「element current」に関連した英語例文の一覧と使い方(54ページ目) - Weblio英語例文検索

A first semiconductor switching element 4 is protected from the overvoltage, by monitoring the overvoltage of the power source by turning on a third semiconductor switching element 300 by carrying an electric current first to a second semiconductor switching element 35 mounted on an integrated circuit 3, while being connected in parallel to the first semiconductor switching element 4 for carrying-cutting off a primary side current of an ignition coil 6.例文帳に追加

点火コイル６の一次側電流を通電・遮断する第１の半導体スイッチング素子４に並列に接続され、集積回路３上に搭載される第２の半導体スイッチング素子３５を先に通電させて第３の半導体スイッチング素子３００をターンオンさせることで電源の過電圧を監視し、過電圧から前記第１の半導体スイッチング素子４を保護する。 - 特許庁

A polarization level of the piezoelectric element is recovered by applying a prescribed direct current or alternate current electric field between electrodes when the polarization level of the piezoelectric element is deteriorated for the ultrasonic probe which has the piezoelectric element made of an organic piezoelectric material and the electrodes on both sides of the piezoelectric element and has at least one function of ultrasonic transmission and ultrasonic reception.例文帳に追加

有機圧電材料からなる圧電素子と該圧電素子の両側に電極を有し、超音波送信または超音波受信の少なくともいずれかの機能を有する超音波探触子に対して、圧電素子の分極レベルが劣化している場合に、電極間に所定の直流または交流の電界を印加することにより、圧電素子の分極レベルを回復させる。 - 特許庁

The switching control circuit includes the diode which is connected in parallel to a switching element in a reverse direction of current flowing during forward conduction of the switching element, a temperature detection means for detecting a temperature of at least the switching element or the diode and a control means for controlling current flowing during reverse conduction of the switching element in accordance with a detection temperature of the temperature detection means.例文帳に追加

スイッチング素子の順方向導通時に流れる電流の向きと逆方向で、スイッチング素子に並列接続されるダイオードと、スイッチング素子又はダイオードの少なくとも一方の温度を検出する温度検出手段と、温度検出手段の検出温度に応じて、スイッチング素子の逆方向導通時に流れる電流を制御する制御手段を有する。 - 特許庁

To provide a pressure-sensitive current cutout element formed in a simplified structure, easily assembled, easily downsized, allowing a current route to be surely cut out at a specified pressure, and having a high reliability, and a sealed battery using the element.例文帳に追加

簡素化された構成を有して容易に組み立てでき、しかも小型化するが容易であり、所定の圧力により電流経路を確実に遮断できる高い信頼性を有した感圧電流遮断素子およびその感圧電流遮断素子を密閉型電池を提供する。 - 特許庁

To provide a low-cost magnetic proportion system current sensor in which gain adjustment is simplified by eliminating the change in offset voltage resulting from the gain adjustment because it is not necessary to change the drive current of a magnetic detection element such as a hall element when the gain adjustment is performed.例文帳に追加

ゲイン調整にあたってホール素子等の磁気検出素子の駆動電流を変化させることを不要としてゲイン調整に伴うオフセット電圧の変化をなくすことで、ゲイン調整を簡素化した低コストの磁気比例式電流センサを提供する。 - 特許庁

The heating portion 11 is composed of an induction heating element 17 through which the compressed saturated steam P1 is passed, and a work coil 18 capable of generating magnetic field by high-frequency electric current to generate eddy current allowing the induction heating element 17 to generate Joule heat.例文帳に追加

加熱部１１は、圧縮した飽和水蒸気Ｐ１を通過させる誘導加熱体１７と、該誘導加熱体１７にジュール熱を生じさせる渦電流を発生させるよう高周波電流により磁界を発生可能としたワークコイル１８とを配置して成る。 - 特許庁

Each pixel circuit P includes a capacitive element C including an electrode e1 and an electrode e2, a drive transistor TDR for generating a drive current IDR according to the potential VG of a gate connected to the electrode e1, and a light emitting element E for receiving a drive current IDR to emit light.例文帳に追加

各画素回路Ｐは、電極ｅ1および電極ｅ2を含む容量素子Ｃと、電極ｅ1に接続されたゲートの電位ＶGに応じた駆動電流ＩDRを生成する駆動トランジスタＴDRと、駆動電流ＩDRの供給で発光する発光素子Ｅとを含む。 - 特許庁

The 3rd drive current draws out electric charges accumulated in the parasitic capacitor 312 of the organic EL element 102 to lower a voltage applied to the organic EL element 102 to a voltage sufficient for light emission with low luminance, and then the 2nd drive current maintains the light emission.例文帳に追加

第３駆動電流は、有機ＥＬ素子１０２の寄生容量３１２の充電電荷を引き抜いて、有機ＥＬ素子１０２の印加電圧を低い輝度で発光するのに十分な電圧まで下げ、その後は第２駆動電流によりその発光が維持される。 - 特許庁

To provide a gate drive circuit for a power semiconductor device which quickly, surely and softly shuts down an element to prevent element destruction and suppress generation of noise when excess current and short circuit current flow.例文帳に追加

ゲート駆動回路１００にＩＧＢＴ１のゲート１ｄに蓄積された電荷を速やかに引く抜くｎチャネルＭＯＳＦＥＴでありオン抵抗が小さいＭＳＩＮＫ８と緩やかに引き抜くｎチャネルＭＯＳＦＥＴでありオン抵抗が大きいＭＳＯＦＴ７を設ける。 - 特許庁

Each pixel 51 has a photodiode 9 arranged in a position where light from an organic EL element 50 can be received and has a current input end of the organic EL element 50 and that of the photodiode 9 connected to each other and has the connection point connected to a current source.例文帳に追加

各画素５１には、有機ＥＬ素子５０からの光を受け得る位置に、フォトダイオード９が配置され、有機ＥＬ素子５０の電流入力端とフォトダイオード９の電流入力端とを互いに連結すると共に、該連結点を電流源に接続している。 - 特許庁

A current induced on the secondary winding side of the transformer Trsa under states II-IV is thereby fed to a load R through a rectifier element Doa, and a current induced on the secondary winding side of the transformer Trsb under states I, II and IV is fed to the load R through a rectifier element Dob.例文帳に追加

そうすると、状態II乃至IVにおいてトランスTrsaの二次巻線側に生じた電流を整流素子Doaにより負荷Rに供給し、状態I,II及びIVにおいてトランスTrsbの二次巻線側に生じた電流を整流素子Dobにより負荷Rに供給する。 - 特許庁

An electrical junction box 1 includes the current detector 10 that has: a magnetoelectric conversion element 14; and the magnetic core 11 provided with a gap 12 in which the magnetoelectric conversion element 14 is arranged, and detects the magnetic flux induced in the magnetic core 11 as a current.例文帳に追加

本発明の電気接続箱１は、磁電変換素子１４と磁電変換素子１４を配置するギャップ部１２が設けられた磁性体コア１１とを有し、磁性体コア１１に生じる磁束を電流として検出する電流検出装置１０を備える。 - 特許庁

A first current electrode of the first self arc-extinguishing element of one half bridge rectifying circuit is connected to a first current electrode of the first self arc-extinguishing element of the other half bridge rectifying circuit and short-circuited.例文帳に追加

一のハーフブリッジ整流回路３ｒ，３ｓ，３ｔの第１自己消弧形素子３ｒ，３ｓ，３ｔの第１電流電極と、他のハーフブリッジ整流回路３ｒ，３ｓ，３ｔの第１自己消弧形素子３ｒ，３ｓ，３ｔの第１電流電極とが短絡して接続する。 - 特許庁

With such a configuration, a current Isa excited from one 1/4 wavelength antenna element 14a and a current Isb excited from the other 1/4 wavelength antenna element 14b, having opposite phase to each other and nearly the same amplitude, are cancelled with each other to suppress noise mixing.例文帳に追加

このような構成では、一方の１／４波長アンテナ素子１４ａから励起される電流Ｉｓａと、他方の１／４波長アンテナ素子１４ｂから励起される電流Ｉｓｂとが、逆位相かつほぼ同振幅となって相殺され、ノイズ混入が抑制される。 - 特許庁

In the head drive unit 300, a driving waveform generating circuit 80 and the current amplifying circuit 89 are provided for a printer body 2, and the current amplifying circuit 89 is wired via a flexible flat cable 90 to a piezoelectric element 17 as a driving element.例文帳に追加

ヘッド駆動装置３００において、駆動波形生成回路８０及び電流増幅回路８９がプリンタ本体２側に設けられており電流増幅回路８９がフレキシブルフラットケーブル９０を介して駆動素子としての圧電素子１７に対して配線されている。 - 特許庁

A rectangular 1 wavelength loop antenna element 103 is installed in proximity to a wireless installation ground plate 101, and further both ends of the loop antenna element 103 are bent toward a power supply part, thereby configuring a current distribution in which a current at the uppermost tip part of the bending is brought to zero.例文帳に追加

長方形の１波長ループアンテナエレメント１０３を無線機地板１０１に近接して設置し、さらにループアンテナエレメント１０３の両端を給電部に向かって折り曲げることで、折り返し最先端部の電流がゼロとなる電流分布を構成する。 - 特許庁

When the voltage Vgs to be applied to a resistor 18 gets over threshold Vth, a switch element 14 for synchronous rectification becomes ON and a current Id flows, and when Vgs becomes smaller than Vth, the switch element 14 for synchronous rectification becomes OFF and the current Id ceases to flow.例文帳に追加

抵抗器１８に印加される電圧Ｖｇｓが閾値Ｖｔｈ以上になれば、同期整流用スイッチ素子１４がオンして電流Ｉｄが流れ、ＶｇｓがＶｔｈより小さくなると、同期整流用スイッチ素子１４がオフして電流Ｉｄが流れなくなる。 - 特許庁

The second switching circuit switches on the primary switching element, in synchronization with the finish of the outflow of the secondary current, and the first switching circuit switches off the primary switching element, when the absolute value of the primary current reaches its upper limit value.例文帳に追加

第２スイッチング回路は、２次側電流の流出終了に同期して、１次側スイッチング素子を導通状態に切り替え、第１スイッチング回路は、１次側電流の絶対値が上限値に達したとき、１次側スイッチング素子を非導通状態に切り替える。 - 特許庁

One current limiting element is provided commonly for an equalizer circuit for one of a pair of bit lines and an equalizer circuit for the other of a pair of bit lines in a shared sense amplifier, and a bit line pre-charge potential is supplied to both equalizer circuits through the current limiting element.例文帳に追加

シェアードセンスアンプにおける、一側のビット線対用のイコライズ回路と、他側のビット線対用のイコライズ回路とに対し、共通に１つの電流制限素子を設け、電流制限素子を通して、両方の側のイコライズ回路にビット線プリチャージ電位を供給する。 - 特許庁

Instead of controlling the luminance of the light-emitting element by a voltage applied to TFTs, by controlling current flowing into TFTs via a signal-line driving circuit, it is possible to hold on the current flowing into the light-emitting element at a desired value without adversely being affected by the characteristics of TFTs.例文帳に追加

発光素子の輝度をＴＦＴに印加する電圧によって制御するのではなく、ＴＦＴに流れる電流を信号線駆動回路において制御することで、ＴＦＴの特性に左右されずに発光素子に流れる電流を所望の値に保つ。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element of high luminance and high reliability by suppressing increase in a forward voltage and suppressing diffusion of additives from a current dispersion layer, even if GaP is used as the current dispersion layer, and to provide a method for manufacturing the semiconductor light emitting element.例文帳に追加

電流分散層としてＧａＰを用いた場合であっても、順方向電圧の上昇を抑制し、電流分散層からの添加物の拡散を抑制し、高輝度及び高信頼性の半導体発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To ensure sufficient electrolytic solution resistance that prevents cracks from occurring on a cover layer covering a current collecting electrode in: an electrode substrate for a photoelectric conversion element mounted with the current collecting electrode; a method of manufacturing the substrate thereof; and the photoelectric conversion element using thereof.例文帳に追加

集電電極が設けられた光電変換素子用の電極基板とその製造方法及びこの電極基板を用いた光電変換素子において、集電電極を被覆する被覆層のクラックの発生を防止して、十分な耐電解液性を確保する。 - 特許庁

Thus, a circuit is formed where a current flows through the path of power line 113→transistor 301→data line 112→transistor 216→transistor 218→organic EL element 230, and a current is supplied to the organic EL element 230 according to a constant voltage Vtest.例文帳に追加

この結果、電源線１１３→トランジスター３０１→データ線１１２→トランジスター２１６→トランジスター２１８→有機ＥＬ素子２３０という経路で電流が流れる回路が形成され、定電圧Ｖｔｅｓｔに応じた電流を有機ＥＬ素子２３０に流すことができる。 - 特許庁

A power supply 35 is connected between electrodes 21 and 23 to apply a current to the semiconductor opto-electrical element 13, and electroluminescence I_EL generated by the semiconductor opto-electrical element 13 in response to the application of the current is observed via the polished surface 13d.例文帳に追加

電極２１と電極２３との間に電源３５を接続して半導体光素子１３に電流を印加して、この電流の印加に応答して半導体光素子１３により発生されたエレクトロルミネッセンスＩ_ＥＬを研磨面１３ｄを介して観測する。 - 特許庁

A loss computing portion 12 computes power loss which occurs in the switching semiconductor device 11, based on the voltage of each switching semiconductor element measured by a voltage measuring portion 13, and the current of each switching semiconductor element measured by a current measuring portion 14.例文帳に追加

ロス演算部１２は、電圧測定部１３で測定された各スイッチング半導体素子の電圧と、電流測定部１４で測定された各スイッチング半導体素子の電流とをもとに、スイッチング半導体装置１１で発生した電力損失を求める。 - 特許庁

The antenna device has a rectangular one wavelength loop antenna element 103 arranged near a bottom board 101 of a radio unit, and both ends of the loop antenna element 103 are folded back toward a power feeding part, thereby forming the current distribution which has a current-zero point at each of tip points formed by the folding back.例文帳に追加

長方形の１波長ループアンテナエレメント１０３を無線機地板１０１に近接して設置し、さらにループアンテナエレメント１０３の両端を給電部に向かって折り曲げることで、折り返し最先端部の電流がゼロとなる電流分布を構成する。 - 特許庁

Thereby, because maximum current of the semiconductor switch element 5 is restricted, that is, a current value exciting a resonant circuit is restricted, voltage applied to the semiconductor switch element 5 by a resonance phenomenon can be restricted to a prescribed value or below.例文帳に追加

これにより、半導体スイッチ素子５の最大電流が制限される、言い換えると共振回路を励振する電流値が制限されるので、共振現象によって半導体スイッチ素子５に印加される電圧を所定の値以下に制限することが可能となる。 - 特許庁

The method comprises a process for permanently fitting an eddy current element (22) so that the preselected region (16) of the component (10) is covered, and a process for generating an alternate magnetic field close to the component (10) by energizing the body current element (22).例文帳に追加

この方法は、構成要素（１０）のあらかじめ選択された領域（１６）を覆うように渦電流素子（２２）を永久的に装着する工程と、渦電流素子（２２）を作動させて、構成要素（１０）に近接して交番磁界を発生する工程とを含む。 - 特許庁

A series circuit section 21 is connected with a detection resistance R_SH that converts and detects, into a voltage, each of detection currents that are a current I_2 when a switching element Q is turned on and a load current I_1 when the switching element Q is turned off.例文帳に追加

直列回路部２１は、スイッチング素子Ｑがオン時に電流Ｉ_２と、スイッチング素子Ｑがオフ時に負荷電流Ｉ_１とをそれぞれ検出電流として、該検出電流を電圧に変換して検出する検出抵抗Ｒ_ＳＨが接続されている。 - 特許庁

The current output type semiconductor circuit has a function of outputting a current corresponding to a desired gradation to a display panel and a function of outputting a voltage from one terminal is equipped with a voltage generation part comprising a temperature compensating element and at least one resistance element to output the voltage.例文帳に追加

その対策として、階調０の時には黒表示に対応した電圧（プリチャージ電圧）を印加することにしたが、画素内部の電圧電流変換素子の温度特性により、特に高温の状態において、黒輝度が高くなり黒浮きが発生してしまう。 - 特許庁

The current flowing to the light emission element is held at a desired value without being affected by characteristics of the TFT not by controlling the luminance of the light emission element with a voltage applied to the TFT, but by controlling a current flowing to the TFT by a signal line driving circuit.例文帳に追加

発光素子の輝度をＴＦＴに印加する電圧によって制御するのではなく、ＴＦＴに流れる電流を信号線駆動回路において制御することで、ＴＦＴの特性に左右されずに発光素子に流れる電流を所望の値に保つ。 - 特許庁

This device is provided with current sources 45 and 46 for feeding current to a superconducting tunnel junction element 41 composed by sandwiching a tunnel barrier by two superconductive metallic thin films, and a voltage detector 43 detecting voltage pulses occurring in the superconducting tunnel junction element.例文帳に追加

２枚の超伝導金属薄膜でトンネル障壁を挟んで構成された超伝導トンネル接合素子４１に電流を流すための電流源４５，４６と、超伝導トンネル接合素子に発生する電圧パルスを検出する電圧検出器４３を備える。 - 特許庁

Instead of controlling the luminance of the light-emitting element by a voltage applied to TFTs, by controlling current flowing into TFTs in a signal-line driving circuit, it is possible to keep the current flowing into the light-emitting element at a desired value without being adversely affected by the characteristics of TFTs.例文帳に追加

発光素子の輝度をＴＦＴに印加する電圧によって制御するのではなく、ＴＦＴに流れる電流を信号線駆動回路において制御することで、ＴＦＴの特性に左右されずに発光素子に流れる電流を所望の値に保つ。 - 特許庁

An abnormality detection part 150 detects aged deterioration of the light emitting element 112 based on the level of the drive current measured by the current measurement part 140 and the level of the output light measured by the back light reception element 121 and the light measurement part 122.例文帳に追加

異常検出部１５０は、電流測定部１４０により測定された駆動電流のレベルと、バック受光素子１２１および光測定部１２２により測定された出力光のレベルと、に基づいて発光素子１１２の経年劣化を検出する。 - 特許庁

The on-resistance of the semiconductor switching element 15 is designed to be a resistance value that is higher than that of the normal semiconductor switching element, so that charge current in a capacitor 42 which is to become the rush current, immediately after a power supply is fed, can be suppressed to a specified value or less.例文帳に追加

半導体スイッチング素子１５のオン抵抗は、電源投入直後における突入電流となるコンデンサ４２の充電電流が所定以下に抑制できるような、通常の半導体スイッチング素子よりも大きい抵抗値に設計される。 - 特許庁

To provide a GaN-based semiconductor device capable of realizing a large element having large current and high withstand voltage by reducing a leakage current flowing through a substrate even when the large element is formed using a conductive substrate such as a silicon substrate, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

シリコン基板などの導電性基板を使って大素子を形成する場合でも、基板に流れるリーク電流を低減でき、大電流でかつ高耐圧の大素子を実現可能にしたＧａＮ系半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The bipolar battery is provided with a positive electrode tab 51 electrically connected with the current collector 21 of the positive electrode end pole 33 of a battery element 30 and a negative electrode tab 52 electrically connected with the current collector of the negative electrode end pole 34 of the battery element.例文帳に追加

バイポーラ電池１０は、電池要素３０の正極末端極３３の集電体２１に電気的に接続される正極タブ５１と、電池要素の負極末端極３４の集電体に電気的に接続される負極タブ５２と、を備えている。 - 特許庁

This current sensor is provided with a coil-like conductor 1 for generating a center axis-directional magnetic flux when the measured current flows, and an electromagnetic transducing element (for example, Hall element or the like) 2 arranged adjacently to an end face of the coil-like conductor 1 along the center axis direction of the coil-like conductor 1.例文帳に追加

被測定電流が流れると中心軸方向に磁束を発生するコイル状導体１と、このコイル状導体１の中心軸方向において、コイル状導体１の端面に近接して配置される磁電変換素子（例えば、ホール素子等）２を備える。 - 特許庁

A current signal I1 output from an output terminal 11 of a semiconductor position detecting element 10 is converted into a voltage signal V1 by a current-voltage converter 101, and a current signal I2 output from an output terminal 12 is converted into a voltage signal V2 by a current-voltage converter 102.例文帳に追加

半導体位置検出素子１０の出力端子１１から出力された電流信号Ｉ_1は電流電圧変換部１０１により電圧信号Ｖ_1に変換され、出力端子１２から出力された電流信号Ｉ_2は電流電圧変換部１０２により電圧信号Ｖ_2に変換される。 - 特許庁

When an exciting current regulation signal is received from the external terminal, the exciting current detection level is fit under a state where an exciting current equivalent to that under actual use conditions is supplied using means for altering the value of a storage element in a monolithic IC thus detecting the exciting current with high accuracy.例文帳に追加

外部端子から励磁電流の調整信号を受信した時に、モノシリックＩＣ内の記憶素子の値を変更するなどの手段を用い、実使用状態と同等の励磁電流を流した状態で励磁電流検出レベルの合わせ込みを実施することにより、高精度の励磁電流の検出を可能とする。 - 特許庁

A converter 1 includes: diodes D1-D4 for full-wave-rectifying AC power output from an AC power supply AC; an inrush current limiting resistance R for limiting an inrush current; and a switch element Q1 and a control section 10 for controlling a current flowing through the inrush current limiting resistance R.例文帳に追加

コンバータ１は、交流電源ＡＣから出力された交流電力を全波整流するダイオードＤ１〜Ｄ４と、突入電流を制限する突入電流制限抵抗Ｒと、突入電流制限抵抗Ｒを流れる電流を制御するスイッチ素子Ｑ１および制御部１０と、を備える。 - 特許庁

To provide a memory device in which, while preventing increase of an element area, a precharge characteristics can be made faster by increasing current supplied to a bit line at the time of the precharge, and a standby current can be reduced by reducing a DC current resulting from cross failure by decreasing supply current in a standby state.例文帳に追加

素子面積が増大しないようにしながら、プリチャージ時にはビット線に供給する電流を大きくしてプリチャージ特性を高速化し、スタンバイ状態では供給電流を小さくしてクロスフェイル起因のＤＣ電流を削減して、スタンバイ電流を削減することができるメモリ装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

When a voltage value detected by the voltage detecting section 5 is smaller than a predetermined value, the constant current output section 6 determines that the light emitting element 2 is involved in short fault and controls a current in a regeneration mode including a step of setting a value for the current to be output by the constant current output section 6 to be greater than a rated value.例文帳に追加

定電流出力部６は、電圧検出部５で検出された電圧値が予め定められた値より小さくなると、発光素子２が短絡故障しているものとして、定電流出力部６の出力する電流値を定格値よりも大きくするステップを含む再生モードで電流を調整する。 - 特許庁

The generator includes an auxiliary current circuit which starts charge by transient characteristics of a forward voltage during light emission of the laser diode after the switching element is turned on, starts discharge when a forward current starts flowing in the laser diode, and flows a current in the laser diode in a same direction as the forward current.例文帳に追加

本装置は、スイッチング素子のオン後のレーザダイオードの発光時の順方向電圧の過渡特性により充電を開始しレーザダイオードに順方向電流が流れ始めると放電を開始して順方向電流と同じ方向でレーザダイオードに電流を流す補助電流回路を設けたことを特徴とするものである。 - 特許庁

Through the configuration above, even when the consumed current is grouped and each average current is obtained in response to data of a target node by executing an attack on the basis of the differential power analysis (DPA), because the current has no casual relationship with a timing when the current flows, a DES computing element with immunity to the DPA can be realized.例文帳に追加

本構成により電力差分解析（ＤＰＡ）に基づく攻撃を実行し着目ノードのデータに応じて、消費電流をグループ分けして各々の平均電流を求めても、その電流は着目ノードの電流が流れるタイミングと全く因果関係がなく、ＤＰＡ耐性のあるＤＥＳ演算器が実現される。 - 特許庁