「element current」に関連した英語例文の一覧と使い方(150ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor laser element and its manufacturing method in which the ratio of the vertical emission angle relative to the horizontal emission angle of laser light can be brought close to 1 and current vs optical output characteristics exhibiting excellent linearity can be attained without causing a kink phenomenon to a high output.例文帳に追加

レーザ光の水平放射角に対する垂直放射角の比を１に近づけることができ、高出力までキンク現象が生じることなく直線性に優れた電流対光出力特性が得られる半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element that maintains luminous efficiency in large current application by arranging an upper electrode portion as a light extraction-side electrode portion and intermediate electrode portions as electrode portions paired with the electrode portion in suitable positional relation, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

光取出し側の電極部である上側電極部と、この電極部と対になる電極部である中間電極部とを適切な位置関係で配設することにより、大電流印加時の発光効率を維持させた半導体発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of control of a wavelength in a light element that performs blanking operation for preventing a wavelength other than a desired wavelength from being output, and suppresses a wavelength drift because of thermal fluctuation caused by a current change in a wavelength change, thereby improving wavelength stability.例文帳に追加

所望の波長以外の波長が出力されるのを防ぐためにブランキング動作をしつつ、波長切り替え時の電流変化に起因する熱変動による波長ドリフトを抑制し、波長安定性を高める光素子の波長制御方法を提供することにある。 - 特許庁

The lithium ion secondary battery is provided with a power generation element including a unit cell with a positive electrode, an electrolyte layer, and a negative electrode laminated in this order, and a reference electrode with an reference electrode active material layer containing graphite fluoride in which lithium is doped formed on a current collector.例文帳に追加

正極、電解質層、および負極がこの順に積層されてなる単電池を含む発電要素とリチウムがドープされたフッ化黒鉛を含む参照極活物質層が集電体上に形成された参照極とを備えたリチウムイオン二次電池に関する。 - 特許庁

The hydraulic power steering system includes: a solenoid valve 70 including a solenoid 75, which generates a magnetic flux by receiving the supply of the driving current, and a spool 74 as a valve element to be moved by the magnetic flux generated from the solenoid 75; and a control device which controls the solenoid valve 70.例文帳に追加

油圧パワーステアリング装置には、駆動電流の供給を受けて磁束を発生するソレノイド７５と、ソレノイド７５から生じる磁束により移動する弁体としてのスプール７４とを含むソレノイドバルブ７０と、このソレノイドバルブ７０を制御する制御装置とが設けられている。 - 特許庁

To provide a small-size ceramic circuit board provided with both ultrafine dimensionally precise wiring and high current-carrying circuit wiring, wherein a high-power semiconductor element is mounted and circuit layer wiring density is enhanced, and to provide a method for manufacturing the circuit board.例文帳に追加

高精細で寸法精度が高い配線と通電容量が大きい回路配線とを共に備え、高出力の半導体素子を搭載することができ、また回路層の配線密度を高めることが可能な小型のセラミックス回路基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an organic photoelectric conversion element having a bulk heterojunction, wherein the recombination and leakage current are suppressed between a bulk heterojunction layer and a counter electrode, and internal series resistance is reduced and the photoelectric conversion efficiency can be improved.例文帳に追加

バルクへテロ接合を有する有機光電変換素子において、バルクへテロ接合層と対極電極間での再結合，リーク漏れ電流を抑制するとともに、内部直列抵抗を低減し、光電変換効率を向上することができる有機薄膜光電変換素子を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor laser element and a manufacturing method thereof, capable of improving a rising voltage, materializing an excellent current/voltage characteristics, and guiding and setting a cleavage on the surface of a resonator in a desirable position to improve a yield.例文帳に追加

立ち上がり電圧を向上させることができ、良好な電流電圧特性を実現することができるとともに、共振器面の劈開を、意図する位置にガイドして歩留まりを改善する窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A designer or a user can select a stabilization temperature over a wide temperature range, use of room temperature is mainly expected, and using a high level bias current consisting of pulses with a short duration time sweeps the microbolometer array being a passive element.例文帳に追加

安定化温度は、設計者またはユーザが広い温度範囲にわたって選択することが可能であるが、主として室温の利用が期待されるもので、受動素子であるマイクロボロメータ・アレイに対して、持続時間の短いパルス状の、高レベルのバイアス電流でもって、掃引を行う。 - 特許庁

To provide a voltage standard apparatus, having a high resolution of output voltage by reducing the number of terminals in a programmable voltage standard element comprising Josephson junction arrays, formed by connecting many Josephson junctions in series for generating a constant voltage by the application of a bias current and microwaves.例文帳に追加

バイアス電流とマイクロ波の印加により一定電圧を発生するジョセフソン接合の多数個を直列接続したジョセフソン接合アレーで構成されるプログラマブル電圧標準素子において端子数を減らして、出力電圧分解能の高い電圧標準装置を提供する。 - 特許庁

To provide a light emitting element in which a transparent conductive oxide layer is formed on a light emitting layer constituted of a compound semiconductor and a current can be made to flow satisfactorily between the transparent conductive oxide layer and the light emitting layer.例文帳に追加

化合物半導体により構成された発光層部上に透明導電性酸化物層が形成されている発光素子において、透明導電性酸化物層と発光層部との間で電流の導通を良好に行うことができる発光素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The image display system containing a thin-film transistor array substrate includes the substrate having a thin-film transistor array; and at least one light-sensing element which includes an amorphous silicon layer formed on the substrate and has an electric current flowing, in a direction parallel to the substrate.例文帳に追加

薄膜トランジスタアレイ基板を含む画像表示システムであって、薄膜トランジスタアレイを有する基板、及び前記基板上に形成されたアモルファスシリコン層を含む、少なくとも１つの前記基板に平行の方向に流れる電流を有する受光素子を含む画像表示システム。 - 特許庁

This indicates that in allocating quotas, which are the core element of IMF governance, the importance of a member’s capacity to make financial contributions is increasing.However, the current quota formula does not satisfactorily take into consideration this capacity to make financial contributions while attaching excessive importance to financial needs, and thus it requires correction. 例文帳に追加

これは、IMFのガバナンスの根幹であるクォータの配分において、資金貢献能力を重視する必要性が高まっていることを示していますが、現在のクォータ計算式は、資金ニーズを過度に重視する一方で資金貢献能力の勘案が不十分であり、その是正が必要です。 - 財務省

In the semiconductor light-receiving element (APD: avalanche photodiode) 11, a low carrier-concentration or undoped InP tunnel-current suppression layer 24 is formed between an n-InGaAsP optical absorption layer 23 and an n-InP multiplication layer 25, and the concentration of carriers near a hetero-interface is suppressed.例文帳に追加

半導体受光素子（ＡＰＤ）１１では、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層２３とｎ−ＩｎＰ増倍層２５との間に、低キャリア濃度又はノンドープのＩｎＰトンネル電流抑制層２４が形成されているため、ヘテロ界面近傍でのキャリア濃度が抑えられる。 - 特許庁

To decrease the irregular brightness and the irregular color of a video caused by the dispersion of the temperature of a polarized light selection element and a liquid crystal panel by controlling air current sent from a cooling fan.例文帳に追加

投写型表示装置の消費電力が多くなったり、サイズが大きくなったりするのを避けながら、冷却効率を上げ、また冷却の適性化を図り、偏光選択素子や液晶パネルの温度ばらつきに起因する、映像の部分的な明るさや色のむらなどが少ない投写型表示装置を得る。 - 特許庁

For the capacitor C1 connected with the inductance element L of the step-up chopper through a diode D1, the capacitor C2 is connected in parallel through diodes D3 and D4 thus reducing the input voltage of the converter, reducing the surge current by bypassing and prolonging the output holding time at the time of power interruption.例文帳に追加

昇圧チョッパ用のインダクタンス素子ＬをダイオードＤ１を介して接続したコンデンサC１に対し、ダイオードＤ３，Ｄ４を介してコンデンサＣ２を並列に接続し、コンバータ入力電圧の低減、突入電流のバイパスによる低減、更に停電時の出力保持時間を長くする。 - 特許庁

To realize excellent magnetic signal read out characteristics by preventing to sustain an injury in processing of facing surface of a medium by making resistance of a conductive layer of a magnetroresistive (MR) effect element small enough to pass a current for detection of a magnetic signal.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子に対して磁気的信号検出用の電流を流すための導電層の抵抗を十分小さくしながら、媒体対向面の加工の際に導電層が損傷を受けることを防止して、良好な磁気的信号読み出し特性を実現する。 - 特許庁

To surely prevent a malfunction in a phase control element due to a phase advance current flowing in a parallel capacitor C1 without increasing a power loss in a power supply with the parallel capacitor C1 connected between AC input terminals applied with a phase-controlled AC voltage.例文帳に追加

位相制御された交流電圧を印加される交流入力端子間に並列コンデンサＣ１を備える電源装置において、電力ロスを殆ど増大させることなく、並列コンデンサＣ１に流れる進相電流による位相制御素子の誤動作を確実に防止する。 - 特許庁

A temperature compensation circuit 25 controls current supply to the diode 22 depending on the ambient temperature such that the gradient of forward voltage drop variation of the diode 22 due to temperature changes matches to the gradient of on drive voltage variation of the overcurrent protection switch element 21 due to the temperature changes.例文帳に追加

温度補正回路２５は、温度変化によるダイオード２２の順方向降下電圧変化の傾きが、温度変化による過電流保護用スイッチ素子２１のオン駆動電圧変化の傾きに合うように、ダイオード２２への供給電流量を周囲温度に応じて制御する。 - 特許庁

To provide an electrostatic discharging protective element which is formed on an SOI substrate and the holding current of which can be set to a high value while the device maintains high protecting performance by reducing the base resistances of NPN and PNP bipolar transistors contained in an SCR.例文帳に追加

ＳＯＩ基板上に形成する静電気放電保護素子において、ＳＣＲ中のＮＰＮバイポーラトランジスタ及びＰＮＰバイポーラトランジスタのベース抵抗を低減し、高い保護性能を維持しつつ保持電流を高く設定することができる静電気放電保護素子を提供する。 - 特許庁

To inexpensively provide an electrostatic chuck which enables an electrostatic chucking device to surely attract an 12-inch silicon wafer which becomes the main current at semiconductor element mass-producing sites with respect to the diametric increase of wafers and temperature control and treatment can be made under an extremely high temperature condition of ≥400°C.例文帳に追加

ウエハの大口径化、温度制御に関して、半導体素子量産現場で主流になりつつある１２インチシリコンウエハに対する静電チャック装置の確実な吸着性と、極温状態４００℃以上での処理を可能にする静電チャックを安価に提供することを課題とする。 - 特許庁

Thereby, current increase of a high voltage rectification circuit 8 caused by reduction of oscillation start voltage by a temperature rise of a magnetron 9 is estimated from the pulse width detected by the pulse width detection part 16, and the overheat of the protection target element can be certainly protected when the cooling is abnormal.例文帳に追加

これにより、マグネトロン９が温度上昇することによってその発振開始電圧が低下することに起因する高圧整流回路８の電流増加をパルス幅検出部１６の検出するパルス幅から推定し、冷却異常時には確実に保護対象素子の過熱保護ができる。 - 特許庁

To miniaturize a semiconductor device for power constituted of an IGBT and a free wheel diode, to prevent element destruction caused by current constriction, while the free wheel diode incorporated in the IGBT is in operation, to miniaturize the free wheel diode, and to reduce the cost of the free wheel diode.例文帳に追加

ＩＧＢＴおよびフリーホイールダイオードで構成される電力用半導体装置の小型化を実現するとともに、ＩＧＢＴに内蔵されるフリーホイールダイオードの動作時に電流集中による素子破壊を防止した構成を提供するとともに、フリーホイールダイオードの小型化、低コスト化を図る。 - 特許庁

The non-reciprocal circuit element (2-port type isolator) includes a flat yoke 10, a permanent magnet 41, a ferrite 32 to which current magnetic field is applied by the permanent magnet 41, a first central electrode and a second central electrode provided in the ferrite 32, and a circuit substrate 20.例文帳に追加

平板状ヨーク１０と、永久磁石４１と、該永久磁石４１により直流磁界が印加されるフェライト３２と、該フェライト３２に配置された第１中心電極及び第２中心電極と、回路基板２０とを備えた非可逆回路素子（２ポート型アイソレータ）。 - 特許庁

A signal processing circuit comprising a constant-current driving circuit 11, an amplifying circuit 12, an A/D converter 13, a microcomputer 14 and a storage device 15 corrects the measurement signal outputted from the Hall element 7 so that the tension value of the lengthy object 1 and the corrected measurement signal show a proportional relation.例文帳に追加

定電流駆動回路１１、増幅回路１２、Ａ／Ｄ変換器１３、マイクロコンピュータ１４及び記憶装置１５からなる信号処理回路は、長尺物１の張力値と補正後の計測信号とが比例関係を示すように、ホール素子７から出力された計測信号を補正する。 - 特許庁

To provide a temperature control device for preventing a rush current caused in a feedback loop constituting a temperature control system controlling a temperature of a device such as a light-emitting module becoming a control object from flowing to a temperature adjustment element side at the time of power supply and at the time of releasing circuit reset.例文帳に追加

電源投入時や回路リセット解除時に、制御対象となる発光モジュール等のデバイスの温度制御を行う温度制御系を構成するフィードバックループで発生する突入電流の温度調整素子側への流入の防止を図った温度制御装置を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging element which has high reliability by suppressing current leakages, by avoiding forming a sub-trench in an etching-back process for forming a sidewall insulating film as an inter-electrode insulating film, and then forming the inter-electrode insulating film which is readily made fine and which is high in quality.例文帳に追加

電極間絶縁膜となるサイドウォール絶縁膜を形成するためのエッチバック工程におけるサブトレンチの生成を回避し、電流リークを抑制することで、微細化が容易でかつ高品質の電極間絶縁膜を形成することにより、信頼性の高い固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

At least one of the positive electrode layer 11, the negative electrode layer, and the electrolyte layer 3 is composed of a sintered body, and the sintered body (positive electrode layer 11) and the battery element (positive electrode current collector 12) neighboring the sintered body (positive electrode layer 11) are adhered to a lithium ion conductor 4.例文帳に追加

正極層１１、負極層および電解質層３の少なくとも１つが焼結体からなり、この焼結体（正極層１１）と、焼結体（正極層１１）に隣接する電池要素（正極集電体１２）とが、リチウムイオン伝導体４で接着されている。 - 特許庁

Thus, a particular sine wave from which dark current variable with temperature, spectrum light (extraneous light) other than near infrared light LI/LO to be measured and laser noise of a light-emitting element 12 and photodetector 21 have been removed is obtained, so that the amount of light received is detected by measuring a crest value.例文帳に追加

これにより、温度によって変化する暗電流、および測定すべき近赤外光ＬＩ／ＬＯ以外のスペクトル光（外来光）や、発光素子１２、光検出素子２１のレーザノイズを除去した、特定の正弦波が得られるので、この波高値を測定して、受光量を検出する。 - 特許庁

From an actual value of tension when the winder where the long material 1 has a travel speed of zero is activated via a torque command value, a second new take-up diameter computing element calculates a new take-up diameter, to which the current take-up diameter is updated.例文帳に追加

長尺材１の走行速度が零の状態で巻取り機へ別途のトルク指令値を与えて運転させたときに得られる張力実際値から第２新規巻取り径演算器４０が新規の巻取り径を演算し、それまでの巻取り径をこの新規巻取り径演算値に書き換える。 - 特許庁

The photodetecting TFT 18 flows current from the power source to one end of storage capacitor 12 according to emitted light intensity of an EL element 16, changes an amount of charges to be accumulated in the storage capacitor 12 and performs correction control of gate potential of the drive transistor 14 from potential according to a data signal.例文帳に追加

受光ＴＦＴ１８は、ＥＬ素子１６の発光光強度に応じて電源から保持容量１２の一端に電流を流し、保持容量１２に蓄積する電荷量を変化させ、駆動トランジスタ１４のゲート電位をデータ信号に応じた電位から補正制御する。 - 特許庁

A semiconductor light emitting element comprises a laminated structure having a GaN crystal layer formed via a buffer layer or directly on the Si substrate and having a p-type layer, an n-type layer and a light emitting layer disposed between the p-type layer and the n-type layer so as to emit light by current injection.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に、バッファ層を介してまたは直接的に、ＧａＮ系結晶層からなる積層構造を形成し、該積層構造は、電流注入によって発光可能なように、ｐ型層と、ｎ型層と、これらの間に位置する発光層とを有する。 - 特許庁

A protection circuit 40 is disposed between a junction of the source terminal of the fourth n-channel MOSFET (Mn4) and an input terminal of the switch element, and the ground potential to lead a negative current flowing in from a drain terminal of the fourth n-channel MOSFET (Mn4) owing to electrostatic discharge to the ground potential.例文帳に追加

保護回路４０は、第４ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ（Ｍｎ４）のソース端子と上記スイッチ素子の入力端子の接続点と、グラウンド電位との間に設けられ、静電気放電による第４ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ（Ｍｎ４）のドレイン端子から流入する負電流をグラウンド電位に流す。 - 特許庁

To solve the problem of a conventional system that a period, while the operation state of an inverter is a zero vector, becomes shorter than well-known triangular wave PWM processing, when controlling a difference between a current, which flows actually in a rotating machine, and its command into a tolerance by operating a switching element for an inverter IV.例文帳に追加

インバータＩＶのスイッチング素子を操作することで回転機を実際に流れる電流とその指令値との差を許容領域内に制御するに際し、インバータの操作状態をゼロベクトルとする期間が周知の三角波ＰＷＭ処理と比較して短くなること。 - 特許庁

In a power feed control part 23 with a voltage limit function, when a voltage Vo1 exceeds a fixed value, a current amount flowing to a switching element Q11 inserted into a line of the voltage Vo1 in series is limited, according to the rising amount of the voltage, and controls the voltage Vo1 so as to be stabilized within a constant range.例文帳に追加

電圧制限機能付電源供給コントロール部２３において、電圧Ｖo1が一定値を越えると、その上昇分に応じて、電圧Vo1のラインに直列に挿入したスイッチ用素子Ｑ11に流れる電流量を制限し、電圧Vo1が一定以内となるようにして安定化制御する。 - 特許庁

To provide a user-friendly planar heating element, slim and long in a length direction, by alleviating unevenness of current loads generated in electrode wires, and also restraining voltage fall and unevenness of heat radiation along a length direction of the electrode wire, without going to the trouble of setting a number of lead wires.例文帳に追加

電極線に生じる電流負荷の不均一を軽減し、しかも、電極線の長手方向に沿っての電圧降下および発熱の不均一も抑制し、リード線を多数設けることなく、長手方向に細長い使い勝手に優れた面状発熱体を提供すること。 - 特許庁

To provide an eddy current flaw detecting technique that uses a smaller element for magnetically saturating an object to be inspected to facilitate flaw detection in narrow parts and reduces gravity between a coil or the like and the object to be inspected to enhance the ease of scanning the surface of the object to be inspected with the coil or the like.例文帳に追加

被検査体を磁気飽和させる素子を小型化して狭隘部の探傷を容易化するとともに、被検査体間との引力を低減してその表面に対するコイル等の走査性を向上させる渦電流探傷技術を提供することを目的とする。 - 特許庁

Then, when this current value and the power value calculated from the input voltage value of a lamp drive circuit LD come to the set values, reset pulses are outputted from the calculation result output terminal of a constant power arithmetic circuit M, and the flip flop circuit FF is reset, the switching element Q1 is turned off.例文帳に追加

そして、この電流値とランプドライブ回路ＬＤの入力電圧値から演算された電力値が設定値になると、定電力演算回路Ｍの演算結果出力端子からリセットパルスが出力され、フリップフロップ回路ＦＦがリセットされ、スイッチング素子Ｑ１はオフとなる。 - 特許庁

An image signal, i.e., DATA, is subjected to pixel modulation at a modulating section 78 and a logic element 70 turns a switch 79 on/off by ORing the output signal from the modulating section 78 and a full lighting signal FULL from a sequence controller 77 thus controlling the pulse current of a laser 73A.例文帳に追加

画像信号であるＤＡＴＡは、変調部７８において画素変調され、その出力信号とシーケンスコントローラ７７からのフル点灯信号ＦＵＬＬのＯＲを出力する論理素子７０によりＯＮ／ＯＦＦするスイッチ７９によって、レーザ７３Ａのパルス電流は制御される。 - 特許庁

In the DC-DC converter of the current control method, a resistance element, as an output voltage setting means in which an output voltage is divided and fed back to an IN terminal of a control circuit IC, is externally attached to the control circuit IC to set a desired output voltage.例文帳に追加

本発明を適用した電流制御方式のＤＣ／ＤＣコンバータは、出力電圧を分圧して制御回路ＩＣのＩＮ端子にフィードバックする出力電圧設定手段としての抵抗素子を制御回路ＩＣに外付けすることによって、所望の出力電圧に設定する。 - 特許庁

The CPP (Current Perpendicular to Plane) magnetoresistive element has a structure wherein a magnetic intermediate layer 30 and an oxide insulation layer 31 are provided between a fixed magnetization layer 28 and a free magnetization layer 33 via a lower side non-magnetic intermediate layer 29 and an upper side non-magnetic intermediate layer 32.例文帳に追加

ＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ ｔｏ Ｐｌａｎｅ）磁気抵抗効果素子において、固定磁化層２８と自由磁化層３３との間に、下側非磁性中間層２９及び上側非磁性中間層３２を介して、磁性中間層３０及び酸化絶縁層３１を設けた構造とする。 - 特許庁

The commutation sequence selection part includes a commutation means for transiting a switching state at a timing of switching between on/off states in a serial-connected switching element, so that current commutates when voltage switches from/to a range between 0 and -E to/from a range between 0 and +E in output voltage level.例文帳に追加

転流シーケンス選択部は、直列接続されたスイッチング素子のオン・オフ状態変化時にスイッチング状態を遷移させる転流手段を備え、出力電圧レベルが０と−Ｅ相互間及び０と＋Ｅ相互間での電圧切り替わり時に転流するようにしたものである。 - 特許庁

Accordingly, as for the PTC element, it is electrically coupled to the bare cell in a state installed on the protection circuit board, and by susceptibly responding to temperature changes of the bare cell, an electric current flow is intercepted, and characteristics of a safety device to prevent explosion or ignition of the battery are improved.例文帳に追加

従って、前記ＰＴＣ素子は保護回路基板に設置された状態で前記ベアセルと電気的に連結されてベアセルの温度変化に敏感に反応することで電流の流れを遮断して電池の爆発、発火を防止する安全装置の性能が向上する。 - 特許庁

There is provided a fault current limiter formed by a superconducting tape 11 coated with a high temperature superconductor and having at least one fitting element 12.例文帳に追加

小型の回路エレメントを形成するためには該テープは適切に配置及び実装されなければならなく、超伝導故障電流限流器（ＳＦＣＬ）の動作に関する困難さを減少させることができる被覆導型超伝導故障電流限流器（ＣＣ−ＳＦＣＬ）を提供する。 - 特許庁

To improve a semiconductor device in transistor characteristic, by a method wherein the element isolation film of the semiconductor device is lessened in crystal defect and interface level so as to restrain a leakage current from occurring in it, and a rapid thermal annealing is carried out so as not to affect an impurity profile.例文帳に追加

半導体装置における素子分離絶縁膜での結晶欠陥及び界面準位を改善して素子分離絶縁膜におけるリーク電流を抑制するとともに、不純物プロファイルへの影響を無くしてトランジスタ特性を改善した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁