「in grown」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

On the other hand, the establishment of private equity funds (PE funds) aimed at SMEs has grown rapidly in recent years.例文帳に追加

また、近年、中小企業向けのプライベート・エクイティ・ファンド（PEファンド）の設立も活発に行われている。 - 経済産業省

As a result, since opening its first shop in 1996, the company has continually grown, reaching 353 shops at the end of March, 2007.例文帳に追加

その結果、同社の国内店舗数は、1996 年に1 号店をオープンして以来順調に増加を続け、2007 年 3月末時点で353 店舗に達している。 - 経済産業省

i. The former municipalities and their neighboring municipalities where over 50 Bq/kg of radioactive cesium were detected from the inspections conducted on Soybean and Buckwheat grown in the previous year例文帳に追加

① 前年産の検査結果で50 Bq/kgを超える放射性セシウムが検出された旧市町村及びその隣接旧市町村 - 厚生労働省

ii. The former municipalities where restrictions of distribution had been instructed but they were canceled as a result of the inspections of Soybean and Buckwheat grown in the previous year例文帳に追加

② 出荷制限が指示されていたが、前年産大豆又はそばの検査結果により、出荷制限が解除された旧市町村 - 厚生労働省

The restrictions of distribution and/or consumption instructed in March 2012[8 March 2012] Marumori-machi (town), Miyagi Prefecture [Restriction of distribution?Log-grown shiitake (outdoor cultivation)]例文帳に追加

平成２４年３月における出荷制限、摂取制限[平成24年3月8日]宮城県丸森町（出荷制限→原木シイタケ（露地栽培）） - 厚生労働省

In his sickness they two had grown to care for him, this lonely man and the little happy child. 例文帳に追加

パトラッシュが病気の間、この孤独な男と小さな幸せな子供は、パトラッシュが好きになりました。 - Ouida『フランダースの犬』

In fact, they seemed about as tall as Dorothy, who was a well-grown child for her age, although they were, so far as looks go, many years older. 例文帳に追加

実際、年のわりには大きいドロシーと同じくらいの背の高さなのに、見た目は何歳も年上のようでした。 - L. Frank Baum『オズの魔法使い』

In the course of his nightly patrols, he had long grown accustomed to the quaint effect with which the footfalls of a single person, while he is still a great way off, 例文帳に追加

夜のパトロールにおいてアターソン氏は特定の人物の、その人がどんなに遠くにいようとも、その風変わりな足音におなじみになっていた。 - Robert Louis Stevenson『ジキルとハイド』

The day had grown sultry, and in the windows of the grocers' shops musty biscuits lay bleaching. 例文帳に追加

蒸し暑い日となり、食料雑貨の店のウィンドでかび臭いビスケットはさらされるまま白くなっていた。 - James Joyce『遭遇』

Preferably, the epitaxial composite structure has the thin film comprising the simple perovskite type crystal epitaxially grown in the (011) orientation on the fluorite-type crystal in the (001) orientation, and a laminar perovskite structure epitaxially grown thereon.例文帳に追加

および（００１）配向のホタル石型結晶の上に、単純ペロブスカイト型結晶の薄膜が（０１１）配向にエピタキシャル成長し、その上に層状ペロブスカイト構造を有する結晶の薄膜がエピタキシャル成長しているエピタキシャル複合構造体。 - 特許庁

To provide a simple and effective method for producing a carbon fiber inexpensively by preventing a remaining material from existing in a reactor to enable the vapor grown carbon fiber to be continuously produced in the method for producing the vapor grown carbon fiber.例文帳に追加

気相法炭素繊維の製造方法において、反応装置内に残留物質が存在しないようにし、それによって気相法炭素繊維の連続的な製造を可能にし、結果として炭素繊維を安価に製造できる簡便かつ効果的な方法を提供する。 - 特許庁

A GaN nanostructure having a good surface configuration is grown on the LiAlO_2 substrate by CVD at a high temperature in a first stage and then, a GaN having a thick film is grown by HVPE while utilizing the GaN nanostructure as a new nucleus formation point in a second stage.例文帳に追加

CVDとHVPEが直列配列された２段式反応炉本体を利用して、その１段目の高温CVDにより、LiAlO_2基板上に、表面形態が良好であるGaNのナノ構造を生長させ、また、GaNのナノ構造を、新規の核形成点として、２段目のHVPEにより、厚い膜であるGaNを生長させる。 - 特許庁

The GaN thick films 106 are grown selectively on the surfaces of the GaN layer 103 exposed in opening sections 105 by an MOCVD method, and growth is further continued, and the thick films are also grown in the lateral direction on the surface of the selective growth mask 104.例文帳に追加

ＧａＮ厚膜１０６については、ＭＯＣＶＤ法により、開口部１０５で露出したＧａＮ層１０３の表面に選択成長させた後、さらに成長を続け、選択成長マスク１０４表面上にも横方向へ成長させている。 - 特許庁

Since the GaN layer is grown by lateral growth method only from the exposed side face not covered with the insulation layer of the nuclide crystal layer, the GaN layer is grown asymmetrically in the lateral direction, and an association part 32 is formed in the thickness direction of the GaN layer from the vicinity of boundary of the nuclide crystal layer and the insulation layer.例文帳に追加

横方向成長法によるＧａＮ層が種結晶層の絶縁層で覆われていない露出した側面からのみ成長するために、ＧａＮ層の横方向成長が非対称性になるので、会合部３２は、種結晶層と絶縁層の境界付近からＧａＮ層の厚さ方向に形成される。 - 特許庁

When an SiC growth layer 4 is epitaxially grown on the surface of the etch pit 1b in such a condition that portions grown in the side wall parts of the etch pit 1b are brought into contact mutually, the dislocation is prevented from being transferred to the SiC growth layer 4.例文帳に追加

そして、その表面に、エッチピット１ｂの側壁部に成長した部分同士が互いに接触する条件にてＳｉＣ成長層４をエピタキシャル成長させることで、ＳｉＣ成長層４に転位が引き継がれないようにする。 - 特許庁

By making the magnetic garnet single crystal have a specific composition containing In along with a very little Pt, in spite of a film grown from a lead-free flux, the film can exhibit a saturated magnetic field temperature dependency equal to that of a film grown from a flux containing lead.例文帳に追加

前記磁性ガーネット単結晶は、極少量のＰｔと共にＩｎを含有させた特定組成としたことにより、鉛フリーフラックスから育成された膜にもかかわらず、鉛含有フラックスから育成された膜と同等の飽和磁界温度依存性を発現させることができる。 - 特許庁

In a method for writing, a position of a first data sector on a disk where write operation fails is located, the first data sector and a plurality of other data sectors near the first data sector are identified as a grown defect, and the locations of the first data sector and the plurality of other data sectors are stored in a grown defect list.例文帳に追加

書き込み方法は、書き込み動作が失敗したディスク上の第１データセクタの位置を見つけ、第１データセクタと第１データセクタ近傍にある複数の他のデータセクタを後発欠陥として特定し、第１データセクタと複数の他のデータセクタの位置を欠陥リストに格納する。 - 特許庁

The element comprises a magnetic layer grown on a basic body in an arbitrary orientation, and a magnetic layer grown in a different orientation by inserting other layer (orientation converting layer) between the basic body and the magnetic layer wherein the electric resistance of a passage traversing a grain boundary between both magnetic layers is detected under control of an external field.例文帳に追加

素子を、基体上に任意方位で成長した磁性層と、基体と磁性層の間に他の層（方位変換層）を挿入して前記方位とは異なる方位で成長した磁性層とで構成し、両磁性層の間の粒界を横切る経路の電気抵抗を外部磁界により制御して検知する。 - 特許庁

This method for producing the garden-grown raw green asparagus pickles comprises partly peeling garden-grown raw green asparagus to make the asparagus beautiful even in aesthetic sense, and infiltrating the product with 3% heat-treated brine solution for 10-15 h, and pickling the product in a pickle solid for 4-5 days.例文帳に追加

露地栽培生グリ−ンアスパラガスを部分的に皮を剥くことで美的感覚的にも綺麗になり加熱処理した３％の食塩水に１０時間から１５時間浸透させた後漬物固体に４日から５日間漬ける漬物の製造方法とした。 - 特許庁

A crystal defect due to donor appears in n-type AlGaAs grown by MOVPE but a similar crystal defect is not detected in n-type GaInP, n-type AlInP and n-type AlGaInP grown by the same method.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ法で成長させたｎ型ＡｌＧａＡｓにはドナーに起因する結晶欠陥が発生するが、同様の方法で成長させたｎ型ＧａＩｎＰ、ｎ型ＡｌＩｎＰ、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰには同種の結晶欠陥は検出されない。 - 特許庁

The optical clock pulses 13 and an optical pulse signal 19 propagated in a 1st path 10 are multiplexed with a multiplexer 22, inputted to a QPM light guide 16, and outputted from the QPM light guide 16 while the SH wave of the signal 19 is grown and the DF wave of the SH wave and optical clock pulses in a growing process are grown.例文帳に追加

この光クロックパルスと合波器22によって第1経路10を伝播してきた光パルス信号19とを合波してQPM光導波路16に入力し、信号19のSH波を成長させつつ、かつ成長途上のこのSH波と光クロックパルスとのDF波を成長させ、QPM光導波路16から出力させる。 - 特許庁

On the upper end surfaces of the grown carbon nanotubes, internal shapes of trenches of the trenches are reproduced, so the upper end surfaces 122 of the grown carbon nanotubes are observed to detect a projection portion or recessed portion present in a trench.例文帳に追加

成長させたカーボンナノチューブの上端面には、トレンチの内部形状が再現されるので、成長させたカーボンナノチューブの上端面を観察することによって、トレンチの内部に存在する凸部や凹部を検出することができる。 - 特許庁

If a film of carbon fiber is made on the cathode substrate 5 by a thermal CVD method, the field electron emitting source 11 in which a thickly grown carbon fiber film 8 and a thinly grown carbon fiber film 9 are distributed is formed, without disposing conductive particles on the cathode substrate 5.例文帳に追加

この陰極基板５に熱ＣＶＤ法を用いて炭素繊維を製膜すると、導電性の粒子を陰極基板５上に配置することなく、厚く成長した炭素繊維膜８と薄く成長した炭素繊維膜９の分布する凹凸形状のついた電界電子放出源１１が形成される。 - 特許庁

Then the group-III nitride is crystal-grown by a PLD (pulse laser deposition) method of irradiating a target 3a comprising a constituent element of the group-III nitride to be grown with pulse laser light in a nitrogen atmosphere to obtain N-polar crystal having extremely high quality.例文帳に追加

その後、成長させるＩＩＩ族窒化物の構成元素からなるターゲット３ａに窒素雰囲気中でパルスレーザ光を照射するＰＬＤ(パルスレーザ堆積)法によってＩＩＩ族窒化物を結晶成長させることにより、極めて高品質なＮ極性結晶を得ることができる。 - 特許庁

The invention relates to the method for producing porous body which is a porous body comprising vapor grown carbon fibers wherein the wall surface of the cell is composed of the porous structure, characterized by dispersing vapor grown carbon fibers in a solution of gelable substance, followed by gelling the gellable substance and then removing the solvent.例文帳に追加

ゲル化物質の溶液中に気相法炭素繊維を分散させた後、ゲル化物質をゲル化させ、溶媒を除去することを特徴とする、気相法炭素繊維を含む多孔質体であってセル壁面がさらに多孔質構造となっている多孔質体の製造方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a GaN-based semiconductor epitaxial substrate, in which a GaN-based semiconductor with a low dislocation density (of, for example, ≤10^5/cm^2) is epitaxially grown by reducing threading dislocation caused when the GaN-based semiconductor is grown on a hetero-substrate.例文帳に追加

異種基板上にＧａＮ系半導体を成長させることにより発生する貫通転位を低減し、低転位密度（例えば、１０^５／ｃｍ^２以下）のＧａＮ系半導体をエピタキシャル成長させることができるＧａＮ系半導体エピタキシャル基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A cutting mechanism K for cutting stems S1 of grown crops S by the front portion of a moving machine body M, and a transportation mechanism H for transporting the stems S1 cut by the cutting mechanism K toward a side of the moving machine body M are arranged in the moving machine body M that can travel across the grown crops S.例文帳に追加

植生された作物Ｓに跨って走行可能な移動機体Ｍに、この移動機体Ｍの前部で作物Ｓの茎Ｓ１を切断する切断機構Ｋと、この切断機構Ｋで切断された茎Ｓ１を移動機体Ｍの側方へ搬送する搬出機構Ｈとを設ける。 - 特許庁

To provide a method for cultivating vegetable in which when vegetable is grown, generation and proliferation of moss, algae, weeds or the like to a culture medium surface for cultivation can be inhibited, and diseases and generation of insect pests can be inhibited, water and fertilizers are easy to permeate into the culture medium, and moreover vegetable can be grown healthfully.例文帳に追加

植物を栽培する際、栽培用培地表面へのコケや藻、雑草等の発生・増殖を防止でき、かつ、病気や害虫の発生を防止でき、水および肥料が培地へ浸透され易く、しかも、植物が健全に生育できる、植物の栽培方法を提供する。 - 特許庁

Cracks are thereby generated easily and grown at both corners of the concrete structure by the crushing edges 2d, and cracks generated in the side faces of the concrete structure by the tip crushing claws 2a can be easily grown to surely crush the concrete structure small.例文帳に追加

このため、破砕刃２ｄによりコンクリート構築物の両角部に亀裂を容易に発生させて成長させることができ、さらに先端破砕爪２ａによるコンクリート構築物の側面に入れた亀裂を容易に成長させることができるので、このコンクリート構築物を確実に小さく破砕することができる。 - 特許庁

The surface of the first layer 21 grown at the faster growth rate becomes rough, but, since the second layer 22 is grown at the lower growth rate, the recessed parts on the surface of the layer 21 are filled up and the surface of the second layer 22 can be formed in a flat surface.例文帳に追加

大きな成長速度で成長した第１の成長層２１の表面は荒れたものとなるが、それよりも小さな成長速度で第２の成長層２２を成長させることにより、第１の成長層２１の表面の窪みが埋められ、第２の成長層２２の表面を平坦にすることができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a good quality group III nitride single crystal, in which the group III nitride single crystal can be stably grown by preventing the dissolution of a ground film of the group III nitride single crystal to a flux when the group III nitride single crystal is grown on a template where the ground film is formed.例文帳に追加

III属窒化物単結晶の下地膜を形成したテンプレート上にIII属窒化物単結晶を育成するのに際して、下地膜のフラックスへの溶解を防止し、良質のIII属窒化物単結晶を安定して育成可能な方法を提供する。 - 特許庁

MOSFETs, in each of which a thin-film SiGe buffer layer and a strained Si channel grown on an insulating film are stacked, and an HBT (hetero-bipolar transistor) having a SiGe base layer epitaxially grown on the same thin-film SiGe layer and a Si emiter layer thereon, are formed to constitute a composite structure.例文帳に追加

絶縁膜上に薄膜ＳｉＧｅバッファ層とひずみＳｉチャネルを積層したＭＯＳＦＥＴおよび、同じく薄膜ＳｉＧｅ層上にエピタキシャル成長したＳｉＧｅベース層およびその上のＳｉエミッタ層を有するＨＢＴを複合化した構造を採用する。 - 特許庁

Next, as shown in Fig.1(b), a transparent SiO_2 thin film 3, used as an insulating film, is vapor-deposited at the position where a nanocolumn 5 should be grown up; a through hole 4 is drilled until AlN film 2 is exposed at a diameter and intervals at which it is grown up.例文帳に追加

次に、図１（ｂ）で示すように、絶縁膜となる透明なＳｉＯ_２薄膜３を蒸着し、ナノコラム５を成長させるべき配置位置に、成長させるべき直径および間隔でＡｌＮ膜２が露出するまで貫通孔４を穿設しておく。 - 特許庁

To provide a resistance heating type crystal growing apparatus capable of controlling the atmospheric temperature during cooling of a grown single crystal into a cooling condition that the grown single crystal does not cracks while appropriately controlling the temperature distribution during growth of the crystal in a furnace.例文帳に追加

本発明は、結晶育成時の炉内温度分布を適正に制御しながら、結晶冷却時の雰囲気温度を育成した単結晶に亀裂が入らないような冷却条件とすることができる抵抗加熱式結晶育成装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for harvesting vegetables, with which grown vegetables are properly cut from roots without damaging their leaves, etc., even in the case of hand reaping not to mention machine reaping and vegetables are cultivated by using a cultivation container not impairing qualities of grown vegetables and hardly causing a harvesting loss.例文帳に追加

機械刈りはもとより手刈りの場合であっても、生育野菜をその葉などを傷めることなく適切に根本から刈り取ることができ、生育野菜の品質を損なわず、しかも収穫ロスがほとんど生じない栽培容器を用いて栽培した野菜の収穫方法を提供する。 - 特許庁

To provide fatigue crack simulation considering incorporation of grown existing fatigue cracks, and incorporation of newly generated fatigue cracks and grown existing fatigue cracks, and also to provide a method for estimating a residual life of a structure in addition to estimating the stress acting on the structure.例文帳に追加

成長した既成疲労き裂同士の合体、新たに発生した新生疲労き裂と成長した既成疲労き裂との合体を考慮した疲労き裂シュミュレーションと、構造物に作用する応力を推定した上で、構造物の残余寿命を推定する方法とを提供する。 - 特許庁

In this compound semiconductor wafer 1 formed by growing a plurality of compound semiconductor layers 3 on the substrate 2 respectively, a buffer layer 4 is grown on the substrate 2 by a liquid phase epitaxial method, and respective compound semiconductor layers 3 are grown on the buffer layer 4 by a vapor phase growth method.例文帳に追加

基板２上に複数の化合物半導体層３をそれぞれ成長させて作製される化合物半導体ウェハ１において、基板２上にバッファ層４を液相エピタキシャル法で成長させ、バッファ層４上に各化合物半導体層３を気相法でそれぞれ成長させたものである。 - 特許庁

The restrictions of distribution and/or consumption instructed in February 2012[15 February 2012] Nasushiobara-shi (city) and Yaita-shi (city), Tochigi Prefecture [Restriction of distribution?Log-grown shiitake (outdoor and hothouse cultivation)][23 February 2012] Inzai-shi (city), Chiba Prefecture [Restriction of distribution?Log-grown shiitake (outdoor cultivation)]例文帳に追加

原子力災害対策特別措置法に基づく出荷制限、摂取制限の指示平成２４年２月における出荷制限、摂取制限[平成24年2月15日]栃木県那須塩原市、矢板市（出荷制限→原木シイタケ（露地栽培、施設栽培））[平成24年2月23日]千葉県印西市（出荷制限→原木シイタケ（露地栽培）） - 厚生労働省

To provide a technique for accurately and easily identifying whether rice has isogenic lines and between these lines even by no verification based on gene transfer style and even in on-market product stage, and for discriminating in-prefecture grown rice and rice grown in other prefectures and rice grown in a specific region and that in other regions in one prefecture.例文帳に追加

同質遺伝子系統を対象とし、稲に同質遺伝子系統が配合されているかどうかの識別、及び、配合された同質遺伝子系統同士の識別を、導入形式に基づく検定によらずとも正確かつ簡便に行うことができ、かつ市場品の段階でも正確に、かつ簡便に行うことができる技術の提供、及び県産米と他県産米との識別や（県内の）特定の栽培地域の産米と（県内の）他の栽培地域の産米との識別を可能にする技術の提供。 - 特許庁

To provide a heat treatment method, which can prevent occurrence of slip dislocation and sufficiently eliminate grown-in defects in the vicinity of the surface even when a CZ silicon monocrystal wafer having a diameter of 300 mm or larger is mainly subjected to a high heat treatment, and an annealed wafer having a DZ layer in the wafer surface layer and containing high-density oxygen precipitates capable of achieving a high gettering effect in a bulk.例文帳に追加

主に直径が３００ｍｍ以上のＣＺシリコン単結晶ウェーハに高温熱処理を行なってもスリップ転位の発生を抑制し、表面近傍のGrown-in欠陥を十分に消滅させることのできる熱処理方法を提供し、及びウェーハ表層部にＤＺ層を有し、かつバルク中に高いゲッタリング効果が得られる高密度の酸素析出物を有するアニールウェーハを提供する。 - 特許庁

And in the "Setsuyo kensetsu" Ibaraki Doji is described as the child of natives of Tamematsu village in Kawabe county (which, like Tomimatsu, is part of modern-day Amagasaki City), but right from birth his teeth were all grown in, his hair long, his gaze piercing, and his strength beyond that of a fully grown man; consequently, his family were terrified of him and abandoned him near Ibaraki village in Shimashimo county, where he was picked up by Shuten Doji. 例文帳に追加

また『摂陽研説』では、茨木童子は川邊郡留松村（富松と同じく尼崎市の一部）の土民の子であったが、生まれながらに牙が生え、髪が長く、眼光があって成人以上に力があったので、一族はこの子を怖れて島下郡茨木村の辺りに捨て、酒呑童子に拾われたという。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The above problem is solved by using a composite sphagnum moss, obtained by fixing a plant body of grown sphagnum moss on the laterally laid front surface of collected plant bodies of dried sphagnum moss in wetting state hung on a laterally stretched member, mainly in a manner fixed on a wall surface in a state in which the plant body of grown sphagnum moss is fixed on the surface side.例文帳に追加

横架した部材に懸垂されている、浸潤状態の乾燥ミズゴケの植物体の集合物の横架前面に生長ミズゴケの植物体を定着させてなるミズゴケ複合体を、主に、生長ミズゴケの植物体が表側に定着された状態にて壁面上に固定された態様で用いることにより、上記の課題を解決し得ることを見出した。 - 特許庁

To provide a silicon wafer and a method for manufacturing thereof, in which neither a COP nor a dislocation cluster is contained, a defect (grown-in defect containing oxide silicon) like oxygen precipitation nucleus which exists in an OSF nucleus and P_V region not actualized in an as-grown state is disappeared or reduced.例文帳に追加

ＣＯＰや転位クラスターが含まれず、ａｓ−ｇｒｏｗｎ状態では顕在化していないＯＳＦ核やＰ_V領域に存在する酸素析出核のような欠陥（酸化シリコンを含むｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥）が消滅もしくは低減されているシリコンウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

This growth method of carbon nanotube contains a step in which a gas containing carbon is introduced to the reaction unit and carbon nanotube is grown by chemical vapor-phase deposition method, a step in which the inner pressure of the reaction vessel of the reaction unit is continuously decreased at a specified speed, and a step in which carbon nanotubes with different tips are grown in the reaction vessel.例文帳に追加

また、本発明に係るカーボンナノチューブの成長方法は、前記反応装置にカーボンを含むガスを導入させて、化学気相堆積法でカーボンナノチューブを成長させる段階と、所定のスピードにより前記反応装置の反応容器の内部圧力を連続的に低減させる段階と、前記反応容器に先端が異なるカーボンナノチューブを成長させる段階と、を含む。 - 特許庁

After a buffer layer 2, a channel layer 3, and an electron supply layer 4 are grown by an epitaxial method on a backing substrate 1 in an epitaxial growth furnace, a dielectric layer (dielectric film) 5 having a form of an amorphous crystal is grown by an MOCVD method in succession to the electron supply layer 4 in the epitaxial growth furnace.例文帳に追加

エピタキシャル成長炉内で下地基板１上にエピタキシャル法によってバッファ層２、チャネル層３、及び電子供給層４を成長後、該エピタキシャル成長炉内で電子供給層４に続けてＭＯＣＶＤ法によりアモルファス結晶形を有する誘電体層（誘電体膜）５を成長する。 - 特許庁