「lower process」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

Between the calcination heat treatment process B and a final baking heat treatment process D for generating a superconducting layer, an intermediate baking heat treatment process C is performed at a temperature lower than a final baking heat treatment temperature in the final baking heat treatment process D to manufacture a REBa_yCu_3O_z-based oxide superconducting wire including flux pinning points.例文帳に追加

仮焼成熱処理工程Ｂと、超電導層生成のための本焼成熱処理工程Ｄとの間に、本焼成熱処理工程Ｄにおける本焼成熱処理温度より低い温度で中間焼成熱処理工程Ｃを施して、磁束ピンニング点を含むＲＥＢａ_ｙＣｕ_３Ｏ_ｚ系の酸化物超電導線材を製造する。 - 特許庁

To provide a method for hydrodesulfurizing and isomerizing a light hydrocarbon oil, by which the sulfur-containing light hydrocarbon oil can simultaneously be hydrodesulfurized and isomerized to obtain the isomerized gasoline having a low sulfur content and by which a catalyst enabling to simultaneously carry out an isomerization process and a desulfurization process having been essential as a pretreating process for the isomerization process can be provided to simplify necessary installations and lower the running cost.例文帳に追加

硫黄を含有する軽質炭化水素油の脱硫と異性化とを行なって、硫黄含有量の低い異性化ガソリンを得る技術において、異性化の前処理工程として不可欠であった脱硫を異性化と同時に行なうことのできる触媒を提供し、それによって必要な設備を簡略化し、ランニングコストを低減すること。 - 特許庁

The manufacturing method of the lower panel for the plasma display panel includes a process for preparing a base substrate, a process for forming a material layer for a barrier rib on the base substrate, a process for forming the barrier rib pattern by irradiating the X-ray on the material layer for the barrier rib, a process for developing and patterning the material layer for the barrier rib.例文帳に追加

基底基板を準備する工程と、基底基板上に隔壁用素材層を形成する工程と、隔壁用素材層上にＸ線を照射することによって隔壁パターンを形成する工程と、隔壁用素材層を現像してパターン化する工程と、を含むことを特徴とする、プラズマディスプレイパネル用下部パネルの製造方法が提供される。 - 特許庁

The machining method comprises a first process (Step 1) of forming recesses by irradiating a laser beam on the surface of a workpiece, and a second process (Step 2) of melting the metallic particles, which have stuck to the recesses by spattering from the workpiece during the first process, by irradiating the low power laser beam lower than the laser beam in the first process.例文帳に追加

本発明の加工方法は、レーザ光を被加工物の表面に照射して凹部を形成する第１工程（ステップＳ１）と、前記第１工程よりも低出力のレーザ光を前記凹部に照射して、前記第１工程の際に前記被加工物から飛散して付着した金属粒を溶融する第２工程（ステップＳ２）とを有する加工方法である。 - 特許庁

This powder is characteristically manufactured by executing a first coating layer formation process and a second coating layer formation process of drying soft magnetic powder and a solution of a thermosetting silicone resin while bringing them into contact with each other, and setting the drying temperature of the second coating layer formation process lower than that of the first coating layer formation process.例文帳に追加

本発明の磁心用粉末は、軟磁性粉末と加熱硬化型のシリコーン樹脂の溶液とを接触させて乾燥させる第１被覆層形成工程と第２被覆層形成工程を行い、第２被覆層形成工程の乾燥温度を第１被覆層形成工程の乾燥温度よりも低くして製造したことを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing process of the soap composition comprises (1) a process to saponify a fatty acid by mixing at least one kind of solvent selected from the group consisting of a fatty acid, a lower monohydric alcohol, a polyhydric alcohol and a polyhydric alcohol ether and (2) a process to adjust the solvent concentration of the liquid mixture obtained in the process (1) at 1-35 wt.%.例文帳に追加

この石鹸組成物を製造する方法であって、 (i) 脂肪酸と、低級一価アルコール、多価アルコール及び多価アルコールエーテルからなる群より選ばれる少なくとも１種の溶剤とアルカリとを混合することにより脂肪酸をケン化する工程と、(ii) 工程(i)で得られた混合液の溶剤濃度を１〜35重量％に調整する工程とを含む方法。 - 特許庁

A substrate processing apparatus includes a spin chuck horizontally holding a substrate W without contacting with an upper surface and a lower surface of the substrate W, a process liquid supply mechanism supplying the process liquid to the upper surface and the lower surface of the substrate W held by the spin chuck, and an annular member 4 enclosing the substrate W held by the spin chuck.例文帳に追加

基板処理装置は、基板Ｗの上面および下面に非接触で当該基板Ｗを水平に保持するスピンチャックと、スピンチャックに保持された基板Ｗの上面および下面に処理液を供給する処理液供給機構と、スピンチャックに保持された基板Ｗを取り囲む環状部材４とを備えている。 - 特許庁

The method includes a process to form a non-crystal film containing a metal element and oxygen element constituting the ferroelectric on a lower electrode and a process to form a ferroelectric thin film crystallized by a heat treatment of the ferroelectric; when the heat treatment is carried out, the heating starts from the lower electrode.例文帳に追加

強誘電体を構成する金属元素及び酸素元素を含む非晶質膜を下部電極上に形成する工程と、当該非晶質膜を熱処理することで結晶化した強誘電体薄膜を成膜する工程とを備え、前記熱処理の際に、前記下部電極側から加熱する。 - 特許庁

The manufacturing method includes a process of forming a lower electrode 2 on a substrate 1 and of forming a ferromagnetic layer 3 and a tunnel insulating film 4 on the lower electrode 2, and a process of uniformly applying laser beams onto the surface of the tunnel-insulating film 4, to carry out heating treatment and for forming a ferromagnetic layer 5 on the tunnel-insulating film 4.例文帳に追加

基板１上に下部電極２を形成し、さらにその上に強磁性層３、トンネル絶縁膜４を順次形成する工程と、トンネル絶縁膜４の表面にレーザ光を一様に照射して加熱処理を行い、加熱処理後に、トンネル絶縁膜４上に強磁性層５を形成する工程とを含む。 - 特許庁

In a lifting process, the lower end 53B of the terminal fitting 53 is lifted from the molten solder 2 in the molten solder bath, while the vibration is continued, in the same conditions as those of the vibration in the vibration start process, and the lower end 53B of the terminal fitting 53 is separated from the liquid surface of the molten solder bath.例文帳に追加

引上げ工程では、振動開始工程における振動の諸条件と同一の諸条件で振動を続けながら、溶融はんだ槽の溶融はんだ２から端子金具５３の下端部５３Ｂを引上げてゆき、溶融はんだ槽の液面から端子金具５３の下端部５３Ｂを離間させる。 - 特許庁

To provide a continuous process for producing lower dialkyl carbonates as main product and alkylene glycol as by-product by transesterification of a cyclic alkylene carbonate (e.g. ethylene carbonate or propylene carbonate) with lower alkyl alcohols in the presence of a catalyst and also the required purification of the dialkyl carbonate in a subsequent process step.例文帳に追加

主生成物として低級ジアルキルカーボネートと、副生成物としてアルキレングリコールとを、環式アルキレンカーボネート（例えばエチレンカーボネートまたはプロピレンカーボネート）と低級アルキルアルコールとの触媒の存在下でのエステル交換により製造するための連続法ならびに引き続きのプロセス工程における該ジアルキルカーボネートの精製。 - 特許庁

During pavement removal work, the upper cap 102 is detached from the block bases 103 (lid removal process), a lower cap 106 is pressurized and detached in the state of lifting the block bases 103 to remove the weight increase material 201 from a lower surface opening LH (bottom removal process), and the block bases 103 are taken away from a paved surface.例文帳に追加

舗装撤去作業時には、ブロック基体１０３から上キャップ１０２を外し（抜蓋工程）、ブロック基体１０３を持ち上げた状態で下キャップ１０６を加圧して外して下面開口ＬＨから増重量材２０１を抜き取り（抜底工程）、ブロック基体１０３を被舗装面から持ち去るようにした。 - 特許庁

After a process of forming precursor films 411, 412,... composed of a metal and oxygen on a lower electrode 32, a hydrothermal process is carried out wherein the precursor films 411, 412,... are soaked in an alkaline solution 101 prepared by adjusting a predetermined alkaline solute to a concentration of 0.1M[mol/l] or lower to promote crystallization under a fixed condition.例文帳に追加

下部電極(32)上に金属および酸素により構成される前駆体膜(411,412,…)を形成する工程の後、前駆体膜（411,412,…)を、所定のアルカリ性溶質が０．１Ｍ[ｍｏｌ／ｌ]以下の濃度に調整され形成されたアルカリ性溶液(101)に浸して一定条件下で結晶化を促進させる水熱処理工程を行う。 - 特許庁

The degree of heat radiation DR is estimated based on vehicle speed SP during execution of PM regeneration process, and target flow in exhaust gas temperature TEt is calculated as a lower value as the degree of heat radiation DR is lower (S105).例文帳に追加

ＰＭ再生処理の実施中における車両の車速ＳＰに基づいて放熱度合いＤＲを推定し、放熱度合いＤＲが低いほど目標流入排気温度ＴＥｔが低い値として算出する（Ｓ１０５）。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of preventing the hillock occurring in the noble metal lower electrode of a ferrodielectric capacitor and forming a ferrodielectric film having a high orientation rate on the lower electrode according to an MOCVD process.例文帳に追加

強誘電体キャパシタの貴金属下部電極に生じるヒロックを抑制し、ＭＯＣＶＤ法により配向率の高い強誘電体膜を前記下部電極上に形成できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pneumatic valve assembly attaching a lower housing part to a bonnet at a desired direction, and preventing process fluid from being in contact with the lower housing material even in a failure of a diaphragm of an actuator.例文帳に追加

下方ハウジング部分をボンネットに対して所望の向きに取付けることができ、アクチュエータのダイヤフラムは故障したときでもプロセス流体と下方ハウジング材料とを接触させることのない、空気作動式弁組立体を提供すること。 - 特許庁

The upper member 12 and the lower member 11 are put together with screws 13 with the covering members 16 attached to the lower member 11, and this protects optical parts and electrical circuits in the housing from metal powder occurring in the screw-fitting process because the metal powder is not scattered in the housing but retained within the covering members 16.例文帳に追加

これにより、ネジ止めの際に発生する金属粉は、筐体の内部に散乱することなく、カバー部材１６に溜まることになり、筐体内に収納された光部品や電気回路を保護することができる。 - 特許庁

In this process, a β-phase is not precipitated in a high-temperature part the temperature of which is raised to not lower than the β-phase precipitation temperature and the β-phase is precipitated in a low-temperature part the temperature of which is raised to lower than the β-phase precipitation temperature.例文帳に追加

この過程で、第２半製品においてβ相析出温度以上に昇温された高温部位にはβ相が析出せず、β相析出温度未満に昇温された低温部位にはβ相が析出する。 - 特許庁

When a plurality of process engines 911-914 execute instructions in parallel, a clock signal of a frequency lower than a predetermined reference frequency and a source voltage lower than a predetermined reference voltage are supplied.例文帳に追加

そこで、複数の処理エンジン９１１〜９１４が並列して命令を実行する際に、所定の基準の周波数よりも低い周波数のクロック信号、および所定の基準電圧よりも低い電源電圧が供給される。 - 特許庁

The upper processing tool 2 and the lower processing tool 3 can move to each other by a processing tool driving system 4 to carry out the seal process, and the cover sheet and the carrier sheet are introduced between the upper processing tool 2 and the lower processing tool 3.例文帳に追加

上部加工具２と下部加工具３とが、シール工程を実行するために一つの加工具駆動系４により相互に可動であり、上部加工具２と下部加工具３との間にカバーシートとキャリアシートとが導かれる。 - 特許庁

Then, a second semiconductor element on which a second adhesive layer, including a remaining volatile matter 0.2% or lower, is arranged on a first semiconductor element, and the second adhesive layer is adhered through the heating process in the temperature range of 120°C or higher, and of 150°C or lower.例文帳に追加

次いで、残存揮発分が0.2％以下の第２の接着剤層が形成された第２の半導体素子を第１の半導体素子上に配置し、第２の接着剤層を120℃以上150℃以下の範囲の温度に加熱して接着する。 - 特許庁

In the thermal decomposition chamber, in a process where thermal decomposition gas produced from combustible refuse in the thermal decomposition chamber is pushed out to a lower side and is raised through a through-hole 6f formed in a lower portion in the same chamber the gas is brought into contact with a flame of the burner 3 for combustion.例文帳に追加

該熱分解室で可燃性ゴミから生成した熱分解ガスを下側に押し出すと共に下部に穿設した通孔６ｆを介して上昇させる過程でバーナー３の火炎と接触させて燃焼させる。 - 特許庁

The adjustment process 12 sets the guide vane opening a to appropriate guide vane opening a_0 if relations H≥H1 and N≥N1 are satisfied when lower limit head in a high head operation range is defined as H1 and allowable lower limit of runner rotation speed is defined as N1.例文帳に追加

調整工程１２は、高揚程運転領域の下限落差をＨ１とし、ランナ回転数の許容下限値をＮ１としたとき、Ｈ≧Ｈ１かつＮ≧Ｎ１の場合に、ガイドベーン開度ａを適正ガイドベーン開度ａ_０とする。 - 特許庁

When a polysilicon is used as the material of a lower-layer wiring 102, a side-wall deposit 118a comprising Si is formed on the side wall of a via hole 110 by sputtering on the surface of a lower-layer wiring 102 in a via hole formation process S5.例文帳に追加

下層配線１０２の材料にポリシリコンを適用すると，ビアホール形成工程Ｓ５において下層配線１０２表面でスパッタリングによってビアホール１１０側壁にＳｉからなる側壁堆積物１１８ａが形成される。 - 特許庁

In a second bonding process, the wire 10 is bonded to a second bond point to form a second lower-bonding section 30, and the wire 10 is overlapped to the second lower-bonding section 30 again for connection, to form a first upper-bonding section 32.例文帳に追加

第２ボンディング工程は、ワイヤ１０を第２ボンド点にボンディングして下部第２ボンディング部３０を形成し、この下部第２ボンディング部３０上に再度ワイヤ１０を重ねて接続して上部第１ボンディング部３２を形成する。 - 特許庁

The substrate transfer robot 21 supplies the process liquid that has been absorbed by the sponge 41 to the lower surface of the substrate W, by moving the sponge 41 and the substrate W relatively and bringing the sponge 41 into contact with the lower surface of the substrate W.例文帳に追加

基板搬送ロボット２１は、スポンジ４１と基板Ｗとを相対移動させてスポンジ４１と基板Ｗの下面とを接触させることにより、スポンジ４１に吸収されている処理液を基板Ｗの下面に供給させる。 - 特許庁

In the process for fabricating a nonlinear element 10x, a lower electrode 13x is formed of a tantalum film containing tungsten and nitrogen and then an insulating layer 14x is formed by anodizing the surface of the lower electrode 13x.例文帳に追加

非線形素子１０ｘを製造するにあたって、タングステンおよび窒素を含有するタンタル膜によって下電極１３ｘを形成した後、下電極１３ｘの表面を陽極酸化して絶縁層１４ｘを形成する。 - 特許庁

A knee protecting airbag device M1 is expanded and inflated while an airbag 26 folded and stored below a steering column 3 rises along a substantial lower surface 9a of a column cover from a lower side of the steering column 3 in an inflation process.例文帳に追加

膝保護用エアバッグ装置Ｍ１では、ステアリングコラム３の下方に折り畳まれて収納されたエアバッグ２６が、膨張過程で、ステアリングコラム３の下方側からコラムカバー下面９ａに沿って上昇しつつ、展開膨張する。 - 特許庁

Subsequently, as an upper coating layer forming process, upper coating material 50 different in color from the lower coating material 40 is applied to the surface of the lower coating layer 4 in the design surface 201 of the original plate 2 to form an upper coating layer 5.例文帳に追加

次いで、上側塗料層形成工程として、原板２の意匠表面２０１における下側塗料層４の表面に、下側塗料４０とは色彩の異なる上側塗料５０を塗布して上側塗料層５を形成する。 - 特許庁

In a third process, the lateral slide cores 31 and 41 are held between the lower mold 1 and the upper mold 2 to be fixed so as to be made impossible to slide and a cavity C is formed by the laminated core 50, the lower mold 1, the upper mold 2 and the lateral slide cores 31 and 41.例文帳に追加

第３工程において、横スライドコア３１、４１を下型１と上型２とで挟んでスライド不能に固定するとともに、積層コア５０と下型１と上型２と横スライドコア３１、４１とでキャビティＣを形成する。 - 特許庁

Rough washing is made in the first washing process to remove the residual plating liquid, and the lower surface of the cathode ring 9 and the entire portion of the substrate W are washed in the second washing process, thus preventing the substrate from being contaminated by the residual plating liquid.例文帳に追加

第１の洗浄工程で大まかに洗浄して残留メッキ液を除去し、第２の洗浄工程でカソードリング９の下面および基板Ｗの全体を洗浄するので、残留メッキ液による基板の汚染が防止できる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a three-dimensional structure that can be formed only by a low-temperature process at 500°C or lower, thus has high affinity with a semi-conductor process, and allows cost reduction using a plastic substrate.例文帳に追加

５００℃以下の低温プロセスのみでの形成が可能で、これにより半導体プロセスとの親和性が高く、かつプラスティック基板を用いることにより低コスト化を図ることが可能な三次元構造体の製造方法を提供する。 - 特許庁

After a rinse process (rinse step S1), water content, such as ultrapure water or the like remaining in a closed processing vessel 12 in which a wafer 20 is disposed, is discharged from the lower part of the closed process vessel 12, using the pressurized nitrogen (rinse solution discharge step S2).例文帳に追加

リンス処理（リンス工程 Ｓ１）後、まず、窒素による圧送により、ウエハ２０が配置された密閉処理容器１２に残留した超純水等の水分が密閉処理容器１２の下部から排出される（リンス液排出工程 Ｓ２）。 - 特許庁

The following processes are performed: a process for fitting the bottom piece 15, for accommodating, in lower parts of opposite surfaces and bottom surfaces of step parts of the bottom piece housing recessed parts 21 and 22; and a welding process for performing cladding by welding 16, 17 and 18 with a MIG welding machine.例文帳に追加

底駒１５を、底駒収容用凹部２１、２２の対向面下部及び段部底面に嵌合するように収容する工程と、ＭＩＧ溶接機により肉盛溶接１６,１７，１８を行う溶接工程と、を実施する。 - 特許庁

This apparatus is provided with a die positioning mechanism for positioning the necessary dies among the dies P2,P1,P3 and D2,D1 used in each process and fitted to an upper table 1 and a lower table 2, to prescribed positions in each process.例文帳に追加

上部テーブル１と下部テーブル２に取り付けられた各工程に使用する金型Ｐ２、Ｐ１、Ｐ３とＤ２、Ｄ１と、該金型のうちで必要な金型を、各工程ごとに所定位置に位置決めする金型位置決め機構を有する。 - 特許庁

This manufacturing method for the sealing material 1 for gas comprises a process for forming the channel in the peripheral direction of the ringlike elastic body 3 after vulcanization and a process for installing the core member 2 having lower permeation property of carbon dioxide than the elastic body 3 in this channel.例文帳に追加

また、加硫後のリング状の弾性体３の周方向に溝を形成する工程と、この溝に弾性体３よりも炭酸ガス透過性の低い芯材２を設置する工程とを含むガス用シール材１の製造方法である。 - 特許庁

When cooking rice by a reservation rice cooking menu, this rice cooker finishes the heating of a pot by a heating means at a temperature lower than that of a regular rice cooking where the rice cooking process starts immediately, and finishes the process of the rice cooking.例文帳に追加

予約炊飯メニューによる炊飯を行う場合には、すぐに炊飯の工程を開始する通常炊飯を行う場合よりも低い温度で加熱手段による釜の加熱を終了させて、炊飯の工程を完了させる。 - 特許庁

Consequently, this PTP sheet conveyance device 10 performs a process for inverting the PTP sheet 14 and a process for apportioning two PTP sheets 14 to upper and lower parts and letting them face mutually in the inversion part 48.例文帳に追加

したがって、このＰＴＰシート搬送装置１０では、ＰＴＰシート１４を反転させる工程と、２枚のＰＴＰシート１４を上下に振り分けて向き合わせる工程とを反転部４８において実行することができる。 - 特許庁

To provide a method for producing powdered chewing gum dispensing with a process for cooling to 0°C or lower in a process for producing the powdered chewing gum, and to provide tablet chewing gum obtained by directly tableting the powdered chewing gum.例文帳に追加

粉末チューインガムの製造過程において、０℃以下に冷却する工程を必要としない粉末チューインガムの製造方法、および当該粉末チューインガムを直接打錠することで得られる打錠チューインガムを提供すること。 - 特許庁

The mobile terminal calculates the present throughput in communication with the access point 60 in the process of connection based on the present radio-wave intensity, and executes a roaming process when the present throughput is determined to be lower than the predictive throughput.例文帳に追加

更に、現在の電波強度に基づいて接続中のアクセスポイント６０との通信における現在スループットを算出しており、現在スループットが予測スループット未満であると判断される場合にローミング処理を実施している。 - 特許庁

To contrive the simplification of manufacturing process and the reduction of cost in a rotary head drum device for performing the magnetic recording/reproducing process against a magnetic tape running in contact along upper and lower drums by a rotating magnetic head.例文帳に追加

本発明は回転する磁気ヘッドにより上下ドラムに添接走行する磁気テープに対し磁気記録再生処理を行なう回転ヘッドドラム装置に関し、製造工程の簡単化及び低コスト化を図ることを課題とする。 - 特許庁

Above the lower electrode 20, an upper electrode 35 formed in the same process as that of a control gate electrode 75 is disposed via an insulation film 80 formed in the same process as that of an intergate insulation film 55 in the memory cell section.例文帳に追加

下部電極２０上には、メモリセル部でのゲート間絶縁膜７０と同一工程で形成された絶縁膜７０を介して、制御ゲート電極７５と同一工程で形成される上部電極３５が設けられている。 - 特許庁

When a braking process is carried out to stop a symbol of symbol number "0" at a lower step position in a situation of (a) in Figure, if a slide amount accompanied by the braking process is d1, a rotary shell L stops as shown in Fig.(b) at a correct position.例文帳に追加

（ａ）の状態で、図柄番号「０」の図柄を下段位置に停止させるべくブレーキ処理を実行した場合、ブレーキ処理に伴う滑り量がｄ１であれば、（ｂ）に示すように、回胴Ｌは正しい位置に停止する。 - 特許庁

All the required heat treatment processes performed in a period after the process of forming the wiring layer and before the process of covering the wiring layer with the protective insulating film are performed at a plastic deformation temperature of the wiring layer or a temperature lower than this.例文帳に追加

そして、前記配線層を形成する工程の後であって、前記配線層を前記保護絶縁膜で覆う工程の前に行われる必要な全ての熱処理工程を、前記配線層の塑性変形温度以下で行う。 - 特許庁

In the precoat film forming process, a low-temperature precoat film 71 is formed at a temperature of the susceptor 2 lower than the temperature upon the Ti film forming process and, thereafter, a high-temperature precoat film 72 is formed at the temperature upon the Ti film formation.例文帳に追加

プリコート膜形成工程においては、サセプタ２の温度をＴｉ膜成膜工程の際の温度よりも低い温度で低温プリコート膜７１を成膜した後、Ｔｉ膜成膜の際の温度で高温プリコート膜７２を形成する。 - 特許庁