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device layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 21674



例文

When a plasma display panel (PDP) is driven by applying various kinds of pulses to the PDP provided with a phosphor layer containing a secondary electron emission material in each discharge cell, a driving pulse having a pulse wave form different between during the time elapsed prescribed time after the supplying power source of the plasma display device and after the prescribed time elapsed is produced.例文帳に追加

各放電セル内に二次電子放出材料を含む蛍光体層を備えたPDPに各種駆動パルスを印加することによりこのPDPを駆動するにあたり、プラズマディスプレイ装置の電源投入時点から所定期間経過するまでの間とこの所定期間経過後とで、異なるパルス波形を有する駆動パルスを生成する。 - 特許庁

A semiconductor optical device 100 is equipped with a current injection region 112 and a current non-injection region 114 in the optical axis direction of an optical waveguide layer 102, where an isolation groove 116 for electrically isolating the regions 112 and 114 from each other is provided between the regions 112 and 114.例文帳に追加

光導波路層102の光軸方向に電流注入領域112と電流非注入領域114とを有する半導体光素子100において,前記電流注入領域112と前記電流非注入領域114との間には,前記両領域間112,114を電気的に分離するための分離溝116が形成される。 - 特許庁

This semiconductor device including a capacitive element includes: metal wiring 200a and a lower electrode 200b each including an aluminum alloy film 102 and an upper-layer barrier film 103 including a high-melting-point metal film; a capacitance insulating film 104 formed on the lower electrode 200b; and an upper electrode 105 formed on the capacitance insulating film 104.例文帳に追加

本発明は、容量素子を有する半導体装置であって、アルミニウム合金膜102と、高融点金属膜を含む上層バリア膜103とを含む金属配線200aおよび下部電極200bと、下部電極200b上に形成された容量絶縁膜104と、容量絶縁膜104上に形成された上部電極105とを有する。 - 特許庁

To provide a multilayer optical recording medium whose manufacturing method is relatively easy, and in which a reflectance change having good responsiveness is obtained and an intermediate reflective layer having a large reflectance changing width is provided, a multilayer optical recording medium with which multiple recording/reproducing can be performed with a single optical head, and its driving device.例文帳に追加

製造方法が比較的容易で、応答性の良い反射率変化を得ることができ、反射率の変化幅のおおきい中間反射層を有する多層光記録媒体の提供、および、単一の光ヘッドで多重記録とその再生が可能である多層光記録媒体および該多層光記録媒体用ドライブ装置の提供。 - 特許庁

例文

A semiconductor device comprises a memory cell including a first transistor 160, a second transistor 162, and an insulation layer 128 provided between a source region or a drain region 120 of the first transistor 160 and a channel formation region 144 of the second transistor 162.例文帳に追加

第1のトランジスタ160と、第2のトランジスタ162と、第1のトランジスタ160のソース領域またはドレイン領域120と、第2のトランジスタ162のチャネル形成領域144との間に設けられた絶縁層128と、を含むメモリセルを有し、第1のトランジスタ160と、第2のトランジスタ162とは、少なくとも一部が重畳して設けられる半導体装置である。 - 特許庁


例文

In a semiconductor device, bump terminals 13 coated with conductor metal layers are arranged on the outside connecting pads 3a of a semiconductor package 9, and an assembled electrode layer 15 composed of a plurality of bundled or interwinded fibrous electrodes 14 is arranged on the connection pad 12a of a wiring board 10 for mounting.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、半導体パッケージ9の外部接続パッド3a上に、表面に導体金属層13bが被覆された突起状電極端子13が配設され、実装用配線基板10の接続パッド12a上に、繊維状電極14の複数本が集束しまたは絡み合って集合した集合電極層15が配設されている。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a protective element region 13 and a memory cell region 12 which are formed separately across an element separation region 14 on a first conductive region 1, a MONOS memory cell formed on the memory cell region 12, a MOS transistor formed on the protective element region 13, and a first conductive diffusion layer 5 formed in the protective element region 13.例文帳に追加

第1導電型領域1上に素子分離領域14で分離形成された保護素子領域13およびメモリセル領域12と、メモリセル領域上に形成されたMONOS型メモリセルと、保護素子領域上に形成されたMOS型トランジスタと、保護素子領域に形成された第1導電型拡散層5とを備える。 - 特許庁

Thus as a result of using the liquid crystal layer in which the alignment directions of the liquid crystal molecules are controlled so as to be different from one another in the pixel for securing a wide visual field angle, the liquid crystal display device 1 having high display quality without roughness can be realized, even though not only the edge region of a pixel electrode but also the boundary region of domains exist.例文帳に追加

これにより、広視野角確保のために、液晶分子の配向方向が画素中で互いに異なるように制御される液晶層を用いた結果、画素電極のエッジ領域だけではなく、ドメインの境界領域が存在しているにも拘らず、ザラツキがなく、表示品位の高い液晶表示装置1を実現できる。 - 特許庁

In a polycrystalline silicon thin film transistor whose carrier transport mechanism at a grain boundary is dominant over transistor characteristics, the flow density of carriers that pass through the grain boundary in the active layer is calculated considering scattering effects of free carriers in the grain boundary, and on the basis of the result, a parameter which is dominant over device characteristics is determined.例文帳に追加

結晶粒界のキャリア輸送メカニズムがトランジスタ特性に対して特に支配的である多結晶シリコン薄膜トランジスタにおいて、活性層中の結晶粒界を通過するキャリア流密度を、結晶粒界における自由キャリアの散乱効果を考慮して算出し、これを基にデバイス特性を支配するパラメータを決定する。 - 特許庁

例文

The automatic developing device includes an external tank heating part which includes an external tank capable of recovering a developer for developing an image recording layer of the lithographic printing plate precursor out of a passage in which development processing is performed, and which heats the developer stored in the external tank to generate an aggregate in the developer; and a filter part which collects the aggregate.例文帳に追加

平版印刷版原版の画像記録層を現像処理する現像液を、現像処理が行なわれる経路の外に回収可能な外部タンクを備え、外部タンクに収容された現像液を加熱して、現像液中に凝集物を発生させる外部タンク加熱部と、凝集物を捕集するフィルタ部とを備えている。 - 特許庁

例文

The airflow generating device 10 includes: a dielectric 20 made of a solid; a first electrode 30 disposed on one side surface 20a of the dielectric 20; a second electrode 31 disposed oppositely to the first electrode 30 in the vicinity of the other side surface 20b of the dielectric 20; and an ozone decomposing layer 40 which is formed on the one side surface 20a of the dielectric 20.例文帳に追加

気流発生装置10は、固体からなる誘電体20と、誘電体20の一方の表面20aに設けられた第1の電極30と、誘電体20の他方の表面20b近傍に、第1の電極30に対設された第2の電極31と、誘電体20の一方の表面20a上に形成されたオゾン分解層40とを備える。 - 特許庁

Relating to the deodorizing and hot air generating device with gum removing unit and the gum removing unit provided in the burner directly firing type coating/baking drying furnace, the gum component generated in the coating/baking drying furnace is effectively removed to be deodorized, so that the maintenance cycle is prolonged only by providing the gum removing unit before a deodorizing layer.例文帳に追加

ヤニ取りユニット付き脱臭兼用熱風発生装置及びバーナ直火式塗装焼付乾燥炉に設けられるヤニ取りユニットに於て、脱臭層の前にヤニ取りユニットを設けたで、塗装焼付乾燥炉に於て発生したヤニ成分を脱臭兼用熱風発生装置により効果的に除去して脱臭するからメインテナンス期間が長期化する。 - 特許庁

A step of forming a device (TFT layer 12) on a substrate 11 includes a step (S11) of forming a thin film, a step (S12) of forming a photoresist film on the thin film, a step (S13) of exposing the photoresist film using an exposure mask M1, and a step (S15) of etching the exposed photoresist film.例文帳に追加

基板11上にデバイス(TFT層12)を形成する工程は、薄膜を形成する工程(工程S11)と、薄膜上にフォトレジスト膜を形成する工程(工程S12)と、露光マスクM1を用いてフォトレジスト膜に対して露光を行う露光工程(工程S13)と、露光がなされたフォトレジスト膜をエッチングする工程(工程S15)とを含んでいる。 - 特許庁

A radiographic device 1 comprises a pixel unit 10A having a photodiode over a substrate 11, a circuit unit 10B that is arranged in an area peripheral to the pixel unit 10A over the substrate 11 and drives the pixel unit 10A, and a scintillator layer 22 that is disposed over the pixel unit 10A and converts the wavelength of the radiation to a wavelength in the sensitivity range of the photodiode.例文帳に追加

放射線撮像装置1は、基板11上に、フォトダイオードを有する画素部10Aと、基板11上の画素部10Aの周辺領域に配設され、画素部10Aを駆動する回路部10Bと、画素部10A上に設けられ、放射線の波長をフォトダイオードの感度域の波長に変換するシンチレータ層22とを備える。 - 特許庁

To provide an electrostatic charging member with which electrostatic charging stable for a long period can be performed be excellent static charge characteristics even when a high-fineness image is outputted and which does not contaminate an electrophotographic photoreceptor by exudation of pollutant materials from a base layer and an image forming device, electrostatic charging method and process cartridge using this electrostatic charging member.例文帳に追加

高精細画像を出力した場合においても、良好な帯電特性により、長期間安定した帯電が行え、かつ基層から汚染性物質が染み出て電子写真感光体を汚染することのない帯電部材、該帯電部材を用いた画像形成装置、帯電方法及びプロセスカートリッジを提供することにある。 - 特許庁

In a driving method for a semiconductor device in which writing with multiple values is performed, a signal line for controlling on/off of a writing transistor for writing is disposed along a bit line in a memory cell including a transistor including an oxide semiconductor layer, and the voltage applied to a capacitor at the readout operation is also utilized at the writing, thereby performing writing with multiple values.例文帳に追加

多値書き込みを行う半導体装置の駆動方法において、酸化物半導体層を含むトランジスタを用いたメモリセルに、書き込みを行う書き込みトランジスタのオンオフを制御する信号線を、ビット線に沿うように配置し、読み出し動作時に容量素子に与える電圧を書き込み時にも利用して、多値書き込みを行う。 - 特許庁

A record erasing device, which is provided a first heater substrate 5 and a pressure roller 7 for pressing the thermal recording medium against the first heater substrate, erases a visible image, which is recorded on the thermal recording medium, by applying heating treatment within a predetermined range of color erasing temperature to the thermal recording medium with a recording layer reversibly developing/erasing a color by heating.例文帳に追加

熱により可逆的に発色及び消色する記録層をもつ感熱記録媒体を所定の消色温度範囲内で加熱処理することにより、その感熱記録媒体上に記録された可視画像を消去する記録消去装置に、第1ヒータ基板5と、感熱記録媒体を第1ヒータ基板に押し付けるための加圧ローラ7とを設ける。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a TFT having good transistor characteristics even when a polycrystal semiconductor film obtained by laser- annealing a noncrystalline semiconductor film in an atmosphere except a vacuum as an active layer, and to provide a method for manufacturing an active matrix board and an electro-optic device using the active matrix board manufactured by this method.例文帳に追加

非晶質の半導体膜に真空を除く雰囲気においてレーザーアニールを施して得た多結晶半導体膜を能動層として用いた場合でも、良好なトランジスタ特性を有するTFTの製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、およびこの方法で製造したアクティブマトリクス基板を用いた電気光学装置を提供すること。 - 特許庁

In this semiconductor device, an electrode 2 on the semiconductor chip 1 and the electrode 2 on a substrate 4 are electrically connected so as to mutually face, and the electrode 2 on the semiconductor chip 1 and the electrode 2 on the substrate 4 are jointed via a metal compound layer 5, formed from a desired electrode material and the jointing material 3.例文帳に追加

半導体チップ1上の電極2と基板4上の電極2とが相互に対向するように電気的に接続された半導体装置であって、半導体チップ1上の電極2と基板4上の電極2とは、所望の電極材料と接合材料3とにより形成された金属化合物層5を介して接合されている。 - 特許庁

To protect a semiconductor chip and bonding wires against damage caused by concentration of stress induced by a linear expansion coefficient difference between the semiconductor chip, the bonding wire, and a resin layer that covers them in a resin-sealed semiconductor device where a package base of cavity structure with a two-stepped recess is used.例文帳に追加

2段の階段状凹部11を有するキャビティ構造のパッケージ基体8を用いた樹脂封止型半導体装置において、半導体チップ12およびボンディングワイヤ13とそれらを覆う樹脂層との間の線膨張係数の差に起因する応力の集中により、半導体チップ12およびボンディングワイヤ13が損傷するのを防止する。 - 特許庁

To establish a quality control method capable of inspecting a condition of a bonded layer of an electrostatic chuck assembly in the final process for manufacturing the electrostatic chuck assembly, or before attaching the assemble onto an actual device, and capable of stopping delivery or use of the assembly when defects such as a void exist exceeding a prescribed threshold value.例文帳に追加

静電チャック組立体を製造する最終工程で、あるいは同組立体を実際の装置に取り付ける前に、その静電チャック組立体の接着層の状態を検査し、ボイドなどの欠陥の存在が所定の閾値を越えたとき、その組立体の出荷あるいは使用を停止できる品質管理の方法を確立することである。 - 特許庁

A phosphor conversion light emitting device includes a light emitting layer disposed between n-type region and a p-type region, so as to emit light having a first peak wavelength; a first phosphor constituted so as to emit light having a second peak wavelength; a second phosphor constituted so as to emit light having a third peak wavelength.例文帳に追加

蛍光体変換発光デバイスが、n型領域とp型領域との間に配置され第1のピーク波長を有する光を発するように構成された発光層と、第2のピーク波長を有する光を発するように構成された第1の蛍光体と、第3のピーク波長を有する光を発するように構成された第2の蛍光体と、を具備する。 - 特許庁

The semiconductor device has a first interlayer insulating film formed on an insulating film and a gate electrode on a semiconductor layer, a second interlayer insulating film formed on the first interlayer insulating film, and contact holes formed in the second interlayer insulating film, the first interlayer insulating film and the insulating film.例文帳に追加

本発明における半導体装置において、半導体層上の絶縁膜およびゲイト電極上に形成された第1の層間絶縁膜と、前記第1の層間絶縁膜の上に形成された第2の層間絶縁膜と、前記第2の層間絶縁膜、前記第1の層間絶縁膜、および前記絶縁膜に設けられたコンタクトホールとを有する。 - 特許庁

The image forming device includes an electrophotographic photoreceptor and a toner, wherein the electrophotographic photoreceptor includes a photosensitive layer containing a compound having specified triaryl amine structure on an electrically conductive support, and an average circularity of the toner measured by a flow type particle image analyzer is 0.960 to 1.000.例文帳に追加

電子写真感光体及びトナーを備えた画像形成装置において、電子写真感光体が、導電性支持体上に特定のトリアリールアミン構造を有する化合物を含有する感光層を有する電子写真感光体であって、かつ 、トナーのフロー式粒子像分析装置によって測定される平均円形度が、0.960以上1.000以下である。 - 特許庁

The front substrate of the image display device comprises a metal back layer which is overlaid on the phosphor screen and composed of a plurality of divided electrodes 30, a common electrode 41 for supplying voltage to the divided electrode 30, and a connection resistance 43 which connects the divided electrode 30 to the common electrode 41.例文帳に追加

画像表示装置を構成する前面基板は、蛍光面に重ねて設けられているとともに分割された複数の分割電極30によって構成されたメタルバック層、分割電極30に電圧を供給するための共通電極41と、分割電極30と共通電極41とを接続する接続抵抗43と、を有している。 - 特許庁

The method of manufacturing a solar cell device of semiconductor comprises the steps of: doping a semiconductor wafer before a diffusion process with a group IV element on the periodic table, its compound or a mixture containing any of them from the surface layer becoming the light receiving surface side; and repairing crystal damage by annealing.例文帳に追加

また半導体の太陽電池デバイスの製造方法において、拡散工程前の半導体ウエハに対し、元素周期律表の第IV族元素又はその化合物或いはその何れかを含む混合物を受光面側となる表層からドーピングし、アニーリングにより結晶ダメージを修復することを特徴とする太陽電池デバイスの製造方法の構成とした。 - 特許庁

The fixing device consisting of the fixing belt, pressing member and pressure roller, is constituted so that the fixing belt is heated by a heating member to a temperature required to melt toner, the pressing member is disposed inside the fixing belt, the pressing member and pressure roller are pressed against each other via the fixing belt, and an insulative fluororesin layer is formed on the surfaces of the pressure roller and fixing belt.例文帳に追加

定着ベルト、押圧部材及び加圧ローラから構成される定着装置を、定着ベルトは加熱部材によりトナー溶融に必要な温度まで加熱され、押圧部材は定着ベルトの内側に配置され、定着ベルトを介して押圧部材と加圧ローラが押圧され、加圧ローラ表面及び定着ベルト表面に絶縁性フッ素樹脂層が形成されているようにする。 - 特許庁

This heat treatment device is provided with: a heat source 3; a plurality of thermoelectric modules 81 and 82 laminated toward the heat source 3; and a temperature setting layer 9 installed between the first thermoelectric module 81 installed at the low temperature side and the second thermoelectric module 82 installed at the high temperature side among the plurality of thermoelectric modules 81 and 82, and set to a predetermined temperature.例文帳に追加

熱源3と、該熱源3に向けて積層される複数の熱電モジュール81,82と、複数の上記熱電モジュール81,82のうち低温側に設置される第1熱電モジュール81と高温側に設置される第2熱電モジュール82との間に設置され、かつ、所定の温度に設定される温度設定層9とを備える。 - 特許庁

The problems can be solved by providing this adapter wherein the adapter for a gel-layer forming plate used for the submarine type or vertical type electrophoretic device agrees with the size of a multi-well plate which is the size of a general tray of an automatic dispenser, and this method capable of automatically dispensing accurately and quickly the sample into a hole on gel on a gel plate loaded on the adapter.例文帳に追加

サブマリン型及び垂直型電気泳動装置に用いるゲル層作成プレートのアダプタが自動分注器の一般的なトレイのサイズであるマルチウェルプレートのサイズに一致するアダプタ、並びに該アダプタに装填されるゲルプレートのゲル上のホールに自動的に試料を正確かつ迅速に分注できる方法を提供することによって達成される。 - 特許庁

The device further has a second semiconductor layer (1aa) having a high concentration region (210) that contains the same conductivity-type impurity as in the channel region, with a higher concentration than in the channel region, and comes into contact with at least a part of the channel region but does not come into contact with the data line side source drain region nor the pixel electrode side source drain region.例文帳に追加

更に、チャネル領域と互いに同じ導電型の不純物をチャネル領域よりも高濃度に含み、且つ、チャネル領域の少なくとも一部に接触すると共にデータ線側ソースドレイン領域及び画素電極側ソースドレイン領域に接触しない高濃度領域(210)を有する第2の半導体層(1aa)とを備える。 - 特許庁

The laminating device is constituted by having a delivery path 15 which delivers belt-like paper 13 formed with an adhesive layer on one surface to a lamination region T, a mount magazine which laminates and holds one sheet each of mounts 17, a laminate forming section 24 which is disposed in a position including the lamination region T and is capable of forming the laminates.例文帳に追加

片面に接着層が形成された帯状紙13を積層領域Tに送り出す送出路15と、台紙17を一枚ずつ積層して保持する台紙マガジン19と、積層領域Tを含む位置に設けられ、積層体22を形成可能な積層体形成部24とを備えて積層装置10が構成されている。 - 特許庁

The liquid crystal display device of a multi-domain homeotropic alignment mode is configured by forming a liquid crystal layer between two substrates, forming a multi-domain pattern to divide one pixel to multi-domains on the surface of the one substrate, forming a plurality of long line type patterns on the surface of the other substrate and dividing the pixel by the long line type patterns and the multi-domains.例文帳に追加

2枚の基板の間に液晶層を形成し、一方の基板は表面には一画素をマルチドメインに分割するマルチドメインパターンを形成し、他の基板は表面に複数の長条形パターンを形成し、該長条形パターンと該マルチドメインによって該画素を分割してマルチドメイン垂直配向モードの液晶表示装置を構成する。 - 特許庁

The device 10 further includes first and second polarizing means 13a and 13b that respectively transmit light radiated to a second face of the first substrate 11a or a second face of the second substrate 11b through the liquid crystal layer 12; and light detection means 15 for detecting light having passed through the first and second polarizing means 13a and 13b.例文帳に追加

装置10は、第1の基板11aの第2の面又は第2の基板11bの第2の面に向かって照射された光を、液晶層12を間に介して透過する第1及び第2の偏光手段13a、13bと、第1及び第2の偏光手段13a、13bを透過した光を検出する光検出手段15とを更に有する。 - 特許庁

To provide a thermosetting resin composition excellent in the relaxation effect of strain generated in a semiconductor element and a wiring board and a connecting electrode, capable of easily forming a sealing resin layer in the gap between the semiconductor element and the wiring board, and requiring no flux cleaning process, and a semiconductor device therewith and a method of its manufacture.例文帳に追加

半導体素子と配線回路基板および接続用電極に生ずる応力の緩和効果に優れ、半導体素子と配線回路基板との空隙に容易に封止樹脂層を形成することができかつフラックスの洗浄工程を必要としない、熱硬化性樹脂組成物ならびにそれを用いた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a GaN single crystal and a method for producing the same for preventing the occurrence of a crack when growing a GaN single crystal, when processing the grown GaN single crystal into a substrate and the like, and when forming at least a single semiconductor layer on the substrate-like GaN single crystal to produce a semiconductor device.例文帳に追加

GaN単結晶体を成長させる際および成長させたGaN単結晶体を基板状などに加工する際、ならびに基板状のGaN単結晶体上に少なくとも1層の半導体層を形成して半導体デバイスを製造する際に、クラックの発生が抑制されるGaN単結晶体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device has an island shape source wiring provided in level with a gate wiring and a connection electrode electrically connected to the island shape source wiring and a semiconductor layer, where the island source wiring is disposed for each pixel and one island shape source wiring and an island shape source wiring of an adjacent pixel are electrically connected by the connection electrode.例文帳に追加

ゲート配線と同一面上に設けられた島状のソース配線と、島状のソース配線及び半導体層に電気的に接続された接続電極とを有し、島状のソース配線は画素毎に配置されており、1つの島状のソース配線と隣の画素の島状のソース配線とは、接続電極によって電気的に接続されている。 - 特許庁

To solve the problem of a semiconductor device constituted to include a plurality of wiring layers covering the highest wiring layer with a protection film that when a cavity is formed among wires to reduce wiring capacitance, junction interface is formed within the protection film at the upper part of the cavity, and the wiring is corroded with water invaded through the junction interface.例文帳に追加

複数の配線層を有し、最上の配線層を保護膜で覆って構成される半導体装置において、配線容量低減のために配線間に空洞を形成した場合、空洞上方の保護膜中に接合界面が形成され、その接合界面を通して浸入した水分によりはいせんが腐食する問題を解決する。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a first interlayer insulating film formed on an insulating film and a gate electrode on a semiconductor layer; a second interlayer insulating film formed on the first interlayer insulating film; and contact holes formed in the second interlayer insulating film, the first interlayer insulating film and the insulating film.例文帳に追加

本発明における半導体装置において、半導体層上の絶縁膜およびゲイト電極上に形成された第1の層間絶縁膜と、前記第1の層間絶縁膜の上に形成された第2の層間絶縁膜と、前記第2の層間絶縁膜、前記第1の層間絶縁膜、および前記絶縁膜に設けられたコンタクトホールとを有する。 - 特許庁

To prevent degradation of an electron emission characteristic caused by increase of a work function due to deposit on an upper electrode, in an image display device having an array of thin-film electron sources each having a lower electrode, an upper electrode, and an electron acceleration layer comprising an insulating material and a semiconductor between them, and emitting electrons from the upper electrode, and a phosphor screen.例文帳に追加

下部電極と上部電極、その間に絶縁体や半導体からなる電子加速層を有し、上部電極から電子を放出する薄膜電子源アレイと蛍光面を有する画像表示装置において、上記上部電極への付着物による仕事関数の増大に金する電子放出特性の低下を抑制する。 - 特許庁

The three-dimensional integrated circuit device 10 has a structure in which a plurality of single crystal or semi-single crystal thin-film semiconductor layers 13, 16 are formed on the glass substrate 11 via an interlayer insulating layer 14, and active elements Tr21, Tr22 are formed on one or more layers of the thin-film semiconductor layers 13, 16.例文帳に追加

ガラス基板11上に、単結晶もしくは準単結晶の薄膜半導体層13,16が、層間絶縁層14を介して複数層積層形成され、複数層の薄膜半導体層13,16のうち1層以上に能動素子Tr21,Tr22が形成されている3次元集積回路装置10を構成する。 - 特許庁

To provide an electrode forming method which can form an electrode capable of preventing degradation of the characteristics of an organic layer in contact therewith by a simple method, to provide a thin film transistor having excellent characteristics provided with the electrode formed by the electrode forming method, and to provide a thin film transistor circuit, an electronic device and an electronic apparatus provided with the thin film transistor.例文帳に追加

接触する有機層の特性が低下するのを防止し得る電極を、簡易な方法で形成することができる電極形成方法、かかる電極形成方法により形成された電極を備え、特性に優れる薄膜トランジスタ、および、この薄膜トランジスタを備える薄膜トランジスタ回路、電子デバイスおよび電子機器を提供すること。 - 特許庁

The light emitting device is provided with a light emitting element wherein a pair of the electrodes are formed to a side opposite to the substrate face and that is mounted on a base by directing the substrate side downward; a plurality of granular bodies placed between the light emitting element 10 and the base; and a reflecting layer formed on the surface of the granular bodies.例文帳に追加

基板面と反対側に一対の電極が形成され、且つ前記基板面側を下にしてマウントされる発光素子と、前記発光素子がマウントされる基台と、前記発光素子と前記基台との間に配置される複数の粒状体と、及び前記粒状体の表面に形成される反射層と、を備える発光装置。 - 特許庁

In the electrophoretic display device, at least a part of the frame period is divided into a plurality of sub-field periods, a driving voltage applied between a pixel electrode and a facing electrode for each sub-field is selected either an ON-voltage or an OFF voltage, and thereby, transmission light of an electrooptical layer is controlled and a plurality of grayscales are displayed.例文帳に追加

電気泳動表示装置は、フレーム期間の少なくとも一部が複数のサブフィールド期間に分割され、サブフィールド期間ごとに画素電極と対向電極との間に印加される駆動電圧を、オン電圧およびオフ電圧のいずれか一方から選択することで、電気光学層の透過光を制御して複数の階調を表示する。 - 特許庁

To provide a sheet type adhesive having excellent adhesive force between a semiconductor chip and a lead frame, a package board or the like, and capturing ionic impurities in an adhesive layer, to provide a tape for processing a wafer, the tape produced by using the sheet type adhesive, and to provide a semiconductor device manufactured by using the sheet type adhesive.例文帳に追加

半導体チップとリードフレームやパッケージ基板等との間の接着力に優れ、かつ、接着剤層の内部のイオン性不純物を捕集することが可能なシート状接着剤、及び、該シート状接着剤を用いて作製したウエハ加工用テープ、並びに、該シート状接着剤を用いて作製された半導体装置を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that wiring resources of the whole integrated circuit are likely to be deficient when the integrated circuit of a semiconductor device is designed by automatic wiring, and static signal wiring for simultaneously supplying static signals such as an SMC (Scan Mode Control) signal to a plurality of circuit cells is arranged in the same wiring layer with normal signal wiring.例文帳に追加

半導体装置の集積回路を自動配線にて設計する際、SMC(Scan Mode Control:スキャンモード制御)信号などの静的信号を複数の回路セルに同時に供給する静的信号配線を、通常信号配線と同じ配線層に配置すると、集積回路全体の配線リソースが不足しやすい。 - 特許庁

The thin film device includes: the substrate; an electric field shielding plate formed above the substrate, the electric filed shielding plate having conductivity; and an active layer having a thin film element formed on the electric field shielding plate, the electric field shielding plate being connected to a potential of any electrode of the thin film element or a ground potential.例文帳に追加

本発明の薄膜装置は、基板と、前記基板の上に形成された、導電性を有する電界遮蔽板と、前記電界遮蔽板の上に形成された、薄膜素子を含む能動層と、を備え、前記電界遮蔽板は、前記薄膜素子のいずれか電極の電位又は接地電位に接続されていることを特徴とする。 - 特許庁

A light-emitting device includes a light source 13 including a light-emitting element 11 comprising a polyhedron for emitting first-wavelength light and a wavelength conversion layer 12 containing phosphor for converting the first-wavelength light to second-wavelength light having a wavelength longer than the first wavelength, and a light-transmitting member 14 provided at a light extraction side of the light source 13.例文帳に追加

第1波長の光を出射する多面体からなる発光素子11と、第1波長の光を第1波長よりも波長の長い第2波長の光に変換する蛍光体を含有する波長変換層12と、を含む光源13と、光源13の光取出し側に設けられた透光性部材14と、を備える発光装置である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a display apparatus which has a display device including a first substrate having an electrode terminal at the outer edge and a second substrate placed opposite to the first substrate so that the electrode terminal is exposed, wherein a wiring connection part and also the end of the second substrate can be coated with a resin layer.例文帳に追加

外縁部に電極端子を有する第1の基板と、電極端子を露出させるように対向配置した第2の基板とからなる表示デバイスを有する表示装置の製造方法において、配線接続部および第2の基板の端部までを樹脂層で被覆することが可能な表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device includes: a film forming process of forming a silicon film on a substrate; a modifying process of supplying an oxidation seed onto the substrate, performing heat treatment on the silicon film and modifying the surface layer of the silicon film into an oxidized silicon film; and a removing process of removing the oxidized silicon film.例文帳に追加

基板にシリコン膜を形成する膜形成工程と、前記シリコン膜に酸化種を供給し、前記シリコン膜を熱処理し前記シリコン膜の表層を酸化シリコン膜に改質する改質工程と、前記酸化シリコン膜を除去する除去工程と、を有する半導体装置の製造方法を提供することで上記課題を解決する。 - 特許庁

例文

To provide a module substrate which includes a surface metallic layer of a blind via by field plating with a land and concurrently satisfies connection reliability between a bump provided at a terminal of a semiconductor device with a reduced diameter and the land of the module substrate and connection reliability between the land and the blind via, and a method of manufacturing the substrate.例文帳に追加

フィルドめっきによるブラインドビアの表面金属層がランドを有しているモジュール基板にあって、小径化した半導体装置の端子に設けたバンプとモジュール基板のランドとの接続信頼性と、ランドとブラインドビアとの接続信頼性とを同時に満たすモジュール基板およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁




  
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