「half-value layer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a nitride semiconductor substrate having a favorable half-value width in an X-ray rocking curve and inducing no degradation of the crystallinity of an epitaxial layer when the epitaxial layer is grown on the substrate.例文帳に追加

上層にエピタキシャル層を成長させた場合に、その結晶性を劣化させることのない、Ｘ線ロッキングカーブ半値幅が良好な窒化物系半導体基板を提供する。 - 特許庁

A foundational layer 2 constituting the semiconductor light emitting element 20 is constituted of a high crystalline AlN layer where the half value width of an X-ray locking curve is 90 sec. or under, and a first clad layer 4 is constituted of an n-AlGaN.例文帳に追加

半導体発光素子２０を構成する下地層２を、Ｘ線ロッキングカーブにおける半値幅が９０秒以下の高結晶ＡｌＮ層から構成し、第１のクラッド層４をｎ−ＡｌＧａＮから構成する。 - 特許庁

An optical distance d_1 from the reflecting layer of the light-emitting element having the resonator structure to the half-transparent and half-reflecting layer is the value between a value calculated by a formula to show a condition suitable for reducing the external light reflection and the value calculated by the formula to show the condition suitable for improving the efficiency of the emitted light in the light emission.例文帳に追加

共振器構造を有する発光素子の反射層から半透明半反射層までの光学的距離ｄ_1が、外光反射を低減するのに好適な条件を示す式で算出される値と、発光のうち放出される光の効率を高めるのに好適な条件を示す式で算出される値の間の値である。 - 特許庁

An AlN base layer 2, where the half value width in an X-ray locking curve is 90 sec. or smaller, is made on a substrate 1 constituted of a sapphire substrate or the like.例文帳に追加

サファイア基板などから構成される基板１上に、Ｘ線ロッキングカーブにおける半値幅が９０秒以下のＡｌＮ下地層２を形成する。 - 特許庁

The half-value width of the X-ray rocking curve of the first AlGaN layer 13 on the (0002) plane and the (10-12) plane is less than 1000 [arcsec].例文帳に追加

第１のＡｌＧａＮ層１３の（０００２）面及び（１０−１２）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅は、１０００［ａｒｃｓｅｃ］未満である。 - 特許庁

The IR cutting coating layer 4b is formed by laminating 16 layers of IR cutting coatings having an infrared-light cutting function with a 630±50 nm half-value.例文帳に追加

ＩＲカットコート層４ｂは、６３０±５０ｎｍ半値の赤外光カット機能を有するＩＲカットコートを、１６層積層させることにより形成される。 - 特許庁

The color filter has a colored layer, wherein the colored layer shows a diffraction peak of which the half-value width is ≥0.6° at a Bragg angle of 28±1° in an X-ray diffraction spectrum for a Cu-Kα ray.例文帳に追加

着色層を有するカラーフィルタであって、該着色層が、Ｃｕ−Ｋα線に対するＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角２８±１°に、半値幅が０．６°以上の回折ピークを示すカラーフィルタ。 - 特許庁

Since the dielectric multi-layer membrane 15 and the reflecting layer compose an optical resonator, a light having a narrow half-value width of a spectrum and a high color purity can be taken out at a high efficiency.例文帳に追加

誘電体多層膜１５及び反射層３２は光共振器を構成するため、有機ＥＬ装置１からは、スペクトルの半値幅が狭く色純度の高い光を高効率で取り出すことができる。 - 特許庁

The biaxial texture of the plating layer is a cubic crystal texture wherein the peak half-width value in c-axis orientation is 4 degrees or less and the misorientation between crystal grains on a plane formed by a-axis and b-axis has a peak half-width value measured by ϕ-scan is 5.2 degrees or less.例文帳に追加

前記二軸集合組職の鍍金層はc軸配向のピーク半価幅値が4度以内で、a軸とb軸で構成された平面上での結晶粒間のミスオリエンテーション(Misorientation)がφ-スキャンで測定したピークの半価幅値が5.2度以内である立方晶の集合組職であることを特徴とする。 - 特許庁

The orientation properties of the magnetic layer of a plane- anisotropic magnetic recording medium are judged using half value width obtained by a rocking curve method or half value width obtained by a ϕ scanning method so as to obtain the objective magnetic recording medium having magnetostatic characteristics and electromagnetic transducing characteristics adapted to high recording density.例文帳に追加

面内異方性磁気記録媒体の磁性層の配向性をロッキングカ−ブ法で求めた半価幅またはφスキャン法で求めた半価幅を用いて判定することにより、高記録密度に対応した静磁気特性や電磁変換特性を有する磁気記録媒体を得ることが出来る。 - 特許庁

The angle Ga of inclination of the side walls in the position of the half-value width of a recessed part G of the reflection layer 3 corresponding to the groove Tg of the substrate 1 is regulated to 15 to 80°.例文帳に追加

基板１のグルーブＴｇに対応する反射層３の窪み部Ｇの半値幅の位置における側壁の傾斜角Ｇａを１５°〜８０°に調整する。 - 特許庁

In the electrophotographic roller provided with a conductive elastic layer and a surface layer and in which the 10 point average roughness (Rz) of the surface is ≥0.1 μm and ≤20 μm, temperature in low temperature side indicating the half value of the peak value tan δ in temperature dispersing measure of dynamic viscoelasticity of the surface layer is provided to be ≥50°C.例文帳に追加

導電性弾性層および表面層を有し、表面の１０点平均粗さ（Ｒｚ）が、０．１μｍ以上２０μｍ以下である電子写真ローラーにおいて、該表面層の動的粘弾性の温度分散測定におけるｔａｎδピーク値の半値を示す低温側温度が５０℃以上である。 - 特許庁

In a magnetic recording system applied to a magnetic recording medium having a magnetic layer made of a metal thin film, the half value width of an isolated and reproduced waveform is selected below the shortest recording wavelength to be used.例文帳に追加

金属薄膜よりなる磁性層を有する磁気記録媒体に適用する磁気記録システムにおいて、孤立再生波形半値幅を、使用する最短記録波長以下に選定する。 - 特許庁

A base layer 2 which constitutes the semiconductor light-emitting device 10 is formed of a highly crystalline Al-containing nitride semiconductor, having a half-value width of 90 sec. or smaller for the X-ray locking curve.例文帳に追加

半導体発光素子１０を構成する下地層２を、Ｘ線ロッキングカーブにおける半値幅が９０秒以下の高結晶Ａｌ含有窒化物半導体から構成する。 - 特許庁

In a laminated polyester film having at least two layers comprising a polymer based on polyester, a film layer (Alayer) wherein the half band value of a skin layer Raman band is 15-21 cm-1 and density is 1.30-1.35 g/cm3 is provided on at least one surface layer.例文帳に追加

ポリエステルを主成分とするポリマからなる、少なくとも２つの層を有する積層ポリエステルフィルムであって、表層ラマンバンドの半値幅が１５〜２１cm^-1であり、密度が１．３０g/cm^3〜１．３５g/cm^3であるフィルム層（Ａ層）を少なくとも一方の表層に有する二軸配向ポリエステルフィルム。 - 特許庁

In the portable electronic apparatus having an interface member, the interface member includes an display layer of low light transmittance and a half mirror layer disposed on a part of the display layer behind an input operation position, and represents the input operation position by reflected light on the half mirror layer when the illuminance of ambient light is not less than a predetermined value.例文帳に追加

インターフェイス部材を有する携帯型電子機器に関し、前記インターフェイス部材は、光の透過率の低い表示層と、前記表示層の入力操作位置の裏側に部分的に設けられた半鏡面層と、を備え、周辺光の照度が所定値以上の場合に前記半鏡面層による反射光により前記入力操作位置を表現するインターフェイス部材であることを特徴とする。 - 特許庁

To obtain good emission intensity, the half-value width of an emission spectrum and a desired luminescence wavelength, in a semiconductor device which has a GaInAsSb quantum well layer or a GaInNAsSb quantum well layer which are formed by using Sb as surfactant.例文帳に追加

Ｓｂをサーファクタントとして用いて形成されたＧａＩｎＡｓＳｂ量子井戸層またはＧａＩｎＮＡｓＳｂ量子井戸層を有する半導体装置において、良好な発光強度と、発光スペクトルの半値幅と、所望の発光波長を実現する。 - 特許庁

The information recording medium has two or more recording layers, wherein a track pitch of the recording layer is in the range of 250 to 500 nm and a half-value width of the groove of the substrate is in the range of 47.5 to 72.5% of the track pitch.例文帳に追加

２以上の記録層を有し、そのトラックピッチが２５０−５００ｎｍの範囲にあり、基板のグルーブ溝の半値幅がトラックピッチの４７．５％から７２．５％の範囲にある情報記録媒体。 - 特許庁

This organic electroluminescence element for optical writing has a base board 4, and the light-emitting layer 6 formed on the base board, and including an organic electroluminescence material, and is 30 nm or less in a half value width of a emission spectrum.例文帳に追加

基板４と、その上に形成されかつ有機電界発光材料を含む発光層６を有し、発光スペクトルの半値幅が３０ｎｍ以下である光書込み用有機電界発光素子。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element having no problem of optical oozing-out to a GaN substrate and the generation of crack or dislocation of an n-type clad layer while being small in the half-value width of an FFP (Far Field Pattern) in the vertical direction.例文帳に追加

ＧａＮ基板への光滲み出し、及びｎ型クラッド層のクラックや転移の発生の問題なく、垂直方向のＦＦＰ（遠視野像）全半値幅の小さな半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide an organic EL element, capable of improving half-value width and color purity of each emission spectrum by taking into account the emission spectrum distribution of three-color light rays emitted by each luminescent layer.例文帳に追加

各発光層で発光された３色の光の発光スペクトル分布を考慮して、各発光スペクトルの半値幅及び色純度を向上させることができる有機ＥＬ素子を提供する。 - 特許庁

The piezoelectric layer 5B in the peripheral area has a rocking curve half-value width of X-ray diffraction, which is less than or equal to two degrees, and a surface roughness indicated by RMS fluctuations of the top surface height of the base, which is less than or equal to 2 nm.例文帳に追加

周辺領域の圧電体層５Ｂは、Ｘ線回折のロッキングカーブ半値幅が２．０度以下で、下地の上面の高さのＲＭＳ変動で表される表面粗さが２ｎｍ以下である。 - 特許庁

In an electrochemical element containing at least a first current collector, a first active material layer, a solid electrolyte layer, a second active material layer and a second current collector, the solid electrolyte layer includes lithium phosphate crystals, and full width value the at half maximum of a diffraction signal peak by an X-ray diffraction analysis is 1.7° or less.例文帳に追加

少なくとも第一集電体と、第一活物質層と、固体電解質層と、第二活物質層と、第二集電体とを積層した電気化学素子において、前記固体電解質層はリン酸リチウム結晶体を含み、前記リン酸リチウム結晶体のＸ線回折分析による回折信号ピークの半値全幅値は１．７°以下である。 - 特許庁

When the composition ratio of Al becomes smaller than 0.06, the refractive index of the AlGaN layer becomes big and, therefore, an NFP (Near Field Pattern) in the vertical direction is widened whereby the half-value width of the FFP in the vertical direction can be reduced.例文帳に追加

Ａｌ組成比ｘが０．０６より小さくなると、ＡｌＧａＮ層の屈折率が大きくなるので、垂直方向のＮＦＰ（近視野像）を広げ、垂直方向のＦＦＰの全半値幅を小さくできる。 - 特許庁

A group III nitride base layer including at least aluminum and having a dislocation density of 1×10^11/cm^2 or less with 200 seconds or less of a X-ray rocking curve half-value-width on a (002) surface is formed on a predetermined wafer material.例文帳に追加

所定の基材上において、少なくともＡｌを含み、転位密度が１×１０^11／ｃｍ^2以下であり、（００２）面のＸ線ロッキングカーブ半値幅が２００秒以下であるIII族窒化物下地層を形成する。 - 特許庁

To provide a magnetic detecting element suitable to high recoding density etc., capable of improving PW50 (waveform half-value width) and an SN ratio compared to a conventional element without deteriorating reproduction characteristics represented by a resistance change value (ΔR/R) by improving, specifically a base layer.例文帳に追加

特に、下地層を改良して、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）に代表される再生特性を低下させることなく、従来に比べて、ＰＷ５０（波形半値幅）やＳＮ比等を向上でき高記録密度化に適した磁気検出素子を提供することを目的としている。 - 特許庁

This metallic film transfer film for an electronic component has such structure that a mold releasing layer and a metallic layer are made in this order on the plastic film, and the half-value width of the diffraction peak which shows the crystal plane (111) obtained by the wide-angle X-ray diffraction of a metallic film is 1.5° or under.例文帳に追加

プラスチックフィルム上に離型層および金属膜がこの順に成膜された構造を有しており、金属膜の広角Ｘ線回折によって得られる（１１１）結晶面を示す回折ピークの半値幅が１．５°以下であることを特徴とする電子部品用金属膜転写フィルム。 - 特許庁

The rolling and sliding component has a rolling and sliding surface whose surface layer portion has a surface hardness of 56-64 in Rockwell C hardness, a residual austenite amount of 12 vol% or less and a martensite X-ray half value width of 4-6°.例文帳に追加

転がり、摺動部品における転がり、摺動面の表層部の表面硬さをロックウェルＣ硬さで５６〜６４とし、同じく残留オーステナイト量を１２ｖｏｌ％以下とし、同じくマルテンサイトのＸ線半価幅を４〜６度とする。 - 特許庁

A group III nitride base layer including at least alminum and having a dislocation density of 1 X 10^11/cm^2 or less with 200 seconds or less of a X-ray rocking curve half-value-width on a (002) surface is formed on a predetermined wafer material.例文帳に追加

所定の基材上において、少なくともＡｌを含み、転位密度が１×１０^１１／ｃｍ^２以下であり、（００２）面のＸ線ロッキングカーブ半値幅が２００秒以下であるＩＩＩ族窒化物下地層を形成する。 - 特許庁

A superconducting member for high frequency 10 includes an R-plane sapphire substrate 12; a buffer layer 14 that is formed on one side or both sides of the substrate 12 and comprises ceria with a half-value width of 0.7 or above and 1.1 or below, in the rocking curve measurement of a (002) peak using an XRD; and a superconducting layer 16 on the buffer layer 14.例文帳に追加

Ｒ面サファイア基板１２と、この基板１２の片面または両面に形成され、ＸＲＤを用いた（００２）ピークのロッキングカーブ測定において半値幅０．７以上１．１以下であるセリアのバッファ層１４と、このバッファ層１４上の超電導層１６とを有することを特徴とする高周波用超電導部材１０。 - 特許庁

Its thickness (d) is determined by satisfying a prescribed relation with the refractive index (n) of the material of the defect layer, to obtain a transmissivity spectral half-value width Wt, with which ample extinction ratio can be obtained, even if the half-value width is about 1 nm for spectrum when an LD is an incident light.例文帳に追加

欠陥層３としてＰＬＺＴの焼結材を用い、研磨することによって、欠陥層３を薄膜化し、その厚さｄを欠陥層の材料の屈折率ｎとの関係で所定の式を満足させることにより、ＬＤを入射光として用いた場合のスペクトルの半値幅が１ｎｍ程度の大きさがあっても、十分な消光比が取れるだけの透過率スペクトル半値幅Ｗｔを得ることができる。 - 特許庁

In a die casting die using alloy tool steel for a hot die as a base material and whose surface is subjected to nitriding treatment, in the process of casting, when the residual stress of the surface nitriding treated layer reaches the about half of the initial value, re-nitriding treatment is performed.例文帳に追加

熱間金型用合金工具鋼を母材とし、表面に窒化処理が施されているダイカスト金型において、鋳造をしていく中で表面窒化処理層の残留応力が初期値の約半分以下になった時に再窒化処理を施す。 - 特許庁

Then, when reading switch-layer pixel data, the pixel data only for non-transmitting color which is not the transmitting color or half-transmitting color is read out by referring to the α value conversion data associated with each pixel (step S7), and the pixel data for the transmitting color is skipped in reading.例文帳に追加

その後、スイッチレイヤピクセルデータを読み出す際には、ピクセル毎に対応付けられたα値変換データを参照して、透過色ではない非透過色、又は半透過色のピクセルデータのみを読み出し（ステップＳ７）、透過色であるピクセルデータは読み飛ばす。 - 特許庁

The electrode material for the electric double layer capacitor has a surface function group concentration of 0.3 to 0.6 mmol/g, a half-value width (Δν) of 68 to 75 at a peak (G1) of approximately 1,580 cm-1 observed in a Raman spectrum, and an average pore diameter of ≥1.73 nm.例文帳に追加

表面官能基濃度が０．３〜０.６ｍｍｏｌ／ｇ、ラマンスペクトルに観察される１５８０ｃｍ^−１付近のピーク（Ｇ１）の半値幅（Δν）が６８〜７５であり、平均細孔径が１．７３ｎｍ以上である電気二重層キャパシタ用電極材。 - 特許庁

A developer scattering preventing member coming into contact with a developer layer on a developer carrier whose layer thickness is regulated is arranged so that the edge of the free end may not come into contact with the rising range of a magnetic brush by a developing main pole while the free end comes into contact with an image carrier, and the half value width of the developing main pole is set to ≤30°.例文帳に追加

層厚規制された現像剤担持体上の現像剤層に接する現像剤飛散防止部材が、その自由端は像担持体に接しながら、自由端の先端は現像主極による磁気ブラシの立上がり範囲に接触しないように配置されており、現像主極の半値幅が３０°以下に設定される。 - 特許庁

Here, the laser diode chip 110 is arranged at within a distance 150, which is less than the value obtained by dividing a distance 145 of a laser diode chip active layer 140 from the surface of the submount 120 by the sine of half angle as large as the vertical spread angle 135 of laser light emitted by the active layer 140, from an output-side submount 120 end.例文帳に追加

この時，レーザダイオードチップ１１０の出力側サブマウント１２０端からの位置を，レーザダイオードチップ活性層１４０のサブマウント１２０表面からの距離１４５を，活性層１４０から発せられるレーザ光の垂直方向広がり角１３５の半分の角度の正接で除した値以内の距離１５０に配置する。 - 特許庁

The propylene resin type foamed sheet comprises a foamed layer containing a propylene type resin and non foamed layer containing a propylene type resin which shows an endothermic curve having the highest melting peak of 15°C or higher half-value width ▵w in a differential calory scanning measurement, and the container is obtained by a vacuum molding of the foamed sheet.例文帳に追加

プロピレン系樹脂からなる発泡層と、示差走査熱量測定において、最も高いピークであって半値幅△ｗが１５℃以上である融解ピークを有する吸熱曲線を示すプロピレン系樹脂からなる非発泡層とを有するプロピレン系樹脂発泡シートならびに該発泡シートを真空成形して得られる容器。 - 特許庁

The nickel hydroxide particles with the covering layer containing cobalt in which the average oxidation number of cobalt in the covering layer exceeds 2 is used, and high crystalline lithium cobaltate particles in which a half-value width (2θ) of a peak of a (101) face in powder X-ray diffraction using Cu-Kα is 0.15° or less is used.例文帳に追加

コバルトを含む被覆層を備える水酸化ニッケル粒子としては、被覆層のコバルトの平均酸化数が２を超えたものを用い、コバルト酸リチウム粒子としては、Ｃｕ−Ｋαを用いた粉末Ｘ線回折における（１０１）面のピークの半値幅（２θ）が０．１５°以下の結晶性の高いものを用いる。 - 特許庁

The conductive material using a silver-salt sensitized material containing at least a layer of a halide silver emulsion layer on a support body as a conductive material precursor has a peak half-value width of 0.41 or less at 2θ=38.2° in an X-ray diffraction method of a silver image pattern deposited on the conductive material.例文帳に追加

支持体上に少なくとも１層のハロゲン化銀乳剤層を含有する銀塩感光材料を導電性材料前駆体として使用する導電性材料において、導電性材料に析出した銀画像パターンのＸ線回折法での２θ＝３８．２°のピークの半値幅が０．４１以下であることを特徴とする導電性材料を用いる。 - 特許庁

Specifically, the carbon particles having a half-value width of 55 cm^-1 or less of G band showing crystallinity of carbon which is an absorption band appearing in the vicinity of 1,580 cm^-1 in the measurement of Raman spectrum are used as a carbon particle contained in the carbon particle containing layer.例文帳に追加

具体的には、ラマンスペクトルを測定した場合に、１５８０ｃｍ^−１付近に現れる吸収帯である、カーボンの結晶性を示すＧバンドの半値幅が５５ｃｍ^−１以下であるカーボン粒子を、カーボン粒子含有層に含まれるカーボン粒子として用いる。 - 特許庁

A layer of a nitride of group III elements containing at least Al having ≤1×10^11/cm^2 dislocation density and ≤200 sec half value width of an X-ray rocking curve in a (002) plane is formed on a base material having ≥600 μm thickness to form the epitaxial substrate.例文帳に追加

厚さが６００μｍ以上の基材上に、転位密度が１×１０^１１／ｃｍ^２以下であり、（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブ半値幅が２００秒以下であり、少なくともＡｌを含むＩＩＩ族窒化物層を形成してエピタキシャル基板を作製する。 - 特許庁

With respect to an electric double-layer capacitor having a positive electrode, a negative electrode and a nonaqueous electrolytic solution, the positive and negative electrodes contain graphite based carbon material, as major components with the half-value width of which is 0.5-5.0 from X-ray diffraction (002), using CuKα-rays.例文帳に追加

正極、負極、及び非水系電解液を有する電気二重層キャパシタにおいて、前記正極及び前記負極が、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折で（００２）ピークの半価幅が０．５〜５．０である黒鉛系炭素材料を主成分として含む電気二重層キャパシタ。 - 特許庁

To provide a method of measuring a dielectric constant by suppressing deterioration of a non-load Q value in particular, even when thickness is 50 μm or less by measuring the dielectric constant of a dielectric thin layer arranging a conductor on upper and lower faces at high precision and to provide a both-end open type half wavelength resonator.例文帳に追加

上下面に導体が配置された誘電体薄層の誘電定数を高い精度で測定でき、特に厚さが５０μｍ以下となっても無負荷Ｑ値の低下を抑制する誘電定数測定方法および両端開放形半波長共振器を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the disk drive using the disk 1 of the perpendicular magnetic recording system having two layer structure, the narrowed width in the half value (PW50) of the differential signal waveform of a read signal is realized by setting the nonlinear degree in the magnetic field responsiveness of the GMR element constituting a read head 30.例文帳に追加

２層構造の垂直磁気記録方式のディスク１を使用するディスクドライブにおいて、リードヘッド３０を構成するＧＭＲ素子の磁界応答性での非線形度を設定することにより、リード信号の微分信号波形の半値幅（ＰＷ５０）の狭小化を実現する。 - 特許庁

An optical waveguide 4 having a diffraction grid 13 is provided on the emitting side of a GRIN-SCH-MQW active layer 3 emitting laser beams to output the laser beams including at least two oscillation vertical modes within the half value width of an oscillation wavelength spectrum by combination-setting an oscillation parameter including a gain area formed by the GRIN-SCH-MQW active layer 3 and the wavelength selection characteristic of the diffraction grid 13.例文帳に追加

レーザ光を発光するＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３の出力側に、回折格子１３をもつ光導波路４を設け、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３が形成する利得領域と回折格子１３の波長選択特性とを含む発振パラメータの組み合わせ設定によって発振波長スペクトルの半値幅内に２本以上の発振縦モードを含むレーザ光を出力する。 - 特許庁