「grow on one」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

This event that lasted from 1633 on up to the Tokugawa shogunate's collapse, continued to grow in scale until Yoshimune TOKUGAWA called for the thrift ordinance; at one point, it is said that the procession was of a size consisting of several hundred to several thousand people. 例文帳に追加

1633年から徳川幕府が倒れるまで続いたこの行事は、途中、徳川吉宗の倹約令が出るまで行列の規模はふくれあがり、一時は数百人から数千人の規模になったという。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The method comprises planting seaweed seeds and seedlings on one side of a culturing belt 2 formed into a longitudinal flat belt shape, and stretching the belt in the sea to grow the seaweed.例文帳に追加

長尺平帯状に形成した養殖ベルト２の一方面に海藻の種苗を植え付け、その一方面を上方に向けて海中に張設して海藻を繁殖させる。 - 特許庁

While on one hand domestic demand in the form of consumption and capital investment has been decreasing in Japan, the Asian economy, though slowing down, continues to grow. To SMEs therefore, the development of markets overseas can still be considered important.例文帳に追加

我が国の消費や設備投資といった内需も減少している一方、アジア経済は、減速しているとはいえ、なお成長を続けていることから、中小企業にとって、海外市場の開拓が引き続き重要と考えられる。 - 経済産業省

While uplifting and induction-heating the melt 4 by applying thereto, the Lorentz force induced by energization of AC current to a normal conductive coil 5, the seed crystal 7 is brought into contact with the vicinity of top of the uplifted melt to grow the single crystal 15 on the seed one.例文帳に追加

常伝導コイル５への交流電流の通電により誘起されるローレンツ力を融液４に作用させて融液の隆起と誘導加熱を行いながら、隆起した融液の頂点付近に種結晶７を接触させ、種結晶上に単結晶１５を成長させる。 - 特許庁

The method of growing Al_xGa_1-xN (0≤x≤1) crystal includes: preparing a foundation substrate 10; and bringing a solution 7 prepared by dissolving 5 nitrogen in a Ga-molten liquid 3 containing Al into contact with the foundation substrate 10 to grow at least one layer of Al_xGa_1-xN crystal 20 on the foundation substrate 10.例文帳に追加

本Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶の成長方法は、下地基板１０を準備する工程と、Ａｌを含有したＧａ融液３への窒素の溶解５がされた溶液７を下地基板１０に接触させて、下地基板１０上に少なくとも１層のＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶２０を成長させる工程と、を備える。 - 特許庁

The dipping means can dip the ground substrate into one of crucibles selected from the two crucibles that are arranged in parallel within the first chamber by the crucible-transferring means, and can grow by solidification of a polycrystalline silicon wafer on the surface for crystalline growth of the ground substrate.例文帳に追加

浸漬手段は、坩堝移動手段によって第１チャンバ内で並列になるように配置される２つの坩堝のうちから選択される１つの坩堝に下地基板を浸漬し、下地基板の結晶生成面で多結晶シリコンウエハを凝固成長させる。 - 特許庁

Then, at least one of the nitride of the group III element formed in the melt and a raw material of the nitride of the group III element in the melt is vaporized, and the formed vapor is crystallized on the surface of a substrate, arranged in the atmosphere, to form or grow the nitride crystal of the group III element.例文帳に追加

次に、前記融液中において生成したIII族元素窒化物および前記融液中の前記III族元素窒化物の原料の少なくとも一方を気化し、前記雰囲気中に配置した基板表面上において、前記気化物を結晶化して、III族元素窒化物結晶を生成若しくは成長させる。 - 特許庁

Bubbles 61 left in an Si(silicon) gel (sealing material) 60 on the rear surface side of the upper one 50 of two circuit boards 20 and 50 housed in a case 10 get away of the gel 60, namely, to the atmosphere through vent holes 55 bored through the board 50 before the bubbles 61 grow larger.例文帳に追加

ケース１０に収容された２枚の回路基板２０，５０のうち上側の回路基板５０の裏面側のＳi ゲル（封止材）６０中に残留された気泡６１は、大きく成長する前に上側の回路基板５０に穿設された抜き穴５５を通ってＳi ゲル６０の外、即ち、大気中に抜ける。 - 特許庁

In a recess 11a formed on one main surface of a sapphire substrate 11, growth in a lateral direction is performed from a GaN layer 12, after burying the recess 11a by making the GaN layer 12 grow after passing through a state of a triangular cross section shape with its bottom face as a base.例文帳に追加

サファイア基板１１の一主面に形成した凹部１１ａに、その底面を底辺とする三角形の断面形状となる状態を経てＧａＮ層１２を成長させることによりこの凹部１１ａを埋めた後、このＧａＮ層１２から横方向成長を行う。 - 特許庁

and as the tendency of all the changes taking place in the world is to strengthen society, and diminish the power of the individual, this encroachment is not one of the evils which tend spontaneously to disappear, but, on the contrary, to grow more and more formidable. 例文帳に追加

世界で起こっているあらゆる変化は、社会を強めて個人の力を弱めようとする傾向にあるので、こういう個人の力の侵害は、自然に消える傾向にある害悪の一つではなく、逆に、ますます手に負えないものへと増大していく害悪となっているのです。 - John Stuart Mill『自由について』

The method for producing the fine complex particle contains one or more processes to grow a II-VI group compound different from band gap with the first II-VI group compound on the surface of the fine particle and one or more processes to grow the II-VI group compound at least different from impurity concentration.例文帳に追加

第一のII−VI族系化合物の微細粒子の表面に、前記第一のII−VI族系化合物とバンドギャップが異なるII−VI族系化合物を成長させる成長工程を１以上含むことを特徴とする複合微細粒子の製造方法および第一のII−VI族系化合物の微細粒子の表面に、前記第一のII−VI族系化合物と少なくとも不純物濃度が異なるII−VI族系化合物を成長させる成長工程を１以上含むことを特徴とする複合微細粒子の製造方法である。 - 特許庁

This method of manufacturing an epitaxial wafer is such that, when a III-V compound semiconductor layer is made to grow by epitaxial growth on a GaAs or InP compound semiconductor substrate, a temperature rising rate is reduced at least one time during a substrate temperature rising period before the epitaxial growth is started.例文帳に追加

本発明によるエピタキシャルウエハの製造方法では、ＧａＡｓまたはＩｎＰの化合物半導体基板上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層をエピタキシャル成長させるに際し、そのエピタキシャル層成長開始前の基板昇温期間中に昇温レートを少なくとも１回以上低減させることを特徴としている。 - 特許庁

In the method for manufacturing a sheet, a substrate 1 having a recessed and raised parts is brought into contact with a melt of crystalline material containing at least one of metallic material and semiconductor material to grow a crystal of the crystalline on the substrate 1, thus forming the sheet of the crystalline material.例文帳に追加

凹凸部を有する基板１を、金属材料もしくは半導体材料のうち少なくともいずれか一方を含有する結晶性物質の融液に接触させ、前記結晶性物質の結晶を前記基板１の表面上に成長させることで、前記結晶性物質で形成されたシートを得るシート製造方法。 - 特許庁

In the manufacturing method for a sheet in which a substrate is brought into contact with fused liquid containing at least one of a metal material and a semiconductor material to grow the sheet on the substrate, and the manufacturing method for the sheet is characterized in that at least a nucleus generation position of the substrate is made of single crystal, and the sheet obtained by the method and the solar battery using the sheet.例文帳に追加

金属材料および半導体材料のうち少なくともいずれかを含有する融液に基板を接触させて、前記基板上にシートを成長させるシートの製造方法であって、少なくとも基板の核発生位置が単結晶からなることを特徴とするシートの製造方法、およびそれで得られたシート、ならびに当該シートを用いた太陽電池。 - 特許庁

And one of the Japan APEC?s Growth Strategy (refer to this chapter, section 4, sub-number 3, described later in Establishing APEC region's Growth Strategy), it should grow based on Innovation and Knowledge Economy, organizing Intellectual Property such as Patent screening cooperation, actualizing intelligent social economic activities utilizing IT, promoting Excellent Human Resources.例文帳に追加

なお、日本APECにおいても成長戦略（「本節3.（4）③APEC地域の成長戦略の策定」で後述）の一つとして、特許審査協力などの知的財産インフラの整備、IT利活用によるスマートな社会経済活動の実現、高度人材交流促進といった、イノベーションと知識経済化に基づく成長を目指すこととしている。 - 経済産業省

However, in recent years, water facilities have deteriorated and the demand for renovation and renewal is expected to grow significantly, whereas now municipalities suffer under strict financial conditions. There is an estimate that the demand for renewal will exceed the amount of investment in Japan as early as 2020 if investment continues to decrease by one percent on a year-to-year basis.例文帳に追加

しかし、近年では水道設備の老朽化が進み、将来的には膨大な設備改修・更新需要が見込まれる一方で、地方自治体の財政は悪化しており、今後投資額が対前年比－1%で推移した場合には、早ければ平成32年度には我が国全体の更新需要が投資額を上回るとの試算もある。 - 経済産業省

In terms of passenger transport too, the number of passengers traveling by ship between Europe and the United States across the North Atlantic peaked in 1957 at around one million and subsequently maintained a downward trajectory. Air passengers, on the other hand, reached around the million mark in the same year and continued to grow, doubling to two million a mere four years later in 1961 as air passenger transport made it even easier to travel cross-border.例文帳に追加

また、旅客の輸送についてみると、北大西洋を渡って米欧間を行き来する旅客数では、船舶客が1957年に100万人前後でピークに達し、以後減少の一途をたどったのに対して、その年に100万人前後に達した飛行機客がその後も伸び続け、４年後の1961年には早くも倍の200万人に達するなど、航空機での旅客輸送が国境を越える人の移動をより容易にさせることとなった。 - 経済産業省

The method for manufacturing the probe with a field-effect transistor channel structure comprises a first step of producing the field-effect transistor, a second step of preparing to grow up the carbon nanotube on one upper section edge of a gate electrode of the field-effect transistor, and a third step of forming the carbon nanotube on the one upper section edge of the gate electrode of the prepared field-effect transistor.例文帳に追加

このために本発明は、電界効果トランジスタを製造する第１段階と;前記電界効果トランジスタのゲート電極上部一端に炭素ナノチューブを成長させるために準備する第２段階と;前記準備された電界効果トランジスタのゲート電極上部一端に炭素ナノチューブを生成する第３段階とを含む電界効果トランジスタチャンネル構造を持つ探針の製造方法を提供する。 - 特許庁

Meanwhile, injecting capital into financial institutions in order to force them to move into high-risk fields would lead to excessive risk-taking. Although they should make financial judgments on a case-by-case basis, regional financial institutions in particular should maintain close relationships with their regions and avoid focusing only on numerical factors. They should have knowledge about the quality of managers, engineers and sales people at their client companies and use such knowledge to, for example, foresee a recovery one or two years from now for companies that are struggling this year. If regional financial institutions that have such know-how receive capital injection, their capital base will grow strong enough to enable active lending to borrowers for which they would otherwise have refused to continue financing. 例文帳に追加

そうじゃなくて、目的はもちろん金融機関もビジネスですから、明らかにリスクの高いところに無理やりやるために資本増強するというのもこれまたリスクテイクのやり過ぎでありますから、だから個々の金融判断で色々なケースがあるけれども、しかしその時に特に地域金融機関というのは地域に密着をして、単に数字だけではなくて、例えばこの経営者がいいとか技術陣がいいとか営業陣がいいとか、だから今年はちょっと苦しいけれどもゆくゆくは、１年か２年経てば良くなっていくという金融機関のノウハウみたいなものがあった時に、今までですとそれはもう貸せないとか、あるいは延長を認めないとかということになりますけれども、そういうところにも自分のところの資本は更に強くなったということによって、更に積極的にやっていけるための基盤を作っていくと。 - 金融庁