「dry etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a forming method of a contact hole by which a minute hole can precisely be formed, and to provide a dry etching device.例文帳に追加

微細なコンタクトホールを精度良く形成することができるようにしたコンタクトホールの形成方法及びドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

A method for making the surface of a silicon substrate rough using a dry etching method, in which the silicon substrate is dry-etched with silicon chips or other silicon substrates being arranged around it.例文帳に追加

シリコン基板の表面をドライエッチング法で粗面状にするシリコン基板の粗面化法において、前記シリコン基板の周囲にシリコン片もしくは他のシリコン基板を配設して前記シリコン基板をドライエッチングする - 特許庁

To provide a dry etching method which can prevent side etching of resist from occurring and can process a base film into a desired shape in an excellent way, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device using the same.例文帳に追加

レジストのサイドエッチングの発生が抑制され、下地膜を所望の形状に良好に加工することが可能なドライエッチング方法、及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a system for dry etching and a method and a system for forming a gate electrode in which excellent shape controllability of a metal layer is exhibited in etching and ER microloading can be suppressed sufficiently.例文帳に追加

エッチングにおけるメタル層の形状制御性に優れると共に、ＥＲマイクロローディングを十分に抑制できるドライエッチング方法及び装置並びにゲート電極形成方法及び装置を提供する。 - 特許庁

A method has an etching process wherein a specimen 21 with a resist pattern 30 formed on its top surface is subjected to plasma-aided dry etching for the formation of a layer with its cross section having protrusions.例文帳に追加

上面にレジストパターン３０が形成された試料２１に対して、プラズマによるドライエッチングを行なうことにより、試料２１の上部に断面凸状部を形成するエッチング工程を有している。 - 特許庁

A resist layer whose removal time becomes longer than that of the shading layer is provided, the shading layer is removed by dry etching to have no skirt, and products from the side stopper layer are deposited for protection against the etching.例文帳に追加

レジスト層の除去時間を遮光層のそれより長くなるレジスト層を設け、ドライエッチングで遮光層を裾がなく除去し、サイドストッパー層からの生成物を堆積させエッチングから保護する。 - 特許庁

In a semiconductor device trench isolation forming method as mentioned above, a dry etching where an etching rate difference between a trench forming mask and the trench liner 110 does not occur is carried out, whereby a liner recess can be prevented.例文帳に追加

このような半導体装置のトレンチ隔離形成方法は、トレンチ形成用マスクとトレンチライナ１１０間のエッチング率の差が起こらない乾式エッチングをすることにより、ライナくぼみを防止できる。 - 特許庁

Accordingly, the wet etching under the condition that the end face shape of ridge after the dry etching can be almost maintained becomes possible and thereby reduction in ridge width and improvement in symmetry of the ridge shape can be realized simultaneously.例文帳に追加

したがって、ドライエッチング後のリッジ端面形状を概ね維持した状態でのウェットエッチングが可能となってリッジ幅の狭幅化とリッジ形状の対称性の向上の双方を同時に実現できる。 - 特許庁

The color filter array 58 is subjected to etching using the photo resist layer 59 as a mask by using a dry etching device to form color filter array removed parts 61 at the boundaries from the first to third colored layers 41, 54 and 57.例文帳に追加

フォトレジスト層５９をマスクとしてカラーフィルタアレイ５８をドライエッチング装置でエッチング処理し、第１〜第３の着色層４１，５４，４６の境界にカラーフィルタアレイ除去部６１を形成する。 - 特許庁

Then, the surface of the substrate is flattened by dry-etching (resist etching back) the photoresist layer 32, nitride film 6, and element isolating film 16 until a first thermally oxidized film 4 is exposed (Fig.1 (D)).例文帳に追加

つづいて、第１の熱酸化膜４が露出するまで、第２のフォトレジスト層３２、窒化膜６、ならびに素子分離膜１６をドライエッチング（レジストエッチバック）して基板表面部を平坦化する（図１の（Ｄ））。 - 特許庁

In this case, although dry etching using a fluorine gas is made, contact structure with improved ohmic contact can be formed by allowing the second conductive layer 106b to function as an etching stopper.例文帳に追加

この際、フッ素系のガスを用いたドライエッチングを行うが、第２の導電層１０６ｂをエッチングストッパーとして機能させることにより、良好なオーミック接触が実現されたコンタクト構造を形成する。 - 特許庁

To provide a dry etching device which can uniformly process even a large-sized substrate by eliminating a difference in etching speed generated between a center region and a peripheral region in a vacuum processing chamber.例文帳に追加

真空処理チャンバ内の中央領域と周辺領域とにおいて生じ得るエッチング速度の差をなくして、大型の基板でも均一に処理できるようにしたドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for dry etching even a large area wafer or substrate through a convenient arrangement under conditions of atmospheric pressure in the etching step of a semiconductor production process.例文帳に追加

半導体製造工程におけるエッチング工程において、大気圧条件下で処理でき、大面積ウェーハや基板に対応でき、簡便な装置でドライエッチングをする方法及びその装置の提供。 - 特許庁

The controlability of ridge shape and ridge width can be improved by removing the reaction product 9 of dry etching by its oxidization so as to raise the stability of the wet etching following it.例文帳に追加

ドライエッチングの反応生成物９を酸化して除去することにより、それに続くウェットエッチングの安定性を向上させて、リッジ形状およびリッジ幅の制御性を向上させることができる。 - 特許庁

Dry etching is used for the anti-sticking film removal and a low-cost wet etching process can be used as it is for the sacrificial layer removal, so that the microstructure can be manufactured at a low cost.例文帳に追加

さらに、乾式エッチングにより粘着防止膜を除去し、犠牲層除去時には安価の湿式エッチング工程をそのまま利用できるので低廉に微細構造物を製造できる効果がある。 - 特許庁

The whole area is photoirradiated 6 to form an etching mask 5a and the insulator film 2 is dry-etched with plasma through the etching mask to form an opening 7 in the insulator film 2.例文帳に追加

更に、全面に光照射６を行いエッチングマスク５ａを形成しこれをエッチングマスクにして、プラズマを用いたドライエッチングにより絶縁体膜２をエッチング加工し絶縁体膜２に開口７を形成する。 - 特許庁

Under a condition of a high selection ratio (etching rate ratio) between a 2nd inter-layer insulating film 7 and a photoresist 8, the 2nd inter-layer insulating film 7, a flattening insulating film 6, and a 1st inter-layer insulating film 5 are subjected to dry etching.例文帳に追加

第２層間絶縁膜７とフォトレジスト８の選択比（エッチングレート比）が高い条件にて、第２層間絶縁膜７、平坦化絶縁膜６及び第１層間絶縁膜５をドライエッチングする。 - 特許庁

To reduce adhesion of dust particles to wafer at dry etching of aluminum film formed thereon by making uniform an deposition film in an etching chamber, thereby preventing the depositions from being stripped.例文帳に追加

ウエハ上に形成されたアルミ積層膜のドライエッチングの際、エッチングチャンバー内に堆積するデポジション物質の膜質を均一にして堆積物の剥離を抑制し、ウエハ上への異物付着を低減する。 - 特許庁

An etching cover film having resistance against Si dry etching and selectively removable with respect to the electrodes 10 is preformed on the outer electrodes for the individual electrodes opposed to the contact part.例文帳に追加

少なくとも前記コンタクト部に対向する個別電極用外部電極上には、Ｓｉドライエッチに対して耐性があり、電極１０に対して選択的に除去可能なエッチングカバー膜を形成しておく。 - 特許庁

To provide a manufacturing method semiconductor apparatus of a and a dry etching device for suppressing a conductive member arranged on a semiconductor substrate from being spattered, and for maintaining etching speed of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板に設けられる導電部材がスパッタされることを抑制するとともに、半導体基板のエッチング速度を維持することができる半導体製造方法およびドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

Then, there is no possibility that the lower electrode is etched by plasma when plasmatizing reactive gas for dry etching to form a pattern of the piezoelectric thin film by etching the piezoelectric thin film by the plasma.例文帳に追加

従って、ドライエッチング用の反応性ガスをプラズマ化し、このプラズマにより圧電体薄膜をエッチングして圧電体薄膜のパターンを形成する際に、下部電極がプラズマによりエッチングされるおそれがない。 - 特許庁

Then, by dry-etching the group III-V compound semiconductor layer 16a by using the etching mask M, a first diffraction grating region G1 is formed having a plurality of periodical recesses 44.例文帳に追加

次に、エッチングマスクＭを用いてIII−Ｖ族化合物半導体層１６ａをドライエッチングすることによって、複数の周期的な凹部４４を有する第１の回折格子領域Ｇ１を形成する。 - 特許庁

To provide a dry etching method of a substrate to be processed whose at least surface layer is composed of gallium nitride, which can obtain a smooth etched-surface and can perform etching with good reproducibility.例文帳に追加

少なくとも表層が窒化ガリウムから成る被処理基板をドライエッチングする方法であって、平滑なエッチング面が得られ、且つ、良好な再現性をもってエッチングできるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, even if the W layer 8 is exposed when the interconnection layer is processed by the dry etching, a trouble such as conventionally generated side etching or the like does not occur on account of the absence of the Ti layer 9.例文帳に追加

こうすることによって、配線層をドライエッチで加工するときにＷ層８が露出しても、Ｔｉ層９がないので、従来のようなサイドエッチが生じるといった問題が発生することがない。 - 特許庁

The video signal line of this material composition satisfies requirements of high dry-etching resistance, low resistance, low ACF contact resistance, low side-etching amount, forward tapered wiring cross section form, and 2 or less number of laminations.例文帳に追加

この材料構成の映像信号線により、高ドライエッチング耐性，低抵抗，低ＡＣＦ接触抵抗，低サイドエッチング量，順テーパ状配線断面形状，積層数２以下の各要件を満たす。 - 特許庁

A dry etching step of a phase shifter film in a phase shift mask essentially comprises predicting an etching rate in the next process substrate by using a correlation between an average phase difference in a plasma current-voltage and the etching rate of the phase shifter film observed during the etching process and using changes in the phase difference output with time, and then setting an optimum etching time to carry out the etching process.例文帳に追加

位相シフトマスクに於ける位相シフター膜のドライエッチング工程に於いて、エッチング処理中に観測されるプラズマ電流−電圧間の位相差の平均値と位相シフター膜のエッチング速度の相関関係と位相差出力の経時変化とを用いて次回処理基板に於けるエッチング速度を予測し、然る後、最適エッチング時間を設定してエッチング処理を行なう過程が含まれてなることを基本とする。 - 特許庁

To provide a dry-etching apparatus or the like capable of forming a semi-spherical (convex lens like) projecting part provided with a desired loose curved shape on one surface center part of a piezoelectric substrate such as an AT cut quartz crystal substrate for the first time by the dry-etching method without using a resist causing the increase of percent defective after etching.例文帳に追加

エッチング後に不良品率を増大させる原因となるレジストを一切用いずにドライエッチング法によって、ＡＴカット水晶基板等の圧電基板の片面中央部に対して所望の緩やかな曲面形状を備えた半球状（凸レンズ状）の凸部を形成することを始めて可能にしたドライエッチング装置等を提供する。 - 特許庁

The mask blank having a thin film 12, 13 to form a pattern on a substrate 11 is to be subjected to a dry etching process applicable to the method of producing an exposure mask, the method including patterning the thin film by dry etching using an etching gas substantially containing no oxygen through a resist pattern 14a to be formed on the thin film as a mask.例文帳に追加

基板１１上にパターンを形成するための薄膜１２，１３を有するマスクブランクにおいて、前記薄膜上に形成されるレジストパターン１４ａをマスクにして、酸素を実質的に含まないエッチングガスを用いたドライエッチング処理により、前記薄膜をパターニングする露光用マスクの作製方法に対応するドライエッチング処理用のマスクブランクである。 - 特許庁

Here, if the contact hole 32 is formed in the top gate insulating film 10 by dry etching, the top surface of the ITO film 31b is exposed, however, the top surface of the metal film 31a below it is not exposed and it is unlikely that an altered layer resulting from dry etching is formed on the metal film 31a.例文帳に追加

ここで、トップゲート絶縁膜１０にコンタクトホール３２をドライエッチングにより形成すると、ＩＴＯ膜３１ｂの上面が露出されるが、その下の金属膜３１ａの上面は露出されず、金属膜３１ａの上面にドライエッチングに起因する変質層が形成されることはない。 - 特許庁

A semiconductor wafer 102 is subjected to nitrogen plasma processing either after a step of forming a resist pattern 19 on an interlayer dielectric 18 and thereafter dry-etching the interlayer dielectric 18 or after a step of further dry-etching a stressor SiN film 17 with the resist pattern 19 removed therefrom.例文帳に追加

層間絶縁膜１８にレジストパターン１９を設けたうえで層間絶縁膜１８をドライエッチングする工程の後と、レジストパターン１９を除去した状態のストレッサーＳｉＮ膜１７をさらにドライエッチングする工程の後とのうちのいずれかの時点で、半導体ウェーハ１０２を窒素プラズマ処理する。 - 特許庁

A polishing stopper layer 42 with high polishing resistance is formed on a substrate 41, and then is subjected to a dry etching process with a dry etching device by using a photoresist layer as a mask so as to form an opening section 46, and a first coloring layer 56 is formed so as to bury the upper side of the polishing stopper layer 42 and the opening section 46.例文帳に追加

支持体４１上に研磨耐性の高い研磨ストッパー層４２を形成した後、フォトレジスト層をマスクとしてドライエッチング装置でドライエッチング処理し、開口部４６を形成し、研磨ストッパー層４２上及び開口部４６を埋め込むように第１の着色層５６を形成する。 - 特許庁

A second coloring layer 60 is formed so as to be buried in an opening section 59 which is formed on the first coloring layer 56 with a dry etching process, and a third coloring layer 64 is formed so as to be buried in an opening section 63 which is formed on the first and second coloring layers 56, 60 with a dry etching process.例文帳に追加

第１の着色層５６にドライエッチング処理で形成した開口部５９に埋め込むように第２の着色層６０を形成し、第１及び第２の着色層５６，６０にドライエッチング処理で形成した開口部６３に埋め込むように第３の着色層６４を形成する。 - 特許庁

To overcome the problem of a prior art such that the reaction product of the atom of a metal film and the gas of dry etching is generated for preventing the patterning of the insulating film in a termination process when the insulating film on the metal film is subjected to dry etching by a mask made of a photosensitive resin that is subjected to pattern formation.例文帳に追加

金属膜上の絶縁膜を、パターン形成された感光性樹脂のマスクでのドライエッチングを行うと、終端工程で、上記金属膜の原子と上記ドライエッチングのガスとの反応生成物が生成され、上記絶縁膜のパターン化の支障になる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a diffraction optical element permitting to improve an optical efficiency by reducing the number of dry etching processes, and lessening the occurrences of concave parts and pillars as far as possible even when registration accuracy among each dry etching processes does not satisfy a required level.例文帳に追加

ドライエッチング加工工程数を少なく、且つ、各ドライエッチング加工工程間での位置合わせ精度が要求されるレベルに満たない場合であっても、できるだけ凹部や柱の発生を少なくして、光効率を上げることができる回折光学素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The control equipment 1000 for the dry etching device comprises a memory 1030 for storing the number of part of the wafer after treatment, data with respect to a pattern size, and a data base in which impedance measured during treatment the wafer is correlated with a setting parameter; and a CPU 1020 for controlling the dry etching device.例文帳に追加

ドライエッチング装置の制御装置１０００は、処理後のウェハの品番と、パターン寸法に関するデータと、ウェハの処理中に測定されたインピーダンスおよび設定パラメータとを関連付けたデータベースを記憶するメモリ１０３０と、ドライエッチング装置を制御するＣＰＵ１０２０とを含む。 - 特許庁

The problems are resolved by a light emitting layer laminating process laminating a light emitting layer 4A like a buffer layer 2A or an organic fluorescent body layer 3A on a substrate 1 through an electrode, and a dry etching process obtaining a light emitting layer 4A' in a pattern shape by dry-etching the light emitting layer 4A through a mask 5A.例文帳に追加

基板１上に電極等を介し、バッファー層２Ａ、有機蛍光体層３Ａ等の発光層４Ａを積層する発光層積層工程、発光層４Ａをマスク５Ａを介しドライエッチングしてパターン状の発光層４Ａ’を得るドライエッチング工程とにより、課題を解決することができた。 - 特許庁

Further, the light-shielding layer 3 is patterned to form a light-shielding pattern 3a, and the shifter layer 2 is subjected to dry etching with chlorine, using ICP(inductively coupled plasma) type dry etching apparatus, to form a phase shift pattern 2a for obtaining shift mask 100 of the invention.例文帳に追加

さらに、遮光層３をパターニング処理して遮光パターン３ａを形成し、さらに、シフター層２をＩＣＰ（誘電結合プラズマ）タイプのドライエッチング装置を用いて塩素によるドライエッチングにてエッチングし、位相シフトパターン２ａを形成し、本発明の位相シフトマスク１００を得る。 - 特許庁

After a gate groove 9 is provided on an epitaxial layer 2 using a dry-etching device, the gate groove 9 is successively subjected to a thermal treatment in a vacuum using the dry-etching device that has been used for its formation, whereby silicon atoms located on the side faces of the gate groove 9 are rearranged to make the side faces of the gate groove 9 smooth.例文帳に追加

ドライエッチング装置を用いてエピタキシャル層２にゲート溝９を形成した後、ゲート溝９の形成に用いた装置内において、引き続き真空中で熱処理を施すことにより、ゲート溝９の側面のシリコン原子を再配列させてゲート溝９の側面を滑らかにする。 - 特許庁

To provide a dry etching device precisely determining the necessity of the maintenance and the inspection and reducing the cost related to the maintenance and the inspection of a pump, and provide a device and a method for monitoring the operation of the pump for the dry etching device.例文帳に追加

保守と点検の必要性を正確に判断するドライエッチング装置およびドライエッチング装置用ポンプの運転監視装置及び方法とポンプの保守と点検に係わる経費を削減するドライエッチング装置およびドライエッチング装置用ポンプの運転監視装置及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching method in which machining with superior machining precision and quality can be performed by reducing in-plane variance in etching rate, by solving the problem that the outer periphery of a sample is insufficiently machined because of in-plane variance in etching rate in the sample is large as to dry etching of an oxide film etc., is large to possibly generate problems of machining precision and quality.例文帳に追加

酸化膜等のドライエッチングに関し、試料内におけるエッチングレートの面内バラツキが大きいために試料外周部に加工量の不足部分が発生して加工精度や品質面において問題発生の恐れがあるという課題を解決し、エッチングレートの面内バラツキを低減して加工精度や品質面において優れた加工を行うことができるドライエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device includes: a step of selectively dry-etching a silicon substrate 101 with a first etching gas to form a first trench 109; and a step of further dry-etching the silicon substrate 101 on the bottom of the trench 109 with a second etching gas to form a second trench 113 including a part radially expanding downwardly from the bottom of the first trench 109.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、第１エッチングガスを用いてシリコン基板１０１を選択的にドライエッチングして第１トレンチ部１０９を形成する工程と、第２エッチングガスを用いて、第１トレンチ部１０９の底部においてシリコン基板１０１をさらにドライエッチングし、第１トレンチ部１０９の底部から下方向に向かって拡径した部分を含む第２トレンチ部１１３を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a dry etching equipment and a semiconductor device, in which uniform etching is realized in a wafer surface, by making the amount of incidence of an etching reaction product in a wafer peripheral part and a wafer central part uniform, even when a wafer having a large diameter is used.例文帳に追加

大口径のウエハを用いた場合でも、ウエハ周辺部とウエハ中心部とのエッチング反応生成物の入射量を均一にして、ウエハ面内で均一なエッチングを実現するドライエッチング装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a dry etching method, a mask pattern 15 is formed on a semiconductor layer 14A and first etching treatment is performed for removing about 70% of the areas of the semiconductor layer 14A under the openings of the mask pattern 15 by using a first etching gas containing chlorine and bromine.例文帳に追加

半導体層１４Ａの上にマスクパターン１５を形成し、塩素と臭素とを含む第１のエッチングガスを用いて半導体層１４Ａにおけるマスクパターン１５の開口部の下側の領域の７０％程度を除去する第１のエッチング処理を行なう。 - 特許庁

As shown in Fig. 3, the dry etcher is equipped with an etching portion 100 which injects an etching gas to etch a film on a substrate, a transferring portion 300 which transfers the substrate treated in the etching portion 100, and a cleaning portion 200 which cleans up the substrate transferred from the transferring portion 300.例文帳に追加

エッチングガスを注入して基板上の膜をエッチングするエッチング部と、エッチング部により処理された基板を移送させる移送部と、移送部により移送された基板を洗浄する洗浄部と、を備えるエッチング部と洗浄部とを兼備したドライエッチャ。 - 特許庁

On the blanket insulating film 6, an inter- layer insulating film 7 is laminated, nitrogen (N_2) is added as etching gas to mixed gas of C_5F_8 and O_2 to carry out plasma excitation, and the blanket insulating film 6 is used as an etching stopper for the dry etching of the inter- layer insulating film 7 to form the contact hole 8.例文帳に追加

そして、ブランケット絶縁膜６上に層間絶縁膜７を積層し、エッチングガスとして、Ｃ_5Ｆ_8とＯ_2の混合ガスに窒素（Ｎ_2）を添加しプラズマ励起し、ブランケット絶縁膜６をエッチングストッパとして層間絶縁膜７をドライエッチングしコンタクト孔８を形成する。 - 特許庁