「in grown」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

To ease work in positioning of a substrate and in peeling off a deposition solidified and grown at the bottom of the substrate in conveying the substrate after dipping it in a molten metal.例文帳に追加

溶湯に浸漬させた後搬送する際の各基板の位置決め、及び、底面において凝固成長させた析出物を引き剥がす作業を容易に行うことができる。 - 特許庁

In the method in which a nitride semiconductor is grown on the substrate, bonding parts in which defects are concentrated are dispersed to the whole substrate by using its growth in the transverse direction.例文帳に追加

基板上に窒化物半導体を成長させる方法であって、横方向成長を利用し欠陥の集中する接合部を基板全体に分散させる。 - 特許庁

In an element main body formation process in a process (2), an element main body 5 having an element layer constituted of a compound semiconductor is epitaxially grown in all the holes 4 or a portion of them in a status that the element main body 5 does not project from the upper part of the holes 4.例文帳に追加

次に、工程（２）の素子本体部形成工程にて、全ての孔部４またはその一部に、化合物半導体からなる素子層を有する素子本体部５を孔部４の上部から突出しない形でエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

To form crystal in defect-free area in good yield by changing pulling velocity V and temperature gradient G of a single crystal grown by the Czochralski process according to dopant concentration and keeping V/G value in crystal interface within a prescribed range in the radial direction of the crystal.例文帳に追加

ＣＺ法によるシリコン単結晶の育成において、結晶中のドーパント濃度が変化した場合でも、無欠陥領域の結晶を、歩留良く製造する方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, it relates to the manufacturing method of the nano-projection structure in which the projection 2 is grown and formed in a bent, curved, or spiral coil shape by a change in the radiation direction of the beam in the middle of the growth.例文帳に追加

および、突起２の成長途中で高エネルギービームの照射方向を変えることにより、突起２を屈曲状または湾曲状または螺旋コイル状に成長、形成することを特徴とするナノ突起構造体の製造方法。 - 特許庁

In this manufacturing method, at an initial first step, taking a serious view of an embedding property in a contact hole crowded part (high dense wiring region), a film is formed in a shape in which it is grown from a contact hole bottom part.例文帳に追加

最初の第１のステップでは、コンタクト孔密集部（高密度配線領域）の埋め込み性を重視して、コンタクト孔底部から成長するような形状で成膜させる。 - 特許庁

Whereas in 1980, when the ratio of the foreign direct investment (on a cumulative basis) to GDP was 5.8% in respect of external direct investment and 5.3% in respect of inward direct investment, in 2005, the figure had grown to 23.9% and 23.7% respectively.例文帳に追加

1980年には海外直接投資残高の対GDP 比は、対外直接投資額で5.8％、対内直接投資額で5.3％であったのに対し、2005年にはそれぞれ23.9％、23.7％に伸びている。 - 経済産業省

Based on this, although the future effect on employment is unclear, professional and business services in the US can be said to be in a maturity and competition stage. Professional and business services in Japan, however, have grown in the medium term, imports have decreased gradually, and the production amount is nowhere near that of the US.例文帳に追加

以上のことから、今後雇用に与える影響は不明確なものの、米国の対事業所サービスは、成熟・競合した段階にあると言える。 - 経済産業省

In 2006, sales of the licensing division in Europe were $4 million, but in 2009, they rapidly expanded to $61 million, and in 2010, they grown to more than $100 million combined with those of the use U.S. (Figure 3-3-3-12).例文帳に追加

2006 年には、欧州でのライセンス部門の売上高は400 万ドルだったが、2009 年には6100 万ドルまで急拡大し、2010 年には米国と合わせて1 億ドル以上の売上げとなるまで成長している（第3-3-3-12 図）。 - 経済産業省

As a result, Singapore has grown in size to 4th place globally in foreign currency trading volume in recent years following London, New York, and Tokyo, with a higher percentage of foreign companies than in London and Tokyo (Figure 3-2-3 and Table 3-2-4).例文帳に追加

その結果、近年ではロンドン、ニューヨーク、東京に次いで外国為替取扱量は世界第4 位の規模に成長し、外国企業の割合はロンドン、東京よりも多くなっている（第3-2-3図、第3-2-4表）。 - 経済産業省

In Asia, patients can receive advanced medical care services equal to those in Europe and the U.S. at far lower cost than in their own countries, so in recent years, the number of foreign travelers visiting Asian countries for health and medical care has grown rapidly.例文帳に追加

欧米と同等の水準の先進・高度医療サービスを自国よりもはるかに低い費用で受けられることから、近年、健康・医療目的でアジア諸国を訪れる外国人旅行者数は急増している。 - 経済産業省

In addition, according to the "OECD Science, Technology and Industry Scoreboard 2007," in terms of number of researchers, China has grown rapidly, to 1,119 thousand people in 2005 from 695thousand people in 2000, also exceeding Japan's 2005 figure of 705 thousand people (India's figure in2000 was 116 thousand people).例文帳に追加

また、OECD Science, Technology and IndustryScoreboard2007によれば、研究者の人口も中国は、2000年時点の69万5,000人から2005年時点で111万9,000人に急成長し、我が国の70万5,000人を上回っている（インドは2000年時点の数字で11万6,000人）。 - 経済産業省

When the external connection terminal 300 and first wiring terminal 350 are grown making contact with a support substrate 200, the external connection terminal 300 and first wiring layer 350 are not grown, in the direction of the substrate thickness by a lower surface of the support substrate 200 and thus the flat external connection terminal 300 and first wiring layer 350 with a uniform film thickness are formed in a surface of a substrate 100.例文帳に追加

外部接続端子３００および第１の配線層３５０が成長して支持基板２００に接触すると、外部接続端子３００および第１の配線層３５０は支持基板２００の下面によって基板厚さ方向への成長ができなくなり、基板１００の面内で、平坦で膜厚が均一な外部接続端子３００および第１の配線層３５０を形成する。 - 特許庁

A hexagonal pyramidal pinnacle-shaped n-type GaN layer 15 composed of a plurality of crystal planes being inclined to the main surface of the sapphire substrate 11, having mutually different tilt angles and having an inclined crystal plane formed in a projecting surface as a whole is grown selectively on the layer 12 in the opening section 13 of the grown mask 14.例文帳に追加

成長マスク１４の開口部１３におけるｎ型ＧａＮ層１２上に、サファイア基板１１の主面に対して傾斜しかつ互いに傾斜角が異なる複数の結晶面からなり、全体として凸面をなす傾斜結晶面を有する六角錐状の尖塔形状のｎ型ＧａＮ層１５を選択成長させる。 - 特許庁

In the light emitting device 100 where the nitride semiconductor layer is grown epitaxially on the growth side 102a of a substrate 102, the substrate 102 has a thermal expansion coefficient different from that of the nitride semiconductor layer, a plurality of recesses 102c are formed in the growth side 102a of a substrate 102 with a period of ≤1 μm, and the nitride semiconductor layer is grown using lateral overgrowth.例文帳に追加

基板１０２の成長面１０２ａに窒化物半導体層がエピタキシャル成長される発光素子１００において、基板１０２は窒化物半導体層と熱膨張係数が異なり、基板１０２の成長面１０２ａは１μｍ以下の周期で形成された複数の凹部１０２ｃを有し、窒化物半導体層は横方向成長を利用して成長される。 - 特許庁

The optical screen has a light diffusion layer, containing particulates having a spherulite structure characteristic of a crystalline high polymer, formed in such a manner that high polymer fibrils are isotropically grown in a three-dimensionally way or radially grown from one or more cores near the center of one individual particle, and having a number average particle diameter range of 1 to 30 μm.例文帳に追加

一つの単独粒子の中心付近の単数または複数のコアから高分子フィブリルが３次元的等方あるいは放射状に成長して形成した結晶性高分子特有の球晶構造を有し、数平均粒子径１〜３０μｍである微粒子を含有する光拡散層を有することを特徴とする光学スクリーン。 - 特許庁

Hydrogen chloride is introduced into a reaction vessel 106 in which the compound semiconductor monocrystal substrate 4 and Ga are arranged, the moisture concentration in hydrogen chloride introduced into the reaction vessel 106 is regulated to be ≤10 ppm at all times and the Ga- containing compound semiconductor layer is grown by hydride vapor phase growth is grown.例文帳に追加

化合物半導体単結晶基板４とＧａとを配置した反応容器１０６内に塩化水素を導入するとともに、該反応容器１０６内に導入される塩化水素中の水分濃度を常時１０ｐｐｍ以下に規制しつつ、Ｇａ含有化合物半導体層をハイドライド気相成長法により成長させる。 - 特許庁

In a manufacturing step of the substrate 10c, a partial insulation layer 12a is formed on the substrate, a single crystal silicon layer 13 is grown on a region between the partial insulation layers 12a, a polycrystalline silicon layer 15 is grown on the layer 12a, and thereafter the substrate is ion injected to thereby form the layer 15 in the substrate.例文帳に追加

第１基板１０ｃの作製工程では、基板上に部分的な絶縁層１２ａを形成し、部分的な絶縁層１２ａの間の領域には単結晶シリコン層１３を成長させ、部分的な絶縁層１２ａの上には多結晶シリコン層１４を成長させ、その後、該基板にイオンを注入することにより、該基板の内部に分離層１５を形成する。 - 特許庁

In the method of growing the artificial quartz crystal manufactured by a hydrothermal method, the difference between the lattice constant of the quartz crystal to be grown and the lattice constant of a seed crystal is made small considering the growing environment by using the seed crystal containing impurity having a concentration expected in the artificial quartz crystal to be grown.例文帳に追加

上記の目的を達成する為に本発明は、水熱法で製造する人工水晶の育成方法において、育成する人工水晶に想定される濃度の不純物を含む種結晶を用いることで、育成環境を考慮して育成される水晶の格子定数と種結晶の格子定数との差を小さくする。 - 特許庁

Further, second polycrystalline semiconductor layers 122 and 124 and third polycrystalline semiconductor layer 126 are selectively grown on the portion of the p-type polycrystalline semiconductor film 106 exposed in the lower surface of the visor section without contacting the silicon nitride film 108, while the second semiconductor layers 112 and 114 and the third semiconductor layer 116 are grown, so that the third semiconductor layer is in contact with the third polycrystalline semiconductor layer.例文帳に追加

さらに第二の半導体層１１２、１１４、第三の半導体層１１６を成長させつつ、庇部の下面に露出したｐ型多結晶シリコン膜１０６の下方に第二の多結晶半導体層１２２、１２４、第三の多結晶半導体層１２６を、シリコン窒化膜１０８に接触しないように選択的に成長させ、第三の半導体層と、第三の多結晶半導体層を接触させる。 - 特許庁

In the case that the subcollector layer 41, a collector layer 42, a base layer 43 and an emitter layer 44 are grown in a gas phase on a GaAs substrate 2 by using an MOCVD method and the semiconductor wafer 1 for manufacturing HBT is manufactured, an n-type GaAs layer is grown on the GaAs substrate 2 as the sub-collector layer 41 by making a V/III ratio 20 or less.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板２上にサブコレクタ層４１、コレクタ層４２、ベース層４３、及びエミッタ層４４をＭＯＣＶＤ法を用いて気相成長させてＨＢＴ製造用の半導体ウェーハ１を製造する場合、サブコレクタ層４１として、ｎ型ＧａＡｓ層をＧａＡｓ基板２上にＶ／ＩＩＩ比を２０以下として成長させるようにした。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for producing a vapor-grown carbon fiber obtaining a vapor-grown carbon fiber at a very low cost by using a furnace having a pyrolysis zone and a combustion zone, in which the heating temperature and the air supply amount are respectively controllable, in substitution for a CVD method.例文帳に追加

ＣＶＤ法に代えて、加熱温度および供給空気量がそれぞれ調整可能な熱分解ゾーンおよび燃焼ゾーンを有する炉を使用した気相成長炭素繊維の製造を可能とすることにより、格段に低い製造コストで気相成長炭素繊維を得ることができる気相成長炭素繊維の製造装置および製造方法を提供する。 - 特許庁

When a specific variety is grown in multiple prefectures, as a general rule it's allocated to the prefecture in which it was originated (e.g., Yamada nishiki, which is designated as a brand variety of growing districts in 28 prefectures, is allocated to its place of origin, Hyogo Prefecture). 例文帳に追加

複数の都道府県で栽培されている場合には、原則として原産地都道府県の項に配した（例28府県で産地品種銘柄に指定されている山田錦は原産地の兵庫県の項に）。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Although the production of koji (malt grown on rice used as a starter to make sake) is completely included in the job of a toji group at present, it was not included in the job of a sake brewing specialist group yet, and it was not even the job of a tsukuri-zakaya before the Koji Riot of the Bunan Era occurred in 1444. 例文帳に追加

文安の麹騒動（1444年）以前は、現在では完全に杜氏集団のなかの仕事である日本酒麹についても、まだ酒造りの職人集団の仕事ではなく、造り酒屋の仕事ですらなかった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

However, the Empress Kojun had an extremely unpretentious character, and on the other hand, the Empress Teimei had grown up in a brawny manner until her school age, because she was placed into nursery care with a farmer's family who lived near Koen-ji Temple in the suburbs of Tokyo: therefore, the two of them were fundamentally different in values. 例文帳に追加

しかし、香淳皇后はかなりおっとりした性格で、学齢まで東京近郊の高円寺近くの農家に里子として逞しく育てられた貞明皇后とは、根本的に価値観の不一致があった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Bunan no Koji Sodo was an incident in which Kitano koji za (a guild in Kitano for producers of koji malt, a kind of mold grown on produce such as boiled rice), who controlled production of koji malt (which is part of the sake brewing process) in Kyoto, was attacked by the Muromachi bakufu (Japanese feudal government headed by a shogun) causing its decline during the Muromachi Period. 例文帳に追加

文安の麹騒動（ぶんあんのこうじそうどう）とは、室町時代、京都において酒造工程の一つである麹造りを支配していた座（北野麹座）が室町幕府の攻撃を受けて没落した事件。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

As the sake brewing industry later developed rapidly in the Nada area (a coastal area in the western part of Settsu Province), rice grown in the territory of Sanda Domain and its surroundings was also used for brewing sake. 例文帳に追加

後に西宮町を含む灘地方（摂津国西部沿岸地域）における酒造業の飛躍的発展に伴って、三田藩領及び周辺の米も酒米として利用されるようになった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Although the wholesale system was once abolished in order to control the distribution of goods during the War, the wholesale market resumed after the war, and it has grown further following the amendment of the Wholesale Market Act in the 1950s and the Wholesale Market Law enacted in 1971. 例文帳に追加

戦時中には統制のため仲買制度は一度廃止されたが終戦後には復活し1950年代の中央卸売市場法の改正や昭和46年の卸売市場法を経て現在に至っている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To lower a synthesis temperature of carbon nanotubes in a production method in which carbon nanotubes are grown by vapor phase synthesis in a direction along a flow of raw material gas.例文帳に追加

カーボンナノチューブを気相合成により原料ガスの流れに沿った方向へ成長させる製造方法において、カーボンナノチューブの合成温度をより低くできるようにする。 - 特許庁

In a process to perform epitaxial growth in a semiconductor layer of a photoelectric element, a plurality of island-shaped objects can be grown in the semiconductor layer by heavily doping a dopant.例文帳に追加

光電素子の半導体層でエピタキシャル成長を行う過程において、ドーパントを高濃度ドープ（ｈｅａｖｉｌｙ−ｄｏｐｅ）することにより、この半導体層に複数個の島状体を成長させることができる。 - 特許庁

In the liquid toner composition, a polymeric binder has been chemically grown in the shape of copolymeric binder particles dispersed in a liquid carrier.例文帳に追加

液体キャリアに分散された共重合体バインダー粒子形態で，重合体バインダーが化学的に成長した湿式トナー組成物が提供される。 - 特許庁

The nitride single crystal is grown on the seed crystal substrate in a nitrogen-containing atmosphere by immersing the seed crystal substrate in a molten liquid containing a flux and a group III starting material in a growing vessel.例文帳に追加

育成容器内でフラックスおよびＩＩＩ族原料を含む融液に種結晶基板を浸漬し、窒素含有雰囲気下で、この種結晶基板上に窒化物単結晶を育成する。 - 特許庁

In the other substrate product, the edge of the substrate product comprising the crystal region grown in the first half of the ingot growth is broken in the direction of the arrow CL2.例文帳に追加

他方の基板生産物は、インゴット成長の前半に成長された結晶領域からなる基板生産物のエッジを矢印ＣＬ２の方向にブレイクした。 - 特許庁

To provide a new polynucleotide encoding an enzyme having improved heat stability and, a plant when expressed in the plant, resulting in increased yield in the plant grown under conditions of heat stress.例文帳に追加

熱安定性を向上させた酵素をコードする新規な変異ポリヌクレオチド、該ポリヌクレオチドを発現し、高温ストレス条件下で生育させると収量の増加をもたらす植物を提供する。 - 特許庁

The second silicon layer provided in the channel can be epitaxially grown in the channel, or the second silicon layer provided in the channel can be provided as an amorphous or partially crystalline material that is subsequently crystallized.例文帳に追加

チャネル内に設けられた第２シリコン層は、チャネル内にエピタキシャル成長させることもできるし、非晶質又は部分的に結晶質の材料として設けられ、その後で結晶化させて得ることができる。 - 特許庁

The upper limit value of the pulling speed required to suppress the defect density within the allowable range is previously calculated from the distribution state of the grow-in defects in the cross section of the crystal.例文帳に追加

結晶断面におけるgrown-in欠陥の分布状態からその欠陥密度を許容範囲内に抑制するのに必要な引上げ速度の上限値を予め求めておく。 - 特許庁

In the cleavage of one of the substrate products, the edge of the substrate product comprising a crystal region 22a grown in the second half of the ingot growth is broken in the direction of an arrow CL1.例文帳に追加

一方の基板生産物のへき開では、インゴット成長の後半に成長された結晶領域２２ａからなる基板生産物のエッジを矢印ＣＬ１の方向にブレイクした。 - 特許庁

In a method for growing the organic single crystal from a solution in which an organic compound constituting the organic single crystal is dissolved, a gel is formed by charging a gelling agent into the solution and the single crystal is grown in the formed gel.例文帳に追加

有機単結晶を構成する有機物が溶解した溶液中から有機単結晶を育成する方法において、前記溶液中にゲル化剤を投入することによりゲルを形成し、ゲル中で結晶成長を行う。 - 特許庁

Then the silicon-germanium film is epitaxially grown on a semiconductor wafer 12 disposed in the chamber 2 in a state that pressure in the chamber 2 is adjusted to normal or quasi-normal pressure.例文帳に追加

そして、処理室２内を常圧および準常圧領域の圧力とした状態で、処理室２内に配置された半導体ウエハ１２上にシリコンゲルマニウム膜をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

The crystals grown while being orientated in the solution are made uniform in the same direction by the action of the horizontal magnetic field in one direction, and are layered while retaining the uniform state.例文帳に追加

溶液中の配向して成長した結晶は、水平な一方向の磁場の作用により同じ方向に揃い、その揃った状態を保ったまま積層する。 - 特許庁

In the case that the silicon carbide thin film is grown on the silicon carbide single crystal substrate 5 in an atmosphere free from oxygen in the quartz reaction tube 1, deterioration of the silicon carbide thin film is inhibited, because no oxidation reaction occurs.例文帳に追加

また、石英反応管１内で酸素を含まない雰囲気中で炭化珪素単結晶基板５上に炭化珪素薄膜を成長させる場合には酸化反応がないので、炭化珪素薄膜の劣化が防止される。 - 特許庁

In a process S111, after the high resistance silicon substrate is set in the growth furnace in the process S109, a group III nitride semiconductor film is grown on the Si substrate using the coated tool.例文帳に追加

工程Ｓ１０９で成長炉に高抵抗シリコン基板を設置した後に、工程Ｓ１１１では、コーティングを形成した治具を用いてＳｉ基板上にIII族窒化物系半導体膜を成長する。 - 特許庁

Among the surfaces of the substrate (3), surfaces other than the surfaces (faces) of both sides in the thickness direction, i.e., side surfaces (flanks) in four directions, are sintered faces wherein silicon nitride particles have grown in a needle shape.例文帳に追加

この基体（３）の表面のうち、厚み方向の両側の表面（すくい面）以外の表面、即ち四方の側面（逃げ面）は、窒化珪素粒子が針状に成長した焼結肌となっている。 - 特許庁

To provide a method of removing phosphorus, by which phosphorus in water to be treated is stably removed with high efficiency by using magnesium ammonium phosphate(MAP) particle grown in an aging vessel as MAP particle in a reaction vessel.例文帳に追加

熟成槽で成長させたＭＡＰ粒子を反応槽内におけるＭＡＰ粒子として使用することで、被処理水中のリンを高い除去効率で安定して除去することができるリンの除去手段を提供する。 - 特許庁

When this soil modifying material in its combination with a urea fertilizer is mixed with substrate soil, the function in controlling the release of the fertilizer is exhibited to supply the urea fertilizer to plants in a slow acting manner, and accordingly the plants can be stably grown.例文帳に追加

この土壌改質材を尿素肥料と併用して基質土壌に混合すると、肥効調節機能を発揮して尿素肥料を植物に緩効的に供給し、植物を安定的に生育させることができる。 - 特許庁