「element current」に関連した英語例文の一覧と使い方(159ページ目) - Weblio英語例文検索

A two-dimensional or three-dimensional Poisson equation to handle a plane or a curved surface is given as a dominating equation to an area inside the anode and/or the cathode, and these are discrete by a boundary element method or a finite element method, and the current density i and the electric potential distribution ϕin the system are calculated through the simultaneous operation.例文帳に追加

アノード１１、及び／又はカソード１２の抵抗が無視できない系での電解めっきにおいて、めっき液１３を含む領域に対しては３次元ラプラス方程式を支配方程式として与え、これを境界要素法で離散化し、アノード、及び／又はカソード内部の領域に対しては、平面または曲面を扱う２次元又は３次元のポアソン方程式を支配方程式として与え、これらを境界要素法または有限要素法で離散化し、それらを連立させ、系内の電流密度ｉおよび電位分布φを算出する。 - 特許庁

To prevent a current in a circuit for detecting a misfire from being cut off, a resistance element 47 is installed parallel with the diode 46.例文帳に追加

コンデンサ４１の充電が完了した時点でサイリスタ４５をオン状態にしてサイリスタ４５による電圧降下を防止し、またオン状態のサイリスタ４５によって生ずるコンデンサ４１の放電を防止するために、コンデンサ４１とサイリスタ４５の間にダイオード４６を設け、さらに、このダイオード４６により、失火検出のための回路の電流が遮断されることを防止するために、そのダイオード４６と並行に抵抗素子４７を設ける。 - 特許庁

To provide a high-reliability semiconductor device which suppresses heat stress applied to the semiconductor device as much as possible and has small energy loss, by reducing the Joule heat generated by a main electrode and a metal pattern as the current path of a semiconductor element during electric drive by replacing those components with components having small high-frequency inductance.例文帳に追加

本発明は、半導体素子の電流路である主電極および金属パターンを、高周波インダクタンスのより小さい構成部品と置換することにより、これらの構成部品から生じる通電駆動時のジュール熱を低減して、半導体装置に加わる熱ストレスを極力抑えた、エネルギーロスの少ない高信頼性の半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Measurement information S acquired during the forcible application of the periodic disturbance T to the polarized wave plane maintenance fiber 5 by the disturbance application mechanism 40 is averaged, a magnetic field intensity near a Faraday element 2 or a current is obtained on the basis of an average value Sa of the measurement information S.例文帳に追加

この偏波面保持ファイバー５に対して、測定光ＳＬの位相差に変化を与え得る外乱Ｔを周期的に与える外乱付与機構４０によって周期的な外乱Ｔが偏波面保持ファイバー５に強制的に与えられている間に求められた測定情報Ｓを平均し、その測定情報Ｓの平均値Ｓａに基づきファラデー素子２周辺の磁界強度や電流値を得る。 - 特許庁

In the semiconductor laser element comprising an active layer, a plurality of conductive clad layers sandwiching the active layer, and a current block layer having an opening above a predetermined stripe region of the active layer formed on a conductive semiconductor substrate, the opening has a width of 10-30 μm and the transverse mode is multi-mode oscillation.例文帳に追加

導電型半導体基板の上に、少なくとも、活性層と、該活性層を挟む複数の導電型クラッド層と、前記活性層の所定のストライプ状領域の上方に開口部を有する電流阻止層とが積層されてなる半導体レーザ素子において、前記開口部の幅が１０［μｍ］〜３０［μｍ］であり、横モードがマルチモード発振であることを特徴とする。 - 特許庁

In circuit constitution in which plural unit pixels are made to be a display pixel and a light emitting element is arranged for every unit pixel and the light emitting elements is driven by a current mirror circuit, display having satisfactory white balance is realized as a display pixel by setting the mirror ratio of transistors constituting the circuit in accordance with the luminous efficiency of emission colors of each unit pixel in a display pixel.例文帳に追加

複数の単位画素で１表示画素とし、単位画素毎に発光素子を配し、該発光素子をカレントミラー回路で駆動する回路構成において、該回路を構成するトランジスタのミラー比を表示画素内において、各単位画素の発光色の発光効率に応じて設定することにより、表示画素として良好なホワイトバランスの表示を実現する。 - 特許庁

An inverter apparatus for implementing a sinusoidal drive has an inexpensive constitution for inhibiting an increase in the torque ripple of the DC brushless motor 6 caused by an increase in a DC voltage ripple by detecting the DC voltage ripple, correcting a modulation rate M in proportion to a turn-on time of a switching element, removing the effect of the DC voltage ripple and making an output current from the inverter sinusoidal.例文帳に追加

正弦波駆動を行うインバータ装置において、直流電圧のリップルを検出して、スイッチング素子のオン時間に比例する変調率Ｍを補正し、直流電圧のリップルの影響を除去し、インバータの出力電流をより正弦波状にすることで直流電圧のリップルにより増大するＤＣブラシレスモータ６のトルクリップル増加を安価な構成で抑制する。 - 特許庁

To provide a high-quality, high-reliability, and high dielectric thin film capacitor which shows the same permittivity as that shown by a capacitor in which a noble metallic element is used for metallic electrodes, through the capacitor uses an inexpensive metallic material for its metallic electrodes and is less in leakage current, and to provide a method by which the capacitor can be manufactured at a low cost.例文帳に追加

コンデンサの電極材料として安価な金属材料が適応された高誘電体薄膜コンデンサとその製造方法を提供することにより、製造コストが安く、かつ貴金属元素を金属電極に用いたコンデンサと同等の誘電率を示し、かつ漏れ電流の小さな高品質かつ高信頼性を有する高誘電体薄膜コンデンサを提供する。 - 特許庁

Provided are a nitride semiconductor light emitting element containing a first n type nitride semiconductor layer, a light emitting layer, a p type nitride semiconductor layer and a second n type nitride semiconductor layer in this order, having a current preventing region formed at least by removing a part of the second n type nitride semiconductor layer, and a production thereof.例文帳に追加

第１のｎ型窒化物半導体層、発光層、ｐ型窒化物半導体層および第２のｎ型窒化物半導体層をこの順に含む窒化物半導体発光素子であって、少なくとも第２のｎ型窒化物半導体層の一部を除去することにより形成された電流阻止領域を有する窒化物半導体発光素子とその製造方法である。 - 特許庁

To provide a display driving device and a display which suppress deterioration in displayed image quality caused by a writing shortage when display data is written in a display pixel and satisfactorily meet the need for a larger screen and higher definition of a display panel in a display for emission-controlling a light emitting element provided in the display pixel by a current designation system.例文帳に追加

表示画素に設けられた発光素子を電流指定方式で発光制御するディスプレイにおいて、表示画素への表示データの書込動作に際し、書込不足による表示画質の劣化を抑制することができるとともに、表示パネルの大画面化や高精細化に良好に対応することができる表示駆動装置及び表示装置を提供する。 - 特許庁

The EL display device having a plurality of pixels arranged in a grid shape includes a switch 121a, capable of preventing flowing of current to the drain electrode of a driving transistor 11a from an EL power source 12 during a video writing period for writing a video signal in an EL element 15, by turning on a switching transistor 11k by a gate signal from a gate signal line 2.例文帳に追加

格子状に配された複数の画素を有するＥＬ表示装置において、ゲート信号線２からのゲート信号によってスイッチングトランジスタ１１ｋをＯＮ状態にして、ＥＬ素子１５へ映像信号を書き込む映像書き込み期間において、ＥＬ電源１２から駆動トランジスタ１１ａのドレイン電極に電流が流れないようにするスイッチ１２１ａを有する。 - 特許庁

The ignition device 10 includes a discharge electrode 24 electrically connected to a secondary coil 13 and keeping a secondary gap 29 with a stem 34, and a diode element 25 connected between the secondary coil 13 and the stem 34 and connected in parallel with the second gap 29 so as to make ion current flow from the secondary coil 13 side to the stem 34 side.例文帳に追加

２次側コイル１３に電気的に接続されると共に、ステム３４との間に第２ギャップ２９を形成する放電電極２４と、２次側コイル１３とステム３４との間に接続されると共に、２次側コイル１３側からステム３４側にイオン電流が流れるように第２ギャップ２９に並列に接続されたダイオード素子２５と、を点火装置１０に備える。 - 特許庁

The absolute value of the residual DC accumulated on a display layer and the time constant thereof are measured by applying a periodical measuring voltage to the display element composed of the multilayer dielectric before and after residual DC accumulation respectively and measuring a phase change of a peak of a current caused by ions in the display layer brought about in response to the periodical measuring voltage.例文帳に追加

多層誘電体から成る表示素子に対して、残留ＤＣが蓄積する前と蓄積した後にそれぞれ周期的測定電圧を印加し、該周期的測定電圧に応答して発現する表示層中のイオンに由来する電流ピークの位相の変化を計測することによって、表示層に蓄積される残留ＤＣの絶対値および時定数を測定する。 - 特許庁

As a constitution of the solid-state imaging element provided with an optical black region 1 including a pixel unit for compensating for dark current and an imaging region 2 including the pixel unit which is effective for extraction of images, level difference in the optical black is reduced by giving difference between the charge voltage converting efficiencies of the pixel units of the optical black region and imaging region.例文帳に追加

暗電流補正用の画素部を有するオプティカルブラック領域１と、画像の取り込みに有効な画素部を有する撮像領域２とを備える固体撮像素子の構成として、オプティカルブラック領域の画素部の電荷電圧変換効率と、撮像領域の画素部の電荷電圧変換効率とに差を持たせることにより、オプティカルブラック段差を低減する。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element in which a plurality of semiconductor layers having an active layer that emits light by electric current injection are stacked on a substrate, comprises a metal dot layer neighboring the active layer, and the dot metal layer is configured so that a plurality of metal dots having a dot diameter to provide localized plasmon resonance for a prescribed wavelength are arranged in parallel to the substrate.例文帳に追加

基板上に、電流注入により発光する活性層を含む複数の半導体層が積層された半導体発光素子であって、 前記活性層の近傍に、金属ドット層を備え、 前記金属ドット層は、所定の波長に対して局在プラズモン共鳴する大きさのドット径を有する複数の金属ドットが、前記基板と平行に配列されて構成されている。 - 特許庁

While the drive circuit carries a current to the storage element through the access transistor by applying a voltage between the bit line BL and the plate line in the first operation of writing and erasure of data to the memory cell MC, applies a voltage opposite to the voltage in the first operation between the well and the plate line PL in the second operation of the writing and the erasure of the data.例文帳に追加

駆動回路は、メモリセルＭＣへのデータの書き込みと消去の一方（第１動作）でビット線ＢＬとプレート線との間に電圧を印加することによって前記アクセストランジスタを介して前記記憶素子に電流を流し、データの書き込みと消去の他方（第２動作）においては、第１動作での前記電圧と逆向きの電圧を前記ウェルと前記プレート線ＰＬとの間に印加する。 - 特許庁

By injecting an electric signal having a peculiar resonance frequency from a signal transmission means 5 to equipment 6, a switching element 8 is driven by a resonance voltage or current in a tuning resonance part 7 and power supply from a commercial power source to a control power source part 9 can be started from the state of standby power zero up to the moment by remote centralized control.例文帳に追加

信号伝達手段５から機器６に固有の共振周波数を有する電気信号を注入することにより、同調共振部７での共振電圧または電流によりスイッチング素子８を駆動し、それまでの待機電力ゼロの状態から、制御電源部９に商用電源からの電源供給を遠隔集中制御によって開始できるようにする。 - 特許庁

Although the movement conditions of a switching element 14 for changing a current voltage to be supplied to the battery 30 is changed by a drive circuit 15, a display controller 40 for performing the display control of a display 42 for a speed meter is connected to the drive circuit 15, and the movement of the drive circuit 15 is controlled by a control signal from the display controller 40.例文帳に追加

バッテリ３０に供給される電流電圧を変動させるスイッチング素子１４の動作条件は駆動回路１５によって変更されるが、駆動回路１５には、スピードメータ用ディスプレイ４２の表示制御等を行うためのディスプレイコントローラ４０が接続されており、駆動回路１５の動作がディスプレイコントローラ４０からの制御信号により制御されるよう構成されている。 - 特許庁

A gate electrode terminal of the first MOS capacitance is equivalently connected to a diffusion layer side terminal (terminal opposite to the gate electrode terminal) of the second MOS capacitance, and a potential difference generating element 16 for generating potential difference, based on the current flowing, is connected between the diffusion layer side terminal of the first MOS capacitance and the gate electrode terminal of the second MOS capacitance.例文帳に追加

第１のＭＯＳ容量のゲート電極端子と、第２のＭＯＳ容量の拡散層側端子（ゲート電極端子とは反対の端子）が等価的に接続され、第１のＭＯＳ容量の拡散層側端子と第２のＭＯＳ容量のゲート電極端子の間に、電流が流れることにより電位差を発生する電位差発生素子１６が接続される。 - 特許庁

The start control means 301 switches the output control from the start control to the constant voltage control mode or the constant current control mode in which, when a switching frequency reaches a specified value, a switching frequency is maintained at or below the predetermined frequency, monitors a load voltage Vo from a switching element Q1, and causes switching signals to increase in frequency until the load voltage Vo reaches the command level.例文帳に追加

また、スタート制御手段３０１は、スイッチング周波数が規定値に達したとき、出力制御をスタート制御から、スイッチング周波数を所定の周波数以下に維持する定電圧制御モードまたは定電流制御モードに切り替え、スイッチング素子Ｑ１からの負荷電圧Ｖｏを監視し、負荷電圧Ｖｏが指令レベルに達するまでスイッチング信号の周波数を上昇させる。 - 特許庁

In the heating element 100, the compound body generates heat when the electric current is applied between the electrodes, so that substances such as particles and fluid existing in or around the compound body are heated.例文帳に追加

炭化ケイ素及びシリコンを含む材料により構成された有形骨格を備えた多孔質の複合体１１０と、この複合体に通電できるように当該複合体に設けられた電極１２０とを備え、上記電極間に電流を流すと上記複合体が発熱し、上記複合体の内部又は周囲に存在する粒子、流体などの物質を加熱するように構成された発熱体１００である。 - 特許庁

No legal protection is granted to industrial designs which contain the name of the Republic of Estonia or an administrative unit thereof, the current or historical name of an association or foundation registered in Estonia, or its abbreviation, flag, armorial bearings, emblem, seal, honorary distinction, symbol or an element of the symbol, unless a competent authority or official has given written consent thereto. 例文帳に追加

エストニア共和国若しくはその行政機関の名称，エストニアにおいて登録されている団体若しくは財団の現代の若しくは歴史的な名称又はその略称，旗，紋章，記章，印章，勲章，表象若しくは表象の要素を含む意匠には，法的保護を付与しない。ただし，権限を有する機関又は公務員が書面により付与を承認したときは，この限りでない。 - 特許庁

The manufacturing method of an electrode for the electrochemical element includes a first process of continuously installing active material layers for storing and releasing lithium on a conductive current collector, and forming a precursor of the electrode in a hoop state; a second process of forming a plurality of grooves in the active material layer; and a third process of membrane forming lithium on the active material layer.例文帳に追加

本発明の電気化学素子用電極の製造方法は、導電性を有する集電体の上にリチウムを吸蔵放出する活物質層を連続して設け、電極の前駆体をフープ状に形成する第１の工程と、活物質層に複数の溝を形成する第２の工程と、活物質層の上にリチウムを成膜する第３の工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To reduce the electric current flowing to an input protective element even when an undershooting waveform or overshooting waveform is inputted by forming a deep P- or N-well area in an n- or p-type semiconductor substrate and setting the well area in an electrically floating state.例文帳に追加

アンダーシュート波形又はオーバーシュート波形が入力された場合であっても、ｎ又はｐ型半導体基板内にＰ又はＮ型の深いウェル領域を形成し、これらＰ又はＮ型の深いウェル領域を電気的にフローティングな状態として入力保護素子に流れる電流を減少させることができる入力保護素子及び入力保護素子を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

A current sensor 1 is constituted of an insert component assembly assembled to a sensor component assembly obtained by assembling a magnetic detection element 13 to a bus bar assembly obtained by integrating a bus bar 11 and a core 12, in a state electrically connected to a connector 20, and a housing 2 integrated by inserting the insert component assembly and the insert molding which performs injection molding of a molten resin.例文帳に追加

電流センサ１は、バスバー１１、及びコア１２を一体化したバスバー組立体に磁気検出素子１３を組付けたセンサ部品組立体に対して、コネクタ２０を電気的に接続した状態で組付けたインサート部品組立体と、インサート部品組立体をインサートとして、溶融樹脂を射出成形するインサート成形により一体化したハウジング２とにより構成されている。 - 特許庁

The inverter control circuit 2 includes: a timer circuit in which PWM signals are generated which control a conduction state of a switching element in the inverter circuit 4; the amplifier in which the analog signals generated by a load current in the inverter circuit are amplified and outputted; and a gain control circuit in which switching the gain of the amplifier is controlled in synchronization with the output change timing of the PWM signals.例文帳に追加

インバータ制御回路２は、インバータ回路４のスイッチ素子の導通状態を制御するＰＷＭ信号を生成するタイマ回路と、インバータ回路の負荷電流により生成されるアナログ信号を増幅して出力する増幅器と、ＰＷＭ信号の出力変化タイミングに同期して増幅器のゲインの切り替えを制御するゲイン制御回路と、を備える。 - 特許庁

This manufacturing method of the surface emitting laser device having a selective oxidation type current constriction layer comprises the lamination step for forming a selectively oxidized layer by alternately laminating AlAs layers and XAs layers containing X which being a group III element with a predetermined thickness ratio on a plurality of semiconductor layers including an active layer, and the selective oxidation step for selectively oxidizing the selectively oxidized layer.例文帳に追加

選択酸化型の電流狭窄層を有する面発光レーザ素子の製造方法であって、活性層を含む複数の半導体層上に、ＡｌＡｓ層と、ＩＩＩ族元素であるＸを含むＸＡｓ層とを所定の厚さ比率で交互に積層して被選択酸化層を形成する積層工程と、前記被選択酸化層を選択酸化する選択酸化工程と、を含む。 - 特許庁

The optical disk device for causing a laser beam source to emit beams at a first light quantity level and a second light quantity level larger than the first is provided with at least two current voltage coverting means 22 and 42 disposed corresponding to the first and second light quantity levels to convert the output signal currents of the light receiving element for monitoring into voltages.例文帳に追加

レーザ光源を第１の光量レベルと該第１の光量レベルより大きい第２の光量レベルで発光させる光ディスク装置において、第１の光量レベルと第２の光量レベルのそれぞれに対応して設けられ、モニタ用受光素子の出力信号電流を電圧に変換する少なくとも２つの電流電圧変換手段２２、４２を備える。 - 特許庁

The second writing operation includes setting the voltage signal input terminal E at a second potential, opening the switch Sw 2, and closing the switches Sw 5a and Sw 5b to pass current as a reset signal to the driving control element Tr, then opening the switch Sw 5b and thereafter setting the voltage signal input terminal E at the potential corresponding to the video signal.例文帳に追加

第２書き込み動作は、電圧信号入力端子Ｅを第２電位に設定するとともにスイッチＳｗ２を開き且つスイッチＳｗ５ａ及びＳｗ５ｂを閉じて、駆動制御素子Ｔｒにリセット信号としての電流を流し、次いで、スイッチＳｗ５ｂを開き、その後、電圧信号入力端子Ｅを映像信号に対応した電位に設定することを含む。 - 特許庁

This power supply supplies a capacitor C0 with power by switching a switching element Q2, also serving as a chopper, at a high frequency during an interval when an input current Iin flows in the positive direction using an AC power supply and at the same time, supplies a load discharge lamp FL with high frequency power by switching switching elements Q1-Q4 at a high frequencies.例文帳に追加

本電源装置は、交流電源ＡＣを電源として入力電流Ｉｉｎの電流方向が正の方向である期間、スイッチング素子Ｑ２をチョッパ兼用のスイッチング素子として高周波でスイッチングさせてコンデンサＣ０に電力を供給すると同時に、スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４を高周波でスイッチングさせることにより負荷である放電灯ＦＬに高周波電力を供給する。 - 特許庁

To provide a pixel structure of a display pixel for suppressing a fall in an aperture ratio, while attaining a light-emitting drive operation well, even if miniaturizing the display pixel in the display pixel provided with a pixel drive circuit supplying light-emitting drive current in response to display data in a light emitting element, and to provide a display device provided with a display panel consisting of the display pixel.例文帳に追加

発光素子に表示データに応じた発光駆動電流を供給する画素駆動回路を備えた表示画素において、該表示画素を微細化した場合であっても、発光駆動動作を良好に実現しつつ、開口率の低下を抑制することができる表示画素の画素構造、及び、該表示画素からなる表示パネルを備えた表示装置を提供する。 - 特許庁

In this optical sensor element 1a, wherein a gate electrode 13 is stacked on a semiconductor layer 17 formed of an oxide semiconductor via a gate insulating film 15, and a source electrode 19s and a drain electrode 19d are connected to the semiconductor layer 17, the light reception quantity in the semiconductor layer 17 is read as a drain current value which has changed in a nonvolatile manner with respect to a gate voltage.例文帳に追加

酸化物半導体からなる半導体層１７に対してゲート絶縁膜１５を介してゲート電極１３が積層され、当該半導体層１７にソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄが接続された光センサー素子１ａにおいて、半導体層１７での受光量を、ゲート電圧に対して不揮発的に変化したドレイン電流値として読み出す。 - 特許庁

A driving circuit for a power switching element is provided with a function for protecting a power MOS transistor Q1 in which the transistor Q1 is ON/OFF controlled to control the load current and when an abnormality detection signal is outputted from a monitoring circuit 4, the driving circuit controls a drive circuit 1 by using a control circuit 2 to shut down the transistor Q1 to protect the transistor Q1.例文帳に追加

パワーＭＯＳトランジスタＱ１をオンオフ駆動して、負荷電流を制御すると共に、監視回路４から異常検出信号が出力されたときにコントロール回路２でドライブ回路１を制御してパワーＭＯＳトランジスタＱ１をシャットダウンすることにより、パワーＭＯＳトランジスタＱ１を保護する保護機能付き電力用スイッチング素子の駆動回路が提供される。 - 特許庁

The anode for the nonaqueous electrolyte secondary battery contains a composite anode active material comprising silicon-containing particles 11, carbon nano-fibers 12, and a catalyst element 13; a first binder 15 made of an acrylic group-containing polymer; and a second binder made of adhesion rubber particles, and has a mix layer arranged on a current collector 1A.例文帳に追加

本発明の非水電解質二次電池用負極は、少なくともリチウムイオンの吸蔵放出が可能な含ケイ素粒子１１とカーボンナノファイバ１２と触媒元素１３とからなる複合負極活物質１４と含アクリル基高分子である第１結着剤１５と粘着性ゴム粒子である第２結着剤１６とを含み集電体１Ａ上に設けられた合剤層とを有する。 - 特許庁

To realize a manufacturing method for a semiconductor optical element in which a mesa structure containing an active layer formed by a selective growth operation is used as a waveguide without being etched, in which a buried structure comprising a current blocking structure can be formed without a need of the strict control of an etching rate and without a need of an alignment operation in a photolithographic operation and whose reproducibility, uniformity and throughout are superior.例文帳に追加

選択成長により形成した活性層を含むメサ構造をエッチングすることなく導波路として用い、なおかつ厳密なエッチングレートの管理やフォトリソグラフィ時の位置合わせを必要せずに電流ブロック構造を有する埋め込み構造を形成できる、再現性、均一性およびスループットに優れた半導体光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The detection element comprises a silicon membrane 1 provided with a cantilever beam 11; the superconducting closed circuit 3 formed in a surface or the inside of the cantilever beam 11; a Josephson junction 4 inserted in the closed circuit 3; and a property change detection means for detecting deformation of the cantilever beam 11 on the basis of changes in a maximum superconducting current which can be made to flow through the superconducting closed circuit 3.例文帳に追加

検出素子は、片持ち梁１１を備えたシリコン薄膜１と、片持ち梁１１の表面あるいは内部に形成された超伝導体閉回路３と、閉回路３に挿入されたジョセフソン接合４と、片持ち梁１１の変形を、超伝導体閉回路３に流すことができる最大超伝導電流の変化を通じて検出する物性変化検出手段とを有する。 - 特許庁

In this way, when an electrical connection relationship between a plurality of power generation units carrying the power generation element is switched, an output voltage is increased when the power generation units are connected in series, while an output current can be increased when the power generation units are connected in parallel, and consequently, proper electric power can be fed according to a load condition during use.例文帳に追加

また、発電素子を搭載した複数の発電ユニット間の電気的な接続関係を切り替えると、発電ユニットを直列接続とした状態では出力電圧を大きくし、発電ユニットを並列接続した状態では出力電流を大きくすることができ、使用時の負荷の状況に応じて適切な電力を供給することが可能となる。 - 特許庁

The magnetic impedance effect element comprises a magnetic thin film 3 for generating a variation of impedance through an external field by supplying a high frequency current, and means for imparting a bias field to the magnetic thin film 3 wherein the bias field imparting means comprises a laminate 8 of a ferrodiamagnetic film 5 and a film 6 having a magnetizing direction fixed through exchange coupling with the ferrodiamagnetic film 5.例文帳に追加

高周波電流を通電して外部磁界によりインピーダンスの変化を発生する磁性薄膜３と、この磁性薄膜３にバイアス磁界を付与するバイアス磁界付与手段とを備え、反強磁性膜５と、この反強磁性膜５との交換結合により磁化方向が固定された被磁化方向固定膜６とを備えてなる積層体８で前記バイアス磁界付与手段を構成した。 - 特許庁

The driving apparatus for the PDP is equipped with a number of driving sections which drive the driving electrodes in an active area and dummy electrodes in a non-display area and a current limiting element which is arranged between at least any one of the dummy electrodes and the driving sections to limit currents supplied to the dummy electrodes.例文帳に追加

本発明に係るＰＤＰの駆動装置はアクティブ領域の駆動電極と前記非表示領域のダミー電極を駆動する多数の駆動部と、前記ダミー電極の少なくとも１つのダミー電極と前記駆動部の間に配置されて前記ダミー電極に供給される駆動信号の電流を制限する電流制限素子と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

The driving element 4 is axially reciprocated in the hollow core coil 2 by feeding an alternating current to the hollow core coil 2 to generate the vibration.例文帳に追加

空芯コイル２と、該空芯コイル２内に挿入される磁石４ａ、前記空芯コイル２を挟んで前記磁石４ａに対向するヨーク４ｂ及びトッププレート４ｃを有する駆動子４と、該駆動子４を弾性的に支持するサスペンション６，８と、を備え、前記空芯コイル２に交番電流を供給することにより前記駆動子４を前記空芯コイル２の軸心方向に往復動させて振動を発生する振動体である。 - 特許庁

For the oxide superconductor conducting element composed of an oxide superconductor and electrode terminals electrically jointed to both ends of the oxide superconductor, tapers are formed at jointing side ends of the electrode terminals with the oxide superconductor, so that thermal stress acting on the oxide superconductor at cooling is made small to suppress the lowering of the critical current.例文帳に追加

酸化物超電導体と、前記酸化物超電導体の両端に電気的に接合した電極端子とからなる酸化物超電導体通電素子であって、前記電極端子の前記酸化物超電導体との接合側端部にテーパを設けるようにして、冷却時に酸化物超電導体に作用する熱応力を小さくして、臨界電流の低下を小さくする。 - 特許庁

An organic EL element 40 includes an anode 60, a cathode 64 arranged to be opposed to the anode, an organic active layer 62 arranged between the anode 60 and the cathode 64 and a charge injection regulating layer 61 arranged between the anode 60 and the organic active layer 62 and exhibits such varistor characteristics that a conduction current due to an applied voltage changes.例文帳に追加

有機ＥＬ素子４０は、 陽極６０と、 陽極に対向して配置された陰極６４と、 陽極６０と陰極６４との間に配置された有機活性層６２と、 陽極６０と有機活性層６２との間に配置され、印加電圧による導電電流が変化するバリスタ特性を示す電荷注入調整層６１と、 を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

When a voltage is supplied from an AC power supply to a lamp load 8, a first rectifying/smoothing circuit 1 creates a first DC voltage source (DC1) from the AC power supply, a switching element SW1 performs ON/OFF operation, and an inductor L1 creates a second DC voltage source (DC2) for supplying a voltage to the objective load by rectifying/smoothing the current.例文帳に追加

交流（ＡＣ）電源からランプ負荷８に電圧供給を行う場合、まず、第１の整流平滑回路１によって、交流電源から第１の直流電圧源（ＤＣ１）を作成し、ＯＮ／ＯＦＦ動作を行うスイッチング素子ＳＷ１と、さらに、電流を整流平滑して負荷対象に電圧を供給するための第２の直流電圧源（ＤＣ２）を作成するインダクタＬ１を設ける。 - 特許庁

The memory is provided with first magnetoresistance effect elements MTJ1 to 0 arranged in a matrix to be used as storage elements, and a second magnetoresistance effect element BMTJ1 inserted in between a bit line to which the first magnetoresistance effect elements are connected and a reading bias power source to supply a negative current from the reading bias power source circuit.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、記憶素子として使用するマトリクス状に配置された第１の磁気抵抗効果素子ＭＴＪ１−０と、該第１の磁気抵抗効果素子が接続されたビット線と読み出し用バイアス電源との間に介挿されて、該読み出し用バイアス電源回路からの負荷電流を供給する第２の磁気抵抗効果素子ＢＭＴＪ１とを具備する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of suppressing the excess growth of the metal silicide of the peripheral part of an element isolating film to a bump-like state when the metal silicide is formed by a salicide technology, and reducing a leakage current in a connecting interface of a diffused layer generated by the excess metal silicide and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

サリサイド技術により金属シリサイドを形成する際に素子分離膜の周辺部分の金属シリサイドが瘤状に過剰成長するのを抑制することができ、過剰な金属シリサイドにより発生する拡散層の接合界面におけるリーク電流を低減することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁