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element setの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 3320



例文

In the generator set for detecting an output voltage of a generator and turning on/off an excitation current, a semiconductor element (Tr1) 10 is provided so as to bridge the field coil.例文帳に追加

発電機の出力電圧を検出して励磁電流をオンオフする発電装置において、界磁コイルを橋絡するように、半導体素子(Tr1)10を設ける。 - 特許庁

The filter formation parts set amplification factors of respective frequency components of the image restoration filters according to frequency characteristics of the return signal which may be generated at the imaging element.例文帳に追加

フィルタ作成部は、撮像素子において発生し得る折り返り信号の周波数特性に応じて画像回復フィルタにおける各周波数成分の増幅率を設定する。 - 特許庁

In discharge operation, the MOS transistor NSW5 is set to OFF and the transistor DSW1 for discharge to ON, and a current path is made by a parasitic bipolar transistor element.例文帳に追加

ディスチャージ動作時は、MOSトランジスタNSW5がオフ、ディスチャージ用トランジスタDSW1がオンに設定されて寄生バイポーラトランジスタ素子により電流経路が形成される。 - 特許庁

An SET signal is inputted into a drive controller 9 from a switching frequency clocking part 8 so as to hit a predetermined switching frequency, and the switching element Q is turned on.例文帳に追加

この決められたスイッチング周波数となるように、スイッチング周波数計時部8からドライブ制御器9にSET信号を入力し、スイッチング素子Qをオンさせる。 - 特許庁

例文

N+ source regions 31 are respectively formed in the surface of the regions 30, and polysilicon gate electrodes 32 are respectively formed on the channel parts 30b to set each of the regions 30 as a DMOS element.例文帳に追加

P型拡散領域30の表面にN+型ソース領域31を形成し、チャンネル部30b上にポリシリコンゲート電極32を形成してDMOS素子とする。 - 特許庁


例文

An outer diameter of a plate packing 5 is formed larger than an outer diameter of the pressure detection element 6, and set to be 90% or more of an outer diameter of a caulking part of the inner cylindrical member.例文帳に追加

板パッキン5の外径が、圧力検出素子6の外径によりも大きく形成され、内筒部材の加締め部の外径の90%以上に設定されている。 - 特許庁

To provide a device, which is fitted to a radio communication device, such as a portable telephone set and detects a transmitted electromagnetic wave, in response to termination and gives notice by making a light-emitting element illuminate.例文帳に追加

携帯電話機など無線通信装置に取付けて、着信に応答する送信電磁波を検知して発光素子を発光させて報知する装置に関する。 - 特許庁

To provide a planar waveguide element by which an amplitude and a period length of OBO of a signal wave is easily set to a desired value, and propagation loss of the signal wave to be demultiplexed with the planar waveguide element is reduced in making the signal wave propagate with the planar waveguide element, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

信号波を平面導波路素子で伝播させる際、信号波のOBOの振幅および周期長を所望の値に容易に設定することができ、また、平面導波路素子で分波する信号波の伝播損失を低減することができる、平面導波路素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The impedance circuit is composed of an impedance element Z and a diode D2 connected in parallel with the impedance element Z, and the impedance element Z is set at such a small impedance that an input current distortion gets below a given value and an idle period appears in an input current waveforms only in the vicinity of zero-cross of the input power source.例文帳に追加

インピーダンス回路は、インピーダンス素子Zと、該インピーダンス素子Zに並列接続されるダイオードD_2 とで構成され、インピーダンス素子Zは、入力電流歪が所定値以下になり且つ入力電源のゼロクロス近傍だけで入力電流波形に休止期間が現れる程度に小さなインピーダンスに設定されている。 - 特許庁

例文

In a red light emitting element U1 and a blue light emitting element U2, optical distances between reflective layers 11, 12 and counter electrodes 30 are respectively set to be equal for one another, and the reflective layer 11 of the red light emitting element U1 is formed of a material different from that for forming the reflective layer 12 of the light emitting device of the other color.例文帳に追加

赤色発光素子U1と青色発光素子U2において、反射層11および反射層12と対向電極30との間の光学的距離を同一に設定し、赤色発光素子U1の反射層11を、他の色の発光素子の反射層12とは異なる材質で形成する。 - 特許庁

例文

A program mode for performing charge accumulation to the capacitor element Cs by the switching action of a transistor Tr2 and performing setting of the driving condition, based on the accumulated charges and an element light emission mode for making the organic electroluminescence element 11 emit light, in accordance with the driving condition set are changed over.例文帳に追加

トランジスタTr2のスイッチング作用により、容量素子Csへの電荷蓄積を行うとともに、トランジスタTr3のスイッチング作用により、蓄積電荷に基づく駆動条件の設定を行なうプログラムモードと、設定された駆動条件に従って有機エレクトロルミネッセンス素子110を発光させる素子発光モードを切り替える。 - 特許庁

At least a part of connection elements constituting a graphic element to be edited among raster data composed of a set of dot data is designated, the connection elements constituting the graphic element to be edited are extracted and subsequently, the extracted connection elements are converted into vector data maintaining the characteristics of the graphic element.例文帳に追加

ドットデータの集合からなるラスタデータのうちの編集すべき図形要素を構成する連結要素の少なくとも一部を指定して、編集すべき図形要素を構成する連結要素を抽出した後、抽出された連結要素をその図形要素の特徴を維持したベクタデータに変換する。 - 特許庁

Thus, a phase or an amplitude of a radio wave from a side of the patch antenna element 1B is adjusted by a reactance circuit 5 and the element interval D is appropriately set, so that a gain to a front direction of the patch antenna element 1A is increased and a radio wave in a back direction is suppressed, thereby improving an F/B ratio.例文帳に追加

これにより、リアクタンス回路5によってパッチアンテナ素子1B側からの電波の位相や振幅を調整すると共に素子間隔Dを適宜設定することで、パッチアンテナ素子1Aの正面方向への利得を増大させると共に背面方向の電波を抑圧して、F/B比を増大させる。 - 特許庁

The TFT element has a top gate structure in which a gate electrode layer 17 is arranged on a channel region, a TFT channel is protected by the gate electrode, and the TFT element is never turned ON by a back gate effect even if a potential varies corresponding to the output of the sensor discrete electrode so that the TFT element can be set stable in characteristics.例文帳に追加

TFT素子のゲート電極層17をチャネル領域の上に配置するトップゲート構造として、TFTチャネル部をゲート電極で保護し、センサ個別電極の出力に応じた電位変動があっても、TFT素子がバックゲート効果によりONすることなく、安定したTFT特性を得る。 - 特許庁

Since the power supply for driving the magnetron of this high-frequency heating device is constituted so that on-time ratio between the first semiconductor switching element 3 and the second semiconductor switching element 6 can be arbitrarily set, the current of the diode constituting the first semiconductor switching element 3 can be minimized.例文帳に追加

本発明の高周波加熱装置のマグネトロン駆動電源は、駆動回路は第1の半導体スイッチング素子3と第2の半導体スイッチング素子6のオン時間比率を任意に設定できるように構成されるため、第1の半導体スイッチング素子3を構成するダイオードの電流を極小化することができる。 - 特許庁

The ECT part 9200 further sets the torque capacity of a friction engagement element according to the target output torque TOT and input torque of the automatic transmission, and controls a hydraulic pressure to be supplied to the friction engagement element so that the actual torque capacity of the friction engagement element can reach the set torque capacity.例文帳に追加

さらに、ECT部9200は、オートマチックトランスミッションの目標出力トルクTOTおよび入力トルクに応じて、摩擦係合要素のトルク容量を設定し、摩擦係合要素の実際のトルク容量が設定されたトルク容量になるように、摩擦係合要素に供給される油圧を制御する。 - 特許庁

In the photovoltaic element comprising a first photovoltaic element, an intermediate layer, a second photovoltaic element, and a reflective layer arranged sequentially from the light incident side, inclination angle of the light incident side surface of the reflective layer is set larger than that of the light incident side surface of the intermediate layer.例文帳に追加

光入射側から順に、第一の光起電力素子、中間層、第二の光起電力素子、反射層を少なくとも有する光起電力素子において、前記反射層の光入射側表面の傾斜角が、該中間層の光入射側表面の傾斜角よりも大きいことを特徴とする。 - 特許庁

The membrane separator is composed of at least one vertically arranged hollow fiber membrane element and an outer wall having opening parts provided to its upper and lower parts covering the side surface of the element and the total cross-sectional area of the hollow fibers of the element in a slackened state is set to 5-50% of the area of the surface surrounded by the outer wall.例文帳に追加

垂直方向に設置した、少なくとも一個の中空糸膜エレメントとこのエレメントの側面を覆った上下部に開口部を有する外壁とからなり、かつエレメントの中空糸が弛緩状態で、中空糸の総断面積を外壁で囲まれた面の面積の5%〜50%とした膜分離装置。 - 特許庁

Further, the method of driving the nonvolatile semiconductor memory device comprises a step of controlling the resistance state of the resistive element (12) by adjusting a value of current which flows to the resistive element (12) while the resistance state of the resistive element (12) changes from the reset resistance state to the set resistance state.例文帳に追加

更に、本発明の不揮発性半導体メモリ素子の駆動方法は、前記抵抗体(12)の抵抗状態がリセット抵抗状態からセット抵抗状態に変化する途中に、前記抵抗体(12)に流れる電流値を調節することにより、前記抵抗体(12)の抵抗状態を制御するステップを含むことを特徴とする。 - 特許庁

When the shortest interval to the ground potential electrode 56 of a second electronic component element 2 for composing the electrostatic surge removal circuit section, and that from the second electronic component element 2 to a first electronic component element 1 for composing the switch circuit section SW are set to be D1, and D2, respectively, then the relation D1<D2 is achieved.例文帳に追加

前記静電サージ除去回路部を構成する第2電子部品素子2グランド端子電極56までの最短間隔D1、前記第2電子部品素子2と前記スイッチ回路部SWを構成する第1電子部品素子1までの最短間隔をD2とした時、D1<D2の関係とした。 - 特許庁

A total rolling direction length size M1 of the retainers existing in a load rolling element rolling path of a plurality of the retainers A1-An in regard to respective rolling direction length size m of the plurality of retainers A1-An is set longer than half of a rolling element track length of the rolling element endless circulating path.例文帳に追加

複数のリテーナA1〜Anの各々の転動方向長さ寸法(m)について、複数のリテーナA1〜Anの内の負荷転動体転走路に存在するリテーナの合計転動方向長さ寸法M1が、転動体無限循環路の転動体軌道長の1/2よりも長くなるように設定する。 - 特許庁

The rotating speed limit part 38 sets up the rotating speed limit value corresponding to the element temperature T when the element temperature T is higher than the limit starting temperature T_0, and limits the target rotating speed Na set by the target rotating speed setting part 32 to not more than the rotating speed limit value corresponding to the element temperature T.例文帳に追加

回転速度制限部38は、素子温度Tが上記制限開始温度T_0より高い場合に、素子温度Tに応じた回転速度制限値を設定し、目標回転速度設定部32によって設定される目標回転速度Naをその素子温度Tに応じた回転速度制限値以下に制限する。 - 特許庁

Pay attention to the element 13e, then, the driving voltage of the element 13e is set to an intermediate area voltage value between a half- wavelength voltage at the time of driving the adjacent elements 13c, 13g generating crosstalk to each other and that at the time of not driving the element, preferably, to a voltage value at which the transmitted light quantity converges.例文帳に追加

素子13eに注目すると、該素子13eの駆動電圧は、クロストークが発生し合う隣接素子13c,13gを駆動したときの半波長電圧と、駆動しないときの半波長電圧との間の領域の電圧値、好ましくは、透過光量が収束する電圧値に設定されている。 - 特許庁

When the respective element components 631-635 arranged in the region 63 are located and their sequence numbers are inputted, the editor displays the inputted sequence numbers A31-A35 in the vicinity of the element components, and creates program definition information set for the element component corresponding to each sequence number.例文帳に追加

またエディタは、領域63内に配置された各要素部品631〜635が位置指定されて順番号が入力されると、入力された順番号A31〜A35を、その要素部品の近傍に表示し、その順番号が対応する要素部品に設定されたプログラム定義情報を生成する。 - 特許庁

Since a wavelength conversion unit 160 has a set of wavelength conversion elements 167d, 167e disposed without mediating a multiplexing optical element such as a dichroic mirror therebetween in the last stage of the unit, it is not necessary to consider positioning of the multiplexing optical element or degradation of the multiplexing optical element due to irradiation with a laser beam.例文帳に追加

波長変換部160がダイクロイックミラーなどの合波光学素子を介することなく配置された一組の波長変換素子167d、167eをその最終段に有するので、合波光学素子の位置決め、及びレーザ光の照射による合波光学素子の劣化などを考慮する必要がない。 - 特許庁

In the driving method of a driver, a servo motor (3) is driven by applying a drive signal (2) to the gate of a power element automatically after an alarm signal (1) is generated from the power element having an alarm generating function, and the power element is turned off when the number of generation times of the alarm signal (1) exceeds a set value.例文帳に追加

本発明によるドライバの駆動方法は、アラーム発生機能を有するパワー素子が発生するアラーム信号(1)が発生された後に、自動的に前記パワー素子のゲートに駆動信号(2)を印加してサーボモータ(3)を駆動し、設定された回数を越えてアラーム信号(1)が発生した場合はパワー素子をオフとする方法である。 - 特許庁

To set the response speed of the floating amount adjustment of the magnetic head slider 1 to fast as much as possible and to reduce the effect of heat generated from the heat generation resistor 11 on the magnetic reproducing element 2b, the heat generation resistor 11 is arranged in a position apart from the magnetic reproducing element 2b between the substrate 1a and the magnetic reproducing element 2b.例文帳に追加

磁気ヘッド・スライダ1の浮上量調整の応答速度をできるだけ早くし、発熱抵抗体11の発熱による磁気再生素子2bへの影響を少なくするために、発熱抵抗体11を基板部分1aと磁気再生素子2bとの間で、磁気再生素子2bから離れた位置に配置する。 - 特許庁

In this light source device 1, a wavelength conversion element 14 for converting light of first wavelength to light of second wavelength, and a dichroic mirror 13 for transmitting light of first wavelength and reflecting light of second wavelength are arranged between the light source 11 and the reflection type polarization element 16 to be set in order of the light source 11, the dichroic mirror 13, the wavelength conversion element 14 and the reflection type polarization element 16.例文帳に追加

この光源装置1では、第1の波長の光を第2の波長の光に変換する波長変換素子14と、第1の波長の光を透過し、第2の波長の光を反射するダイクロイックミラー13とが、光源11、ダイクロイックミラー13、波長変換素子14、反射型偏光素子16の順となるように、光源11と反射型偏光素子16との間に配置される。 - 特許庁

In A/D conversion start processing executed for each reference sampling period [4ms], while changing a period element acquired in arrangement order for each execution of processing from a waiting time table wherein each period element is arrayed in random order, the period element is acquired, and the acquired period element is set as a waiting time WT from finish of the processing until start of an A/D converter.例文帳に追加

基準サンプリング周期「4ms」毎に実施されるA/D変換起動処理にて、周期要素が順不同に配列された待ち時間テーブルから、同処理の実施毎に配列順に取得する周期要素を替えつつ、周期要素を取得し、その取得した周期要素を、同処理の終了からA/D変換器を起動するまでの待ち時間WTに設定する。 - 特許庁

The image sensor comprises a plurality of pixels each comprising an element for converting radiation or light into an electric signal and a circuit for driving the conversion element, and means for switching each terminal between a fixed potential setting state and a floating state except the conversion element in the pixel wherein the duration Tread of floating state is set equal to or shorter than a predetermined conversion time Tstr of the conversion element.例文帳に追加

放射線又は光を電気信号に変換する変換素子と変換素子を駆動する駆動回路とを有する画素を複数備えるとともに、画素中の前記変換素子以外の各端子を固定電位設定状態と浮遊状態とに切り換える手段を備え、浮遊状態にある時間(Tread)を、変換素子の変換時間(Tstr)の所定値以下とした。 - 特許庁

The initial conduction angle of the second semiconductor switching element Q2 is set smaller than the initial conduction angle of a first semiconductor switching element Q1 so that the current value per unit time duration, flowing to an input side capacitor C1 from an output side capacitor C2 to the second semiconductor switching element Q2 may not become below an allowed value that does not damage the second semiconductor element Q2.例文帳に追加

出力側コンデンサC2から第2の半導体スイッチング素子Q2を通して入力側コンデンサC1に流れる単位時間当たりの電流値が、第2の半導体スイッチング素子Q2を破壊することがない許容値以下になるように、第2の半導体スイッチング素子Q2の初期導通角を第1の半導体スイッチング素子Q1の初期導通角よりも小さく設定する。 - 特許庁

This air cleaner 1 is provided with a discharge plasma element 13 generating the discharge plasma in air, a filter 14 removing ozone generated with the discharge plasma by the discharge plasma element 13, a storage part 17 storing a cumulative operation time of the discharge plasma element 13 and a preset cumulative operation set time, and a control part 16 controlling the operation of the discharge plasma element 13.例文帳に追加

空気浄化装置1は、空気中で放電プラズマを発生させる放電プラズマ素子13と、放電プラズマ素子13にて放電プラズマとともに発生したオゾンを除去するフィルター14と、放電プラズマ素子13の累積運転時間と予め定められた累積運転設定時間とを記憶する記憶部17と、放電プラズマ素子13の運転を制御する制御部16とを備える。 - 特許庁

In this two-stage compression type rotary compressor of a carbon dioxide refrigerant forming a two-stage compression mechanism with a discharge side of a low-stage compression element 32 connected in series to an intake side of a high-stage compression element 34, the fitting clearance of components in the low-stage compression element 32 is set to be smaller than that in the high-stage compression element 34.例文帳に追加

低段圧縮要素32の吐出側と高段圧縮要素34の吸入側とを直列接続した2段圧縮機構を形成する二酸化炭素冷媒の2段圧縮式ロータリコンプレッサにおいて、低段圧縮要素32における構成部品相互の嵌合クリアランスを、高段圧縮要素34における構成部品相互の嵌合クリアランスよりも小さく設定する。 - 特許庁

One of a capacitance element 7, an inductance element 8, and a resistance element is connected to a coupling terminal and the termination side of the sub-line in series or parallel, and respective element values are so set that isolation characteristics in an in-use frequency band are improved.例文帳に追加

任意長の二つのマイクロストリップラインを、微小間隙を挟んで平行に並べ、一方を主線路、他方を副線路とし、前記副線路のカップリング端子及び終端側夫々に直列又は並列にキャパシタンス素子、インダクタンス素子、抵抗素子のいずれかを接続し、使用周波数帯域内のアイソレーション特性を改善するように前記各素子値を設定するように方向性結合器を構成する。 - 特許庁

The check valve is set so that a refrigerant inlet (evaporator side) and a refrigerant outlet (compressor side) are located on the upper side and on the lower side, respectively, and a movable valve element contained therein is set to descend by its gravity and open the valve.例文帳に追加

逆止弁は、冷媒の入口(蒸発器側)を上方位置とし冷媒の出口(圧縮機側)を下方位置とするように設置して、その中の可動弁体は、その重力によって降下して弁が開くように作用する状態とする。 - 特許庁

In addition, the current or the voltage applied to the control terminal of the power element is set to the level capable of suppressing the generation of the rush current at the power source turning on time and set to the level capable of supplying the sufficient load current at the normal operation time.例文帳に追加

そして、前記パワー素子の制御端子に印加する電流または電圧を、電源投入時には突入電流の発生を抑制することができるレベルとし、通常動作時には充分な負荷電流を供給できるレベルとする。 - 特許庁

Respective output characteristics of an electric heating element cooling down the seat surface and a seat blower blowing in cooling air are set as PL and FN, respectively, and output characteristics of a seat heater heating the seat surface are set as SH with respect to the IST.例文帳に追加

このISTに対して、シート表面を冷却する電熱素子および冷却風を送風するシート送風機の各出力特性をPL、FNとして設定し、シート表面を過熱するシートヒータの出力特性をSHとして設定する。 - 特許庁

Then, a size to be out of the electronic image is set based upon the ratio of the display area of the display means to a light reception area of an imaging element, and the electronic image is cut to the set size and displayed in the second display area.例文帳に追加

そして、撮像素子の受光領域に対する表示手段の表示領域の比率に基づいて電子画像から切り出す大きさを設定し、その設定された大きさに従って電子画像を切り出し、第2表示領域に表示する。 - 特許庁

Moreover, time resolution Tr1 on the occasion of ratio calculation is set so as to be equal to a calculation error e1 on the occasion of the ratio calculation, and is set more finely than the time resolution of the delay element (gate delay) of a ring delay pulse generating circuit 81.例文帳に追加

さらに、比率演算時の時間分解能Tr1が、比率演算時の演算誤差e1に等しくなるように設定されて、リング遅延パルス発生回路81の遅延素子(ゲートディレイ)の時間分解能よりも細かく設定される。 - 特許庁

And a peripheral region is formed at an outer edge for holding a part in which the laser element is formed inside, the height of the laminated upper surfaces 111f_1, 111f_3 is set to height positions 10af, 10bf or higher, and is set so that they are identical each other.例文帳に追加

また、レーザ素子部が形成された部分を中に挟む外縁には、周辺領域が形成されており、その積層上面111f_1、111f_3の高さが、高さ位置10af、10bf以上に設定され、且つ、互いに同一に設定されている。 - 特許庁

Positive voltage v is applied to a transparent electrode of an element sample 3 set in a vacuum container 1 by a power source in a source meter 13, and an electronic gun 2 is set so that electron beams are applied on an organic thin film to be measured.例文帳に追加

真空容器1内に設定した素子試料3の透明電極に、ソースメータ13内の電源により正の電圧vを印加するとともに、電子ビームが被測定有機薄膜上に照射されるよう電子銃2の設定を行なう。 - 特許庁

The holding element B is composed of a frame body 4 set on the belt body 2 and a fitting part 5 freely rotatably set on the frame 4 and the belt body 2 is put between the inside of the frame body 4 and a projection 5a of the fitting part 5.例文帳に追加

保持部材Bはベルト本体2に取り付けられる枠体4と枠体4に回動自在に取り付けられる取付部5で構成されて枠体4の内面と取付部5の突部5aとの間にベルト本体2が挟み込まれている。 - 特許庁

Since the magnetoresistive element (MRE) 31 is disposed so as to have a predetermined length in the thickness direction of a substrate 30, a sensing axis of the MRE 31 is not set in the direction along a surface of the substrate 30, and is set in the thickness direction of the substrate 30.例文帳に追加

基板30の厚さ方向において所定の長さを有するように磁気抵抗素子(MRE)31を配置することにより、MRE31の検知軸を、基板30の表面に沿う方向ではなく、基板30の厚さ方向に設定した。 - 特許庁

When both recording systems record an image with light emission at a flash device, since sensitivity is different between a sliver salt film and an image pickup element, a primary point is set on a recording condition to the silver salt film, and the flash device is controlled in accordance with the set value of the recording condition.例文帳に追加

銀塩フイルムと撮像素子では感度が異なるため、閃光装置の一回の発光で両記録系で画像を記録する場合には、銀塩フイルムへの記録条件に主眼を置き、これの設定値に合わせて閃光装置を制御する。 - 特許庁

When an interpolation picture element is obtained from a plurality of original picture elements having different transparency values at the time of enlarging the image composed of picture elements having information on transparency, an original picture element is selected from the original picture elements according to a prescribed rule and the transparency value of the selected picture element is set to the interpolation picture element instead of obtaining the transparency value through picture element interpolation.例文帳に追加

透明度の情報を有している画素から成る画像を拡大/縮小するのにあたって、互いに異なる透明度値を有する複数の原画素から上記補間画素を得る場合においては、上記画素補間処理によって透明度値を得るのに代えて、所定の規則に従って上記複数の原画素のうちから原画素を選択し、この選択された原画素が有する透明度値を上記補間画素に対して設定するようにしている。 - 特許庁

The shower element 2 has an end part 31 removablly set at a front end 12 of the pipe element 1, a front end 35 formed to gradually spread over the end direction and many spray holes 41 at the front end surface.例文帳に追加

シャワー部材2は、基端部31が、パイプ部材1の先端部12に着脱可能に取り付けられ、先端部35が、先端側に行くに従って大径となるよう形成されると共に、先端面に多数の散水穴41を形成されている。 - 特許庁

For image element data set so as to increase a display frequency, a transfer control circuit 152 reads the image element data from a CGROM 142 and transfers them to a fixed address area 155A beforehand in response to the reception of a prior transfer command.例文帳に追加

表示頻度が高くなるように設定された画像要素データについては、転送制御回路152が事前転送コマンドの受信に応答して、事前にCGROM142から画像要素データを読み出して固定アドレスエリア155Aに転送する。 - 特許庁

According to the electrical connection structure, solder bumps 76 include core-contained solder balls 78, and therefore a core 78A of each core-contained solder ball 78 makes contact with an electrode 58A of a piezoelectric element 58, to thereby set an interval between the piezoelectric element 58 and a flexible wiring board 70 to a constant value.例文帳に追加

はんだバンプ76にコア入りはんだボール78を使用することによって、コア入りはんだボール78のコア78Aが圧電素子58の電極58Aに接触して、圧電素子58とフレキシブル配線基板70との間隔が一定とされる。 - 特許庁

A section area Ar of an adjustment bar 9 which is included in a valve element 6 is set smaller than pressurized area As of a connection seal surface connecting to the valve element 6 of a valve seat 35 in designing effective pressurized area Ab of the pressure sensing device 2 small.例文帳に追加

感圧装置2の有効受圧面積Abを小さく設計するときに、弁座35の弁体6と接合する接合シール面の受圧面積Asよりも弁体6に有する調整棒9の断面積Arを小さくしたものである。 - 特許庁

例文

A sum T of a thickness T1 of the semiconductor element 11 and a thickness T1 of the first α line shielding film 21 is set larger than a flying distance R1 of α line that enters the first α line shielding film 21 and then travels toward the main surface 11a of the semiconductor element 11 along the thickness direction.例文帳に追加

半導体素子11の厚さT1と第1のα線遮蔽膜21の厚さT1との和Tを、第1のα線遮蔽膜21に入射して厚み方向に沿って半導体素子11の主面11aに向かうときのα線の飛程距離R1よりも大きくする。 - 特許庁




  
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