「device layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(432ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a polishing solution for polishing hard barrier layers and layer insulation films while the surface of cupper or a cupper alloy in a recess is protected during polishing to obtain a polished superior-flatness clean substrate surface, in the manufacturing of an electronic apparatus such as a semiconductor device, and to provide a high reliability chemical/mechanical polishing method superior in microprocessing, thinning, and dimension accuracy.例文帳に追加

半導体デバイスなど電子機器の製造において、硬いバリア層や層間絶縁膜を研磨する際に、凹部の銅或いは銅合金表面を研磨中に保護することにより、研磨後に平坦性に優れた清浄な基体表面が得られる研磨液、及び前記研磨液を用いて生産性が高く、微細化、薄膜化、寸法精度に優れ、信頼性の高い化学機械研磨を行う研磨方法を提供する。 - 特許庁

This developing device possesses a developing roller whose surface is constituted of a resistor, a blade which is abutted on the developing roller, by which the layer of developer can be formed in a specified thickness on the developing roller and which has conductivity, a developing bias power source to apply bias to the developing roller and the blade and the resistor provided between the blade and the developing bias power source and electrically connecting them.例文帳に追加

本発明の現像装置は、表面が抵抗体で構成される現像ローラと、前記現像ローラに当接されて前記現像ローラ上に現像剤の層を所定の層厚で形成することが可能で、導電性を有するブレードと、前記現像ローラと前記ブレードとにバイアスを印加する現像バイアス電源と、前記ブレードと前記現像バイアス電源とに間に設けられ、電気的に接続する抵抗とを有する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a liquid crystal display device by enclosing a liquid crystal and spacers to maintain thickness of the liquid crystal layer between two substrates, voltages of the same polarity are applied to both of a conductive nozzle and a substrate electrode when a dispersion liquid having spacers dispersed in a solvent is sprayed, together with a compressed gas from the conductive nozzle, on a substrate on which the substrate electrode is formed.例文帳に追加

２枚の基板間に、液晶及び液晶層の厚みを維持するスペーサを封入してなる液晶表示装置の製造方法であって、溶媒中にスペーサが分散された分散液を、導電性ノズルより圧縮気体と共に基板電極が形成された基板に散布するに際し、導電性ノズル及び基板電極の両方に同極性の電圧を印加する液晶表示装置の製造方法。 - 特許庁

This optical head device 11 includes a diffraction element (HOE) 24 furnished with a diffractive pattern capable of providing such a light spot that the fluctuation of focus error mainly containing a component in the radial direction among reflection laser beams reflected by the optical disk is hardly to occur, on a light receiving face of a photodetector 28 for receiving the reflection laser beams reflected by a recording layer of the optical disk to output a corresponding signal.例文帳に追加

この発明の光ヘッド装置１１は、光ディスクの記録層で反射された反射レーザ光を受光して対応する信号を出力する光検出器２８の受光面に、光ディスクで反射された反射レーザ光のうちのラジアル方向の成分を主として含むフォーカスエラーの変動が生じにくい光スポットを提供可能な回折パターンが与えられた回折素子（ＨＯＥ）２４を含む。 - 特許庁

The light emitting device includes: the organic EL element 8 including a pixel electrode 13 and a counter electrode, which are constructed on a substrate, and a light emitting function layer, which is held between them; a relay line 61 electrically connecting between the pixel electrode 13 and a driving transistor 9 driving the organic EL element; and a Hall element 500 detecting magnetic field generated by a current flowing to the relay line.例文帳に追加

発光装置は、基板上に構築される画素電極１３及び対向電極、並びに、これらに挟持される発光機能層を含む有機ＥＬ素子８と、前記画素電極１３及び有機ＥＬ素子を駆動する駆動トランジスタ９間を電気的に連絡する中継線６１と、この中継線に流れる電流によって発生する磁場を検知するホール素子５００と、を備える。 - 特許庁

A semiconductor element 300 with bumps, where at least one resistor bump 22 and at least one dielectric bump 23 other than regular bumps 21 are formed on an electrode of the semiconductor element 10, is mounted on a printed wiring board 40, and thus obtaining the semiconductor device 400 where the bumps 21, the resistor bump 22 and the dielectric bump 23 of the semiconductor element with bumps are electrically connected to a wiring layer 49.例文帳に追加

半導体素子１０の電極上に通常のバンプ２１の他に、少なくとも一つの抵抗体バンプ２２及び少なくとも一つの誘電体バンプ２３が形成されたバンプ付き半導体素子３００をプリント配線板４０に実装して、バンプ付き半導体素子のバンプ２１、抵抗体バンプ２２及び誘電体バンプ２３が配線層４９と電気的に接続された半導体装置４００を得る。 - 特許庁

To provide an evaluating method of a minute defect in a silicon wafer that can detect the minute defect that is smaller than the detection lower limit of a light scattering type surface inspection apparatus on a silicon wafer surface that is smoothed by mirror machining, and can further detect the minute defect that exists not only on the wafer surface but also inside a wafer surface layer that influences the performance of a device formed on the wafer surface.例文帳に追加

鏡面加工により平滑化されたシリコンウエハ表面において、光散乱式表面検査装置の検出下限界よりも小さいサイズの微小欠陥を検出することができ、しかも、ウエハ表面だけでなく、その上に形成されるデバイスの性能に影響を及ぼすウエハ表層内部に存在する微小欠陥をも検出することができるシリコンウエハの微小欠陥の評価方法を提供する。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device excellent in element characteristics and reliability with high yield by carrying out dry etching of a multilayer film having an SiGe film containing Si and Ge and an oxide film to form a gate electrode pattern and a gate oxide film pattern, and then sufficiently removing dry etched products or particles adhering to a semiconductor substrate without damaging the SiGe layer or the gate oxide film configuring the gate electrode.例文帳に追加

Ｓｉ及びＧｅを含有するＳｉＧｅ膜と酸化膜とを有する積層膜をドライエッチングしてゲート電極パターン及びゲート酸化膜パターンを形成した後、ゲート電極を構成するＳｉＧｅ層とゲート酸化膜とを損傷させることなく、半導体基板上に付着したドライエッチ生成物やパーティクルを十分に除去し、素子特性および信頼性に優れた半導体装置を歩留りよく製造する。 - 特許庁

In the photoelectric conversion device 1 which has a stacked structure of a lower electrode 20, a photoelectric conversion layer 30, and an upper electrode 50 on the anodic oxidation substrate 10 formed with an anodic oxidation film 12 on at least one face of a metal base 11 having Al as a main component, the anodic oxidation substrate 10 is formed by doping at least one kind of alkaline metal onto the anodic oxidation film 12.例文帳に追加

Ａｌを主成分とする金属基材１１の少なくとも一方の面側に陽極酸化膜１２が形成された陽極酸化基板１０上に、下部電極２０、光電変換層３０および上部電極５０の積層構造を有する光電変換素子１において、陽極酸化基板１０が、陽極酸化膜１２に少なくとも１種のアルカリ金属がドープされたものとする。 - 特許庁

The liquid crystal display device has: an array substrate 1 which has a substrate, a plurality of switching elements formed on the substrate, an interlayer insulating film 19 formed on those switching elements, and a plurality of pixel electrodes 27 formed on the interlayer insulating film; a counter substrate 2 arranged opposite the array substrate across a gap; and a liquid crystal layer 3 sandwiched between the array substrate and counter substrate.例文帳に追加

液晶表示装置は、基板と、この基板上に形成された複数のスイッチング素子と、これらスイッチング素子上に成膜された層間絶縁膜１９と、この層間絶縁膜上に形成された複数の画素電極２７とを有したアレイ基板１と、アレイ基板に隙間を置いて対向配置された対向基板２と、アレイ基板および対向基板間に狭持された液晶層３とを備えている。 - 特許庁

The light emitting device has a thin film transistor comprising a semiconductor layer having a source, drain and channel regions and a gate electrode, an insulating film disposed on the gate electrode, and a light emitting element on the insulating film, wherein the thin film transistor and a current supply line are electrically connected by a connection wire disposed on the insulating film and made of the same material as a first electrode.例文帳に追加

ソース、ドレインおよびチャネル領域を有する半導体層と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタと、ゲート電極上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜上の発光素子とを有する発光装置であって、絶縁膜上に設けられた、第１の電極と同一材料でなる接続配線によって、薄膜トランジスタと電流供給線との電気的な接続をとることを特徴とする。 - 特許庁

This is an organic EL display device in which an organic EL element having a micro resonator structure is arranged two-dimensionally, and comprises a condensing structure for condensing the light emitted from the above micro resonator structure on the light extraction face side of the micro resonator structure along the light extraction direction in order, and a shading layer having an opening, and the above condensed light is transmitted selectively through the opening.例文帳に追加

微小共振器構造を有する有機ＥＬ素子が二次元的に配列された有機ＥＬディスプレイ装置であって、該微小共振器構造の光取り出し面側に、光取り出し方向に沿って順に、前記微小共振器構造から出射した光を集光する集光構造と、開口を有する遮光層とを有し、該開口を通して前記集光された光を選択的に透過させる。 - 特許庁

The reflection film used in the back light device for the liquid crystal display apparatus is constituted by laminating a sticking prevention layer formed by applying a coating material containing a filler of 0.001 to 10 μm mean grain size calculated by an arithmetic mean diameter onto a reflection film surface opposite to a light transmission plate side or on both reflection film surfaces of the light transmission plate side and opposite side thereof.例文帳に追加

液晶表示装置用バックライト装置に用いる反射フィルムであって、前記反射フィルムの導光板側とは反対面側に、又は導光板側と導光板側とは反対面との両面に、算術平均径により算出される平均粒径が０．００１μｍ以上１０μｍ以下のフィラーを含む塗料を塗布してなる貼り付き防止層を積層してなる構成を有した、反射フィルムとした。 - 特許庁

The solid state imaging device comprises the photodiode PD and the floating impurity diffusion area 22 which are formed on the surface layer of a pixel area of a silicon (semiconductor) substrate 1 with an interval and a transfer gate 12 formed on the silicon substrate 1 between the photodiode PD and the floating impurity diffusion area 22 through a gate insulating film 5c and having ruggedness turned to the side of the floating impurity diffusion area 22.例文帳に追加

シリコン（半導体）基板１の画素領域の表層に、互いに間を隔てて形成されたフォトダイオードPD及び浮遊不純物拡散領域２２と、フォトダイオードPDと浮遊不純物拡散領域２２との間のシリコン基板１上に、ゲート絶縁膜５ｃを介して形成され、浮遊不純物拡散領域２２側に向けて凹凸を有する転送ゲート１２とを有する固体撮像装置による。 - 特許庁

The fuel cell system includes a membrane-electrode assembly to include a fuel electrode; an air electrode, and an electrolyte layer interposed between them; a separator which is contacted with the fuel electrode and includes a channel for supplying hydrogen to the fuel electrode; a hydrogen supplying device to supply hydrogen to the channel; and a safety valve which is installed at the other end of the channel and controls the pressure of the channel.例文帳に追加

本発明に係る燃料電池システムは、燃料極及び空気極、そしてその間に介在される電解質層を含む膜電極接合体と、上記燃料極に接し、上記燃料極に水素を供給するためのチャンネルを含むセパレータと、上記チャンネルに水素を供給する水素供給装置と、上記チャンネルの他端に設けられ、チャンネルの圧力を制御する安全弁と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

For the battery device comprising the above battery and a protection circuit, the battery has a battery terminal penetrating the lid through an insulation material, and one electrode of the storage element is connected to the battery terminal and the other electrode of the storage element is directly or indirectly connected to the lid, and a protection circuit is connected to the battery terminal and the nickel layer of the lid.例文帳に追加

本発明の電池装置は、上記の電池と保護回路とを備えた電池装置において、電池が、絶縁部材を介して蓋を貫通した電池端子を有し、蓄電要素の一方の電極をその電池端子に接続させるとともに、蓄電要素の他方の電極を直接的又は間接的に蓋に接続させており、保護回路が、電池端子及び蓋のニッケル層と接続していることを特徴とする。 - 特許庁

The charge transfer device 100 comprises: a semiconductor substrate 101 provided with a photodiode 122 and a charge transfer passage 120; a P^+ region 104 provided on the semiconductor substrate and isolating the region arranged with the photodiode 122 and the charge transfer passage 120 from other regions; and an insulation layer 106 formed on the P^+ region 104 by depositing a silica compound.例文帳に追加

電荷転送装置１００は、フォトダイオード１２２と電荷転送路１２０とが設けられた半導体基板１０１と、前記半導体基板に設けられ、フォトダイオード１２２と電荷転送路１２０とが配置された領域を他の領域から分離する分離領域であるＰ^＋領域１０４と、Ｐ^＋領域１０４上に設けられ、珪素化合物を堆積して形成された堆積絶縁層１０６と、を含む。 - 特許庁

The laminated solid-state imaging device constituted by pressing and joining a photoelectric transfer part 3 and a signal charge readout circuit 20 formed on different substrates stably operates by preventing the electric characteristics from deteriorating and is improved in production yield by providing a pressure reducing layer 110 to at least one of the photoelectric transfer part 30 and signal charge readout circuit 20.例文帳に追加

別基板上に作製した光電変換部３０と信号電荷読み出し回路部２０とに圧力を加え接合する積層型固体撮像装置において、光電変換部３０と信号電荷読み出し回路部２０の少なくともいずれか一方に圧力緩和層１１０を設けたことにより、電気的特性の劣化を防いで安定に動作し作製時の歩留まりを向上することができる。 - 特許庁

To improve the adhesion property of a protection layer and sealing resin without arranging a different member between them in a resin sealing-type electronic device where an electronic part is loaded on one face of a ceramic circuit board, the electronic part is sealed so that it is encapsulated by sealing resin, and at least part of sealing resin is formed on one face of the ceramic circuit board.例文帳に追加

セラミック回路基板の一面上に電子部品を搭載し、この電子部品を封止用樹脂にて包み込むように封止するとともに、封止用樹脂の少なくとも一部が、セラミック回路基板の一面上に形成された電気絶縁性の保護層に密着してなる樹脂封止型電子装置において、保護層と封止用樹脂との間に、別体の部材を設けることなく、両者の密着性を向上させる。 - 特許庁

The fuel cell X1 comprises a fuel cell body 10 equipped with a first electrode 11 for oxidizing a fuel, a second electrode 12 for reducing oxygen, and an electrolyte layer 13 held between the first electrode 11 and the second electrode 12; and an opening and closing device 20 which can select an opened state for permitting feed of the fuel and a closed state for stopping the feed.例文帳に追加

燃料電池Ｘ１において、燃料を酸化するための第１電極１１、酸素を還元するための第２電極１２、並びに、第１電極１１および第２電極１２に挟まれた電解質層１３を備える燃料電池本体１０と、第１電極１１への燃料の供給を許容するための開状態および停止するための閉状態を選択可能な開閉装置２０とを具備する。 - 特許庁

To provide a cleaning composition, a cleaning method using the same, and a manufacturing method of a semiconductor device, capable of solving a problem particular to a cleaning composition containing a specific detergent adjusted substantially to neutral, preventing corrosion by washing not only a semiconductor substrate and a metal layer but also a silicon, and sufficiently removing a plasma etching residue and an ashing residue generated during a manufacturing process.例文帳に追加

実質的に中性に調整された特定の洗浄剤を含有する洗浄組成物に特有の課題を解決し、半導体基板の金属層のみならず、シリコンの洗浄により腐食を防止し、しかもその製造工程で生じるプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去することができる洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a joining method of a solid polymer membrane with a catalyst layer, capable of uniformly controlling the moisture content in the whole membrane, joining without so much increasing the temperature in a hot press process, preventing the generation of wrinkles in an electrolyte membrane or the desorption of sulfonic acid to ensure gas sealing, and preventing decrease in cell performance, and to provide a joining device used for this joining.例文帳に追加

膜全体の含水量を均一に制御することができると共に、ホットプレス時の温度をさほど上昇させることなく接合することができ、電解質膜における皺の発生や、スルホン酸の脱離を防止してガスシール性を確保し、もって電池性能の低下を防止することができる固体高分子膜と触媒層の接合方法と、このような接合に用いる接合装置を提供する。 - 特許庁

Regarding the plasma nitriding device and nitriding method for a workpiece, a workpiece using an iron alloy, an aluminum alloy or a titanium alloy as a base material is nitrided while being rocked or vibrated in a plasma atmosphere generated by glow discharge essentially consisting of gaseous nitrogen and gaseous hydrogen, and the nitride of iron, the nitride of aluminum or the nitride of titanium is uniformly formed on the outermost surface layer of the workpiece.例文帳に追加

鉄合金、アルミニウム合金またはチタン合金を母材とした被処理物を、窒素ガスと水素ガスとを主成分とするグロー放電により発生させたプラズマ雰囲気中で、揺動または振動させつつ窒化し、上記被処理物の最表面層に鉄の窒化物、アルミニウムの窒化物またはチタンの窒化物を均一に生成させることを特徴とする被処理物のプラズマ窒化装置および窒化方法。 - 特許庁

The semiconductor device includes an element isolation film 200 provided to a semiconductor layer to section an element formation region, a gate electrode 130 formed on the element formation region and having both ends extended onto the element isolation film 200 respectively, and an impurity region 110 formed in the element formation region to become a source region and a drain region disposed across a channel formation region positioned right below the gate electrode 130.例文帳に追加

半導体層に設けられ、素子形成領域を区画する素子分離膜２００と、素子形成領域上に形成され、両端がそれぞれ素子分離膜２００上に延伸するゲート電極１３０と、素子形成領域内に形成され、ゲート電極１３０の直下に位置するチャネル形成領域を挟んで配置されるソース領域およびドレイン領域となる不純物領域１１０とを備える。 - 特許庁

Namely, by combining FIB processing using a high accelerating voltage with FIB finishing using a low accelerating voltage, the thick amorphous layer formed on the side of the membrane part by the FIB processing using the high accelerating voltage is thinned by the FIB finishing using the low accelerating voltage, and hereby the TEM image having high resolution suitable for evaluation of a manufacturing process of a minute semiconductor device can be acquired.例文帳に追加

すなわち、高い加速電圧を用いたＦＩＢ加工と低い加速電圧を用いたＦＩＢ仕上げ加工とを組み合わせることにより、高い加速電圧のＦＩＢ加工で薄膜部の側面上に形成された厚い非晶質層を低い加速電圧のＦＩＢ仕上げ加工で薄くすれば、微細化された半導体装置の製造工程の評価に適した分解能の高いＴＥＭ像を得ることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a structure including a semiconductor element, which employs a material with a low dielectric constant called a low-K material as a material constituting an interlayer insulation film of a multilayer wiring layer, flip-chip-mounted on a circuit board, with a highly reliable mounting structure by flexibly coping with a change in temperature to prevent breakdown of the interlayer insulation film.例文帳に追加

Ｌｏｗ−Ｋ材料と呼ばれる誘電率の低い材料を多層配線層の層間絶縁膜を構成する材料として用いた半導体素子が回路基板にフリップチップ実装された構造を有する半導体装置であって、温度変化に柔軟に対応して前記層間絶縁膜の破壊を防止することにより、信頼性の高い実装構造を備えた半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A semiconductor device 100 includes: a first insulating film 103 formed on a semiconductor substrate 101; a contact 110 including a conductive film 109 buried in the first insulating film 103 and reaching the semiconductor substrate 101; and a first barrier layer 107 containing a high-melting-point metal and formed between the conductive film 109 and each of the semiconductor substrate 101 and the first insulating film 103.例文帳に追加

半導体装置１００は、半導体基板１０１上に形成された第１絶縁膜１０３と、第１絶縁膜１０３に埋め込まれた導電膜１０９を含み且つ半導体基板１０１に達するコンタクト１１０と、半導体基板１０１及び第１絶縁膜１０３のそれぞれと、導電膜１０９との間に形成され、高融点金属を含む第１バリア層１０７とを備える。 - 特許庁

The decorative material 10 is characterized in that a filler-containing receiving layer 13 containing a filler F is partially formed to the surface of a base material 11 to form protruded parts in the pretreatment process and color ink 14 is subsequently ejected and applied to the surface of the base material containing the protruded parts by an ink jet device 20 to form the uneven patterns.例文帳に追加

本発明の化粧材１０は、基材１１の表面に、前処理工程として、フィラーＦを含有したフィラー入り受理層１３を、基材１１の表面に、部分的に形成して、凸部を形成した後、該凸部を含む基材の表面に、インクジェット装置２０によって着色インク１４を噴射塗装して凹凸模様を形成した構造になっているすることにより形成されたものであることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of forming an element isolation layer of a semiconductor memory device, capable of filling a fluid first insulating film on the bottom surface of a trench, forming a second insulating film, then performing a dry etching process and a wet etching process and reducing the amount of fluorine (F) included in the second insulating film while expanding the top width of the trench.例文帳に追加

本発明は、トレンチの底面に流動性の第１の絶縁膜を満たし、第２の絶縁膜を形成した後に乾式エッチング工程及び湿式エッチング工程を行ってトレンチの上部の幅を広げながら第２の絶縁膜に含まれるフッ素(Ｆ；fluorine；フローリン)の量を減少させることができる半導体メモリ素子の素子分離膜形成方法を提供することを可能にすることを目的としている。 - 特許庁

By repeating a process for forming the relief image to each line by irradiating the photosensitive resin with active beams optically modulated based on the digital image signal while moving a digital exposing device having a plurality of optical switch cells linearly on the photosensitive resin layer applied on a supporting body with a fixed thickness.例文帳に追加

支持体上に一定厚みに塗布された感光性樹脂層上を、ライン状に複数の光スイッチセルを有するディジタル露光デバイスを移動させながら、ディジタル画像信号に基づいて光変調させた活性光線を照射してライン毎にレリーフ画像を形成させる行程を繰り返すことにより、塗布された感光性樹脂全面にディジタル画像記録信号に応じたレリーフ画像を形成する装置と方法を提供する。 - 特許庁

The laminated semiconductor device has a multilayer substrate, comprising a plurality of substrates layered with insulating layers in between, with at least one semiconductor chip arranged in an insulating layer sandwiched between the substrates constituting the multilayer substrate, and contact pins electrically connecting pads on the semiconductor chip and connecting pads on the substrate facing the connecting pads on the semiconductor chip.例文帳に追加

本発明の積層型の半導体装置は、複数の基板を絶縁層を介在させて積層して成る多層基板と、上記多層基板を構成する複数の基板間に介在する絶縁層内に配された１以上の半導体チップと、上記半導体チップの接続パッドと、当該接続パッドに対向する基板の接続パッドとの間を電気的に接続する接続ピンとを備えることを特徴とする。 - 特許庁

The organic EL light emitting device 100 is formed with a flattened film 106 for flattening a color filter on an element substrate 103 made of transparent glass, a positive electrode 109 arranged on the flattened film 106, an organic EL layer 102 formed between the positive electrode 109 and a negative electrode 111, and an opposing base plate 104 opposing the element substrate 103.例文帳に追加

本発明にかかる有機ＥＬ発光装置１００は、透明なガラスである素子基板１０３の上に、カラーフィルターを平坦化するための平坦化膜１０６、平坦化膜１０６上に設けられた陽極１０９と、陽極１０９と陰極１１１の間に設けられた有機ＥＬ層１０２を備え、素子基板１０３と対向する対向基板１０４とを有し、平坦化膜１０６の外周部１０８はテーパーを有する。 - 特許庁

In the liquid crystal display device having the liquid crystal interposed between a pair of substrates, a pixel electrode consisting of a transparent conductive film disposed on one substrate in a matrix form and a semiconductor element connected to the pixel electrode, one substrate of the pair of substrates has transparency and an insulating property and the other substrate has a common electrode provided thereon and consisting of a reflection layer and a transparent conductive film.例文帳に追加

一対の基板間に液晶が挟持されてなり、一方の基板にマトリクス状に配置された透明電導膜からなる画素電極と、画素電極に接続された半導体素子とが形成された液晶表示装置において、一方の基板は透明性および絶縁性を有する基板でなり、他方の基板上には反射層と透明電導膜からなる共通電極を設ける。 - 特許庁

The electrochromic device is provided, in which a pair of electrode structure 11, 12 in which at least transparent electrodes 2, 7 are formed on support substrates 1, 6 by sandwiching an electrolyte layer 5 so that the transparent electrodes 2, 7 may face each other and a porous electrode 4 to which an organic EC pigment comprised of pyridine compound is absorbed on at least one of the pair of transparent electrodes 2, 7.例文帳に追加

支持基板１、６上に少なくとも透明電極２、７が形成されている一対の電極構造体１１、１２が、透明電極２、７同士が対面するように、電解質層５を挟持して配置されており、一対の透明電極２、７のうちの、少なくとも一方の上に、ピリジン化合物よりなる有機ＥＣ色素が吸着されている多孔質電極４が形成されているエレクトロクロミック装置を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the epitaxial wafer, a silicon single crystal rod is grown by doping only carbon except a resistance-controlling dopant by a Czochralski method, after the silicon single crystal rod is sliced and processed into a silicon single crystal wafer, the silicon single crystal wafer is heat treated by using a rapid heating/rapid cooling (RTA) device, and then the epitaxial layer is formed on the single crystal wafer surface.例文帳に追加

エピタキシャルウェーハの製造方法において、チョクラルスキー法によって、抵抗制御用ドーパントを除いては炭素のみをドープしてシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウェーハに加工した後、急速加熱・急速冷却（ＲＴＡ）装置を用いて熱処理を行い、その後、該単結晶ウェーハ表面にエピタキシャル層を形成することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 特許庁

The electro-optical device has, on the glass substrate (10), a plurality of pixel electrodes (9a), the tungsten film (11a), constituting at least wiring for driving a plurality of pixel electrodes or some of the electrodes, and an adhesive layer (200) provided in between the glass substrate and tungsten film and formed of titanium nitride or tungsten nitride to bond the glass substrate and tungsten film to each other.例文帳に追加

電気光学装置は、ガラス基板（１０）上に、複数の画素電極（９ａ）と、該複数の画素電極を駆動するための配線又は電極の少なくとも一部を構成するタングステン膜（１１ａ）と、前記ガラス基板及び前記タングステン膜間に設けられると共にチタンナイトライド又はタングステンナイトライドからなり、前記ガラス基板及び前記タングステン膜を相互に接着する接着層（２００）とを備える。 - 特許庁

Such a wavelength division multiplex optical device is manufactured utilizing soft lithography by: forming an optical waveguide core groove, an optical fiber fixed groove, and a wavelength selective filter inserting groove in a lower clad layer; inserting the optical fiber and the wavelength selective filter to respective grooves; forming an optical waveguide core; and directly bonding the optical waveguide core, the optical fiber and the wavelength selective filter with a cured core material.例文帳に追加

このような波長分割多重光デバイスは、ソフトリソグラフィーを利用して、下部クラッド層に、光導波路コア溝と、光ファイバ固定溝と、波長選択フィルタ挿入溝とを形成し、光ファイバおよび波長選択フィルタを各溝に挿入した後、光導波路コアを形成すると共に、光導波路コアと光ファイバおよび波長選択フィルタとの間を硬化したコア材料で直接接着することにより製造される。 - 特許庁

To provide a high-resistivity silicon wafer that has high resistance optimum for manufacturing a diode for high frequencies, secures defect density caused by the deposition of oxygen required for gettering, can effectively suppress the generation of oxygen donors in a device heat-treatment process, has sufficient mechanical strength, and dispenses with the formation of a recombination center in a high specific-resistance layer when manufacturing the diode for high frequencies.例文帳に追加

高周波用ダイオードの作製に最適な高抵抗なものであり、ゲッタリングに必要な酸素析出起因欠陥密度が確保され、デバイス熱処理工程での酸素ドナーの発生を効果的に抑制でき、十分な機械的強度を有し、高周波用ダイオードを作製する場合に高比抵抗層における再結合中心を形成する必要がない高抵抗率シリコンウェーハを提供する。 - 特許庁

To provide an evaporator that can suppress adverse effect on materials and a melt in feeding the materials to the melt and that can keep down loss of the materials when evaporation is stopped, and to provide a method of feeding the materials to this evaporator as well as a device and a method for manufacturing a magnetic recording medium in which this evaporator is used in forming a magnetic layer by vapor deposition.例文帳に追加

融液に原料を供給する際の原料や融液への悪影響を抑制すると共に、蒸発を停止した場合の原料のロスを低く抑えることができる蒸発装置及びこの蒸発装置への原料供給方法、並びにこの蒸発装置を適用して蒸着によって磁性層を形成する磁気記録媒体の製造装置及び磁気記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent the disconnection and short-circuiting of electrode terminals by introducing a surface hydrophobic modifying layer into a sealing member by which not only the migration phenomenon of silver electrodes is minimized without transmission and absorption of external moisture into the device but also, the shrinkage and the expansion change of the electrode terminals are minimized in spite of environmental variation of the outside since stability is retained even in the state of a high temperature.例文帳に追加

本発明は、シーリング部材に表面疎水性改質処理層を導入することによって、外部の湿気が装置内部に透過吸収されずに、銀電極のマイグレーション現象が最少化されるだけでなく、高温の状態でも安定性を有するので外部の環境的変化にも電極端子の収縮及び膨張の変化を最少化して、電極端子の断線及び短絡を防止できる。 - 特許庁

This device is provided with a first optical system equipped with a semiconductor laser 41 and a photodetector 44 to perform signal recording and reproducing on the L0 layer of an optical disk medium 80, and a second optical system equipped with a semiconductor laser 51 and a photodetector 54 to perform signal recording and reproducing on the L1 layer of the optical disk medium 80.例文帳に追加

半導体レーザ４１及び光検出器４４を有し、光ディスクメディア８０のＬ０層に対して信号の記録再生を行う第１の光学系と、半導体レーザ５１及び光検出器５４を有し、光ディスクメディア８０のＬ１層に対して信号の記録再生を行う第２の光学系を備え、Ｌ０層に対して信号の記録再生を行う時は第１の光学系を使用し、Ｌ１層に対して信号の記録再生を行う時は第２の光学系を使用するように切り替えてＬ０層とＬ１層間のフォーカスジャンプを行うことにより、複数層を有するディスクメディアの記録再生対象層へのフォーカスジャンプを高速に行って、層切り替え再生を連続的に行うことができる。 - 特許庁

The method locally controls the electrical potential of a semiconductor structure or a device, and thereby locally controls lateral and/or vertical photoelectrochemical (PEC) etching rates by the appropriate placement of electrically resistive layers or layers that impede electron flows in the semiconductor structure, and/or by disposing a cathode in contact with a specific layer of the semiconductor structure during PEC etching.例文帳に追加

上記方法は、電気的抵抗層または半導体構造の中の電子のフローを妨げる層の適切な配置によって、および／またはＰＥＣエッチングの間に、半導体構造の特定の層と接触するカソードを配置することによって、半導体構造または半導体デバイスの電気的ポテンシャルを局部的に制御し、水平方向および／または垂直方向の光電気化学（ＰＥＣ）的エッチング速度を局部的に制御する。 - 特許庁

A method of fabricating a raised source/drain CMOS device, includes preparing a silicon substrate; depositing a layer of gate oxide; forming a gate placeholder; forming a raised source/drain region; implanting, activating and diffusing ions in the raised source/drain region to form a source region and a drain region; and replacing the gate placeholder with gate material.例文帳に追加

積み上げソース／ドレインＣＭＯＳデバイスを製造する方法は、シリコン基板を準備する工程と、ゲート酸化物層を堆積させる工程と、ゲートプレースホルダーを形成する工程と、積み上げソース／ドレイン領域を形成する工程と、上記積み上げソース／ドレイン領域中でイオンの注入、活性化および拡散を行なって、ソース領域およびドレイン領域を形成する工程と；上記ゲートプレースホルダーとゲート材料とを取り換える工程とを含む。 - 特許庁

This electron emission device includes: electron emission parts formed on a substrate; at least one driving electrode for controlling emission of electrons emitted from the electron emission parts; the focusing electrode for focusing the electrons emitted from the electron emission parts and having an opening through which the electrons pass; and an insulating layer located between the at least one driving electrode and the focusing electrode.例文帳に追加

電子放出素子は，基板上に形成される電子放出部と，電子放出部の電子放出を制御する少なくとも一つの駆動電極と，電子ビーム通過のための開口部を備え，電子放出部から放出された電子を集束させるための集束電極と，少なくとも一つの駆動電極と集束電極との間に位置する絶縁層とを含み，集束電極は，数式１および２の条件の少なくとも一つを満足する。 - 特許庁

The electrochromic device which has a pair of electrode structures 11, 12 comprising transparent electrodes 2, 7 and porous electrodes 4, 8 formed on supporting substrates 1, 6, and disposed interposing an electrolyte layer 5 in between, wherein the porous electrode 4 constructing the electrode structure has a triphenylmethane compound supported thereon, and reversible coloring and discoloring is conducted by subjecting the compound to electrochemical oxidation or reduction reaction, is provided.例文帳に追加

支持基板１，６上に、透明電極２，７と多孔質電極４，８とが形成されている一対の電極構造体１１，１２が、電解質層５を挟持して配置されており、電極構造体を構成する多孔質電極４に、トリフェニルメタン化合物が担持されており、この化合物が、電気化学的に酸化反応あるいは還元反応を起こすことによって、可逆的に発消色するエレクトロクロミック装置を提供する。 - 特許庁