| 意味 | 例文 |
line-patternの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3517件
When the angle formed by the line direction and release direction of the pattern of the mold is set to θ in a case that the mold having an uneven pattern formed thereto in parallel to the line direction in the releasing step of a nanoimprint process, θ is preferably -5°≤θ≤5°.例文帳に追加
ナノインプリントの剥離工程において、ライン方向に平行に凹凸状のパターンが形成されたモールドを使用した場合、モールドのパターンのライン方向と剥離方向とのなす角度をθとすると、−5°≦θ≦5°であることが好ましい。 - 特許庁
For example, about the image including the line string pattern, the projection waveform projected in the linear direction is acquired, an edge is obtained by the differential processing of the projection waveform, and the middle point of the pair of the edges of both sides in the outermost position is defined to be the position of the line string pattern.例文帳に追加
例えば、線列パターンを含む画像について、線方向に投影した投影波形を取得し、投影波形の微分処理によりエッジを求め、最外位置にある両側のエッジのペアの中点を線列パターンの位置とする。 - 特許庁
A display color of the first boundary line pattern 401 is made to differ from that of the second boundary line pattern 402, and the user visually recognizes, based on the display colors, which side mesh corresponds to the mesh data of the old map data version.例文帳に追加
第1境界線図形401と第2境界線図形402とは表示色を異なるものとして、この表示色より、ユーザがどちら側のメッシュが古い地図データバージョンのメッシュデータに対応するものであるかを視認可能なようにする。 - 特許庁
A resist pattern comprises a reference color line consisting of at least one line, and an detection object color pattern consisting of a plurality of lines, and the respective lines are formed at different positions in the sub scanning direction and extend in the main scanning direction.例文帳に追加
レジストパターンは、少なくとも1本のラインで構成された基準色ラインと、複数本のラインで構成された検出対象色パターンとからなり、これら各ラインは、副走査方向の異なる位置に主走査方向に伸びるように形成する。 - 特許庁
A left side light and a right side light are constituted so that they can make selective irradiation with a left side additional light distributing pattern or a right side additional light distributing pattern having the upward cut-off line including an area at the left side or right side of the vertical line.例文帳に追加
左側灯具および右側灯具は、鉛直線の左側または右側の領域を含むような上向きカットオフラインを有する左側付加配光パターンまたは右側付加配光パターンを選択的に照射可能に構成される。 - 特許庁
To provide an excellent positive resist composition excellent in line edge roughness and giving a pattern prevented from falling, particularly a fine pattern free of falling even when focus or exposure is varied.例文帳に追加
ラインエッジラフネスに優れており、パターン倒れが防止され、特に微細なパターンでのフォーカス、露光を変動させてもパターン倒れのない優れたポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁
To further reduce the size of a pattern by utilizing physical, chemical, and mechanical etching after making the pattern 202 of large size and line thickness (for example, 50 nm or larger) in a conventional method.例文帳に追加
既存の方法で先ず線幅やサイズの大きい(例えば、50nm以上)パターン202などを製作した後、物理的、化学的、機械的蝕刻を利用してパターンのサイズを更に縮める。 - 特許庁
On the surface of the decoration member 4, a pattern 11 of a line shape or the like and an opening part 12 passing through the inside and outside of the void 5 are provided and the opening part 12 constitutes a part of the pattern 11 as well.例文帳に追加
装飾部材4の表面には線状等の模様11と、空所5内外を貫通する開口部12とが設けられ、開口部12も模様11の一部を構成する。 - 特許庁
The replay pattern based on the stored information is compared to a reference value relative to the bright line pattern, and an obstacle is judged to be present if the relationship between both is high while judged not present if it is low.例文帳に追加
この記憶情報に基づく再生パターンを輝線パターンに対する基準値と比較し、両者の相関性が高いと障害物有りとし、低いと障害物無しとする。 - 特許庁
Furthermore, a characteristic pattern wherein the linear regions L1, L2, L3 are aligned along the width direction is extracted from the converted image and, from the characteristic pattern, a line running along a longitudinal direction is created.例文帳に追加
さらに、この変換後の画像から線状領域L1,L2,L3が幅方向に沿って並ぶ特徴パターンを抽出し、その特徴パターンから長手方向に沿うラインを生成する。 - 特許庁
Since the feeding pattern 4 does not act like a component of the microstrip line acting like the microstrip antenna, the effect of the feeding pattern 4 on the transmission reception characteristic of the entire antenna can be prevented.例文帳に追加
これにより、給電用パターン4が、マイクロストリップアンテナとして作用するマイクロストリップラインを構成しないので、これによるアンテナ全体への送受信特性の影響を防止できる。 - 特許庁
Since the line- and-space pattern P is smaller than the resolution limit of the reducing stepper, an image can not be focused through the pattern P onto a wafer, and thereby no problem is caused for exposure.例文帳に追加
ラインアンドスペースパターンPは、縮小投影露光装置の解像限界以下のピッチであるため、そのパターンPを通してウェハ上に結像することがなく、露光に支障を与えることがない。 - 特許庁
To provide a salt achieving even better line edge roughness (LER) in a formed pattern, a resist composition comprising the salt, and a method for forming a pattern.例文帳に追加
得られるパターンにおいて、さらに良好なラインエッジラフネス(LER)を実現することができる塩、この塩を含有するレジスト組成物及びパターン形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
The main control CPU outputs the pattern specification command through the communication line of the performance controlling transmission buffer after outputting the variation pattern specification command by an output processing.例文帳に追加
そして、主制御用CPUは、出力処理にて、変動パターン指定コマンドを出力した後、図柄指定コマンドを演出制御用送信バッファの通信線を介して出力する。 - 特許庁
To accurately detect a focus, to highly accurately measure and inspect even when the line width of a pattern on a semiconductor and the pitch of the pattern become equal to or below the wavelength of an optical system.例文帳に追加
半導体のパターンの線幅、ピッチが光学系の波長以下になった場合であっても、正しいフォーカス検出を行い、高精度の計測及び検査技術を行うこと。 - 特許庁
To improve the image reproducibility of both of a cycle line pattern and an isolated dot pattern without reducing the thickness of a photosensitive body even case of high resolution.例文帳に追加
解像度が高い場合にも、感光体の膜厚を薄くすることなく、周期ラインパターンと孤立ドットパターン両者の画像再現性を良くすることのできる画像形成装置を提供する。 - 特許庁
To provide a photosensitive resin composition for dry development with which it is possible to form a high resolution pattern with low line edge roughness in a silylation process, and a method for forming the resist pattern.例文帳に追加
シリル化プロセスにおいて、低ラインエッジラフネスで、高解像度なパターンの形成が可能となるドライ現像用の感光性樹脂組成物及びレジストパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁
The calculating device 100 calculates and derives pattern manufacturing error data on the basis of length measurement data and the mask design data and transmits the pattern manufacturing error data to the orderer through the communication line.例文帳に追加
素子寸法演算装置100は、測長データとマスク設計データとに基づいて、パターンの製造誤差データを演算して導出し、通信回線を介して、発注者に送信する。 - 特許庁
An input rhythm pattern storage section 212 causes RAM to store an input rhythm pattern on the basis of a clock signal output by a bar line clock output section 211 and an input trigger data.例文帳に追加
小節線クロック出力部211が出力するクロック信号と、入力されたトリガーデータとに基づいて、入力リズムパターン記憶部212は入力リズムパターンをRAMに記憶させる。 - 特許庁
To provide a pattern forming method that excels in exposure latitude and sensitivity, which can form a pattern that also excels in line-width variation, and to provide a chemically-amplified resist composition using the method.例文帳に追加
線幅バラツキに優れたパターンを形成できるとともに、露光ラチテュード及び、感度に優れたパターン形成方法及びこれに用いる化学増幅レジスト組成物を提供する。 - 特許庁
To provide an actinic-ray or radiation-sensitive resin composition with an improved pattern profile and improved line edge roughness, which is excellent in storage stability, and a pattern forming method using it.例文帳に追加
パターンプロファイルやラインエッジラフネスを改善し、さらに保存安定性の良い感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁
A wiring material ink 3 is dropped from a nozzle of an ink jet device to a trench 4 which is formed in the line of a gate wiring pattern 80 and an electrode section pattern 80a formed on the substrate.例文帳に追加
基板に形成したゲート配線パターン80とゲート電極部パターン80aに倣って形成された溝4にインクジェット装置のノズルから配線材料インク3を滴下する。 - 特許庁
The transmission line board 4 forms a differential signal pattern 41 to connect the first connecting terminal 5 and the second connecting terminal 6, and a high path filter element 42 is installed at the differential signal pattern 41.例文帳に追加
伝送路基板4は第1接続端子5と第2接続端子6とを接続する差動信号パターン41を形成し、差動信号パターン41にハイパスフィルタ素子42を設ける。 - 特許庁
To obtain a method for recording a registration pattern for adjusting the recording position of a recorder in which an adjusting value can be specified easily even for a pattern of light color or a thin line.例文帳に追加
記録装置の記録位置を調整するためのレジストレーション用パターンにおいてそれを構成するパターンが薄い色や細い線であっても調整値の特定が容易なパターンを記録する。 - 特許庁
To provide a positive resist composition excellent in sensitivity, resolution, and moreover, a pattern profile and line edge roughness relating to pattern formation by irradiation of X-rays, electron beams or ion beams.例文帳に追加
X線、電子線又はイオンビームの照射によるパターン形成に関して、感度、解像力に優れ、更にはパターン形状、ラインエッジラフネスにも優れたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁
A reception synchronous pulling control circuit 431 is provided between a pattern input control circuit 419 connected to a transmission line 417 for selecting a test object and a pseudo random pattern detection circuit 430.例文帳に追加
試験対象を選択するため伝送路417に接続されるパターン入力制御回路419と、疑似ランダムパターン検出回路430との間に受信同期引き込み制御回路431を設ける。 - 特許庁
The second optical system 40 includes an optical unit 42 to form a cut-off line for the low-beam pattern, and optical units 44, 46, 48 to form a horizontal pattern for the same.例文帳に追加
第2の光学系40を構成する光学ユニット42にはすれ違いビームパターンのカットオフラインを形成し、光学ユニット44,46,48はすれ違いビームパターンの水平パターンを形成する。 - 特許庁
At this time point, the left and right patterns present the ready-to-win display pattern with the line up of the same displayed patterns, and further, a character 52 of UFO is displayed on a special pattern display device 4.例文帳に追加
ここで、左図柄と右図柄とが同一の表示図柄で揃ったリーチ表示態様となっており、特別図柄表示装置4上にさらにUFOのキャラクタ52を表示させる。 - 特許庁
To provide a method for forming a resist pattern, a method for manufacturing a semiconductor device and a photoresist applicator/developer, whereby variations of a line width dimension of the resist pattern can be reduced.例文帳に追加
レジストパターンの線幅寸法のばらつきを小さくできるようにした レジストパターンの形成方法及び半導体装置の製造方法、フォトレジスト塗布現像装置を提供する。 - 特許庁
TOOL FOR MEASURING PARTS DIFFICULT TO BE MEASURED IN MEASURING DIMENSIONS OF PARTS OF BODY NECESSARY FOR DRAWING CLOTHING, AND BODY FITTING PATTERN ALONG BODY FROM BODY TO HIP LINE, AND TIGHT PATTERN OF SLEEVE例文帳に追加
衣服の製図に必要な体の各所の寸法で、計測しにくい部分を計測する計測器と、身頃からヒップラインまで体に添わせた身頃フィット原型と袖のタイト原型。 - 特許庁
When renewing the pattern 02(b) to the final supporting pattern 02(c), the line object 01 makes a longitudinal movement such as returning in the inverse direction of the renewing direction in the middle of a renewal.例文帳に追加
また、図柄02(b)が最終停止図柄02(c)へと更新される際には、ラインオブジェクト01は更新途中で更新方向とは逆方向に戻るなどの前後動をする。 - 特許庁
To measure a line width, while detecting only a pit, by discriminating the pit generated on the surface of a pattern from a projection, in an inspection device and a method of the wiring pattern.例文帳に追加
配線パターンの検査装置および方法において、パターンの表面に生じているピットと突起を区別し、ピットのみを検出しながら線幅の測定をできるようにすること。 - 特許庁
Then, the band-like conductor 18b and a circuit pattern 13b are interconnected by a wire W via the line conductor pattern 62 formed on the inclination surface G of the insulation block 61.例文帳に追加
そして、絶縁ブロック61の傾斜面Gに形成された線路導体パターン62を介して帯状導体18bと回路パターン13bとの間をワイヤーWで接続する。 - 特許庁
The fine adjustment alignment target 31 formed at a cross part with the scribe line 29Y in the Y-direction is used for alignment, after a metal pattern 30 is formed at the edge part of each chip pattern 21.例文帳に追加
各チップパターン21のエッジ部にメタルパターン30を形成した後のアライメントには、Y方向のスクライブライン29Yとの交差部に形成する微調アライメントターゲット31を使用する。 - 特許庁
To provide a chemically amplified photoresist composition that forms a pattern having an excellent shape and good line edge roughness and shape, and to provide a method for forming a pattern using the composition.例文帳に追加
優れた形状、良好なラインエッジラフネス及び形状を示すパターンを形成し得る化学増幅型フォトレジスト組成物及びそれを用いたパターンの形成方法等を提供することにある。 - 特許庁
Since the player can confirm the notification subject pattern from the pattern of the reel seen by the player during a game, an excess action to move the line of the sight for its confirmation is not required.例文帳に追加
この告知対象の図柄は、遊技者が遊技中に見ているリールの図柄から確認することができるため、その確認のために視線を動かすなどの余計な動作は必要としない。 - 特許庁
A system pattern judgment means 240 acquires system configuration information from an on-line database 210, retrieves a knowledge base 220, and obtains the current system pattern of a power system 10.例文帳に追加
系統パターン判定手段240は、オンラインデータベース210から系統構成情報を取得し、知識ベース220を検索して、電力系統10の現在の系統パターンを得る。 - 特許庁
The cylindrical antenna element pattern 132R and the cylindrical grand pattern 133R are carved with the same curvature for the total length, i.e. symmetric with regard to an antenna axis line 134R.例文帳に追加
筒状アンテナエレメントパターン132Rと筒状グランドパターン133Rとは、その全長に亘って同じ曲率で、即ち、アンテナ軸線134Rに関して左右対称に湾曲している。 - 特許庁
To make it possible to avert the widening and narrowing of the line width of patterns at field boundaries in a pattern data forming method for forming the pattern data of a photomask for semiconductor device production.例文帳に追加
半導体デバイス製造用のフォトマスクのパターンデータを作成するパターンデータ作成方法において、フィールド境界でのパターンの線幅の太り、細りを回避できるようにする。 - 特許庁
Furthermore, the signal line of a microstrip wiring path is arranged at the second surface side of the substrate 10, and the grounding pattern of the microstrip wiring path is shared with the grounding pattern of the coplanar wiring path 11.例文帳に追加
更に、基板10の第2面側にマイクロストリップ配線路の信号線を配置し、該マイクロストリップ配線路の接地パターンをコプレーナ配線路11の接地パターンと共通とする。 - 特許庁
To provide a fine-pattern drawing method for drawing while uniformly keeping a coating space of drops even in not only a straight line but also a complex pattern profile mixed with a curve, and to provide its apparatus.例文帳に追加
直線のみならず曲線を交えた複雑なパターン形状においても、液滴の塗布間隔を均一にして描画する微細パターンの描画方法およびその装置を提供する。 - 特許庁
A pattern separating part 5 plats a preliminarily set separating line to separate a pattern with respect to a binarized picture acquired from the front surface or the rear surface of a coin binarized by a binarizing part 4.例文帳に追加
2値化部4が2値化した硬貨の表面若しくは裏面から取得した2値画像に対し、パターン分離部5が予め設定した分離線を描画し、パターンを分離する。 - 特許庁
On a printed board, a signal line pattern led out of a transmission/reception circuit module and a conductor pattern connected to a ground conductor via a through hole penetrating through the printed board are formed.例文帳に追加
印刷基板上には、送受信回路モジュールから引き出された信号線パターンと、印刷基板内のスルーホールを介してグランド導体と接続した導体パターンが形成されている。 - 特許庁
The phase-change memory element includes a word line extended in one direction on a substrate, a first semiconductor pattern disposed on the word line, a node electrode disposed on the first semiconductor pattern, a Schottky diode formed between the first semiconductor pattern and the node electrode, and a phase-change resistor disposed on the node electrode.例文帳に追加
基板上に一方向に延伸しているワードラインと、ワードライン上に位置する第1半導体パターンと、第1半導体パターン上に位置するノード電極と、第1半導体パターンとノード電極との間に形成されたショットキーダイオードと、ノード電極上に位置する相変化抵抗体と、を備える半導体メモリ素子。 - 特許庁
In a wiring pattern M112 having a bent part having locally different line width in a line system, the layout is divided into a rectangle pattern M114 having a large area and a node part M113 connecting the rectangle pattern, and M113 and M114 are separated by a slit S113 of ≤0.22×λ/NA dimension.例文帳に追加
ライン系で局所的に線幅が異なる屈曲した部位を有する配線パターンM112において、当該レイアウトを大面積のレクトアングルパターンM114とそれらを接続するノード部M113に分割し、M113とM114とを0.22×λ/NA以下の寸法範囲内S113で分離する。 - 特許庁
The second wiring layer 120 comprises a bridge line 30 for electrically connecting the first via 70 and the second via 72 together, and a conductor pattern 50 which is provided around the bridge line 30 and has an outer edge at the position beyond the outer edge of the first wiring pattern and second wiring pattern of the first wiring layer 110.例文帳に追加
第2配線層120は、第1ビア70および第2ビア72を電気的に接続するブリッジ線路30と、ブリッジ線路30の周囲に設けられて、第1配線層110における第1配線パターンおよび第2配線パターンの外縁を越えた位置に外縁をもつ導体パターン50とを有する。 - 特許庁
A second wiring layer 120 has a bridge wiring line 30, which electrically connects the first via 70 to the second via 72, and a conductor pattern 50 which is formed around a bridge wiring line 30 and has outer edges at positions beyond the outer edges of a first wiring pattern and a second wiring pattern in the first wiring layer 110.例文帳に追加
第2配線層120は、第1ビア70および第2ビア72を電気的に接続するブリッジ線路30と、ブリッジ線路30の周囲に設けられて、第1配線層110における第1配線パターンおよび第2配線パターンの外縁を越えた位置に外縁をもつ導体パターン50とを有する。 - 特許庁
A test pattern of a semiconductor device includes a conductive pattern 100 disposed on a semiconductor substrate, and the conductive pattern 100 includes a plurality of line regions 100a, which are aligned in parallel and spaced at a uniform interval, and a plurality of connecting regions 100b for connecting the plurality of line regions 100a in a zigzag shape.例文帳に追加
半導体素子のテストパターンは半導体基板上に配置された導電パターン100を具備して、該導電パターン100は互いに平行しながら等しい間隔で離隔された複数のライン領域100a及び該複数のライン領域100aをジグザグの構造で接続する接続領域100bを含む。 - 特許庁
With lighting of the first light source unit 24, a low-beam light distribution pattern having a clear cutoff line at the top end part is formed, and with additional lighting of the second light source unit 26, an additional light distribution pattern for high beam expanding upward from the cutoff line is additionally formed to form a high-beam light distribution pattern.例文帳に追加
そして、第1光源ユニット24の点灯により、鮮明なカットオフラインを上端部に有するロービーム用配光パターンを形成するとともに、第2光源ユニット26の追加点灯により、上記カットオフラインから上方へ拡がるハイビーム用付加配光パターンを追加形成して、ハイビーム用配光パターンを形成するようにする。 - 特許庁
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