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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > element currentに関連した英語例文

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element currentの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 7999



例文

In this case, the driving current of the DBR part 40 of a DBR semiconductor laser 21a is varied and the oscillation wavelength of the semiconductor laser 21a is made to match with the phase matching wavelength of the light wavelength conversion element 22 and a generated higher harmonic wave P2 is adjusted to be kept constant.例文帳に追加

その際に、DBR半導体レーザ21aのDBR部40の駆動電流を変化させ、半導体レーザ21aの発振波長を光波長変換素子22の位相整合波長に合わせて、発生する高調波P2を一定に制御する。 - 特許庁

It is also preferable that the semiconductor light-emitting element includes: a first electrode electrically connected to the substrate or the n-type semiconductor layer; and a second electrode electrically connected to the current introducing layer, wherein an anode electrode serves as the first electrode and a cathode electrode serves as the second electrode.例文帳に追加

また、基板またはn型半導体層に電気的に接続する第1の電極と、電流導入層に電気的に接続する第2の電極とを含み、第1の電極がアノード電極であり、第2の電極がカソード電極であることが好ましい。 - 特許庁

The semiconductor laser element 1 is formed by stacking, in a following sequence, an n-type semiconductor substrate 11, an n-type clad layer 12, an active layer 13, a p-type first clad layer 14, a current block layer 15, a p-type second clad layer 16, and a p-type contact layer 17.例文帳に追加

本発明の半導体レーザ素子1は、n型半導体基板11、n型クラッド層12、活性層13、p型第1クラッド層14、電流ブロック層15、p型第2クラッド層16、及びp型コンタクト層17が、この順に積層されてなる。 - 特許庁

At least one measurement result of a light receiving measuring portion 28 and a current measuring portion 27 is inputted into an evaluating portion 34 as an input value, and the evaluating portion evaluates the semiconductor laser element 23 based on a predetermined valuation standard, and then outputs the evaluation result.例文帳に追加

評価部34は、受光測定部28および電流測定部27の少なくともいずれか一方の測定結果が入力値として入力され、予め定める評価基準に基づいて半導体レーザ素子23を評価し、評価結果を出力する。 - 特許庁

例文

For example, when the top display element stage corresponds to the most future time and the bottom stage corresponds to the current point of time, display showing keys which are usable for an ad-lib is scrolled with time from an upper stage to a lower stage.例文帳に追加

例えば、最上段の表示素子段が最も先取りされた時間に対応し、最下段が現時点に対応しているとすると、アドリブ演奏に使用可能な鍵を示す表示が、時間経過に伴い上段から下段に向けてスクロールするよう表示される。 - 特許庁


例文

Subsequently, snow on the string 2 is melted away by controlling the solar cell element of the string 2 to generate heat through the supply of a current, as indicated by an arrow mark, to the string 2 from terminals T3, T4 of a power supply circuit 5, by the command of the control circuit.例文帳に追加

続いて、制御回路の指令により、電源回路5の端子T3、T4間からストリングス2に電流を矢印で示すように供給することにより、ストリングス2の太陽電池素子を発熱させることにより、ストリングス2上の融雪がなされる。 - 特許庁

This power supply circuit boosts a DC current and outputs it by impressing a DC voltage to one end of a coil L1, by turning on and off between the other end of the coil L1 and ground electric potential with a switching element Q1, and by clipping and smoothing a voltage from the other end of the coil L1.例文帳に追加

コイルL1の一端に直流電圧を印加し、コイルL1の他端及び接地電位間をスイッチング素子Q1によりオン/オフし、コイルL1の他端からの電圧をクリップし平滑することにより、直流電圧を昇圧し出力する電源回路。 - 特許庁

The switching control means 11 waits until a zero-cross signal is inputted from the zero-cross detection circuit 12 after a request-for-heating signal is inputted, and starts the on/off operation of the switching element 8 at a point where the voltage of the alternate current power source 1 gets zero.例文帳に追加

スイッチング制御手段11は、加熱要求信号が入力された後、ゼロクロス検知回路12から出力されるゼロクロス信号が入力されるのを待ち、交流電源1の電圧がゼロになったところからスイッチング素子8のオン・オフ動作を開始させる。 - 特許庁

A power voltage level to be supplied to an anode line driver is adjusted, according to a difference value between an ideal voltage drop and a voltage drop, caused by the anode line driver for supplying the drive current for making each light-emitting element emit light, to the anode line of the light-emitting panel.例文帳に追加

発光素子各々を発光させる駆動電流を発光パネルの陽極線に供給する陽極線ドライバで生じる電圧降下値と、理想電圧降下値との差分値に応じて陽極線ドライバに供給すべき電源電圧の値を調整する。 - 特許庁

例文

The secondary control circuit is so connected as to switch the switching element in response to a difference between a desired output value and an actual output value so that an electric current indicating a difference between a desired output value and an actual output value is forcibly flowed through the third winding.例文帳に追加

二次制御回路は、所望の出力値と実際の出力値との差に応答して切換素子を切換えて、所望の出力値と実際の出力値との差を表わす電流が第3の巻線に強制的に流入するように結合される。 - 特許庁

例文

Accordingly, the abnormality of each of the wiring 41, 42 and 43 can be detected without measuring the current Ip of the pump cell 14 influenced by the gas atmosphere around a sensor element 10, the sensor abnormality can be detected even in any gas atmosphere.例文帳に追加

したがって、センサ素子10周囲のガス雰囲気に影響されるポンプセル14の電流Ipを測定することなく、配線41、42、43の異常をそれぞれ検出することができるので、いかなるガス雰囲気でもセンサ異常を検出することができる。 - 特許庁

Supply of a current required for writing for a phase change memory element of a memory cell can be performed in the writing circuit 2 by making a voltage level of the power source (Vwrite) of the writing device higher voltage(Vwrite>VDD) than a voltage level of the power source (VDD).例文帳に追加

そして、書き込み装置の電源(Vwrite)の電圧レベルを、電源(VDD)の電圧レベルよりも高電圧とすることで(Vwrite>VDD)、書き込み回路2においてメモリセルの相変化記憶素子への書き込みに必要な電流の供給を可能とする。 - 特許庁

In the electro-optical device, a capacitor for charge storage is provided between a source electrode and a gate electrode of a driving transistor, which is between power sources, so that the driving transistor can control a driving current even when the electro-optical element is connected to the source side of the driving transistor.例文帳に追加

電気光学装置は、電源間であって駆動トランジスタのソース電極とゲート電極との間に電荷保持用のキャパシタを設けて、電気光学素子が駆動トランジスタのソース側に接続されても駆動トランジスタが駆動電流を制御できるようにした。 - 特許庁

Load characteristics approximate to those of an LED where the load current rises at a desired set voltage Vset can be achieved without being affected by the temperature or the characteristic variation of an element, by providing an electronic load unit 2 which operates as a constant voltage load.例文帳に追加

定電圧負荷として動作する電子負荷部2を設けることによって、温度や素子の特性ばらつきなどの影響を受けることなく、所望の設定電圧Vsetで負荷電流が立ち上がるLEDに近似した負荷特性を実現できる。 - 特許庁

The state that the generated electrical power is not regenerated at the power supply 152 is realized by controlling an operation of a switching element of an inverter 146 and short-circuiting between the current-carrying terminals of the motor 54 to make the inverter 146 act as the second regenerative electrical power reducing device.例文帳に追加

例えば、インバータ146のスイッチング素子の作動を制御して、モータ54の通電端子間を短絡させることで、発電電力が電源152に回生されない状態を実現し、インバータ146を第2回生電力低減装置として機能させる。 - 特許庁

A drive current line which supplies power to an EL element includes a branch line provided in a display region and a trunk line 26, 28 (72, 74) having a larger cross-sectional area than that of the branch line 20, provided along two or more sides of a peripheral portion of a display region.例文帳に追加

EL素子に電力を供給する駆動電流配線が、表示領域内に配置される枝配線の他に、表示領域の周辺部の2辺以上に沿って、枝配線20よりも断面積の大きい幹配線26,28(72,74)を備える。 - 特許庁

To secure stability and reliability of current detecting accuracy by preventing a stress from acting on a magnetic sensor such as a hall element or on a junction part of the magnetic sensor and a circuit board, even when the expansion or contraction of a mold member due to temperature change occurs.例文帳に追加

温度変化に起因するモールド部材の膨張もしくは収縮が生じても、それによってホール素子等の磁気センサや、該磁気センサと回路基板との接合部に応力が作用するのを防止し、電流検出精度の安定性と信頼性を確保する。 - 特許庁

The display device includes: a means for detecting a change in a voltage value or a current value caused by a decrease in luminance by the drive of the organic electroluminescent element; and a storage means for storing conversion conditions to be referred to determine a correction amount based on detected information.例文帳に追加

有機発光素子の駆動による輝度低下に伴って発生する電圧値又は電流値の変化を検出する手段と、検出された情報に基づく補正量を決定するために参照する換算条件を記憶する記憶手段とを備える。 - 特許庁

In the organic EL element 1, when a current is carried (a voltage is applied) between a positive electrode 3 and a negative electrode 5, positive holes and electrons are moved in a positive transportation layer 41 and in an electron transportation layer 43, respectively, and the positive holes and electrons are recombined with each other in a luminescent layer 42.例文帳に追加

有機EL素子1では、陽極3と陰極5との間に通電(電圧を印加)すると、正孔輸送層41中を正孔が、また、電子輸送層43中を電子が移動し、発光層42において正孔と電子とが再結合する。 - 特許庁

By switching the diffusivity-variable element 4 from the dispersion condition to the transmission condition, it is possible to switch from a first luminance distribution 21 to a second luminance distribution 22 in which a luminance in the center is higher, without increasing the number of light sources 2 and/or the driving current, for example.例文帳に追加

拡散度可変素子4を散乱状態から透過状態に切り替えることで、例えば光源2の個数や駆動電流を増やすことなく、第1の輝度分布21から中央部の輝度の高い第2の輝度分布22に切り替えることができる。 - 特許庁

The output signal of the amplifier 22 is applied through a resistance R_8 to a feedback coil 12 having the magnetic sensing element set inside, whereby a current flows to the feedback coil 12 to generate a magnetic field component in the direction to an external magnetic field and feed back the magnetic field component forwardly.例文帳に追加

増幅器22の出力信号は、抵抗R_8 を介して感磁素子を内部に配設した帰還コイル12に印加され、帰還コイル12には電流が流れ、外部磁界に対してその向きの磁界成分を発生させ、磁界成分を正帰還することになる。 - 特許庁

When the pulse width of the heat enable signal HE is applied to all eight heater elements, there is no element to which only the pulse width of the warmth retaining signal SHE is applied and the current flows concurrently to the eight elements, whereby the voltage Vh decreases by the voltage drop ΔV.例文帳に追加

また、ヒートイネーブル信号HEのパルス幅が印加されるヒータ素子が8個すべてならば、保温信号SHEのパルス幅のみが印加される素子はなく、8個の素子に同時に電流が流れるため、電圧Vhは電圧降下分ΔVだけ低くなる。 - 特許庁

When switching is made from three-phase conduction to two-phase conduction, a control current is decreased to about 90% of the level at the time of three-phase conduction at a constant rate matching the variation rate of torque constant by lowering the duty ratio of a load side switching element.例文帳に追加

また、3相通電から2相通電へ切り替えられるときには、負極側スイッチング素子のデューティー比を低下させることにより、制御電流を3相通電時の約90%の値にまでトルク定数の変化に合わせた一定の割合で減少させる。 - 特許庁

In a line head 35, ink is supplied to an ink channel 331 from an ink tank section 32 through an ink supply pipe 336 and a driving current is applied to a heating element 321 from a circuit on a printed board 360 through a terminal plate B 341 and a golden wire 342.例文帳に追加

ラインヘッド35では、インクタンク部32からインク供給管336を介してインク流路331にインクが供給され、プリント基板360の回路からB端子板341、金線342を介して発熱素子321に駆動電流が印加される。 - 特許庁

To reduce a leak current varied according to the resistance value of a memory cell to be read consisting of a variable resistance element storing ternary or more multi-value information, and to improve the readout margin, in a semiconductor storage device having a memory cell array of a cross point type.例文帳に追加

クロスポイントタイプのメモリセルアレイを有する半導体記憶装置において、3値以上の多値情報を記憶する可変抵抗素子からなる読み出し対象のメモリセルの抵抗値に依存して変化するリーク電流を低減し、読み出しマージンの向上を図る。 - 特許庁

To provide a high frequency module which reduces leakage current by electrically isolating a substrate from a high frequency element, while forming a thin-film MIM capacitor having a dielectric layer of satisfactory crystallinity, and satisfactorily prevents deterioration of characteristics due to parasitic components.例文帳に追加

結晶性の良好な誘電体層を有する薄膜MIMキャパシタを形成しつつ、基板と高周波素子を電気的に分離してリーク電流を低減し、更には寄生成分による特性劣化を良好に防止することができる高周波モジュールを提供する。 - 特許庁

To provide a discharge lamp lighting device, and a lighting system using it, capable of surely protecting a circuit element from excessive stress, even in the case a resistance of the wiring of a power source supply channel from a direct-current power source gets larger than usual.例文帳に追加

直流電源からの電源供給路の配線等の抵抗が通常よりも大きくなった場合にも回路素子を過度のストレスから確実に保護することができる放電灯点灯装置及びそれを用いた照明装置を提供することにある。 - 特許庁

An electric signal generated by a secondary magnetic field being formed close to the component (10) is detected by the eddy current element (22), and the detected electric signal is compared with a reference one to judge whether the detected electric signal differs from the reference one or not.例文帳に追加

構成要素(10)に近接して形成される二次磁界により発生する電気信号を渦電流素子(22)を使用して検出し、検出された電気信号を基準信号と比較して、検出された信号が基準信号と異なるか否かを判定する。 - 特許庁

To provide a resistive memory element capable of controlling switch driving voltage and current by including a memory part and a resistor part for controlling a switching window, allowed to be used as a WORM (write only read memory) type memory and having excellent operation reliability.例文帳に追加

メモリ部とスイッチングウィンドウを調整する抵抗部とを含むことによりスイッチ駆動電圧および電流を調節することが可能であり、WORM(Write Once Read Memory)型メモリとして使用可能であり、動作信頼性にも優れた抵抗変化型メモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a powder magnetic core as a high performance magnetic element having reduced eddy current loss using iron based metal powder having a high saturated magnetic flux density Bs, and to provide magnetite-iron composite powder as metal powder suitable for realizing the same.例文帳に追加

飽和磁束密度Bsの高い鉄系の金属粉末を用いて渦電流損失の小さい高性能な磁性素子である圧粉磁芯を提供すること、および、これを実現するために好適な金属粉末であるマグネタイト−鉄複合粉末を提供する。 - 特許庁

A failure due to a leakage current is suppressed by applying the transistor to the switching element, thereby allowing the semiconductor circuit capable of obtaining stable input/output characteristics to be constituted.例文帳に追加

このようなトランジスタは、オフ状態におけるリーク電流が小さい特徴を有し、当該トランジスタをスイッチング素子に適用することによりリーク電流に起因する不具合が抑制され、安定した入出力特性が得られる半導体回路を構成することが出来る。 - 特許庁

Unless the system voltage rise is controlled even if the output voltage is reduced, and if the reduced target value I_SD reaches a target value (a prescribed value T_T) that is set as the lower limit value of the output current, the drive of a switching element is stopped (Step 118).例文帳に追加

また、出力電力の絞り込みを行っても系統電圧の上昇が抑制去れず、減少させた目標値I_SDが出力電流の下限値として設定している目標値(所定値T_T)に達すると、スイッチング素子の駆動を停止させる(ステップ118)。 - 特許庁

During starting of an internal combustion engine, by feeding a command current having a given period T0 and a given pulse width τ0 to upper and lower coils 38 and 42, initial drive during which by utilizing the vibration characteristics of a movable part, a valve element 14 is displaced to a full closed position is executed.例文帳に追加

内燃機関の始動時に、所定周期T0 および所定パルス幅τ0 の指令電流をアッパコイル38およびロアコイル42に供給することにより、可動部の振動特性を利用して弁体14を全閉位置まで変位させる初期駆動を行う。 - 特許庁

This multiplication processing portion 24 multiplies a voltage value from the voltage control means by the sampling value Vrec(n) of a source voltage and the gain of the multiplication processing portion, to obtain a peak control target value Iref(n) of a current that flows in the switching element and to supply it to a second addition processing portion 25.例文帳に追加

この乗算処理部24は電圧制御手段からの電圧値と電源電圧のサンプリング値Vrec(n)と乗算処理部のゲインを乗算し、スイッチ素子に流れる電流のピーク制御目標値Iref(n)を算出し、第2の加算処理部25に供給する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element for improving the delay characteristics of the signal transmission speed and leakage current characteristics of wiring formed in an interlayer insulating film by restoring the characteristics of the interlayer insulating film made of a low dielectric-constant material.例文帳に追加

低誘電率材料からなる層間絶縁膜の特性を回復することにより、層間絶縁膜中に形成される配線の信号伝達速度の遅延特性やリーク電流特性を向上させる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

If the final control element is determined to be a triggering object, sequence control means sequentially extract a series of final control elements according to the sequence control information and current plant input point information, and CRT operation controlling means execute sequential control.例文帳に追加

操作端がトリガ対象であると判定されたときは、シーケンス制御手段はシーケンス制御情報および現在のプラントの入力点情報に基づいて一連の操作端を順次抽出し、CRTオペレーション操作手段により順次操作を実行する。 - 特許庁

An inverter circuit 3 has an inverter-circuit protective device 5 controlling the application of a high voltage to the inverter circuit 3 by making a current flow through the bypass resistance element R1 when a DC voltage input to the inverter circuit 3 reaches a threshold value or more.例文帳に追加

インバータ回路3は、インバータ回路3に入力されるDC電圧が閾値以上になった場合にバイパス抵抗素子R1に電流を流すことにより、インバータ回路3に高電圧が印加されないように制御するインバータ回路保護装置5を備える。 - 特許庁

At the time of intermittence of regenerative current, the vibratory voltage caused by a resonance phenomenon developed by a regenerative reactor LCHP and a snubber capacitor CLCHP for regenerative diode is applied to a ripple voltage protection diode DKP through a snubber capacitor CSCHP for a regenerative switching element.例文帳に追加

回生電流断続時、回生リアクトルLCHPと回生ダイオード用スナバコンデンサCLCHPで発生する共振現象に起因する振動電圧は、回生スイッチング素子用スナバコンデンサCSCHPを介してリップル電圧防御ダイオードDKPに印加される。 - 特許庁

The domain 1009 is a domain, where the number of magnetic particulates 1101 fixed in the domain 1009 corresponds one-to-one manner to the magnitude of Hall electromotive force, obtained when an electric current is passed from a DC power supply 1003 through the Hall element 1001.例文帳に追加

領域1009は、この領域1009に固定された磁性粒子1101の個数と、ホール素子1001にDC電源1003より電流を流したときに得られるホール起電力の大きさとが一対一で対応する領域である。 - 特許庁

The system controller 7 controls a current of the activated light emitting element through a driver 18 corresponding to the temperature measured by temperature measuring means 19 such that the temperature of each of the light emitting elements or the ambient temperature does not become higher than a level that causes deterioration of the light emitting elements.例文帳に追加

システムコントローラ7は、発光素子の温度もしくは周囲温度が素子劣化を引き起こすほど高温とならないように、ドライバ18を介して温度測定手段19による測定温度に応じて点灯している発光素子の電流制御を行う。 - 特許庁

At least one of inductance, electrostatic capacity and oscillation frequency is variably controlled to make the phase angle of impedance always constant, and a reference signal is added to a detected current signal to detect the resistance change of the resistance element 4.例文帳に追加

インピーダンスの位相角が常に一定となるようにインダクタンス、静電容量および発振周波数のうち少なくともいずれか一つを可変制御し、検出された電流信号に基準信号を加算して前記抵抗素子4の抵抗変化を検出する。 - 特許庁

To provide an organic semiconductor device that has improved insulating characteristics and has a large on/off ratio of current flowing between source and drain electrodes, to provide a manufacturing method of the organic semiconductor device, and to provide a display element having the organic semiconductor device.例文帳に追加

本発明は、絶縁特性が良好であると共に、ソース電極及びドレイン電極間を流れる電流のオン/オフ比が大きい有機半導体装置及びその製造方法並びに該有機半導体装置を有する表示素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

To prevent luminance irregularities by a low voltage and low power consumption in the constant current drive of an organic electroluminescent display 3 for which an organic electroluminescent element 1 is formed at the crossing part of data electrodes 10 and scanning electrodes 11 arranged in a matrix shape.例文帳に追加

マトリックス状に配置されたデータ電極10と走査電極11の交差部に有機エレクトロルミネセンス素子1が形成された有機エレクトロルミネセンスディスプレイ3の定電流駆動において、低電圧及び低消費電力で輝度ムラを防止できるようにする。 - 特許庁

Thus, the generation of a Ga defect can be controlled in the sub-emitter layer 45, and the semiconductor wafer 1 can be manufactured so that a bipolar semiconductor element with a hetero joint can be manufactured without reducing a current amplification factor of β.例文帳に追加

これによりサブエミッタ層45におけるGa欠陥の発生を制御することができ、この結果、電流増幅率βを低下させることのないヘテロ接合バイポーラ半導体素子の製作を可能とするように半導体ウェーハ1を製造することができる。 - 特許庁

Variations in distribution of the element for observation caused by current stress are microscopically observed using electron beam or X-ray, thereby the diffusion route of the wiring metal being estimated.例文帳に追加

配線を構成する原子とは異なる観察用元素をあらかじめ配線内に局所的に分布させておき、電流ストレスによる観察用元素分布の変化を電子線あるいはX線を用いて顕微鏡観察することにより、配線金属の拡散経路を推定する。 - 特許庁

A determination circuit 260 determines a magnitude relationship between a voltage of a determination target signal LPFO, which is obtained on the basis of a signal resulting from converting a drive current outputted from a sensor element 4 into a voltage by an I/V conversion circuit 200, and a determination voltage.例文帳に追加

判定回路260は、センサー素子4が出力する駆動電流がI/V変換回路200により電圧に変換された信号に基づいて得られる判定対象信号LPFOの電圧と判定電圧との大小関係を判定する。 - 特許庁

The reduction in size of the element and a decrease in the leakage current are made compatible by connecting gate electrodes 15 of the plurality of thin film transistors therebetween only by a region 13b in which an impurity is implanted in a low concentration in a polycrystal semiconductor thin film used for an active layer.例文帳に追加

複数個の薄膜トランジスタのゲート電極15間を、活性層に用いる多結晶半導体薄膜に不純物を低濃度に注入した領域13bのみで接続することにより素子サイズの縮小とリーク電流の減少を両立させる。 - 特許庁

Moreover, the voltage detection circuit 40 includes a setting unit 52 which, when the voltage level of an output terminal of the differential amplifier 42 is at the H level for turning on the control transistor 46, turns off a measurement switch element 54 to connect a measurement current source 60 to the other end of the resistor 48.例文帳に追加

さらに、差動増幅器42の出力端子の電圧レベルが制御トランジスタ46をオンさせるHレベルとなるタイミングで、測定切替素子54をオフし、測定電流源60を抵抗素子48の他方端に接続するする設定部52を含む。 - 特許庁

An N+ diffused layer 15, an N well 14, and a deep N-well 15 are formed in a position deeper than a shallow trench isolation region as an emitter diffused layer so that the discharge current of a bipolar transistor of a static protective element flows mainly vertically to the substrate surface.例文帳に追加

静電保護素子のバイポーラトランジスタの放電電流が主に基板表面に対して縦方向となるように、シャロートレンチ分離体16よりも深い位置に、エミッタ拡散層として、N^+拡散層15、Nウエル14及び深いNウエル11を形成する。 - 特許庁

例文

The thermoelectric conversion elements 5 (5a, 5b) are connected via the electrodes 2 for forming the connection circuit of the thermoelectric conversion element and the inner substrate 3 is set to be a heat-absorption-side substrate by allowing current to flow to the connection circuit to set the outer substrate 4 to be a heat-radiation-side substrate.例文帳に追加

これらの電極2を介して熱電変換素子5(5a,5b)を接続して熱電変換素子の接続回路を形成し、該接続回路に電流を流すことにより内側基板3を吸熱側基板と成して外側基板4を放熱側基板と成す。 - 特許庁




  
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