「device layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(430ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor light emitting device includes a semiconductor light emitting element and a substrate having a wiring pattern, and is characterized in that a surface of the substrate and/or wiring pattern right below the semiconductor light emitting element is covered with a light diffuse reflecting material-containing layer, the light diffuse reflecting material having a concentration of 30 to 70 wt.%.例文帳に追加

半導体発光素子と、配線パターンを有する基板とを含む半導体発光装置において、該半導体発光素子直下の該基板及び／または該配線パターンの表面が、光拡散反射材の濃度が３０重量％以上、７０重量％以下である光拡散反射材含有層で被覆されていることを特徴とする、半導体発光装置。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor substrate 8 which is made to have a nitride series compound semiconductor, a hole 11 of a recessed part which is made of a pit or a crack which exists in one principal surface 12 of the semiconductor substrate 8, a first electrode 3 formed on the one principal surface of the semiconductor substrate 8, and a high resistive layer 10 arranged at the recessed part of the hole 11.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体を有してなる半導体基板８と、半導体基板８の一方の主面１２に存在するピット又はクラックからなる凹形状部位である穴部１１と、半導体基板８の一方の主面に形成されている第１電極３と、穴部１１の凹形状部位に配置されている高抵抗層１０とを有することを特徴とする。 - 特許庁

A transmissive liquid crystal display device has, in each of a plurality of display pixels 1, a first transparent substrate 10 in which a first transparent electrode 13 is formed ; a second transparent substrate 20 in which a projected part 24 for the domain division and a second transparent electrode 23 are formed; and a liquid crystal layer 30 held between the first and second transparent substrates 10 and 20.例文帳に追加

本発明は、複数の表示画素１の各々に、第１の透明電極１３が形成された第１の透明基板１０と、配向分割用の突起部２４及び第２の透明電極２３が形成された第２の透明基板２０と、前記第１及び第２の透明基板１０，２０に挟まれた液晶層３０と、を備えた透過型の液晶表示装置である。 - 特許庁

A semiconductor device is constituted of a silicon substrate 10, a gate insulating film 18 on the silicon substrate 10, a gate electrode 30 formed on the gate insulating film 18 and has a silicon film 26 on at least a face in contact with the gate insulating film 18, and a nitrogen segregation layer with a peak density in the vicinity of an interface between the silicon film 26 and the gate insulating film 18.例文帳に追加

シリコン基板１０と、シリコン基板１０上に形成されたゲート絶縁膜１８と、ゲート絶縁膜１８上に形成され、少なくともゲート絶縁膜１８に接する面にシリコン膜２６を有するゲート電極３０と、シリコン膜２６とゲート絶縁膜１８との界面近傍にピーク濃度を有する窒素偏析層とにより半導体装置を構成する。 - 特許庁

This multiphoton excitation device including a substrate 13 including a dielectric layer 12 having a plurality of fine holes 15 opened at least on one surface, and a plurality of fine metal bodies 14 formed in the fine holes 15, is constituted so as to include a plurality of multiphoton excitation complex compounds expressed by a general formula D-L-A bonded to the surface of the fine metal bodies 14.例文帳に追加

少なくとも一表面に開口している複数の微細孔１５を有する誘電体層１２を含む基板１３と、微細孔１５に形成された複数の微細金属体１４とを備える多光子励起装置を、微細金属体１４の表面に結合した、一般式Ｄ−Ｌ−Ａで表される複数の多光子励起複合化合物を有するように構成する。 - 特許庁

In this manufacturing method of an organic electroluminescent display device composed by forming the pixel formation area by arranging a plurality of pixels in a matrix-like shape on a substrate, when an organic material layer for each pixel is formed by applying a solution to the pixel formation area by an ink jet method, the solution is sequentially applied from a generally central part to a peripheral part of the image formation area.例文帳に追加

基板上に複数の画素をマトリクス状に配置し画素形成領域を構成してなる有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、前記画素形成領域においてインクジェット法により溶液を塗布して各画素の有機材料層を形成するに際し、前記画素形成領域の略中央部から周縁部へ前記溶液を順次塗布していく。 - 特許庁

To provide coating film removing device for an organic photoreceptor which is capable of exactly and efficiently removing the unnecessary coating films at the bottom end of a cylindrical substrate having a photoconductive layer by a dip coating application method in a desired size range, easily improves productivity and does not give rise to the problem of image faults, etc., a method of manufacturing the organic photoreceptors and the organic photoreceptor.例文帳に追加

浸漬塗布法による光導電層を備える円筒状基体の下端部の不要な塗布膜を、正確かつ効率的に所望の寸法範囲に除去処理することができ、生産性の向上が容易に図れ、画像障害などの問題の発生しない有機感光体の塗布膜除去装置、有機感光体の製造方法及び有機感光体の提供。 - 特許庁

According to the semiconductor device and a method of manufacturing the same, one of source/drain regions and a part of a channel region are provided on the top of an embedded oxide film formed on the top of a semiconductor substrate, and the other of the source/drain regions and the other part of the channel region are provided on the top of an Si epitaxial layer formed on the top of the semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明に係る半導体素子及びその製造方法は、ソース／ドレーン領域のうちいずれか一つとチャンネル領域の一部は半導体基板の上部に形成された埋込酸化膜の上部に備えられ、ソース／ドレーン領域のうち他の一つとチャンネル領域の残りは半導体基板の上部に形成されたＳｉエピタキシャル層の上部に備えられる。 - 特許庁

The semiconductor device includes: an element separating film 20 provided in a semiconductor layer 10; an element forming region zoned by the element separating film 20; gate wiring 140 extending over the element forming region and the element separating film 20; a sidewall 150 formed on the sidewall of the gate wiring 140; and a contact 200 connected with the gate wiring 140 positioned on the element separating film 20.例文帳に追加

この半導体装置は、半導体層１０に設けられた素子分離膜２０と、素子分離膜２０により区画された素子形成領域と、素子形成領域上及び素子分離膜２０上を延伸しているゲート配線１４０と、ゲート配線１４０の側壁に形成されたサイドウォール１５０と、素子分離膜２０上に位置するゲート配線１４０に接続するコンタクト２００とを備える。 - 特許庁

To provide an optical compensation sheet which has excellent optical compensation function, and has performance of expanding an angle of view to a wider angle and can display an image of a higher display quality without causing unevenness by controlling an angle of tilt of a liquid crystalline compound having hybrid alignment and an optical anisotropic layer, and to provided a liquid crystal display device equipped with the optical compensation sheet.例文帳に追加

光学異方性層のハイブリッド配向する液晶性化合物の傾斜角を制御し、光学補償機能に優れ、かつ大型の画像表示装置に適用した場合でも、広い視野角拡大性能を有し、ムラを生じることなく、表示品位の高い画像を表示できる光学補償シート、並びにこの光学補償シート備えた液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

In the pattern correction device 1, ultraviolet ray α is radiated to a defective part 13a of an electrode 13 formed on a substrate 14 from an ultraviolet ray irradiator 6 while the mist of ultraviolet curable correction liquid 20 is jetted to the defective part 13a from a coating nozzle 30, so that fine particles of correction material are deposited on the defective part 13a to form a deposition layer 33.例文帳に追加

このパターン修正装置１では、基板１４上に形成された電極１３の欠陥部１３ａに紫外線照射部６から紫外線αを照射しながら、塗布ノズル３０から欠陥部１３ａに紫外線硬化型の霧状の修正液２０を噴射し、欠陥部１３ａに修正材料の微粒子を堆積させて堆積層３３を形成する。 - 特許庁

This transparent conductive film formed on the screen of the display device is formed by applying and drying a paint containing at least platinum group metal fine particles having an average particle diameter of 50 nm or less and thereafter burning it at a burning temperature of 300-1,000°C, and has a transparent conductive layer formed by converting at least a part of the platinum metal into a platinum group metal oxide.例文帳に追加

表示装置の表示面に形成される透明導電膜が、平均粒径が５０ｎｍ以下の少なくとも白金族金属微粒子を含む塗料を塗布、乾燥した後、３００℃〜１０００℃の範囲内の焼成温度で焼付けて形成され、前記白金族金属の少なくとも一部が白金族金属酸化物に転化してなる透明導電層を有している。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor, which has sufficiently high sensitivity in a long-wavelength range, small variation in electric resistance of intermediate layer against environmental changes from low temperature and low humidity to high temperature and high humidity, and a small rise in residual potential, and with which stable image quality is obtained while repetitively used, and also to provide, a process cartridge, and an electrophotographic device.例文帳に追加

長波長領域において十分な高感度を有し、低温低湿から高温高湿の環境変化に対しても中間層の電気抵抗の変動が小さく、また残留電位の上昇が小さく、繰り返し使用しても安定した画像品質を得ることができる電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供することにある。 - 特許庁

The EL device 1 is provided with the EL element 2 having a plate shaped metal cathode 4, a plate shaped transparent anode 6 installed on one face 12a of a transparent plate board 12, the EL element 2 having a plate shaped light emitting layer arranged between the metal cathode and the transparent anode, and a reflecting material 14 covering the other face 12b of the transparent plate board.例文帳に追加

本発明のＥＬデバイス１は、板状の金属陰極４と、透明基板１２の一方の面１２ａに設けられた板状の透明陽極６と、金属陰極と透明陽極との間に配置された板状の発光部とを有するＥＬ素子２と、透明基板の他方の面１２ｂを覆う反射材１４とを備えていることを特徴としている。 - 特許庁

Further, the electrooptical device has storage capacitors which are arranged above the data lines and each constituted by laminating a pixel-potential-side electrode, a dielectric film, and a fixed-potential-side electrode in order from below, pixel electrodes which are arranged by pixels and electrically connected to the pixel-potential-side electrodes and thin film transistors, and an inter-layer insulating film laminated above the dielectric films.例文帳に追加

更に、データ線より上層側に配置されており、画素電位側電極、誘電体膜及び固定電位側電極が下層側から順に積層されてなる蓄積容量と、画素毎に配置されており、画素電位側電極及び薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、誘電体膜の上層側に積層された層間絶縁膜とを備える。 - 特許庁

To provide a photomask for color filter capable of forming a minute perforation part in a resin layer without being affected by irregularity of exposure gap when performing proximity exposure for a substrate via the photomask according to a batch exposure method, to provide a manufacturing method of color filter using the photomask, to provide a color filter manufactured by the manufacturing method, and to provide a liquid crystal display device provided with the color filter.例文帳に追加

一括露光法によってフォトマスクを介し、基板に近接露光を行うに際し、露光ギャップのばらつきによる影響を受けることなく、樹脂層に微細な貫通部を形成することの可能なカラーフィルタ用フォトマスク、これを用いたカラーフィルタの製造方法、この方法により製造されたカラーフィルタ、及びこのカラーフィルタを具備する液晶表示装置を提供すること。 - 特許庁

The restoration device 100 for restoring the color filter 200 constituted by arraying colored layers 20 on a transparent substrate 12 in a predetermined pattern is provided with: a detection part 8 of detecting the defective part 20a of the colored layer 20; and a discharge part of discharging black material for the detected defective part 20a by using an inkjet head 1.例文帳に追加

透明基板１２上に着色層２０を予め定められたパターンにて配列することによって構成されるカラーフィルタ２００を修復する装置１００であって、前記着色層２０の欠陥部分２０ａを検出する検出部８と、検出された前記欠陥部分２０ａに対してインクジェットヘッド１を用いて黒色材料を吐出する吐出部とを備える。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device has the steps of: introducing a second p type impurity into an n well containing a gate electrode and the resistance element to form a p channel type MOSFET and adjust the resistance value of the resistance element; and introducing a third n type impurity into an upper layer electrode of a capacity element containing a first p type impurity to convert into an n type.例文帳に追加

ゲート電極を含むｎウエルと抵抗素子とに第二ｐ型不純物を導入してｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴの形成と抵抗素子の抵抗値の調整とをそれぞれ行う工程と、第一ｐ型不純物を含有する容量素子の上層電極に第三ｎ型不純物を導入してｎ型に変換する工程を有する半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁

The communication device consists of a means that stores packets from a host layer, a means that identifies a connection of the stored packets, a means that uses the identification result to manage a transmission state of the packets of each connection and a means that controls the transmission sequence of the packet depending on the transmission state so as to place the priority onto the packet of the connection whose packet is not transmitted.例文帳に追加

上位層からのパケットを蓄積する手段と、その蓄積されたパケットのコネクションを識別する手段と、その識別結果を用いて、各コネクションのパケットの送信状況を管理する手段と、その送信状況に基づいて、パケットが未送信であるコネクションのパケットを優先するように、パケットの送信順序を制御する手段と、から構成される通信装置である。 - 特許庁

The method for manufacturing the nonvolatile memory device having a memory layer reversely shiftable between a first state and a second state includes a step of supplying a liquid, having surface tension smaller than that of water and substantially insoluble with water onto the surface of a substrate having the walls formed thereon and washing the substrate.例文帳に追加

第１の状態と第２の状態との間を可逆的に遷移可能な記憶層を有する不揮発性記憶装置の製造方法であって、壁体が形成された基体の表面に水よりも表面張力が小さくかつ水と実質的に相溶性のない液体を供給し、前記基体の洗浄を行う工程を有すること、を特徴とする不揮発性記憶装置の製造方法が提供される。 - 特許庁

In the method of manufacturing the thin film transistor in which the oxide semiconductor layer is formed by forming a thin film of the oxide semiconductor or its precursor and then forming a resist pattern on the thin film, and patterning the thin film by removing the thin film outside than the resist pattern, the resist pattern is formed by using an electrostatic attraction type liquid discharging device.例文帳に追加

酸化物半導体またはその前駆体の薄膜を形成したのち、薄膜上にレジストパターンを形成し、レジストパターン外の薄膜を除去することにより、薄膜のパターニングを行って酸化物半導体層を形成する薄膜トランジスタの製造方法において、前記レジストパターンを、静電吸引方式の液体吐出装置を用いて形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 特許庁

The liquid crystal display device includes: first and second substrates; and a liquid crystal layer filled between the first and second substrates.例文帳に追加

本発明は、第１及び第２基板と、第１と第２基板との間に充填された液晶層とから構成される液晶表示装置であり、第１基板は、基板の下部に形成され、外部光による光導電体の電気特性変化を通じて位置を感知するタッチ感知層と、タッチ感知層の下部に形成されるとともに光漏れを防止する遮光層と、遮光層との間において発色作用を生じさせるＲＧＢカラーフィルタ層とを含む。 - 特許庁

After forming an insulated adhesive material resin on the resin circuit board, the projection electrode of the semiconductor device and the wiring pattern of the resin circuit board are abutted and thermally press-fixed, a diffused junction layer is formed and a mounting body is formed.例文帳に追加

半導体装置の突起電極の表面材料と、樹脂回路基板の配線パターンの表面材料を、前記樹脂回路基板の耐熱温度より低い温度で拡散接合ができる二つの金属により構成し、樹脂回路基板上に絶縁性接着剤樹脂を形成した後に、半導体装置の突起電極と樹脂回路基板の配線パターンを当接させて熱圧着して拡散接合層を形成して実装体を形成する。 - 特許庁

The reflection type liquid crystal display device has glass substrates 581 and 582, transparent electrodes 60 disposed on the substrate 581, insulating films 44 disposed on the substrate 582 and formed with the rugged structures 50, the reflection electrodes 51 disposed on the films 44 and a liquid crystal layer 61 sandwiched by the electrode 60 side and the electrode 51 side.例文帳に追加

本発明の反射型液晶表示装置は、ガラス基板５８１，５８２と、ガラス基板５８１上に設けられた透明電極６０と、ガラス基板５８２上に設けられるとともに表面に凹凸構造５０が形成された絶縁膜４４と、絶縁膜４４上に設けられた反射電極５１と、透明電極６０側と反射電極５１側とで挟み込まれた液晶層６１とを備えたものである。 - 特許庁

To provide a method and a device for repairing an affected layer caused by machining work so as to have a crystal structure just the same as a substrate part without removing a material of a surface of a single crystal wafer.例文帳に追加

本発明の目的は、単結晶ウエハー表面の材料を除去することがなく、機械加工により生じた加工変質層を基板部分と全く同様な結晶構造に修復することであり、部品の加工精度を維持したままで、生産コストの削減、環境負荷の低減が期待できる、大気中で作動可能で、高速・高能率で簡単な単結晶ウエハーの表面欠陥の修復方法及び修復装置を提供することである。 - 特許庁

The composition for forming the antireflection film which is disposed below a resist film and reduces reflected light from the lower layer side of the resist film in the production of a semiconductor device contains a light absorbing antireflection component containing at least a substituted calixarene derivative or an inclusion complex of a substituted calixarene derivative and a substituted fullerene derivative.例文帳に追加

半導体装置の製造において、レジスト膜よりも下層に設けられて、前記レジスト膜の下層側からの反射光を抑制する反射防止膜を形成する組成物であって、少なくとも置換型カリックスアレン誘導体を含む、あるいは、置換型カリックスアレン誘導体と置換型フラーレン誘導体の包接錯体を含む光吸収性反射防止成分を含有する反射防止膜形成用組成物とする。 - 特許庁

This method for manufacturing a semiconductor composite device includes processes of: sticking the semiconductor thin film 120 of a thin film to the substrate 301 by intermolecular force between a sticking surface of the semiconductor thin film 120 and a surface of a conducting layer 302 formed on the substrate 301; and dividing the semiconductor thin film 120 into individual semiconductor elements (light emitting elements) 501 collectively on the substrate 301.例文帳に追加

半導体複合装置の製造方法は、薄膜の半導体薄膜１２０を、該半導体薄膜１２０の貼り付け面と基板３０１上に設けた導通層３０２の表面との間の分子間力により、該基板３０１に貼り付ける工程と、上記半導体薄膜１２０を上記基板３０１上で一括して個別の半導体素子（発光素子）５０１に素子分離する工程とを含む。 - 特許庁

A method of manufacturing a lithographic printing plate comprises: preparing a lithographic printing plate precursor comprising: i) a grained and anodized aluminum substrate where the anodic weight is between 6.0 and 20 g/m^2, having coated thereon; ii) a metallic layer; and image-wise exposing the precursor on an external drum thermal imaging device.例文帳に追加

ｉ）酸化アルミニウムフイルムの陽極重量が６．０〜２０ｇ／ｍ^^2である陽極酸化アルミニウムフイルムを含んでなる研磨されそして陽極酸化されたアルミニウム基材であって、その上に ｉｉ）金属層、をコーティングされているアルミニウム基材を含んでなる平版印刷版前駆体を用意し、そして該前駆体を外部ドラム熱的像形成装置において像通りに露出する、ことを含んでなる平版印刷版の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for generating artificial rainfall or the like, making artificial rain fall anytime anywhere by loading an artificial rainfall generating device on a moving means followed by making always movable to an area requiring rainfall, and especially, surely generating a large amount of artificial rainfall by combining a plurality of moving means in further preferable positional relation so as to surely raise a swirling flow to a further upper layer.例文帳に追加

移動手段に人工降雨発生装置を搭載していつでも降雨を必要とする地域に移動可能にしていつでもどこにでも人工雨を降らせるようにし、特に、移動手段の複数をより好ましい位置関係に組み合わせることにより渦巻流をより上層へ確実に上昇させて人工降雨を確実かつ多量に発生させ得るようにした人工降雨等発生方法を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor device is formed of a zinc oxide semiconductor having a hexagonal crystal structure and comprises a substrate 1 where four side surfaces orthogonal to a first main surface 111 being a polar surface are adjoined to the first main surface 111 at an angle 40-50° with respect to a reference non-polar surface orthogonal to the first main surface 111, and a semiconductor layer 2 arranged on the first main surface 111.例文帳に追加

六方晶構造の酸化亜鉛系半導体からなり、極性面である第１の主面１１１、及びその第１の主面１１１に対し直交する基準の非極性面と４０度乃至５０度の角をなして第１の主面１１１と直交する４つの側面を第１の主面１１１に隣接させた基板１と、第１の主面１１１上に配置された半導体層２とを備える。 - 特許庁

This charging control device for charging the electric double-layer capacitor generates a PWM output command of an inverter by proportionally integrates (PI) and operates deviation between a charging power command value and a charging power detection value by a proportional integration operation part 11, and corrects the charging power command value by proportionally integrates and operates a charging voltage command value and its voltage detection value by a proportional integration operation part 12.例文帳に追加

電気二重層キャパシタを充電する充電制御装置は、比例積分演算部１１により充電電力指令値と充電電力検出値との偏差を比例積分（ＰＩ）演算してインバータのＰＷＭ出力指令を発生し、比例積分演算部１２により充電電圧指令値とその電圧検出値との偏差を比例積分演算して充電電力指令値を補正する。 - 特許庁

The electronic device has a semiconductor substrate 10 having an integrated circuit 12 formed internally, an insulating layer 20 formed on the semiconductor substrate 10 and having an elastically deformable part 24, an electrode 34 formed on the elastically deformable part 24 while being connected electrically with the interior of the semiconductor substrate 10, and a substrate 58 on which a wiring pattern 62 is formed oppositely to the electrode 34 while being connected electrically therewith.例文帳に追加

電子装置は、集積回路１２が内部に形成された半導体基板１０と、半導体基板１０上に形成されて弾性変形可能部２４を有する絶縁層２０と、半導体基板１０の内部に電気的に接続されて弾性変形可能部２４上に形成されてなる電極３４と、電極３４と対向して電気的に接続された配線パターン６２が形成されてなる基板５８と、を有する。 - 特許庁

The device for electrochemically manufacturing the organic hydride includes an electrode structure having a matrix in which a metal catalyst supporting carbon or a metal catalyst is suitably intermingled with a proton conductive solid polymer electrolyte as catalyst layers, and these catalyst layers are formed on the front and back of a proton conductive solid polymer electrolyte film on which a layer that blocks water from passing through is formed.例文帳に追加

本発明は、電気化学的に有機ハイドライドを製造する装置において、その電極構造が、触媒層として金属触媒担持カーボンもしくは金属触媒が、プロトン伝導性固体高分子電解質と適度に混ざり合ったマトリクスになっている構造であり、それらの触媒層が、透過水をブロックする層が形成されたプロトン伝導性固体高分子電解質膜の表裏に形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

The liquid crystal display device includes a plurality of cell regions having a first substrate provided with a pixel electrode, a second substrate provided with a common electrode and a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates and a cutting region positioned between the plurality of cell regions and having the first and second substrates extending from the cell regions and at least one peripheral spacer interposed between the first and second substrates.例文帳に追加

画素電極が備えられた第１基板、共通電極が備えられた第２基板、及び第１、２基板に介された液晶層を備えた複数のセル領域と、複数のセル領域の間に位置し、そのセル領域から延びた第１基板と第２基板、及び第１、２基板に介された少なくとも一つの周辺スペーサを備えた切断領域と、を備える液晶表示装置である。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device acquires focus values measured for regions having different reflectance respectively due to films formed at a lower layer than a resist 6 formed above a wafer 3, brings a focus value acquired at a second region 32 having a higher reflectance than that of a first region 31 closer to a focus value acquired at the first region 31 having a lower reflectance, and carries out exposure processing.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、ウエハ３上に形成されたレジスト６より下層に形成された膜によって反射率が異なる領域について測定されたフォーカス値を取得し、反射率が低い第１の領域３１について得られたフォーカス値に、前記第１の領域３１よりも反射率が高い第２の領域３２について得られたフォーカス値を近づけて露光処理を行う。 - 特許庁

A method of manufacturing an epitaxial wafer that uses the sheet type epitaxial device forming an epitaxial layer on a surface of a mounted wafer by horizontally placing the single semiconductor wafer on a susceptor provided in a chamber and rotating in a horizontal state, and supplying a material gas into the chamber while rotating the susceptor so that the material gas flow in the horizontal direction is characterized in that the susceptor revolves while rotating in the horizontal direction.例文帳に追加

チャンバ内に設けられた水平状態で回転するサセプタの上に単一の半導体ウェーハを水平に載置し、サセプタを回転させながらチャンバ内に水平方向に流れるように原料ガスを供給して、載置したウェーハの表面にエピタキシャル層を形成する枚葉式エピタキシャル装置を用いたエピタキシャルウェーハの製造方法において、サセプタが水平状態で自転しながら公転することを特徴とする。 - 特許庁

A semiconductor device 100 include: an interlayer dielectric 108 formed over a substrate 101; an electric fuse 150 comprising first wiring 120 formed in the interlayer dielectric 108 and having a cut portion 152; and second wiring 126 and third wiring 128, which are formed respectively on both sides of the cut portion 152 while extending along the cut portion 152, in the same layer as the first wiring 120.例文帳に追加

半導体装置１００は、基板１０１上に形成された層間絶縁膜１０８と、層間絶縁膜１０８中に形成された第１の配線１２０により構成され、被切断部１５２を有する電気ヒューズ１５０と、第１の配線１２０と同層において、被切断部１５２の両側方に、それぞれ、被切断部１５２に沿って延在して形成された第２の配線１２６および第３の配線１２８と、を含む。 - 特許庁

To provide a touch sensor device having a contact structure coming into electrical contact with a conductive transparent layer, achieving superior etching behavior, at the same time, having a good corrosion resistance and other resistance, high conductivity, a low moving resistance, and avoiding a disadvantageous effect occurring due to a stepwise change of mechanical stress in individual layers.例文帳に追加

導電性透明層に電気的に接触する接触構造体を備えた、可能な限り優れたエッチング挙動を達成し、同時に、良好な耐腐食性及び他の耐性を有し、可能な限り高い導電性と同時に可能な限り低い移動抵抗を有し、個々の層における機械的応力の段階的変化により生じる不利な影響を可能な限りに回避するタッチセンサ装置を提供する。 - 特許庁

The liquid crystal display device includes: a liquid crystal panel comprising two substrates placed opposite to each other and a liquid crystal layer formed therebetween, and equipped with a plurality of pixels, wherein each of the pixels is defined with at least two domains having different orientation characteristics; and the compensation film compensating for optical characteristics in a direction corresponding to a liquid crystal orientation direction of each domain.例文帳に追加

本発明に係る液晶表示装置は、互いに向き合う両基板と、前記両基板の間に形成された液晶層とからなり、複数個の画素を備え、前記各画素は異なる配向特性を有する少なくとも二つのドメインで定義された液晶パネル、及び前記各ドメインの液晶配向方向に相応する方向に光特性を補償する補償フィルムを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The illumination device includes: a substrate; one or more light-emitting elements mounted on the substrate; a glass substrate arranged opposite to the side mounted with the light-emitting elements of the substrate; and a low melting point glass layer formed on at least one face of the glass substrate, containing dispersed phosphors to emit light by being excited by the light emitted from the light-emitting elements, and having a plurality of cracks.例文帳に追加

本発明の照明装置は、基板と；基板上に実装された１以上の発光素子と；基板の発光素子を実装した側と対向して配置されたガラス基板と；ガラス基板の少なくとも一方の面に形成された層であり、発光素子から放射される光により励起されて発光する蛍光体を分散して含有するとともに複数のクラックを有する低融点ガラス層と；を具備する。 - 特許庁

When an interlayer insulation film LI2 is formed by a plasma CVD method, the flow rate of porogen supplied into a CVD device is adjusted to 30% or more but not exceeding 60% of the total flow rate of porogen and methyl diethoxysilane to reduce the size of holes 10 formed within the interlayer insulation film LI2, thereby preventing an altered layer CL from being formed on the surface of the interlayer insulation film LI2 by process damage.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ法によって層間絶縁膜ＩＬ２を形成する際にＣＶＤ装置内に供給するポロジェンの流量を、ポロジェンおよびメチルジエトキシシランの合計の流量の３０％以上６０％以下とすることで、層間絶縁膜ＩＬ２内に形成される空孔１０の大きさを小さくし、プロセスダメージによって層間絶縁膜ＩＬ２の表面に変質層ＣＬが形成されることを防ぐ。 - 特許庁

To provide a developing roller which can uniformly disperse spherical particles on a surface layer, enhance mechanical strength of the spherical particles, and prevent damage to a member contacted with a surface of the developing roller compared with the configuration described in the patent document 1; a developing device, an image forming apparatus and a process cartridge which are provided with the developing roller; and an image formation method using the developing roller.例文帳に追加

球状粒子を均一に表層に分散させることができ、球状粒子の機械的強度を高めることができ、かつ、特許文献１に記載の構成に比べて現像ローラ表面と接触する部材が傷つくのを抑制することのできる現像ローラ、並びに、現像ローラを備えた現像装置、画像形成装置およびプロセスカートリッジ、並びに、現像ローラを用いた画像形成方法を提供する。 - 特許庁

The light emitting device includes: a mounting member including a recess; a light emitting element provided in the recess; an electrostatic discharge protection element provided in the recess and connected in parallel to the light emitting element; and a translucent resin layer mixed with a filler capable of reflecting emitted light from the light emitting element, covering the electrostatic discharge protection element and not covering the light emitting element.例文帳に追加

凹部を有する実装部材と、前記凹部内に設けられた発光素子と、前記凹部内に設けられ、前記発光素子と並列に接続された静電気放電保護素子と、前記発光素子からの放出光を反射可能なフィラーが混合され、前記静電気放電保護素子を覆い前記発光素子を覆わないように設けられた透光性樹脂層と、を備えたことを特徴とする発光装置が提供される。 - 特許庁

To provide a multilayer elastic belt for an electrophotographic device with excellent flexibility required for an intermediate transfer belt, that is, with excellent bending durability represented by MIT fold number; having primary transfer characteristics, such as no deficiency in an image and clarity in thin line printing, and secondary transfer characteristics, such as good followability to the asperity paper; and furthermore, with excellent friction durability of a surface layer.例文帳に追加

本発明は、中間転写ベルトに要求される可撓性、すなわちＭＩＴ耐久回数に代表される屈曲耐久性に優れ、画像中抜けがなく細線印字が鮮明な一次転写特性、紙の凹凸追従性などが良好な二次転写特性を有し、さらに、表面層の摩擦耐久性にも優れている電子写真装置用多層弾性ベルトを提供することを目的とする。 - 特許庁

The electrooptical device includes: transistors (30) provided for respective pixels; pixel electrodes (9) provided corresponding to the transistors; and a storage capacitance (70) electrically connected to the pixel electrodes and made of a first capacitance electrode (2), a second capacitance electrode (5) disposed opposite to the first capacitance electrode from an upper layer side and the capacitance insulating film (7) formed between the first and second capacitance electrodes.例文帳に追加

電気光学装置は、画素毎に設けられたトランジスタ（３０）と、トランジスタに対応して設けられた画素電極（９）と、画素電極に電気的に接続されており、第１容量電極（２）、第１容量電極に上層側から対向配置された第２容量電極（５）、及び第１容量電極及び第２容量電極間に形成された容量絶縁膜（７）からなる蓄積容量（７０）とを備える。 - 特許庁