposed to the first electrode 21, and an electrophoresis element 23 having electrophoresis particles sandwiched between the first electrode 21 and the second electrode 22 and electrostatically charged are arrayed in a plane is characterized in that an insulating layer 31 is formed in a region between adjacent first electrodes 21.例文帳に追加
第1の電極21と、第1の電極21と対向する第2の電極22と、第1の電極21と第2の電極22とで挟持され帯電した電気泳動粒子を有する電気泳動素子23とを備えた画素を平面的に配列してなる電気泳動表示装置において、隣り合う第1の電極21の間の領域に絶縁層31が形成されていることを特徴とする電気泳動表示装置とした。 - 特許庁
The MOS field-effect transistor includes a device isolating region disposed on a predetermined portion of the semiconductor substrate to define an active region, a source region and a drain region spaced apart from each other about a channel region within the active region, a gate electrode formed on the active region between the source region and the drain region, and a gate insulating layer formed between the active region and the gate electrode.例文帳に追加
半導体基板の所定領域に配置されて活性領域を限定する素子分離領域を含み、活性領域内でチャンネル領域を介在してソース領域及びドレイン領域が互いに離隔されて形成されており、ソース領域とドレイン領域間の活性領域上にゲート電極が形成されており、活性領域とゲート電極との間にゲート絶縁膜が形成されているトランジスタ。 - 特許庁
A display controller of the present invention includes: a determination unit for determining an attribute of first drawing data drawn in a first window on the basis of an input device type; and a display control unit for selectively displaying the first drawing data on the basis of an attribute of second drawing data drawn in a second window displayed on a lower layer of the first window and the attribute of the first drawing data.例文帳に追加
本発明は、入力デバイスの種類に基づいて、第1のウィンドウに描画される第1の描画データの属性を判断する判断部と、前記第1のウィンドウの下位レイヤに表示される第2のウィンドウに描画される第2の描画データの属性と前記第1の描画データの属性とに基づいて選択的に前記第1の描画データを表示させる表示制御部とを有することを特徴とする。 - 特許庁
The electrophotographic photoreceptor provided with a photosensitive layer having a copolymer containing an insulatable block and a charge transfer type block on a conductive substrate includes at least one kind of structures having rubber elasticity as a repetitive unit in at least either of the insulatable block and charge transfer type block described above as well as the process cartridge and image forming device having the same.例文帳に追加
導電性基体上に、絶縁性ブロックと電荷輸送性ブロックとを含む共重合体を含有する感光層を設けた電子写真感光体であって、前記絶縁性ブロック及び前記電荷輸送性ブロックの少なくとも一方に、ゴム弾性を有する構造の少なくとも1種を繰り返し単位として含むことを特徴とする電子写真感光体、並びに、それを備えたプロセスカートリッジ及び画像形成装置である。 - 特許庁
The semiconductor device includes a gate electrode 32 provided on a semiconductor layer 12, a source electrode 34 and a drain electrode 30 with the gate electrode 32 in-between, a field plate 42 provided on a region between the drain electrode 30 and an element separation region 36 located on extension of direction of finger as an elongated direction of the drain electrode 30.例文帳に追加
半導体層12上に設けられたゲート電極32と、ゲート電極32を挟んで設けられたソース電極34およびドレイン電極30と、ドレイン電極30の長手方向であるフィンガ方向の延長上に位置する素子分離領域36とドレイン電極30との間の領域上に設けられた第1フィールドプレート42と、を具備することを特徴とする半導体装置およびその製造方法である。 - 特許庁
A semiconductor memory device includes an insulating film of high dielectric constant has first and second impurity regions formed on a semiconductor substrate, an insulating film, formed in contact with the first and the second impurity regions on the semiconductor substrate from among at least one among Hf silicate, Zr silicate, Y silicate or lanthanum-based metal silicate, and a gate electrode layer formed on the insulating film.例文帳に追加
半導体基板にそれぞれ形成された第1及び第2不純物領域と、半導体基板上に第1及び第2不純物領域とそれぞれ接して形成され、Hfシリケート、Zrシリケート、Yシリケートまたはランタン系金属シリケートのうち少なくとも何れか一つの物質を含む絶縁膜と、絶縁膜上に形成されたゲート電極層と、を含む高誘電率の絶縁膜を含む半導体メモリ素子。 - 特許庁
The semiconductor memory device comprises a transistor formed on a semiconductor substrate; the capacitor which is formed above the transistor and comprises a bottom electrode, a dielectric film, and a top electrode; semi-insulation layer which is formed on the side face of the top electrode and is a reformed top electrode; insulation film so formed as to coat the capacitor; and interconnection connected to the top electrode.例文帳に追加
本発明の1態様による半導体記憶装置は、半導体基板上に形成されたトランジスタと、前記トランジスタの上方に形成され、下部電極、誘電体膜、及び上部電極を含むキャパシタと、前記上部電極の側面に形成され、この上部電極を改質した半絶縁層と、前記キャパシタを覆って形成された絶縁膜と、前記上部電極に接続する配線とを具備する。 - 特許庁
The developing device 3 includes: a developer storage part 41 for storing the developer containing toner and carrier; a magnetic roller 56 having magnets 60 to 64 disposed therein, and carrying the developer supplied from the developer storage part 41; and a developing roller 42 that is disposed facing the magnetic roller 56, and receiving the toner in the developer from the magnetic roller 56 to form a toner layer on the circumferential surface 47 thereof.例文帳に追加
現像装置3は、トナーおよびキャリアを含む現像剤を貯留する現像剤貯留部41と、内部に磁石60〜64を有しており、現像剤貯留部41から供給された現像剤を担持する磁気ローラ56と、磁気ローラ56に対向して配置されており、磁気ローラ56から現像剤のトナーを受け取って、周面47にトナー層が形成される現像ローラ42とを含む。 - 特許庁
To properly fix toner on a recording medium by uniformly heating, pressurizing the toner on the recording medium even without using a belt for fixation in which an elastic layer is provided in belt fixing device to pressurize the flexible belt for fixation provided on the outer peripherals of a heat roller on the recording medium to which the toner is supplied by heating the belt by the heat roller and to fix the toner on the recording medium.例文帳に追加
加熱ローラの外周に設けられた可撓性の定着用ベルトを、加熱ローラにより加熱させてトナーが供給された記録媒体上に押し付け、記録媒体にトナーを定着させるベルト定着装置において、弾性層を設けた定着用ベルトを使用しなくても、記録媒体上におけるトナーが均一に加熱,加圧されて、記録媒体にトナーが適切に定着されるようにする。 - 特許庁
In the scraper conveyor method and the device thereof for scraping/conveying many small blocks S supplied by a scraper 1, many small blocks S supplied are deposited to the same surface height as a scraping surface of the scraper 1 and many small blocks S supplied to the upper surface are scraped/conveyed by the scraper 1 making the small blocks layer deposited as a scraper scraping guide surface.例文帳に追加
供給される多数の小塊Sをスクレーパ1により掻き取り搬送するスクレーパコンベヤ方法とその装置において、供給される多数の小塊Sをスクレーパ1の掻き取り面と面一高さまで堆積し、堆積した小塊層をスクレーパ掻き取り案内面としてその上面に供給される多数の小塊Sをスクレーパ1により掻き取り搬送することを特徴とするスクレーパコンベヤ方法とその装置。 - 特許庁
In the liquid crystal display device equipped with: an electrode substrate having a pixel electrode and a common electrode provided in parallel with a substrate surface; and a liquid crystal layer formed by holding liquid crystal substance between a color filter substrate and the electrode substrate, a green pattern constituting the color filter substrate incorporates, as pigment, the chlorine 16 substitution product of copper phthalocyanine or substance obtained by substituting bromine for ≤50% of the chlorine.例文帳に追加
基板面と平行に設けられた画素電極および共通電極を有する電極基板と、カラーフィルタ基板との間に液晶物質を挟持して形成した液晶層とを備える液晶表示装置であって、カラーフィルタ基板を構成する緑色パターンは顔料として銅フタロシアニンの塩素16置換体乃至その塩素の50%以下を臭素に置換したものを含有するようにした。 - 特許庁
To easily form a resist pattern which widens gradually from a substantial gate electrode pattern forming a stripe toward an umbrella part pattern using a very simple means with respect to a resist pattern forming method, to reduce the parasitic capacity produced between an umbrella part and an operation layer in a T-shape gate electrode and to obtain a field-effect semiconductor device which attains high-frequency high-speed operation.例文帳に追加
レジスト・パターン形成方法に関し、極めて簡単な手段に依って、細条をなす実質的ゲート電極パターンから傘部パターンに向かって次第に拡幅するレジスト・パターンを容易に形成できるようにして、T型ゲート電極に於ける傘部と動作層との間に生成される寄生容量を低減し、高周波の高速動作が可能な電界効果型半導体装置の実現に寄与しようとする。 - 特許庁
The electrochemical light controlling device wherein a polymer electrolyte layer 4 containing the color variable material discolored or decolored by electrochemical reduction or oxidation and deposition or dissolution associated with the electrochemical reduction or oxidation, an electrolyte, and a polymer compound is interposed between a working electrode 5 and a counter electrode 1 is characterized in that a projecting and recessed part 16 is formed on the surface of the counter electrode 1.例文帳に追加
電気化学的な還元又は酸化及びこれに伴う析出又は溶解によって変色又は消色する色可変材料と、電解質と、高分子化合物とを含有する高分子電解質層4が、作用極5と対極1との間に挟持されている電気化学調光装置において、対極1の表面に凹凸16が形成されていることを特徴とする、電気化学調光装置。 - 特許庁
The semiconductor device comprises: a semiconductor chip that is applied to, for example, a WCSP (wafer level chip size package) and has a high-frequency circuit block; a plurality of electrode pads formed on the semiconductor chip; a post arranged between the high-frequency circuit block and the electrode pad in a horizontal surface for connecting to an external terminal; a rewiring layer connecting the electrode pad to the post.例文帳に追加
本発明に係る半導体装置は、例えば、WCSP(ウエハ・レベル・チップ・サイズ・パッケージ)に適用され、高周波回路ブロックを有する半導体チップと;前記半導体チップ上に形成された複数の電極パッドと;水平面内において、前記高周波回路ブロックと前記電極パッドとの間に配置され、外部端子と接続されたポストと;前記電極パッドと前記ポストとを接続する再配線層とを備えている。 - 特許庁
This laser semiconductor device where clad layers 110, 108, and 104 and an active layer 106 are provided on a semiconductor substrate 101 is equipped with a superlattice structure film where a plurality of semiconductor layers having compression strain and pull strain, namely, first and second semiconductor layers 1091 (p-type ZnTe) and 1092 (p-type AlAsP) are laminated.例文帳に追加
半導体基板101上にクラッド層110,108,104および活性層106を設けて構成されるレーザ半導体装置に、圧縮歪みと引っ張り歪みを有する複数の半導体層を積層して構成される超格子構造膜、即ち、第1の半導体層1091(p型ZnTe)と第2の半導体層1092(p型AlAsP)を積層して構成される超格子構造膜を備える。 - 特許庁
The semiconductor device 1 is provided with two capacitor electrodes 11 which are formed with an interval from each other and have conductive impurities of first conductivity types, and an electrode isolating film 14 which is positioned between the two capacitor electrodes 11 and constituted of the same layer as the two capacitor electrodes 11 and has conductive impurities of second conductivity types different from the first conductivity types.例文帳に追加
半導体装置1は、互いに距離を隔てて形成され、第1導電型の導電性不純物を含む2つのキャパシタ電極11と、2つのキャパシタ電極11の間に位置し、2つのキャパシタ電極11と同一レイヤによって構成されるとともに、第1導電型とは異なる導電型である第2導電型の導電性不純物を含む電極分離膜14とを備える。 - 特許庁
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