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lower processの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1989件
In a plurality of inspection processes for semiconductor devices, positions at which the contactors make contact with the bump electrodes in each inspection process are kept from overlapping with those in another inspection process as far as possible, thereby making it possible to lower and stabilize contact resistance with the bump electrodes in inspection.例文帳に追加
半導体装置の複数ある検査工程において、各検査工程でバンプ電極に接触する位置を他の検査工程とできる限り重ならないようにすることにより、検査時のバンプ電極との接触抵抗を低くし、安定化させることができる。 - 特許庁
To provide a method for forming a transparent conductive carbon film using a crystalline carbon film by a graphene film at a lower temperature in a shorter time, in order to solve the problem of a high-temperature process of graphene film formation by thermal CVD and the problem that a process time is long.例文帳に追加
熱CVDによるグラフェン膜成膜の高温プロセス、かつプロセス時間が長いという問題を解決すべく、より低温で短時間にグラフェン膜による結晶性炭素膜を用いた透明導電性炭素膜を形成する手法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a thin film transistor array panel which realizes a lower cost and a further shortening of process time by further reducing the number of necessary masks and the number of processes.例文帳に追加
必要なマスクの数や工程数を更に減少させることで低コスト化や工程時間の更なる短縮を実現させる、薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法を提供する。 - 特許庁
In this case, a burr is formed at the circumferential part of the work, by the burr is removed by a chamfering edge 31a, and the chamfering process is carried out at the peripheral edge of the lower hole.例文帳に追加
この場合、被切削物の表面の下孔の円周部にバリが形成されるが、このバリは面取り刃31aによって除去し、この下孔の周縁に面取り加工を行う。 - 特許庁
In the assembling process, the engagement member 3a is pushed against a pushing part 2a and deformed and calked, thus engaging the engagement piece 3a with the board 4 and lower casing member 3.例文帳に追加
この組付ける過程において、弾性係着片3aは押圧部2aと押し付けられ、弾性係着片3aがカシメ変形されてプリント基板4と下ケース体3とを係着させる。 - 特許庁
To decrease the number of processing times at high temperature (600°C or higher) to realize further low-temperature processing (600°C or lower), realizing simplified process to improve throughput.例文帳に追加
高温(600℃以上)の加熱処理回数を低減し、さらなる低温プロセス(600℃以下)を実現するとともに、工程簡略化及びスループットの向上を実現することを課題とする。 - 特許庁
To efficiently realize high degree of working accuracy and excellent surface roughness in one process without fitting a work again by grinding the work with the mill grinding method while performing the electrolytic dressing to a lower surface of a cylinder of a cup grinding wheel.例文帳に追加
ワークの再取付けなしに1工程で加工でき、高精度の加工精度と優れた表面粗さを高能率で達成できる球面レンズ研削装置を提供する。 - 特許庁
On a lower face side of a ball grid array type package 1, a solder ball 5 is provided, and the solder ball 5 is melted and resolidified through a reflow process, so as to connect it to another printed board 7.例文帳に追加
ボールグリッドアレイ型パッケージ1の下面側には、ハンダボール5が設けられており、リフロー処理によってハンダボール5が溶解・再固化して他のプリント基板7との間を接続する。 - 特許庁
Lower fatty acid generated in the process of the oxidation decomposition by the photocatalytic particles is neutralized by the alkaline substance thereby reducing or preventing the generation of the acid odor.例文帳に追加
光触媒粒子によって酸化分解される過程において発生する低級脂肪酸がアルカリ物質によって中和され、酸性臭気の発生が低減ないし防止される。 - 特許庁
A first recess 41 which is cone-shaped over the entire circumference is formed on an upper surface of the floor 4 within a range including a part where a lower-end part of an inner peripheral surface of the process tube 1 is positioned.例文帳に追加
フロア4の上面におけるプロセスチューブ1の内周面の下端部が位置する部分を含む範囲内に、全周にわたってすり鉢状の第1の凹部41を形成した。 - 特許庁
After the first working process, the operating hydraulic pressure of the hydraulic cylinder 4 rapidly drops to a second prescribed pressure which maintains a pressing state of the workpiece W to the lower die 1 by the forming pad 3.例文帳に追加
第1加工工程の後に、油圧シリンダ4の作動油圧を、成形パッド3による下型1へのワークWの押え状態を維持する第2の所定圧に急速に降下させる。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a magnetic sensor element, which prevents potential differences between a substrate, a lower shield layer, a magnetoresistive element, and an upper shield layer in the manufacturing process, and provide a magnetic sensor element.例文帳に追加
製造過程において基板と下部シールド層、磁気抵抗素子、上部シールド層間での電位差の発生を防止した磁気検出素子及びその製造方法、磁気ヘッドを得る。 - 特許庁
A lower surface of the substrate is subjected to vacuum suction when the substrate support unit is in a polishing process.例文帳に追加
基板支持ユニットが研磨工程の時には、基板の下面を真空吸着し、洗浄後工程の時には、基板の下面洗浄のため基板を上向きに離隔された状態で支持することを特徴とする。 - 特許庁
If the boxes are of a folded type, the seam sealing device may include an upper surface pressor for pressing an upper surface of each box in the process of delivery, a lower surface pressor, and a side surface pressor.例文帳に追加
また、箱類が折り曲げ式箱として、箱類押し具を、搬送中の箱類の上面を押す上面押し具と下面押し具と側面押し具とを備えるものとすることもできる。 - 特許庁
The top of the rubber bearing body 5 is provided with a lower sliding member 12 made of a metal plate 11 given with a pre-baking process of a fluororesin 10 of a Teflon resin or the like.例文帳に追加
ゴム支承体5の上面には、予め表面にテフロン樹脂等のフッ素系樹脂10を焼き付け処理した金属板11から成る下部滑り部材12を設けてある。 - 特許庁
On the first insulating film with its surface treated with the process liquid, a second insulating film is formed of an organic insulating material whose relative dielectric constant is lower than that of a silicon oxide.例文帳に追加
処理液で表面処理された第1の絶縁膜の上に、比誘電率が酸化シリコンの比誘電率よりも低い有機絶縁材料からなる第2の絶縁膜を形成する。 - 特許庁
To provide an image forming apparatus which hardly causes to lower image density of a solid image even in the case that an amount of a developer to be transferred onto a sheet material is decreased with use of a process cartridge.例文帳に追加
現像装置の使用に伴い、シート材上に転写される現像剤量が減少した場合であっても、ベタ画像の濃度低下が起こりにくい画像形成装置を提供する。 - 特許庁
Further, a monolayer of a second silicon layer is formed on the first silicon layer on the lower inner wall of the hole, and then, a first silicon nitride layer is formed on the whole inner wall surface of the hole by a nitriding process.例文帳に追加
ホールの下部内壁上の第1のシリコン層に更に、1原子層の第2のシリコン層を形成後、窒化処理によりホールの内壁全面に第1の窒化シリコン層を形成する。 - 特許庁
To provide, on an impeller divided into upper and lower members and having a magnet installed between both the members, a joint structure capable of surely adhering both the members by a simple manufacturing process.例文帳に追加
上下部材に分割され両部材間に磁石が装着された構造のインペラに、簡潔な製造工程により両部材を確実に接着可能な接合構造を設ける。 - 特許庁
On a substrate provided with a capacitor lower part interlayer insulation film 1 and a plug 3, a line pattern by an electrode forming material 6 which reaches the plug 3 is formed by using a damascene process.例文帳に追加
まずキャパシタ下部層間絶縁膜1およびプラグ3を備える基板上に、ダマシンプロセスを用いてプラグ3まで達する電極形成材料6によるラインパターンを形成する。 - 特許庁
In the curing process, laser beam high in rectilinearity and energy beam (e.g.; far infrared rays) lower in rectilinearity than laser beam but having a large irradiation area per a unit time are properly used.例文帳に追加
硬化工程は、直進性が高いレーザビームと、レーザビームよりも直進性が低いものの単位時間当たりの照射面積が大きいエネルギビーム(例えば遠赤外線)とを使い分ける。 - 特許庁
To provide bearing parts provided with a bearing portion having good wear resistance in a simple process and sintered forged parts which can dissolve such problem as to lower the strength caused by a decarburization phenomenon.例文帳に追加
簡単な工程で良好な耐磨耗性を有する軸受け部を備えた軸受け部品及び脱炭現象による強度低下の問題を解消できる焼結鍛造部品を提供する。 - 特許庁
To provide a tire curing apparatus capable, in the postcure process, of improving the (different) progress of vulcanization degree of a tire due to the temperature difference of the upper and lower parts and enhancing quality, and to provide a curing method.例文帳に追加
後加硫工程において上下の温度差によるタイヤ加硫度の進行度合いを改善し、品質を向上することが可能なタイヤ加硫装置及び加硫方法を提供する。 - 特許庁
As for a working process, at first the upper die 10 and the lower die 17 move down while grasping a rod stock 4 thereby, then horizontal press working starts, and vertical press working starts afterwards.例文帳に追加
プレス加工方法はまず上型10と下型17とで棒材4をつかみながら下降し、次ぎに水平方向のプレス加工を開始し、その後垂直方向のプレス加工を開始する。 - 特許庁
In this process, if the pressure of the pressure chamber 18 becomes lower than that of a low pressure chamber 32, a second operating valve 34 opens of itself, and a low pressure operating fluid is led into the pressure chamber 18.例文帳に追加
この過程で圧力室18が低圧室32の圧力より低くなると、第二の作動弁34が自ずと開き、低圧作動流体が圧力室18に導入される。 - 特許庁
To provide a light control structure which can be driven at a lower voltage, as compared with the conventional light control structure, or to provide a light control structure which is formed according to a coextrusion process.例文帳に追加
従来の調光構造体よりも低い電圧で駆動することのできる調光構造体、または共押出法により形成されてなる調光構造体を提供する。 - 特許庁
To simplify a production process in a flat-plate image display device having an electron beam source of an IPG(In-Plane-Gate) structure, and to improve its yield ratio and to significantly lower the manufacturing cost.例文帳に追加
IPG構造の電子線源を有する平板型画像表示装置における作製プロセスを簡易化させ、歩留まりを向上させて製作コストを大幅に低減させる。 - 特許庁
The inside volume of discharge molten metal passages 70, 47 in the lower part of a molten metal face 7 in a pot is made larger than the process volume of a plunger in a cylinder tube 11.例文帳に追加
ポット内の溶湯面7の下方における吐出溶湯路70、47の内部容積を、シリンダ筒内11におけるプランジャの行程容積より大きくしたことを特徴とする。 - 特許庁
The stripping-off process is continuously performed from a position to another position with a tool moved from the upper part to the lower part taking a suitable attitude while matching to any height position of the gas cut-off burr.例文帳に追加
剥ぎ取り過程は、個所から個所に相次いで、ガス切断ばりのあらゆる高さ位置に適合して、適当な姿勢で上方から下方に動く工具によって絶えず行われる。 - 特許庁
In this method, the metal plate segment Wa to be bent which is protruded from the metal plate W is fixed in the state that the segment Wa is protruded from between an upper die 21 and a lower die 22 in a first holding process.例文帳に追加
第1挟み過程で、板材Wから突出した曲げるべき板材片Waを上型21と下型22との間から突出させた状態で固定する。 - 特許庁
A method for manufacturing a single crystal diamond by a plasma CVD process in which the pressure in a synthesis chamber is not lower than 80 Torr is disclosed, wherein a raw material gas with helium added thereto is used.例文帳に追加
合成室内の圧力を80torr以上とするプラズマCVD法による単結晶ダイヤモンドの製造方法において、ヘリウムガスを添加した原料ガスを用いることを特徴とする方法。 - 特許庁
This manufacturing method of semiconductor devices comprises the etching process using an etching stock solution, consisting mainly of H2SO4 and NH4F, or H2SO4 and HF and containing H2O of 5 wt.% or lower.例文帳に追加
H_2SO_4とNH_4F、もしくはH_2SO_4とHFを主成分とし、含有H_2Oが5wt%以下であるエッチング原液を使用するエッチング工程を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁
A process for preparing a porous product uses a solvent having a melting point in the range of not lower than 0°C to not higher than 60°C as the drying solvent for a wet gel to obtain a dried gel.例文帳に追加
本発明の多孔体の製造方法は、湿潤ゲルの乾燥溶媒として融点が0℃より高く、60℃以下の範囲にある溶媒を用いて乾燥ゲルを得ることを特徴とする。 - 特許庁
To provide a semiconductor device that can effectively prevent its lower electrodes from falling during the manufacturing process, permits achievement of a micro size and can be manufactured in a high yield, and a manufacturing method therefor.例文帳に追加
製造途中における下部電極の倒壊が効果的に防止され、微細化可能であり、歩留まりよく製造できる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To reduce the number of processes of heat treatment in a method for manufacturing a capacitive element including a process for growing silicon crystal grains on the surface of a silicon film constituting a lower electrode.例文帳に追加
下部電極を構成するシリコン膜の表面にシリコン結晶粒を成長させる工程を含む容量素子の製造方法において、熱処理の工程数を低減する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing wiring, which dispenses with a photo-lithography process when connecting between patterns of an upper layer and lower layer, and a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加
本発明は、上層と下層のパターンを接続するに際し、フォトリソグラフィ工程が不必要な配線の作製方法及び半導体装置の作製方法の提供を課題とする。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device and this semiconductor device for improving the accuracy of the positioning of a lower layer pattern with an upper layer pattern in a photolithography process.例文帳に追加
ホトリソグラフィ工程において、下層パターンと上層パターンとの位置合わせの精度の向上を図ることができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁
The process tube 1 penetrates a hole 41 and is clamped with the upper and lower surfaces of its flange part 11 between the bottom surface of the liner base 44 and the upper surface of the skirt 45 interposing cushions 8, 9 therebetween.例文帳に追加
プロセスチューブ1は、孔部41を貫通した後、フランジ部11の上下面をライナーベース44の底面とスカート45の上面との間にクッション8,9を介在させて挟持される。 - 特許庁
To provide a semiconductor manufacturing method of enabling rework by causing no damage on the lower layer in the SOD film formation process of a semiconductor manufacturing apparatus, and to provide the semiconductor manufacturing device.例文帳に追加
半導体装置のSOD膜形成工程において、下層にダメージを生じることなくリワークを可能とする半導体製造方法および半導体製造装置を提供する。 - 特許庁
The odor gas processed is then introduced into the lower portion of the next deodorization tower 2 and passed through the deodorant packed layer 21 to accomplish the process of deodorizing the malodor components of nitrogen compounds, e.g. ammonium.例文帳に追加
次いで処理した臭気ガスを、次の脱臭塔2の下部に導入し、脱臭剤充填層21を通過させて、窒素化合物の悪臭成分、例えばアンモニアを脱臭処理する。 - 特許庁
To provide a compact exchanging system in which upper and lower press dies are exchanged in accordance with change in the type of workpiece, in a hemming device for performing hemming process on an automobile door panel, for example.例文帳に追加
例えば自動車用ドアパネルをヘミング加工するヘミング装置において、ワークの種類の変更に合わせて上下のプレス型を交換する、コンパクトな交換システムを提供する。 - 特許庁
Therefore, in a joining process for mounting a semiconductor element, junction can be performed within a temperature range wider than that of a solder having conventional eutectic composition and at a lower temperature.例文帳に追加
このため、半導体素子を搭載する接合工程において、従来の共晶組成の半田よりも幅の広い温度範囲で接合でき、かつ、より低い温度での接合ができる。 - 特許庁
The lower end of the gas introduction tube 184 is inserted in the support hole 185 of the manifold 18, and the upper end thereof is supported by the gas introduction tube support 162 of the process tube 16.例文帳に追加
ガス導入管184は、その下端部がマニホールド18の支持穴185に挿入され、その上端部がプロセスチューブ16のガス導入管支持部162によって支持される。 - 特許庁
The press molding is performed by controlling the eccentric quantity between the upper and lower dies 2, 7 and the glass base material 9 for molding in accordance with a molding process and the required shape precision.例文帳に追加
上下型2,7と成形用ガラス素材9との偏心量を成形方式及び要求される光学素子の必要形状精度に応じて規制してプレス成形を行う。 - 特許庁
To lower heat treatment temperature for conducting the predetermined heat treatment such as a film forming process to form a film to a substrate by supplying the treatment gas into a reaction vessel and heating the processing atmosphere.例文帳に追加
反応容器内に処理ガスを供給すると共に処理雰囲気を加熱して基板に対して成膜処理などの所定の熱処理を行うにあたり、熱処理の温度を低くする。 - 特許庁
In the dehydrogenation process, the thin film 4 containing the hydrogen of 1% or higher is heated by the lamp at the film-forming stage to desorb the hydrogen from the thin film 4 so that residual hydrogen is reduced to 0.5% or lower.例文帳に追加
脱水素工程は、成膜段階で1%以上の水素を含有する半導体薄膜4をランプで加熱して残留水素が0.5%以下となる様に水素を脱離する。 - 特許庁
The resin varnish is obtained by the following process: A first cyanate resin of lower weight-average molecular weight is mixed with an unslurried methyl isobutyl ketone followed by agitation, and an epoxy resin is then mixed and agitated to obtain a first solution.例文帳に追加
スラリー化されていないメチルイソブチルケトンに、重量平均分子量が小さい第1のシアネート樹脂を混合撹拌した後、エポキシ樹脂を混合撹拌して第1の溶液を得る。 - 特許庁
The front glass substrate 3 having a silver electrode formed thereon is stored in an atmosphere in which the concentration of sulfur compounds is lower than in the air during the process up to formation of a dielectric layer 9.例文帳に追加
銀電極が形成された前面ガラス基板3を、誘電体層9が形成されるまでの工程の間、大気より硫黄化合物濃度が少ない雰囲気で保管する。 - 特許庁
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