「gate sensitivity」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

This device includes a non-volatile memory element 20 having a floating gate to which holes or electrons are injected, a retention sensitivity cell 23 having a floating gate or a charge gain sensitivity cell 22 having a floating gate, electron/hole control circuit 24, 28 for controlling electron quantity or holes of the floating gate of the retention sensitivity cell 23 or the change gain sensitivity cell 22.例文帳に追加

正孔又は電子が注入されるフローティングゲートを有する不揮発性メモリ素子２０と、フローティングゲートを有するリテンション感度セル２３又はフローティングゲートを有するチャージゲイン感度セル２２と、前記リテンション感度セル２３又はチャージゲイン感度セル２２の前記フローティングゲートの電子量又は正孔を制御するための電子・正孔制御回路２４，２８とを含む。 - 特許庁

Accordingly, an unwanted force to the movable gate electrode 15 is removed to improve sensitivity.例文帳に追加

従って可動ゲート電極１５への不要な力を除去して感度を向上させる。 - 特許庁

Electric resistance of the graphene layer is changed by application of a gate voltage on the gate electrode, and sensitivity and a speed of the sensor is controlled by using application of the gate voltage.例文帳に追加

ゲート電極へのゲート電圧の印加により、グラフェン層の電気抵抗が変化し、このゲート電圧の印加を用いて、センサの感度および速度を制御することができる。 - 特許庁

To prevent a gate electrode of polysilicon from being charged with electricity in a process where a high-sensitivity semiconductor device which includes a memory array is manufactured.例文帳に追加

メモリ配列を含む高感度半導体装置の製造工程中にゲート電極を構成するポリシリコンなどが荷電するのを防止する。 - 特許庁

To prevent color mixture into adjacent pixels by providing a reflective film coating a readout gate electrode so as to improve sensitivity.例文帳に追加

読み出しゲート電極を被覆する反射膜を設けることで、隣接画素への混色を防止し、感度の向上を可能とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an improved relationship between the critical rate of rise of off-state voltage dV/dt and the gate sensitivity, which are in a trade-off relationship.例文帳に追加

トレードオフの関係にある臨界オフ電圧上昇率ｄＶ／ｄｔとゲート感度との関係を改善した半導体装置を提供する。 - 特許庁

To achieve adjustment of sensitivity and a range during manufacturing a flux gate sensor without changing the form of a magnetic element.例文帳に追加

磁性体素子の形状を変更することなく、フラックスゲートセンサの製造時に感度とレンジを調整可能にする。 - 特許庁

To provide a quality control technology for detecting, with high sensitivity, the defects in a gate insulating film generated in the manufacturing process of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造過程において発生するゲート絶縁膜の不良を高感度に検出できる品質管理技術を提供する。 - 特許庁

Sensitivity of the terminal of a semiconductor surface at the gate portion of a second p channel field effect transistor against measurement target ions is set to be higher than sensitivity of the terminal of a semiconductor surface at the gate portion of a first p channel field effect transistor against the measurement target ions.例文帳に追加

第２のｐチャネル電界効果トランジスタのゲート部分の半導体表面の終端の測定対象イオンに対する感度が、第１のｐチャネル電界効果トランジスタのゲートの部分の半導体表面の終端の前記測定対象イオンに対する感度よりも高くされる。 - 特許庁

To provide a sensitivity adjustment device for photosensor system and a sensitivity adjustment method therefor that can properly set an optimum sensitivity to excellently read an object image under various environments in the case that a double gate photosensor is applied to a two-dimensional sensor system.例文帳に追加

ダブルゲート型フォトセンサを２次元のセンサシステムに適用した場合に、種々の環境下で被写体画像を良好に読み取るための最適感度を適切に設定することができるフォトセンサシステムの感度調整装置及びその感度調整方法を提供する。 - 特許庁

Driving patterns of gate pulses (ϕH1, ϕH2, ϕH1L) are changed at a normal sensitivity time and a high sensitivity time and a CCD 1 is driven by a driving signal generating circuit 3.例文帳に追加

駆動信号発生回路３は、通常時と高感度時とでゲートパルスφＨ１、φＨ２、φＨ１Ｌの駆動パターンを変化させ、ＣＣＤ１を駆動する。 - 特許庁

To provide a thermal infrared sensor of high sensitivity, which realizes low noise without broadening of the gate dimension of MOS transistors composing a current source and an integrator and also without voltage multiplication between the gate and the source.例文帳に追加

電流源や積分器を構成するＭＯＳトランジスタのゲート面積の増大や、ゲート・ソース間の電圧の増加を伴うことなく低雑音化を図った、高感度の熱型赤外線センサを提供する。 - 特許庁

This makes it possible to correct a sensitivity change in the vicinity of the gate oxide film owing to a matrix effect in SIMS measurement on the laminated structure with the polysilicon/gate oxide film formed therein.例文帳に追加

これにより、ポリシリコン/ゲート酸化膜が形成された積層構造に対するSIMS測定において、マトリックス効果に起因するゲート酸化膜付近の感度変化を補正することができる。 - 特許庁

The imaging element includes a plurality of pixels 1 arranged in a matrix having a plurality of color sensitivity characteristics on an imaging region 100 and a multiplying gate electrode 5 provided in the vicinity of the plurality of pixels 1 having the color sensitivity characteristics for the same color for mixing the electric charge accumulated in the plurality of pixels 1 having the color sensitivity characteristics for the same color.例文帳に追加

この撮像素子は、撮像領域１００上に複数の色感度特性を有するマトリクス状に配置された複数の画素１と、同色の色感度特性を有する複数の画素１の近傍に設けられ、同色の色感度特性を有する複数の画素１に蓄積された電荷を混合するための増倍ゲート電極５とを備える。 - 特許庁

The first - third linear image sensors of respectively different sensitivity to incident light are arranged from outside in descending order of the sensitivity to the incident light and further, a shutter gate and a shutter drain for adjusting the exposure of the linear image sensor of the highest sensitivity to the incident light are provided.例文帳に追加

入射光に対する感度がそれぞれ異なる第１ないし第３のリニアイメージセンサが入射光に対して最も感度が高くなるものから順に外側から配置され、さらに入射光側となる入射光に対して最も感度が高くなるリニアイメージセンサの露光量を調節するためのシヤッターゲートおよびシヤッタードレインを設けた。 - 特許庁

The filled rate and the sensitivity are increased by connecting the transfer gate bus 23 of the row being currently read out and the reset gate 26 of the row to be subsequently read out, and allowing the row being currently read out and the row to be subsequently read out to share signal bus.例文帳に追加

ＡＰＳ装置の充填率および感度は、現在読み出されている行の転送ゲートバス２３と次に読み出される行のリセットゲート２６に接続し、現在読み出されている行と次に読み出される行とで信号バスを共有させることによって高くなる。 - 特許庁

To solve a problem that the capacitive voltage conversion sensitivity of capacitive voltage conversion circuits is dispersed for each JFET by the dispersion of the drain current and a good angular velocity signal is not obtained in a source follower circuit connected with gate resistors between gate sources via JFETs.例文帳に追加

容量電圧変換回路を、ＪＦＥＴ２１，３１を用いてゲート・ソース間にゲート抵抗２１ｄ，３１ｄを接続した構成のソースホロア回路では、ドレイン電流のバラ付きにより容量電圧変換感度がＪＦＥＴ毎にバラ付き、良好な角速度信号が得られない。 - 特許庁

The ultra high-sensitivity infrared sensor is a type of electron release from a ferroelectrics surface having no emitter structure, with no gate electrode required to be provided close to the emitter.例文帳に追加

この超高感度赤外センサは、エミッタ構造を持たない強誘電体面からの電子放出型赤外センサであり、そのエミッタに特別に近接された所のゲート電極を設ける必要がない。 - 特許庁

To provide a gas sensor (1) with a field-effect transistor (FET) for detecting gas or mixture gas in which attachment of a sensitivity layer (10) to the gate area of the sensor can be improved.例文帳に追加

ガス若しくは混合気の検出のための、電界効果トランジスター（ＦＥＴ）を有するガスセンサー（１）において、センサーのゲート領域への感応性の層（１０）の付着を改善する。 - 特許庁

To provide a chemical sensor using an FET which does not increase the planar surface area of a gate electrode and effectively improves detection sensitivity.例文帳に追加

ゲート電極の平面的な表面積を増大することなく検出感度が実効的に向上した電界効果トランジスタ利用の化学センサーを提供すること。 - 特許庁

Since the sensor can reduce the unstableness and detection error caused by the attachment and detachment of the gate electrode, a substance to be inspected can be stably detected with high sensitivity.例文帳に追加

本発明のセンサは、ゲート電極の着脱による不安定性および検出誤差を低減することができるため、高感度にかつ安定して被検出物質を検出することができる。 - 特許庁

In a highly effective single photon detector of wavelength of 1550 nm band, an InGaAs-APD having sensitivity in the neighborhood of wavelength of 1550 nm is operated by Geiger mode and in the process, the APD is cooled, and the APD is operated by a gate mode by GPQC.例文帳に追加

波長１５５０nm付近に感度を有するInGaAs-APDをガイガーモードで動作させ、その際に該APDを冷却し、かつ該APDをGPQCによってゲートモードで動作させるようにしたことを特徴とする、波長１５５０nm帯の高効率な単一光子検出器。 - 特許庁

Upon manufacturing a flux gate sensor, a step for adjusting sensitivity and a range is carried out by adjusting an angle θ of the uniaxial magnetic anisotropy with respect to the predetermined direction.例文帳に追加

フラックスゲートセンサの製造時には、前記所定の方向に対する一軸磁気異方性の角度θを調整することにより、感度およびレンジを調整する工程を含むものとする。 - 特許庁

To provide a photoelectric surface for exhibiting superior sensitivity to the light of a wave length area of 250 nm to 320 nm, and capable of excellently performing gate operation, and a photoelectric conversion tube using this photoelectric surface.例文帳に追加

２５０ｎｍ〜３２０ｎｍの波長域の光に対して良好な感度を示し、またゲート動作を良好に行うことができる光電面、およびこの光電面を用いた光電変換管を提供する。 - 特許庁

When a gate delay time is dominant, one parameter with high sensitivity to capacity is specified, and a dispersion according to this parameter is added to the RC rule file 43.例文帳に追加

ゲート遅延時間が支配的である場合には、容量に対する感度の高いパラメータを一つ特定し、そのパラメータに応じたばらつきをＲＣルールファイル４３に付加する。 - 特許庁

To provide a transistor type strain detecting element having a gate electrode, a source electrode and a drain electrode, the strain detecting element having detection sensitivity much superior to that of a metallic strain gauge.例文帳に追加

ゲート電極、ソース電極、およびドレイン電極を備えたトランジスタ型の歪み検出素子であって、金属製歪みゲージよりも格段に優れた検出感度を有する歪み検出素子の提供。 - 特許庁

To provide a recording medium, which has high recording sensitivity without reduction processing and reduces light damage in gate light irradiation, and a recording and reproducing apparatus.例文帳に追加

還元処理をすることなく高記録感度を達成し、かつゲート光照射時の光損傷を低減する記録媒体、および記録再生装置を提供する。 - 特許庁

To provide a flux gate magnetic sensor having a structure which can suppress outside leakage in a magnetic field so as to be low, and has high sensitivity and is suitable for detecting the local magnetic field.例文帳に追加

本発明の目的は、外部への漏洩磁界を少なく押さえることができ、且つ高感度で局所磁界の検出に適した構造のフラックスゲート磁気センサを提供することである。 - 特許庁

When the sensitivity of a change in a drain current to a change in gate potential is reduced, the prescribed current value can be outputted even when currents from almost all output terminals are changed.例文帳に追加

また、ゲート電位の変化に対するドレイン電流の変化の感度を小さくすることで、大多数の出力端子の電流が変化した際でも、所定の電流値が出力できるようにした。 - 特許庁

To provide an FET type biosensor in which the gate surface of an FET is modified in order to lead electric charges of a nucleic acid, such that it can be positioned in the most proximity to the surface and significantly improve its sensitivity.例文帳に追加

ＦＥＴのゲート表面を改質して、核酸の電荷が表面に最も近く位置可能に誘導して感度を顕著に向上させたＦＥＴ型のバイオセンサーを提供する。 - 特許庁

To provide a sensor of high precision and high sensitivity which is a sensor containing a field-effect transistor, suppresses the contact charge caused by the attachment and detachment of a gate electrode and can detect a sample solution in a solution state.例文帳に追加

電界効果トランジスタを含むセンサであって、ゲート電極の着脱による接触帯電を抑制し、試料溶液が溶液状態のままでも検出可能な、高精度かつ高感度なセンサを提供すること。 - 特許庁

To prevent the shift of Vth and to improve reliability in the transfer of charge or reset operation by preventing ultraviolet rays from being made incident on a non-shielded MONOS gate, concerning a solid-state image pickup device having sensitivity in an ultraviolet area.例文帳に追加

紫外線領域に感度を持つ固体撮像装置において、遮光されていないＭＯＮＯＳゲートに紫外線が入射するのを防いで、Ｖthがシフトを防止し、電荷の転送やリセット動作の信頼性を高める。 - 特許庁

The reduced thicknesses of the gate insulating films of the subsequent driver FETs increase a voltage gain AV_total without decreasing charge transfer efficiency, and raises the entire sensitivity of the signal converter.例文帳に追加

後続ドライバＦＥＴのゲート絶縁膜の厚さの減少は、電荷伝達効率を減少させずに電圧利得ＡＶ_ｔｏｔａｌを増加させて、信号コンバータの全体感度を増加させる。 - 特許庁

To provide a flux gate type magnetic sensor capable of regulating automatically an excitation frequency to detect an input magnetic field such as geomagnetism with the maximum sensitivity, even when a characteristic of a constitutive component is dispersed in a resonance circuit 30.例文帳に追加

共振回路３０の構成部品の特性にバラツキがあっても、地磁気などの入力磁界を最大の感度で検出できるように励磁周波数を自動的に調整できるフラックスゲート型磁気センサの提供。 - 特許庁

To inexpensively evaluate the damage given to a gate insulating film by charges entering contact holes or through holes due to a plasma process with high accuracy in a short time by providing a device which can detect the damage with high sensitivity.例文帳に追加

プラズマプロセスによってコンタクトホールまたはスルーホールに侵入した電荷のゲート絶縁膜に与えるダメージを高感度に検出する装置を実現し、低コストで高精度かつ短時間にダメージを評価する。 - 特許庁

FLOW SITE METER, METHOD FOR ANALYZING CELL, CELL-ANALYZING METHOD, METHOD FOR SETTING SENSITIVITY OF FLUORESCENT LIGHT DETECTOR AND METHOD FOR SETTING STANDARD GATE IN POSITIVE RATE-JUDGING METHOD例文帳に追加

フローサイトメータ、細胞の解析方法、細胞解析プログラム、蛍光検出器の感度設定方法および陽性率判定法における基準ゲート設定方法 - 特許庁

To provide an iron core with an excitation coil for a flux gate type sensor capable of realizing the sensor of high sensitivity to a very weak magnetic field and current, and a low noise.例文帳に追加

微弱な磁界や電流に対してを高感度かつ低ノイズなセンサが実現できるフラックスゲート型センサ用励磁巻線付き鉄心を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetism detecting circuit that realizes the reduction of power consumption and the simplification of circuit configuration, without dropping detection sensitivity and uses for the magnetism detecting element of an orthogonal flux gate-type, suitable for turning into an IC.例文帳に追加

検出感度を低下させることなく消費電力の低減及び回路構成の簡略化を実現し、更にＩＣ化に適した直交フラックスゲート型の磁気検出素子に用いる磁気検出回路の提供。 - 特許庁

To improve pixel opening rate, achieve higher sensitivity and realize higher definition, without degrading performance of gate wiring, signal lines and switch TFTs, which are essential in pixel configuration.例文帳に追加

画素構成上必須なゲート配線、信号線、スイッチＴＦＴの性能を落とすことなく、画素開口率を改善し、高感度化を達成すると共に、高精細化を実現する。 - 特許庁

To provide a flux gate sensor element incorporating a ring unit that can certainly prevent reduction of the sensor sensitivity, and a penetration type current sensor that reduces the influence of an introduction position of measured conductor and the influence of an external magnetic field by incorporating the flux gate sensor element and eliminates output of an offset signal.例文帳に追加

センサ感度の低下を確実に阻止することができるリングユニットを組み込んだフラックスゲートセンサ素子と、該フラックスゲートセンサ素子を組み込んで被測定導体の導入位置の影響や外部磁界の影響を少なくし、かつ、オフセット信号の出力をなくした貫通型電流センサとの提供。 - 特許庁

A cross-coupled latch has body-contact FETs 84, 86 whose body is connected to either of a source or a drain and it minimizes switching history effect and in the latch, each of input FETs 80, 82 has a gate switching voltage higher than a regular gate switching voltage and, at the same time, the FETs increase the sensitivity of input signals.例文帳に追加

クロス結合ラッチは、ボディがソースおよびドレインのうちの一方に接続されたボディ・コンタクトＦＥＴ８４，８６を有し、スイッチング履歴効果を最小化し、入力ＦＥＴ８０，８２が通常のゲート・スイッチング電圧より高いゲート・スイッチング電圧を有すると同時に、入力信号感度を増加させる。 - 特許庁

To obtain a solid-state image sensing device which is enhanced in detection sensitivity by a method wherein a detection capacitance formed of a floating diffusion layer is decreased without varying an output electrode or a reset electrode in threshold value, and charge is trapped in a gate insulating film of ONO film when a device is charged while it is manufactured.例文帳に追加

製造中デバイスが帯電した場合、ゲート絶縁膜を構成するＯＮＯ膜中に電荷がトラップされ、出力電極やリセット電極のしきい値の変動が生じることなく、浮遊拡散層からなる検出容量が低減し、検出感度が向上する固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

Especially, when the OPB level difference is comparatively small in a case wherein the same condition is set independent of the regions, an adjustment sensitivity is required to be made small, so that it is better that an effective pixel and an OPB pixel are set different from each other in edge position under a transfer gate 34G.例文帳に追加

特に、領域の区別なく同一条件とした場合のＯＰＢ段差が比較的小さい場合には調整感度を小さくする必要があるので、転送ゲート３４Ｇ下でのエッジ位置を有効画素とＯＰＢ画素とで異なるものとするのがよい。 - 特許庁

This hybrid ion transmitting device for enhancing detection sensitivity and resolution by using an electrostatic lens ion transmitting tube in the front, enabling use of a gate valve in the middle, and using an RF ion transmitting tube having good transmission efficiency in a high electric field in the back can be manufactured by combination of the electrostatic lens and the RF ion transmitting tube.例文帳に追加

静電レンズ及びＲＦイオン伝送管の組み合わせにより、前部に静電レンズイオン伝送管を用い、且つ、途中部分にはゲート弁を用いることを可能にし、後部には高磁場における伝送効率がよいＲＦイオン伝送管を用いて検出感度及び分解能を高める混成イオン伝送装置を製作することができる。 - 特許庁

The sensitivity with respect to high-frequency of a high-frequency transistor is measured in terms of coupling capacitance among gate wiring, source wiring and drain wiring, and the coupling capacitance between the respective wirings and a semiconductor substrate, among equivalent circuit parameters that change, depending on the structure of wiring and contact (Step ST21).例文帳に追加

配線およびコンタクトの構成に応じて変化する等価回路パラメータのうち、ゲート配線、ソース配線およびドレイン配線の各配線間の結合容量、ならびに、各配線と半導体基板と間の結合容量について、高周波トランジスタの高周波特性に対する感度を測定する（ステップＳＴ２１）。 - 特許庁