「device layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(429ページ目) - Weblio英語例文検索

The intermediate transfer means evaluating device 7 brings an electrode 71 into contact with the surface of the elastic layer 60 of the intermediate transfer means 25, and connects a voltage source 72 to the drum 60 of the intermediate transfer means 25 and the electrode 71, then measures the current running between the drum 60 and the electrodes 71 with an ammeter 73 connected between the drum 60 and the voltage source 72.例文帳に追加

中間転写体評価装置７は、中間転写体２５の弾性体層６０の表面に電極７１を接触させ、電圧源７２を中間転写体２５のドラム６０と電極７１との間に接続して、ドラム６０と電圧源７２との間に接続された電流計７３により、ドラム６０と電極７１との間を流れる電流値を計測する。 - 特許庁

The semiconductor device has a selection gate electrode SG of a selection gate transistor ST and a perimeter gate electrode TG of a perimeter gate transistor TR, a first insulation film 30 and a first barrier film 31 on an impurity diffusion layer 28 between gate electrodes SG and TG and the side face of the gate electrode, and a second insulation film 32 filling between the gate electrodes SG and TG on the first barrier film 31.例文帳に追加

選択ゲートトランジスタＳＴの選択ゲート電極ＳＧ、及び周辺トランジスタＴＲの周辺ゲート電極ＴＧを有し、ゲート電極ＳＧ、ＴＧ間の不純物拡散層２８上及びゲート電極側面に第１絶縁膜３０、第１バリア膜３１を有し、第１バリア膜３１上にゲート電極ＳＧ、ＴＧ間を埋める第２絶縁膜３２を有する。 - 特許庁

The liquid crystal display device has a 1st liquid crystal display part, consisting of at two liquid crystal layers and a 2nd liquid crystal display part consisting of at least one liquid crystal layer are laminated, and is provided with a 1st drive circuit for driving the 1st liquid crystal display part and a 2nd drive circuit circuit for driving the 2nd liquid crystal display part.例文帳に追加

本発明に係る液晶表示装置は、少なくとも２層の液晶層からなる第１の液晶表示部と、少なくとも１層の液晶層からなる第２の液晶表示部とを積層してなる液晶表示装置であって、第１の液晶表示部を駆動する第１の駆動回路と、第２の液晶表示部を駆動する第２の駆動回路と、を備える。 - 特許庁

The film member of the display part is used as a movable film member 101 or fixed film member of the movable film type display device, and has a display part 2 composed of a colored film 9 provided with a colored layer which contains a binding material having a softening temperature or glass transition temperature of 100 degrees C or more as an essential ingredient at least at one side of a substrate film.例文帳に追加

本発明に係る表示部フィルム部材は、可動フィルム型表示装置の可動フィルム部材１０１又は固定フィルム部材として用いられるものであって、基材フィルムの少なくとも片面に軟化温度又はガラス転移点が１００℃以上の結着材を必須成分とする着色層を設けた着色フィルム９からなる表示部２を備えている。 - 特許庁

To obtain a terminal box with high safety, capable of preventing breakage and splashing of terminal box component material caused by rise in the internal pressure by the action of the bursting device when layer short arc is generated at the terminal box for the dynamo-electric machine and also minimizing hazards, affecting on peripheral equipment or person due to jetting of arc or splash of the component material of the terminal box at bursting.例文帳に追加

回転電機の端子箱において相間短絡アークが発生した際、放圧装置の働きにより内圧上昇を原因とする端子箱構成材の破損・飛散を防止するのみならず、放圧時はアークの噴出や端子箱の構成材等の飛散により周囲の機器あるいは人身に及ぼす危害を減らし、安全性が高い端子箱を得ること。 - 特許庁

The semiconductor device includes an interlayer insulation film 36 formed above a semiconductor substrate 10, the conductor 50 containing Cu formed in the interlayer insulation film 36, and a barrier metal film 46 formed between the interlayer insulation film 36 and the conductor 50 and formed of a multilayer film of a Ti film 42 and a Ta film 44, and an interface layer 54 containing Ti and Si is formed on the surface of the conductor 50.例文帳に追加

半導体基板１０の上方に形成された層間絶縁膜３６と、層間絶縁膜３６内に形成されたＣｕより成る配線５０と、層間絶縁膜３６と配線５０の間に形成され、Ｔｉ膜４２とＴａ膜４４との積層膜より成るバリアメタル膜４６とを有し、配線５０表面に、ＴｉとＳｉとを含む界面層５４が形成されている。 - 特許庁

On the premise that the installation for handling radioactive contaminants, such as a glove box, where the photocatalysis layer is formed on the inner wall surface and which is equipped with the decontamination device using an ultraviolet-ray decontamination method, the upper end part inside the installation for handling radioactive contaminants includes a mist nozzle (a washing water atomizing nozzle) and a washing water circulator equipped with a filter for the installation is provided.例文帳に追加

内壁面に光触媒層が形成されていて、紫外線除染方法による除染装置を備えている、グローブボックスなどの放射性汚染物取扱設備を前提にして、 上記放射性汚染物取扱設備内上端部にミストノズル（洗浄水噴霧ノズル）を設け、上記放射性汚染物取扱設備濾過装置を備えた洗浄水循環装置を設けてあること。 - 特許庁

In this electro-optical device, a scanning line driving circuit 400 and a data line driving circuit 200 which make a TFT (thin film transistor) having a channel region consisting of a single crystal silicon layer one of structural elements are formed on an active matrix substrate and N-channel TFTs which form source-tie structure are used in the scanning line driving circuit 400 and the data line driving circuit 200.例文帳に追加

本発明の電気光学装置は、アクティブマトリクス基板上に、単結晶シリコン層からなるチャネル領域を有するＴＦＴを構成要素の一つとする走査線駆動回路４００およびデータ線駆動回路２００が形成され、走査線駆動回路４００およびデータ線駆動回路２００にソースタイ構造をなすＮチャネルＴＦＴが用いられている。 - 特許庁

In a semiconductor laser device in a laser module used for a wavelength division multiplex transmission apparatus, the amount of a distorsion occurring on an active layer is changed, and hence the difference between a gain peak wavelength and an oscillation wavelength is reduced by adjusting the thicknesses of an insulating film having stress, an electrode film, and a distorsion adjusting film, or by making use of stress occurring upon mounting a chip carrier and a stem.例文帳に追加

波長多重伝送装置に用いるレーザモジュール内の半導体レーザ素子において、膜応力を持った絶縁膜、電極膜、ひずみ調整膜の膜厚を調節する、またはチップキャリアやステムを実装する時に発生する応力を利用することによって、活性層に発生するひずみ量を変化させ、利得ピーク波長と発振波長とのずれを小さくする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a laminated semiconductor circuit board in which a plated conductive film can be surely embedded, by electrolytic plating, into a through-hole of a laminated semiconductor circuit board having a plurality of circuit boards which are bonded together, and an undesired seed layer can be readily removed after the termination of the electrolytic plating process, and a method of manufacturing a laminated semiconductor device using the same.例文帳に追加

複数の回路基板が貼り合わされた積層半導体回路基板の貫通孔に電解メッキによって確実にメッキ導電膜を埋め込むことができるとともに、電解メッキ工程の終了後に不要なシード層を容易に除去することができる積層半導体回路基板およびそれを用いた積層半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This inspection device 20 is provided with: lighting systems 23a to 23c for applying light to the base material 10, the light including specific wavelength components increasing a difference between the reflectivity of the pads 11a and 11b and the reflectivity of the plated layer 12; a monochromatic camera 22 for imaging the base material 10 to acquire a gray image; and an image processor 30 connected to the monochromatic camera 22.例文帳に追加

外観検査装置２０は、被検査基材１０に対してパッド部１１ａ、１１ｂからの反射率と、めっき層１２からの反射率との差が大きくなる特定波長成分を含む光を照射する照明装置２３ａ−２３ｃと、被検査基材１０を撮像してグレー画像を取得するモノクロカメラ２２と、モノクロカメラ２２に接続された画像処理装置３０とを備えている。 - 特許庁

This light emitting device has a light-emitting element, having a light-emitting layer composed of a nitride-based compound semiconductor, and a phosphor which absorbs light emitted from the light-emitting element and emits fluorescence, having a wavelength which is different from that the absorbed light; and the phosphor contains an alumina phosphor, containing at least either chromium or titanium, and an yttrium-aluminum-garnet-based phosphor containing cerium.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体からなる発光層を有する発光素子と、発光素子が発光する光を吸収して、吸収した光の波長とは異なる波長を有する蛍光を発する蛍光体とを有する発光装置であって、蛍光体は、クロム又はチタンの少なくとも一方を含むアルミナ蛍光体と、セリウムが含有されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体とを含む。 - 特許庁

A solid state imaging device of single layer electrode structure having a planar surface is fabricated by forming an interelectrode insulating film 6 on the sidewall of a first electrode 3 and then etching back a second electrode 7 using mask patterns 4 and 5 for forming the pattern of the first electrode as an etching stopper.例文帳に追加

単層電極構造の固体撮像素子を形成するに際し、第１の電極３の側壁に電極間絶縁膜６を形成したのち、第１の電極のパターンを形成するためのマスクパターン４，５をエッチングストッパとして第２の電極７をエッチバックするようにし、平坦な表面をもつ単層電極構造の固体撮像素子を形成するようにしたことを特徴とする。 - 特許庁

Film deposition is performed using an oxide semiconductor target containing an insulator (an insulating oxide, an insulating nitride, silicon oxynitride, aluminum oxynitride, or the like), typically SiO_2, so that the semiconductor device in which the Si-element concentration in the thickness direction of the oxide semiconductor layer has a concentration gradient which increases in accordance with an increase in a distance from a gate electrode is realized.例文帳に追加

絶縁物（絶縁性酸化物、絶縁性窒化物、若しくは酸窒化シリコン、酸窒化アルミニウムなど）、代表的にはＳｉＯ_２を含む酸化物半導体ターゲットを用いて成膜を行い、酸化物半導体層の膜厚方向におけるＳｉ元素濃度が、ゲート電極に近い側からゲート電極に遠い側に増加する濃度勾配を有する半導体装置を実現する。 - 特許庁

To provide various substrates having good flatness and surface roughness in a high-precision area with the material of itself without providing a coated layer and the like, preferably a substrate for a liquid crystal display, a substrate for an electronic device such as a semiconductor wafer and information recording substrate, and further preferably, a mask substrate for EUV lithography; and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

被覆層等を設けることなくそれ自身の材料のみで、高精度領域における良好な平面度と表面粗さを兼ね備えた各種基板、好ましくは、液晶ディスプレイ用基板、半導体ウエハーまたは情報記録媒体用基板等の電子デバイス用基板、より好ましくはＥＵＶリソグラフィー用マスク基板、およびそれらの製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide an optical disk device and a method for controlling the same which can appropriately perform additionally recording without destroying recorded information even when the inclined state of a disk with respect to the optical axis of a light beam has changed from the inclined state thereof in previous recording, in a guide layer separation type optical disk, and can perform a stable erasure operation even in a rewritable disk.例文帳に追加

ガイド層分離型の光ディスクにおいて光ビームの光軸に対するディスクの傾斜状態が前回記録時の傾斜状態から変化していてもその記録済みの情報を破壊することなく適切に追加記録することができ、書き換え可能なディスクにおいても安定したイレース動作が行える光ディスク装置およびその制御方法を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device wherein an outside connection terminal 50 electrically connecting the electrode 12 of a semiconductor element through a wiring pattern 52 to the electrode formation face of the semiconductor element is formed, the outside connection terminal 50 is formed of a wire consisting of an electrically conductive material, and the bonding part side of the wire is provided to be buried in a metal layer forming the wiring pattern 52.例文帳に追加

半導体素子の電極形成面に、配線パターン５２を介して半導体素子の電極１２と電気的に接続する外部接続端子５０が形成された半導体装置において、前記外部接続端子５０が、導電材からなるワイヤにより形成され、該ワイヤのボンディング部側が前記配線パターン５０を形成する金属層に埋没して設けられていることを特徴とする。 - 特許庁

When this semiconductor device is mounted on an external substrate, the stress wave propagated to the junctions of conductor bumps immediately below the chip 2 from the periphery of the chip 2 due to the difference between the coefficients of linear expansion of the chip 2 and external substrate is relieved by the adhesive layer 8 extended outward beyond the outer periphery of the chip 2, and the shearing forces at the junctions are reduced.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置を外部基板に実装した場合、半導体チップ２と外部基板との線膨張係数差に起因して半導体チップの外縁からその直下に位置する導体バンプの接合部に伝播する応力波は、上記半導体チップ２よりも外側に延びた接着層８によって緩和され、該接合部におけるせん断力が低減される。 - 特許庁

To provide a sample pre-processing technique for locally cutting out the place desired to be analyzed of a device to form a needle-like projection, and a technique capable of subjecting even a sample having a multilayered structure, which contains an element layer of a small evaporation electric field in the circumstances described hereinbelow, to sequential stable ion evaporation to enable SAP analysis of an atomic level.例文帳に追加

本発明が解決しようとする課題は、デバイスの分析したいところを局所的に切出して針状突起にする試料予備加工の技術を提示すると共に、後述する事情の中で小さな蒸発電界の元素層を含む多層構造の試料であっても順次の安定したイオン蒸発を可能とし、原子レベルのＳＡＰ分析を可能とする技術を提供することにある。 - 特許庁

To provide a development apparatus which can reliably eliminate the leakage of the developing agent through between the case and the layer thickness limiter even if the limiter is made small in the direction orthogonally crossing the lengthwise direction of the developing agent carrier, a process cartridge, an image forming device equipped with such a developing unit or a process cartridge, and an assembling method of such a developing unit.例文帳に追加

現像剤担持体の長手方向に直交する方向における層厚規制部材の寸法を小さくしても、筐体と層厚規制部材との間からの現像剤の漏れを確実に防止できる現像装置、プロセスカートリッジ、および、そのような現像装置またはプロセスカートリッジを備える画像形成装置、ならびにそのような現像装置の組立方法を提供すること。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor device using the ferroelectric film includes: the conductive barrier film 17 formed on a semiconductor substrate 10 and composed of a conductive metal oxide film; and a capacitative element 22 which is obtained by sequentially forming a lower electrode 18, a capacitive insulating film 20 having a bismuth layer perovskite-type structure, and an upper electrode 21, arranged in this order on the conductive barrier film 17.例文帳に追加

強誘電体膜を用いた不揮発性の半導体装置は、半導体基板１０上に形成され、導電性金属酸化膜からなる導電性バリア膜１７と、導電性バリア膜１７の上に、下部電極１８、ビスマス層状ペロブスカイト型構造を有する容量絶縁膜２０及び上部電極２１が順に形成されてなる容量素子２２とを備える。 - 特許庁

The liquid crystal display device includes an upper substrate and a lower substrate which are disposed opposite each other, a liquid crystal layer formed between the upper substrate and lower substrate, a common electrode and a pixel electrode which are formed in a pixel area on the lower substrate in parallel to each other, and the polymer wall disposed between the upper substrate and lower substrate.例文帳に追加

本発明による液晶表示装置はお互いに対向するように配置されている上部基板及び下部基板と、前記上部基板及び下部基板の間に形成された液晶層と、前記下部基板上の画素領域にお互いに平行に形成された共通電極及び画素電極、前記上部基板及び下部基板の間に位置するポリマー壁を含む。 - 特許庁

This management device for commercial transaction of environmental commodity 11 comprises a main server 12 for collectively controlling management layer values; a database server 13 for retaining various pieces of information such as environmental numerical values of environmental commodities, commercial transaction states of customers, and the like in a database; and a Web server 14 connected to Internet to open a shop site for merchandizing the environmental commodities.例文帳に追加

環境商品の商取引の管理装置１１は、管理層値を統括的に制御するメインサーバ１２と、環境商品の環境数値および顧客の商取引状況などの各種情報をデータベース化して保有するデータベースサーバ１３と、インターネットに接続され環境商品を取引する店舗のサイトが開設されるウェブサーバ１４とを含んで構成される。 - 特許庁

A power supply control device comprises a request output determination means 24 for determining a request output Pn which is requested of the whole of a lithium ion secondary battery and an electric double layer capacitor based on an operation and a running state, and a control function determination means 25 having a plurality of output limit functions ft and determining one output limit function ft, or the like.例文帳に追加

電源制御装置は、操作と走行状態とに基づいて、リチウムイオン二次電池及び電気二重層キャパシタの全体に要求されている要求出力Ｐｎを決定する要求出力決定手段２４と、複数の出力制限関数ｆｔ等を有し、一の出力制限関数ｆｔ等を決定する制御関数決定手段２５とを備える。 - 特許庁

In a cylindrical reaction vessel having an inlet for introducing raw gas and an outlet for discharging the processed gas, a method of manufacturing a spherical semiconductor device for forming a diffusion layer wherein the impurities in the raw gas are diffused in the surface of a spherical semiconductor is carried out such that a spherical semiconductor may be flowed/rotated by rocking or rotating the reaction vessel.例文帳に追加

本発明は、処理ガスを導入する導入口およびガスを排出する排出口を有する円筒状の反応容器内において、球状の半導体の表面に処理ガス中の不純物を拡散させた拡散層を形成する球状半導体素子の製造方法において、反応容器を揺動または回転させることにより、球状の半導体を流動・回転させる。 - 特許庁

Further, the partial discharge detection device includes: an electrode, provided on the ground layer, for detecting a surface potential; wiring for detecting noise; subtraction means for calculating a difference between the surface potential detected by the electrode and the noise detected by the wiring; and display means for displaying a signal indicating the difference calculated by the subtraction means.例文帳に追加

また、この部分放電検出装置は、前記接地層に設置され、表面電位を検出する電極と、ノイズを検出する配線と、前記電極により検出された表面電位と、前記配線により検出されたノイズとの差分を算出する減算手段と、前記減算手段により算出された差分を示す信号を表示する表示手段と、を備える。 - 特許庁

To provide an image fixing device which fixes an unfixed toner image on a recording sheet by pressing a pressure member and an auxiliary pressure pad against an elastic layer of a heat roll, wherein a fixed image having excellent fixing property and free of a picture quality defect is obtained by optimizing the pressing force of those pressure member and auxiliary pressure member to the heat roll.例文帳に追加

加熱ロールの弾性層に加圧部材及び補助加圧パッドを押し付けて未定着トナー像を記録シートに定着するタイプの画像定着装置において、これら加圧部材及び補助加圧部材の加熱ロールに対する圧接力を最適化することにより、定着性が良好で且つ画質欠陥のない定着画像を得ることが可能な画像定着装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a polarizing film which has excellent optical characteristics and uniform in-plane optical characteristics, the polarizing film obtained by this manufacturing method, an optical film formed by laminating this polarizing film and another optical layer, and an image display device to which this polarizing film and the optical film are applied.例文帳に追加

偏光フィルムの製造方法において、光学特性に優れるとともに、面内の光学特性が均一な偏光フィルムの製造方法を提供することを目的とし、さらには、この製造方法で得られた偏光フィルムや、この偏光フィルムと他の光学層を積層した光学フィルムおよび、この偏光フィルムあるいは光学フィルムを適用した画像表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The display device 100 has a plurality of first electrodes 11, a plurality of pixel electrodes 14 electrically connected respectively to at least one of the plurality of first electrodes via at least a bidirectional dual electrode element 12, a plurality of second electrodes 17, a display medium layer provided between the plurality of pixel electrodes 14 and the plurality of second electrodes 17.例文帳に追加

表示装置１００は、複数の第１電極１１と、それぞれが複数の第１電極のいずれか１つに少なくとも１つの双方向二端子素子１２を介して電気的に接続された複数の画素電極１４と、複数の第２電極１７と、複数の画素電極１４と複数の第２電極１７との間に設けられた表示媒体層とを有する。 - 特許庁

The reflective liquid crystal display device is constructed by arranging a first substrate with an Al reflection pixel electrode 12 formed thereon and a transparent second substrate with an ITO counter transparent electrode 9 formed thereon so as to place the reflection pixel electrode 12 and the counter transparent electrode 9 opposite to each other, and injecting a liquid crystal layer 8 in a gap between the first and second substrates.例文帳に追加

Ａｌ反射画素電極１２を形成してなる第１の基板と、ＩＴＯ対向透明電極９を形成してなる透明な第２の基板とを、反射画素電極１２と前記対向透明電極９とが対向するように配置し、これら第１の基板と第２の基板との間隙に液晶層８を注入してなる反射型液晶表示装置。 - 特許庁

In a semiconductor device in which a plurality of fuse wires 2 are formed on an interlayer insulating film 3 in an upper layer on a semiconductor substrate 1, grooves 7 are formed on the interlayer insulating film 3 between adjacent fuse wires 2, and a silicon nitride film 8 of a specified thickness is so formed as to cover the sides and the upper face of each fuse wire 2.例文帳に追加

半導体基板１の上層において層間絶縁膜３上に形成された複数のヒューズ用配線２を備えた半導体装置であって、層間絶縁膜３には、隣接するヒューズ用配線２間において溝７が形成されており、ヒューズ用配線２の側面から上面にかけてを覆うように所定の膜厚のシリコン窒化膜８が形成されている。 - 特許庁

The organic EL display device is provided with a substrate, a first electrode formed on the substrate, one or more organic layers at least involved in luminescent function, and a second electrode formed on the organic layer, and it is so structured in the manufacturing method that at least one of the above layers is formed by a method of application and patterned by a lift-off method.例文帳に追加

基板と、この基板上に形成された第１の電極と、少なくとも発光機能に関与する１種類以上の有機層と、この有機層上に形成された第２の電極とを有し、前記有機層の少なくとも１層が塗布法により形成され、かつリフトオフ法によりパターニングされている構成の有機ＥＬ表示装置および製造方法とした。 - 特許庁

Further, the device has an external circuit connection terminal 102 made of the same film as the relay layer 93 and partially exposed through an opening 810 formed in the interlayer insulating film 43, and adjusting films 611 and 612 partially overlapping the opening 810 in a plan view and made of the same films of the lower capacitor electrode 71 and the upper capacitor electrode 300a, respectively.例文帳に追加

更に、中継層９３と同一膜からなると共に、層間絶縁膜４３に開口された開口部８１０から一部が露出する外部回路接続端子１０２並びに、平面的に見て開口部８１０と部分的に重なると共に、下部容量電極７１及び上部容量電極３００ａの各々と同一膜からなる調整膜６１１及び６１２とを備える。 - 特許庁

To provide a method and a device for measuring soil property core specific resistance capable of accurately reading with a distribution of specific resistance a thin layer inside a core sample without any oversight and of performing accurate measurement of specific resistance without generating any turbulence in a current near the edge of the core sample even when measuring where a current electrode is arranged at the edge of the core sample.例文帳に追加

コア試料内部の薄層を比抵抗分布状況により見落としなく正確に地層分布を判読することができ、コア試料端に電流電極を設置して測定した場合でもコア試料端近傍で電流に乱れが生じることがなくて正確な比抵抗の測定ができる土質コア比抵抗測定方法及び測定装置を提供すること。 - 特許庁

The developing device has a rotationally driven developing roller 20 and a toner carrier 10 constituted of a cylindrical, cylindrical thin layer member having longer peripheral length than the peripheral length of the roller 20 and fitted on the roller 20 and by applying bias between the toner carrier 10 and the roller 20, the toner carrier 10 and the roller 20 are rotated while they are brought into close contact with each other by electrostatic power.例文帳に追加

回転駆動する現像ローラ２０と、現像ローラ２０の周長よりも長い周長を有して前記現像ローラ２０に外装された筒状の薄層部材をトナー担持体１０とし、そのトナー担持体１０と現像ローラ２０との間にバイアスを印加して、その静電力により、前記トナー担持体１０と現像ローラ２０とを密着させつつ回転させる。 - 特許庁

The semiconductor laser device is provided with a semiconductor laser element chip 2 which generates a laser beam in a main wavelength region (about 785 nm), and a transmittance control layer 11 for controlling the emission of laser beams in other wavelength regions to the outside when the laser beams in other wavelength regions different from the main wavelength region are generated in the semiconductor laser element chip 2.例文帳に追加

この半導体レーザ装置は、主たる波長領域（約７８５ｎｍ）のレーザ光を生成する半導体レーザ素子チップ２と、半導体レーザ素子チップ２において主たる波長領域とは異なる他の波長領域のレーザ光が生成された場合に、他の波長領域のレーザ光の外部への出射を制御する透過率制御層１１とを備えている。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device 1 constituted by joining the second substrate 200 to the first substrate 100 having the element region 110 to seal the element region 110 includes feeding electricity to a heating metal layer 150 when the first substrate 100 and second substrate 200 are joined together with a substrate joining member 160 interposed.例文帳に追加

素子領域１１０を有する第１基板１００に、前記素子領域１１０を封止するために、第２基板２００を接合してなる半導体装置１を製造する方法であって、第１基板１００と第２基板２００とを基板接合部材１６０を介して接合させる際に、加熱金属層１５０に通電させることを特徴とする半導体装置１の製造方法。 - 特許庁

This semiconductor device manufacturing method is composed of a process wherein the collector region is formed from the first conductivity type semiconductor substrate 1, and a process wherein the first conductivity type emitter region 6 is formed in the vicinity of the surface of the impurity diffusion layer 5 using a side wall 4 as a mask.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板１からコレクタ領域を形成する工程と、前記コレクタ領域の表面近傍に、配線３をマスクとして第２導電型の不純物拡散層５を形成する工程と、前記不純物拡散層５の表面近傍に、サイドウオール４をマスクとして第１導電型のエミッタ領域６を形成する工程とを備える半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device that can form a small molecule organic semiconductor material having characteristics of being very weak against water in a fine pattern adjustable to several μm without using a shadow mask, and uses the small molecule organic semiconductor material without damaging the small molecule organic semiconductor layer in the fine pattern.例文帳に追加

本発明は、水分に非常に弱い特性を有する低分子有機半導体物質をシャドーマスクを利用しないで数μｍまで調節可能な微細パターンで形成することができ、微細パターンされた低分子有機半導体層の損傷なしに低分子有機半導体物質を利用した液晶表示装置用アレイ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a two-compartment cleaning electrolytic water producing device generating cleaning electrolytic water by the electrolysis of pure water or ultrapure water and using a solid high molecular electrolyte, the anode 3 of an anode compartment is flattened to 10-80% smoothness, and the surface of an expanded titanium substrate having 0.5-2.0 mm indention width is coated with an active layer.例文帳に追加

純水または超純水の電気分解により洗浄用電解水を生成させる固体高分子電解質を用いた二室型洗浄用電解水の生成装置において、陽極室の陽極３が、平滑度10〜80％にフラット加工され、かつ刻み幅が0.5〜2.0mmであるエキスパンドチタン基体表面に活性層を被覆させてなることを特徴とする洗浄用電解水の生成装置である。 - 特許庁

In the semiconductor device having a substrate, elements on the substrate, and a sealing structure for sealing the elements, a partition wall made of a metal material formed so that the elements are surrounded and a lid section installed on the partition wall are joined via an adhesive layer made of an inorganic material on the substrate by a plating method for the sealing structure.例文帳に追加

基板と、前記基板上の素子と、前記素子を封止する封止構造体と、を有する半導体装置であって、前記封止構造体は、前記基板上にメッキ法により、前記素子を囲むように形成された金属材料よりなる隔壁と、該隔壁上に設置される蓋部とが、無機材料よりなる接合層を介して接合された構造を有することを特徴とする半導体装置。 - 特許庁

The manufacturing method of the liquid crystal display device includes a step of providing the upper and lower substrates, a step of forming the common electrode and pixel electrode disposed on the lower substrate in parallel to each other, a step of bonding the upper and lower substrates together to form the liquid crystal layer, and a step of forming the polymer wall between the upper and lower substrates.例文帳に追加

本発明による液晶表示装置の製造方法は上部及び下部基板を提供する段階と、下部基板上にお互いに平行に配置される共通電極及び画素電極を形成する段階と、前記上部及び下部基板を合着して、液晶層を形成する段階と、上部及び下部基板の間にポリマー壁を形成する段階を含む。 - 特許庁

In a semiconductor device having a damascene structure, a TaN film 7 and a Ti film 8 composed of Ti exhibiting good wettability to Cu are formed respectively, as a barrier layer, on the inside walls of a wiring groove G2 and a via hole V2 formed in a second interlayer insulating film 6, so that a Cu seed film 9a can be formed uniformly on the Ti film 8.例文帳に追加

ダマシン配線を有する半導体装置において、第２層間絶縁膜６に形成した配線溝Ｇ２およびビアホールＶ２のそれぞれの内壁にバリア膜としてＴａＮ膜７およびＣｕと濡れ性の良いＴｉからなるＴｉ膜８とを順に形成することにより、Ｔｉ膜８上に均一にＣｕシード膜９ａを形成することを可能とする。 - 特許庁

In the coating film removing device for the cylindrical electrophotographic photoreceptor having the photo conductive layer applied and formed on the surface by the dip coating method, inside wiping bodies in the inside and outside wiping bodies are provided in upper and lower 2 stages and a wiping body main part of the upper stage wiping body is intermittently formed.例文帳に追加

浸漬塗布法により光導電層が表面に塗布形成された円筒状電子写真用感光体の塗布膜除去装置において、前記内外面各拭取体のうち内面拭取体が上下二段に設けられ、かつ上段の拭取体の拭取体主要部を間欠状に構成した円筒状電子写真用感光体の塗布膜除去装置とすることにより達成される。 - 特許庁

The polysilicon film formed like an island as a semiconductor layer 1a constituting a TFT 30 as a switching element is heated by means of a sheet-fed semiconductor manufacturing device using a resistance-heating-type heater as a heat source under temperature conditions for releasing film stress occurring in oxidative reaction on the surface of the polysilicon film to form a gate insulation film 2 made of the silicon oxide film.例文帳に追加

スイッチング素子としてのＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａとして島状に形成されたポリシリコン膜に、抵抗加熱式のヒータを熱源とする枚葉式の半導体製造装置を用い、ポリシリコン膜の表面に酸化反応時に発生する膜応力を解放する温度条件で加熱を行ってシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜２を形成する。 - 特許庁