「electron diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a high definition field emission electron source device in which diffusion of electron beams emitted from the field emission electron source array is suppressed.例文帳に追加

電界放出型電子源アレイから放出された電子ビームの広がりを抑えた、高精細な電界放出型電子源装置を提供する。 - 特許庁

To provide an electron source that suppresses a temperature rise caused by evaporation consumption with time of a diffusion source of the electron source in order to give a stable electron beam.例文帳に追加

電子源の拡散源の経時的な蒸発消耗に起因した温度上昇を抑制し、安定した電子線を与える電子源を提供する。 - 特許庁

ELECTRON BEAM CURABLE COMPOSITION FOR FORMATION OF LIGHT DIFFUSION FILM OR SHEET, AND LIGHT DIFFUSION FILM OR SHEET例文帳に追加

光拡散フィルム又はシート形成用電子線硬化型組成物及び光拡散フィルム又はシート - 特許庁

To prevent a short circuit between an electron emission material and a grid electrode, and to suppress the diffusion of an electron beam.例文帳に追加

電子放出材料とグリッド電極との短絡を防止するとともに、電子ビームの拡散を抑える。 - 特許庁

By using the electron beam focusing electrode, the diffusion phenomenon of electron beam having a square section can be reduced to increase the output of an electron gun, and focusing of electron beam can be facilitated.例文帳に追加

本発明の電子ビーム集束電極を利用すれば、四角形の断面を有する電子ビームの拡散現象を低減させることができ、電子銃の出力を増大させると共に、電子ビームを集束させることができる。 - 特許庁

In addition, a highly doped doping layer 8 is formed in the surface layer part of the electron diffusion layer 7 including the main surface on which an electrode 9 is formed, the concentration of the p-type dopant of the surface layer part being designed higher than that of the remainder part of the electron diffusion layer 7.例文帳に追加

また、電流拡散層７の電極９を形成する側の主表面を含む表層部に、ｐ型ドーパント濃度が電流拡散層７内の残余の部分よりも高くされた、高濃度ドーピング層８を形成する。 - 特許庁

To control diffusion of wiring metal on an electron emission element film (dielectric thin film) of wiring metal and electron emission part causing deterioration of electron emission characteristics in an electron source substrate used as a electron beam source of a large screen flat type image forming device.例文帳に追加

大画面の平面型の画像形成装置の電子ビーム源として用いられる電子源基板において、電子放出特性の劣化の原因となる配線金属の電子放出素子膜（導電性薄膜）上及び電子放出部上への拡散を抑制する。 - 特許庁

To provide a method for generating a charged particle beam such as an electron beam, etc. for focusing the electron beam by suppressing the diffusion of the electron beam due to a space charge effect even when an electron density in the electron beam is increased and even when an exposure speed is accelerated, and to provide a charged particle beam device.例文帳に追加

電子ビーム中の電子密度を増加させても露光速度を上げても、空間電荷効果による電子ビームの拡散を抑制して電子ビームを集束させる電子ビーム等の荷電粒子線の発生方法および荷電粒子線装置を提供する。 - 特許庁

To provide a gas diffusion electrode excellent in gas diffusion function which can prevent water from collecting without interrupting proton transmission channel between a catalyst layer and solid polymer electrolyte film as well as an electron transmission channel between the catalyst layer and a gas diffusion layer.例文帳に追加

触媒層と固体高分子電解質膜間のプロトン伝導経路および、触媒層とガス拡散層との間の電子伝導経路を遮断することなく水の滞留を防ぎ、ガス拡散性に優れたガス拡散電極を得る。 - 特許庁

To provide an image display using an electron emitting element in which diffusion of particulates of a wiring metal occurring when a particulate diffusion membrane is arranged on wiring can be prevented and a deterioration of image characteristics due to the diffusion can be prevented.例文帳に追加

電子放出素子を用いてなる画像表示装置において、配線上に微粒子分散膜を配置した場合に生じる配線金属の微粒子への拡散を防止し、該拡散に起因する画像特性の低下を防止する。 - 特許庁

To provide a particle analyzing device by means of an electron probe microanalyzer capable of correctly determining the compounds to be analyzed even if particles are small enough to fall under an electron diffusion domain of an electron beam irradiated to a specimen.例文帳に追加

試料照射電子線の電子拡散領域以下の小さい粒子の場合でも、正しく分析目的の化合物を判定することが可能な電子プローブマイクロアナライザによる粒子解析装置を提供する。 - 特許庁

To provide a high-performance electron source substrate preventing the deterioration or variation of electron emission property of an electron emission element due to resultant diffusion to a conductive thin film of wiring metal without contact of the wiring metal with the conductive thin film.例文帳に追加

配線金属が導電性薄膜と接触することなく、結果的に配線金属の導電性薄膜への拡散による電子放出素子の電子放出特性の劣化や変動を防止した、高性能な電子源基板を提供する。 - 特許庁

To provide a high-performance electron source board, with which, wiring metal is free from contacting a conductive thin film, and accordingly, electron emission characteristics of en electron emission element is prevented from being degraded or fluctuated due to diffusion of the wiring metal into the conductive thin film.例文帳に追加

配線金属が導電性薄膜と接触することなく、結果的に配線金属の導電性薄膜への拡散による電子放出素子の電子放出特性の劣化や変動を防止した、高性能な電子源基板を提供する。 - 特許庁

In the organic EL element in which a hole injection layer 30, a hole transporting layer 40, a luminous layer 50, an electron transporting layer 60, an electron injection layer 80, and a negative electrode 90 are laminated in order, a diffusion layer 70 made of electron injecting material is provided in the electron transporting layer 60.例文帳に追加

陽極２０の上に、正孔注入層３０、正孔輸送層４０、発光層５０電子輸送層６０、電子注入層８０、陰極９０が順次積層されてなる有機ＥＬ素子において、電子輸送層６０内に、電子注入性材料からなる拡散層７０が設けられている。 - 特許庁

A cathode side electrode 4 and an electron diffusion layer 14 are provided in this order from the electrolyte/electrode assembly 12 side toward the separator 6b on one end surface of the electrolyte/electrode assembly 12, and the electrons reached to the electron diffusion layer 14 through the bosses 7b of the separator 6b are diffused throughout the whole area of the electron diffusion layer 14.例文帳に追加

電解質・電極接合体１２の一端面には、該電解質・電極接合体１２側からセパレータ６ｂに向かってカソード側電極４、電子拡散層１４がこの順序で設けられており、セパレータ６ｂのボス部７ｂを介して電子拡散層１４に到達した電子は、この電子拡散層１４の全域に拡散する。 - 特許庁

Since the electron injecting material constituting this diffusion layer 70 diffuses to the positive electrode 20 side in the organic layers 30-60 with the passage of light-emitting time, the concentration gradient of the electron injecting material in the organic layers becomes small, and thereby, diffusion of the electron injecting material of the electron injection layer 80 to the positive electrode 20 side can be greatly suppressed.例文帳に追加

この拡散層７０を構成する電子注入性材料が、発光時間とともに有機層３０〜６０内を陽極２０側へ拡散するため、該有機層内における電子注入材料の濃度勾配が小さくなり、電子注入層８０の電子注入性材料の陽極２０側への拡散を大幅に抑制することができる。 - 特許庁

In analysis of bulk specimens by WDS, the spatial resolution is limited to 0.1 to 1 μm by the diameter of the electron-diffusion region. 例文帳に追加

WDSによるバルク試料の分析では、空間分解能は電子拡散領域の直径によって0.1〜1μmに限定される。 - 科学技術論文動詞集

Gas diffusion layers 3, 3 having electron conductivity and gas permeability are arranged outside the catalyst layers 2, 2.例文帳に追加

触媒層２，２の外側には、電子伝導性及びガス透過性を有するガス拡散層３，３が配置される。 - 特許庁

The electron conduction phase, the ion conduction phase and the gas diffusion phase have nearly the same shape and are regularly arranged.例文帳に追加

電子伝導相、イオン伝導相及びガス拡散相が、略同一形状であり且つ規則的に配設されている。 - 特許庁

The current diffusion layer (6) consists of multiple laminations of first and second layers (9), (10) including a heterojunction for obtaining a two dimensional electron gas effect.例文帳に追加

電流分散層（６）は２次元電子ガス効果を得るためのヘテロ接合を含む複数の第１及び第２の層（９）、（１０）の積層体からなる。 - 特許庁

The surface of the gate diffusion layer 24 and a metal layer as the gate electrode 25 in a high electron mobility transistor are made into an alloy.例文帳に追加

高電子移動度トランジスタにおけるゲート拡散層２４の表面とゲート電極２５としての金属層とが合金化している。 - 特許庁

Then the thickness L1 of a group of the p^+-type collector regions 22 is thinner than the electron diffusion length.例文帳に追加

そして、ｐ^＋型コレクタ領域２２群の厚みＬ１が、電子の拡散長よりも薄いことを特徴としている。 - 特許庁

The porous member 16 and each nonporous member 17 are joined by press-fitting, electron beam welding or diffusion joining.例文帳に追加

多孔質部材１６と非多孔質部材１７とが、圧入、電子ビーム溶接または拡散接合により接合されている。 - 特許庁

To provide an electrode for a fuel cell with strong water repellency without interrupting a proton transmission channel, an electron transmission channel and a gas diffusion channel in a gas diffusion electrode.例文帳に追加

、ガス拡散電極内に、プロトン伝導経路、電子伝導経路およびガス拡散経路を遮断することなく、強い撥水性を与え、高出力の燃料電池用電極を得る - 特許庁

The electron source is formed of a cathode comprising a <100> orientation single-crystal of tungsten or molybdenum, a diffusion source provided at the middle part of the cathode, and a high-melting-point metal provided on the outer periphery of the diffusion source.例文帳に追加

電子源を、タングステン又はモリブデンの＜１００＞方位の単結晶からなる陰極と、陰極の中腹部に設けられた拡散源と、拡散源の外周に設けられた高融点金属で形成する。 - 特許庁

A thermal diffusion layer 11 is formed between the base plate 10 and the target layer 12, and the heat that is generated in the target layer by the crashing of electron is diffused and conducted by the thermal diffusion layer 11.例文帳に追加

金属材料からなる基台１０とターゲット層１２の間に熱拡散層１１を形成して、電子の衝突によりターゲット層に発生した熱をこの熱拡散層１１で拡散して伝導する。 - 特許庁

To provide an electron emission element for suppressing beam diffusion to reduce another color-emission and suppressing diode type electron emission caused by an anode field, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

本発明は，ビーム拡散を抑制して他色発光を減らし，アノード電界によるダイオード型電子放出を抑制するための電子放出素子とその製造方法に関する。 - 特許庁

To provide a cathode substrate having good electric charge injection efficiency by preventing diffusion of electron emitted from an emitter, of which, the electron injection efficiency is hardly scattered between respective cathode substrates, and to provide a manufacturing method of the same.例文帳に追加

エミッタから放出される電子が拡散することを防止して電荷注入効率がよく、各カソード基板相互の間での電荷注入効率がばらつき難いカソード基板及びその作製方法を提供する。 - 特許庁

In this case, the organic electron donor layer is made two to five times in thickness the exciton diffusion length of the organic electron donor forming the organic electron donor layer.例文帳に追加

少なくとも、有機電子供与体層と電子受容体層とから形成されるヘテロ接合を有する光電変換層と、この光電変換層を挟持する一対の電極とを備える有機太陽電池において、前記有機電子供与体層の厚さを、これを構成する有機電子供与体の励起子拡散長の２〜５倍とする。 - 特許庁

For this semiconductor electron beam detector, an electron beam detection part formed of a P-type diffusion region is arranged on the surface of an N-type first semiconductor substrate, and a second semiconductor substrate is arranged at least on the electron beam detection part.例文帳に追加

本発明の半導体電子線検出器は、Ｎ型である第１の半導体基板の表面上に、Ｐ型拡散領域によって形成された電子線検出部が配置され、第２の半導体基板が少なくとも前記電子線検出部の上に配置される。 - 特許庁

Separately from an aperture on the cathode 101 side of an electron passing hole 111, an exhaust path 112 interconnecting the inside and outside of the electron passing hole 111 is provided so as to facilitate diffusion of gas molecules produced in the electron passing hole 111 to the outside thereof.例文帳に追加

電子通過孔１１１のカソード１０１側の開口部とは別に、電子通過孔１１１の内外を連通させる排気路１１２を設け、電子通過孔１１１内に生じたガス分子を電子通過孔１１１外へ拡散させやすくする。 - 特許庁

A wiring structure is formed, a background (temperature, current density) is solved by a finite element method, and a diffusion analysis is carried out by the use of an electron wind power proportional to a current density and diffusion coefficients (lattice, grain boundary, interface, surface) related to crystal structures, to obtain void density.例文帳に追加

配線の構造を作成し、背景場（温度、電流密度）を有限要素法で解き、電流密度に比例した電子風力と各結晶構造に関わる拡散係数（格子、粒界、界面、表面）を用いて拡散解析を行い、空孔濃度を求める。 - 特許庁

Most of a lightly-doped n-type dopant diffusion region 32, which constitutes the drain region, offset region 38, and heavily-doped n-type dopant diffusion region 40, is formed inside the strained silicon layers 23 and 35, wherein the electron mobility is higher than that in normal silicon layers.例文帳に追加

そしてドレイン領域を形成する低濃度ｎ型不純物拡散領域３２、オフセット領域３８および高濃度ｎ型不純物拡散領域４０の大半を、電子の移動度が通常のシリコン層よりも高い歪シリコン層２３および歪シリコン層３５内に形成する。 - 特許庁

In the electron source provided with a needle electrode 104 made of a metal wherein a pointed head is made at a needle-shape, and a heating element 103 for heating the needle electrode, the electron source has a diffusion source which can be heated with the heating element 103, and the a mixture of a barium compound containing oxygen and carbon particles is set up to be a diffusion source 106.例文帳に追加

先端を針状にした金属からなる針状電極１０４と、前記針状電極を加熱する発熱体１０３からなる電子源において、前記電子源は前記発熱体により加熱可能な拡散源を有し、酸素を含むバリウム化合物と炭素粒子の混合物を拡散源１０６とする。 - 特許庁

The X-ray detected by the method described above is discharged mostly from the region within the diffusion range of the incident electron in the observation sample support member, and if the diffusion range of the incident electron is controlled to about a few nm, the resolution of the scanning X-ray microscope can be not more than 10 nm which has been considered to be the theoretical limit by the conventional method.例文帳に追加

上述の手法で検知されるＸ線は、概ね、観察試料支持部材内での入射電子の拡散範囲内の領域から放出されることとなり、当該入射電子の拡散範囲を数ｎｍ程度に制御すれば、得られる走査型Ｘ線顕微鏡像の分解能は、従来の手法の理論的限界とされていた１０ｎｍ以下とすることが可能となる。 - 特許庁

The current diffusion layer is formed by alternately laminating a first InAlGaN layer, having an electron concentration higher than the concentration of the electrons of the n-side contact layer and a second InAlGaN layer having concentration of electrons lower than the electron concentration of the n-side contact layer.例文帳に追加

上記電流拡散層は、上記ｎ側コンタクト層の電子濃度より高い電子濃度を有する第１ＩｎＡｌＧａＮ層と上記ｎ側コンタクト層の電子濃度より低い電子濃度を有する第２ＩｎＡｌＧａＮ層とが交互に積層され形成される。 - 特許庁

To provide an electron absorber which is adaptable to continuous vapor deposition on a film base material of a large area as well by solving a problem that electrons heat other parts than a vapor deposition material by the reflection phenomenon or diffusion phenomenon, and an electron beam heating type vapor deposition apparatus using the same.例文帳に追加

電子が反射現象または拡散現象によって蒸着材料以外の箇所を加熱してしまう問題を解消し、大面積のフィルム基材への連続蒸着にも対応できる電子吸収体およびそれを用いた電子線加熱蒸着装置を提供する。 - 特許庁

In this PN-type electron beam detector 100, a PN junction is composed of a P+-type diffusion layer 102 formed on the front face (on the lower side in Figure) of an N--type semiconductor substrate 101, while the rear face of the N--type semiconductor substrate 101 is an incident surface of the electron beam or the reflected electrons.例文帳に追加

Ｎ^-型半導体基板１０１の表面（図１中、下側）に形成されたＰ^+型拡散層１０２にてＰＮ型電子線検出器１００のＰＮ接合が構成され、Ｎ^-型半導体基板１０１の裏面が電子線又は反射電子の入射面となる。 - 特許庁

A buffer layer 12, a first electron supply layer 13, a channel layer 14, a second electron supply layer 15, a diffusion layer 16, and a cap layer 17 are laminated in order on a substrate 11 consisting of a semi-insulation single crystal GaAs to form a semiconductor lamination part 10.例文帳に追加

半絶縁性単結晶ＧａＡｓよりなる基板１１上に、バッファ層１２、第１電子供給層１３、チャネル層１４、第２電子供給層１５、拡散層１６、キャップ層１７が順次積層されて半導体積層部１０が形成される。 - 特許庁

To provide an electron beam curable composition for formation of a light diffusion film or a sheet being excellent in light diffusion of a cured product, having a chromaticity coordinate of a transmitted beam in a white light region, preventing wavelength dependence of a transmitted beam and allowing a smaller degree of yellowing after light resistance test; and a light diffusion film or a sheet obtained from the composition.例文帳に追加

硬化物の光拡散性に優れ、透過光の色度座標は白色光領域であり、透過光に波長依存性がほとんどなく、耐光性試験後の黄変度が小さい光拡散フィルム又はシート形成用電子線硬化型組成物、及び当該組成物から得られた光拡散フィルム又はシートの提供。 - 特許庁

In one battery cell 12 of the adjacent battery cells 12 with the separator 50 therebetween, an electron associated with power generation travels from a membrane-electrode assembly 30 to the anode gas diffusion passage portion 41, moves to the cathode gas diffusion passage portion 42 in the battery cell 12 on the other side through the bridge 43, and reaches a cathode catalyst electrode 33 through a gas diffusion layer 35 on the cathode side.例文帳に追加

セパレータ５０を挟んで隣り合う電池セル１２の一方の電池セル１２では、発電に伴う電子は膜電極接合体３０からアノードガス拡散流路部４１に伝わった後に、ブリッジ４３を経て他方の側の電池セル１２におけるカソードガス拡散流路部４２に移動して、カソード側ガス拡散層３５を経てカソード触媒電極３３に到る。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an electrode body of a fuel cell capable of improving adhering strength of a membrane electrode assembly or a catalyst layer with a gas diffusion layer without reducing electron conductivity and water permeabliity between the catalyst layer and the gas diffusion layer without increasing expansion-contraction characteristics of an electrolyte membrane, and without inhibiting water repellency of the gas diffusion layer.例文帳に追加

触媒層とガス拡散層の間の電子伝導性や水透過性を低下させることなく、電解質膜の膨張収縮性を高めることなく、かつ、ガス拡散層の撥水性を阻害することなく、膜電極接合体もしくは触媒層とガス拡散層の接着強度を高めることのできる燃料電池の電極体の製造方法を提供する。 - 特許庁

An electron source, in which, after the carbon nanotube is fitted to the central part of the tip of the conductive substrate through a conductive bonding material or an organic material, the carbon nanotube is jointed by ohmic contact by carrying out carbonization treatment of the organic material by heat treatment or diffusion bonding, is applied to the electron microscope and the electron beam lithography device.例文帳に追加

導電性基材の先端中央部に、導電性接合材料を介するか、あるいは有機材料を介してカーボンナノチューブを取付けた後、熱処理により該有機材料を炭化処理するか、または拡散接合によりカーボンナノチューブをオーミックコンタクト接合した電子源を電子顕微鏡，電子線描画装置に適用する。 - 特許庁

Among the electron-hole pairs generated by the light excitation, the electrons are extracted from a buffer layer 204, an electron running layer 203 and electron extraction layer 202 to extract electrodes 105, 106, while the holes are extracted from a diffusion buffer layer 206 to ground electrodes 103, 104 and the lives of these electrons and holes are short, independent of the recombination life.例文帳に追加

光励起で発生した電子・正孔対のうちの電子は緩衝層２０４，電子走行層２０３，電子取出層２０２から取出電極１０５，１０６に取り出され、正孔は拡散緩衝層２０６から接地電極１０３，１０４に取り出され、それら電子、正孔の寿命は再結合寿命に依存せず短い。 - 特許庁

This electron source base has a pair of element electrodes 2, 3 of metal formed on a glass base body 1, containing sodium with a sodium diffusion preventing layer 9 intervened and an electron emitting element of a conductive thin film 4 having an electron emitting part 5, and also has metal wirings 6, 7 to be connected to the element electrodes 2, 3 while being brought into contact with the glass base body 1.例文帳に追加

ナトリウムを含有するガラス基体１上に、ナトリウム拡散防止層９を介して形成された、金属よりなる一対の素子電極２，３と電子放出部５を有する導電性薄膜４からなる電子放出素子を有し、該ガラス基体１に接し該素子電極２，３に接続される金属配線６，７とを有することを特徴とする。 - 特許庁