「lower process」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

The control means executes a first process of supplying water to a level equal to or lower than half of a set water level by a water supply valve 13 and rotating the pulsator with the motor 6 and a second process of supplying water to a set water level by the water supply valve 13 after the first process ends and rotating the pulsator 2 with the motor 6.例文帳に追加

制御手段は、給水弁１３により設定水位の半分以下の水位まで給水し、モータ６によりパルセーター２を回転させる第１の洗い行程と、この第１の洗い行程終了後に給水弁１３により設定水位まで給水し、モータ６によりパルセーター２を回転する第２の洗い行程とを実行する。 - 特許庁

Also, the container is manufactured through a process of stretching the PET sheet in the non-crystalline state to the stretch possibility limit or lower (approximately 2 times) and a process of heating and softening the PET sheet into the tray-shaped thin-walled container while pressing the periphery of the sheet stretched to the stretch possibility limit or less by the above process.例文帳に追加

また、成型された非結晶状態にあるＰＥＴシートを延伸可能限界以下（約２倍）に延伸処理する工程と、この工程により延伸可能限界以下に延伸されたＰＥＴシートを周囲を押さえて縮小化を妨げながら、加熱・軟化させてトレー状薄壁容器に成型する工程とを経て作られる。 - 特許庁

The wafer processing device 100 comprises a lower electrode 112 serving as a table for mounting a wafer 200, a process gas introduction tube 120 supplying process gas for etching the periphery, and a plurality of etching block gas introduction tubes 118a, 118b, 118c and 118d supplying etching block gas for blocking process gas supply to the central portion of the wafer 200.例文帳に追加

ウェハ処理装置１００は、ウェハ２００を載置する載置台である下部電極１１２と、周辺部をエッチングするプロセスガスを供給するプロセスガス導入管１２０と、ウェハ２００の中心部にプロセスガスが供給されるのを阻止するエッチング阻止ガスを供給する複数のエッチング阻止ガス導入管１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃ、および１１８ｃと、を含む。 - 特許庁

This manufacturing method for the tag comprises: a through hole formation process for forming the through hole in a prescribed position of an insulative sheet allowing the fixing of the electroconductive ink; and an antenna circuit formation process for printing the antenna circuit on the upper face and the lower face of the insulative sheet by the electroconductive ink such that the through hole is closed up, after the through hole formation process.例文帳に追加

導電性インクを定着させることができる絶縁シートの所定部位にスルーホールを形成するスルーホール形成工程と、このスルーホール形成工程後に絶縁シートの上面および下面に導電性インクによって、前記スルーホールが塞がるようにアンテナ回路をプリントするアンテナ回路形成工程とでタグの製造方法を構成している。 - 特許庁

The biosurfactant is produced by fermentation at lower cost in a shorter period of time and more efficiently by using a medium containing a composition excluding liquor which is a byproduct in the process of producing the liquor, compared with a process using a conventional production medium, and in addition, the compositions excluding liquors which have been the unused resource of the byproducts in the process of producing the liquor is effectively used.例文帳に追加

酒類の生成工程において副生する酒類を除く組成物を含む培地を用いることで、従来の生産培地を用いた場合より、低コスト、短時間、かつ効率的にバイオサーファクタントを発酵生産するとともに、未利用資源であった酒類の生成工程において副生する酒類を除く組成物を有効利用する。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a process wherein a hydraulic inorganic powder and water are mixed to produce a slurry, a process wherein a prescribed amount of slurry is put in a square box-shaped frame 101 and made into the molded body 20 by extracting the water from the lower side of the frame 101 and a process wherein the molded body 20 is dewatered and pressed with a high pressure by a molding tool 11.例文帳に追加

水硬性無機質粉体と水とを混合しスラリーを生成する工程、前記スラリーの所定量を枡状枠１０１に入れ該枡状枠１０１の下面より水分を搾水し成形体２０にする工程、前記成形体２０を成形型１１で高圧で脱水プレスする工程、からなることを特徴とする。 - 特許庁

Although a first piezoelectric layer 71 on a vibration plate 52 is removed at a step of a photolithography etching process with remaining a region where a lower electrode 60 is formed, a second piezoelectric layer 72 containing lead zirconate titanate having a thickness equal to or more than 4 nm and equal to or less than 20 nm is formed over the first piezoelectric layer 71, the lower electrode 60, and the vibration plate 52 after the photolithography etching process.例文帳に追加

フォトリソエッチ工程の段階で、下電極６０が形成される領域を残して、振動板５２上の第１圧電体層７１が除去されるが、フォトリソエッチ工程後に、第１圧電体層７１、下電極６０および振動板５２にわたって、４ｎｍ以上、２０ｎｍ以下の厚みのチタン酸ジルコン酸鉛を含む第２圧電体層７２を形成する。 - 特許庁

A process of supplying steam to the clothes by the steam supply means 49 is executed under the pressurized condition of the clothes being sandwiched between the upper and lower pressing irons 10 and 20 and/or a process of sucking the clothes by the suction means 39, under the released condition of the clothing with the upper iron 20 separated from the lower pressing iron 10.例文帳に追加

上下の鏝１０，２０間に衣類を挟んで加圧した状態において、蒸気供給手段４９により衣類に蒸気を供給する工程と、鏝１０，２０間に衣類を挟んで加圧した状態、及び／又は上鏝２０を下鏝１０から離して衣類を解放させた状態において、吸引手段３９により衣類の吸引を行う工程とが実行される。 - 特許庁

To provide a composition for forming a resist lower layer film to be used in a resist process including a pyrolysis step of a resist lower film, the composition which can be easily decomposed and removed by simple heat treatment without requiring ashing, which does not damage an inorganic coating such as a low-k film, and which has excellent filling performance in a gap.例文帳に追加

アッシング処理の必要がなく、簡便な熱処理により分解除去でき、Low-ｋ膜などの無機被膜にダメージを与えることがなく、かつギャップの充填性能に優れた、レジスト下層膜の熱分解工程を有するレジストプロセスに用いられるレジスト下層膜形成組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a resist lower layer film forming composition capable of forming a resist lower layer film capable of transferring a resist pattern with satisfactory fidelity and reproducibility to a substrate to be processed because the composition has a film curing property, superior etching resistance, and because the pattern formed by a dry etching process is hardly bent.例文帳に追加

膜硬化性を有し、エッチング耐性に優れ、更に、ドライエッチングプロセスによって形成したパターンが折れ曲がり難いため、レジストパターンを忠実に再現性よく被加工基板に転写することが可能なレジスト下層膜を形成することができるレジスト下層膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁

An internal pressure is imparted to a preform 1a in a mold body section 16 in an expansion/swelling process under a state wherein a mold bottom section 17 is positioned at a second specified position which is lower than a first specified position, and an intermediate molded body 1b having a bottom swollen section 1c for which the lower section is made to swell downward is formed.例文帳に追加

底部金型１７を第１の所定位置よりも下方の第２の所定位置に位置させた状態で、延伸膨出工程により、胴部金型１６内のプリフォーム１ａに内圧を付与し、下部を下方に膨出させた底部膨出部１ｃを有する中間成形体１ｂを形成させる。 - 特許庁

In the method for fabricating the diamond substrate, an SiC layer is formed on the lower surface of a diamond film layer for preventing the diamond film layer from being deformed in the process of forming the diamond substrate, and then a semiconductor layer is formed on the diamond film layer or directly formed on the lower surface of the SiC layer.例文帳に追加

ダイヤモンド基板を形成する工程でダイヤモンド・フィルム層の変形を防止するためダイヤモンド・フィルム層の下部表面にＳｉＣ層が形成され、次に半導体層がダイヤモンド・フィルム層の上に形成されるか、またはＳｉＣ層の下部表面に直接形成される。 - 特許庁

Cutting edges 4 of an upper and a lower two edges for a vinyl insulator to cut off a sheath and the insulator, and sheath cutting edges 3 of an upper and a lower two edges to cut off only the sheath are linked by a linking plate 5, then the VVF cable is constricted to simultaneously perform the two-step stripping process of the sheath and the vinyl insulator.例文帳に追加

シース及び絶縁体を切断する上下２枚のビニル絶縁体切断刃４と、シースのみを切断する上下２枚のシース切断刃３を、連動板５によって同時に連動して、ＶＶＦケーブルを狭窄し、シースおよびビニル絶縁体を同時に二段に剥離する。 - 特許庁

After appropriately forming a lower layer 2 of a multilayer wiring structure on a semiconductor substrate 1, an edge insulation film 14 is formed so as to cover a beveled portion 1a of the semiconductor substrate 1 and to have a thickness substantially equal to that of the lower layer 2, and then the surface of the upper insulation film 11a is planarized through a CMP process.例文帳に追加

半導体基板１上に、多層配線構造の下層部分２を適宜形成した後、半導体基板１のベベル部１ａを覆うように、下層部分２と略同等の膜厚に縁部絶縁膜１４を形成し、上部絶縁膜１１ａをＣＭＰで表面研磨して平坦化する。 - 特許庁

Air is supplied with using the through hole 52 of the crank cap 5 and existence of the lower metal 7 is determined by measuring pressure of the supplied air when missing of assembly of the lower metal into the inside is inspected after assembling the crank cap 5 in an assembly process of an internal combustion engine.例文帳に追加

内燃機関の組立過程において、クランクキャップ５を取り付けた後で、その内側へのロアーメタル７の組み込み忘れの有無を検査する際に、クランクキャップ５の通孔５２を利用してエアを供給して、この供給エアの圧力を測定することで、ロアーメタル７の在否を判定する。 - 特許庁

At this time, since the swirl part is developed along an inner surface of the rear window glass 18 in the unwinding process, the lower air bag 21A is not interfered to the head of the crew seated on the rearmost seat and the expansion/development action of the lower air bag 21A is appropriately and rapidly carried out.例文帳に追加

このとき渦巻部は巻き戻される過程においてリヤウィンドウガラス１８の内面に沿うように展開されるので、最後部座席に着座している乗員の頭部に下部エアバッグ２１Ａが干渉することはなく、下部エアバッグ２１Ａの膨張展開動作が適正かつ迅速に行われる。 - 特許庁

In the grout filling process, grout W is supplied into a lower joint space 54 to fill the lower joint space 54, a through-hole 28 and an upper joint space 56 with the grout W, and air Q in the upper joint space 56 is exhausted through an air vent passage 60.例文帳に追加

グラウト充填工程では、下目地空間５４へグラウトＷを供給することによって、下目地空間５４と貫通孔２８と上目地空間５６とにグラウトＷを充填すると共に、空気抜き通路６０を通じて上目地空間５６の空気Ｑを排気する。 - 特許庁

An ultrasonic vibrator 34 is joined to all the lower surface of the plate 2, a thin film of processing liquid, which is formed between the surface (lower surface) of the substrate W and the opposed surface (upper surface) 5 of the plate 2, is given through the plate 2 ultrasonic vibrations of low energy sufficient enough to process the surface of the substrate W.例文帳に追加

プレート２の下面の全域には、超音波振動子３４が結合されており、前記表面と対向面５との間に形成された処理液の薄膜には、前記表面を処理するのに必要十分な低エネルギーの超音波振動がプレート２を介して付与されている。 - 特許庁

Then, a lower piezoelectric layer 40 and an intermediate piezoelectric layer 41 other than a first active section R1 in a region overlapped with the first active region R1 from its plane view are moved from the lower piezoelectric layer 40 (face side separated from the first active section R1), and through-holes 40a and 41a are formed (removal process).例文帳に追加

そして、平面視で第１活性部Ｒ１と重なる領域にある第１活性部Ｒ１以外の、下部圧電層４０及び中間圧電層４１を下部圧電層４０側（第１活性部Ｒ１から離れた面側）から除去し、貫通孔４０ａ、４１ａを形成する（除去工程）。 - 特許庁

A work piece 15 is placed on a lower electrode 3 with a dielectric body 42 in between down with the surface on which a circuit pattern is formed, and plasma is generated in a vacuum chamber 1 to which the lower electrode 3 is provided, so that a stress layer on the surface on which a mechanical grinding process is performed is etched to remove.例文帳に追加

回路パターンの形成面を下面にして誘電体４２を介在させてワーク１５を下部電極部３上に載置し、下部電極部３が設けられた真空チャンバ１内にプラズマを発生させることにより、機械研削処理が施された表面のストレス層をエッチングして除去する。 - 特許庁

To improve the yield of a wiring board by making repair of a short- circuit failure point between upper and lower wirings generated through a pin-hole of an insulation layer easy by a conducting process, when a wiring board of a matrix structure comprising the lower wiring and the upper wiring separated by the insulation layer is used.例文帳に追加

絶縁層によって隔てられた下部配線と上部配線を有するマトリックス構造の配線基板を用いる場合において、絶縁層のピンホールを介して生ずる上下配線間ショート不良箇所を通電処理によって修復（リペア）し易くして、配線基板の歩留向上を図る。 - 特許庁

The diameter of the single crystals is controlled by repeating the calculation of the upper and lower limits for the manipulative variables of the rates of pulling the single crystals and the control of the moving average of the rates of pulling the single crystals based on the settings and the upper and lower limits during the process of pulling the single crystals.例文帳に追加

単結晶を引き上げる過程にて、単結晶の引き上げ速度の操作量の上下限値の算出、及び、これら設定値と上下限値に基づく単結晶の引き上げ速度の移動平均値の制御、を繰り返し行い、単結晶の直径を制御する。 - 特許庁

To provide a composition for forming a lower layer film for lithography and a composition for forming a planarizing film, both being used for a lithography process for manufacturing a semiconductor device, and to provide a lower layer film and a planarizing film that exhibit an etching rate greater than that of a photoresist and does not cause the intermixing with a photoresist.例文帳に追加

半導体装置製造のリソグラフィープロセスに使用される、リソグラフィー用下層膜形成組成物並びに平坦化膜形成組成物、及びフォトレジストに比べて大きなドライエッチング速度を有し、そして、フォトレジストとのインターミキシングを起こさない下層膜並びに平坦化膜を提供すること。 - 特許庁

In a heat treatment process, by sequentially rotating the division walls arranged in multistages in the vertical direction from the division walls of an upper stage to the division walls of a lower stage, heat treatment is carried out while the objects to be treated sequentially slide down from the division walls of the upper stage to the division walls of the lower stage.例文帳に追加

熱処理工程において、鉛直方向に多段に配置された分割壁が、上段の分割壁から下段の分割壁まで順次回動することにより、被処理物が上段の分割壁から下段分割壁に順次滑落しながら熱処理される。 - 特許庁

The method includes a process in which a core 3b, having a softening temperature of Tci, is formed on the lower clad layer 2 having a softening temperature of Ti, and a part or all of the core 3b is embedded in the lower clad layer 2, by thermally processing the core 3b so that the temperature T satisfies Ti<T<Tci.例文帳に追加

軟化温度がＴｉである下部クラッド層２の上に形成した軟化温度がＴｃｉのコア３ｂを、温度ＴがＴｉ＜Ｔ＜Ｔｃｉとなるような温度Ｔで熱処理を行うことにより前記コア３ｂの一部又は全部を下部クラッド層２に沈み込ませる工程を有する。 - 特許庁

The oven apparatus carries out a heating process to an object to be processed put on the hot plate in the oven furnace P by arranging a lower heat source 5 with a gas-burner structure to heat the hot plate itself below the hot plate, wherein the oven is provided with a shift adjusting means 31 to shift and adjust the lower heat source 5.例文帳に追加

オーブン窯Ｐ内の熱板上に置いた被加工物に対し加熱処理を行うよう熱板下方に当該熱板自体を加熱するガスバーナー構造の下部熱源５を配置し、この下部熱源５を移動調整する移動調整手段３１を設ける。 - 特許庁

This method includes, in addition, a process of adding to the battery 26 the electrical energy from the motor 16 for simultaneously charging and heating the battery, when the charge condition of the battery is lower than a prescribed battery charge limit further with the temperature of the battery being higher than the lower-side charge efficiency temperature.例文帳に追加

この方法は更に、バッテリーの充電状態が所定のバッテリー充電限界よりも低く且つバッテリー温度が下側充電効率温度よりも高いとき、バッテリーを同時に充電及び加熱するために、モーター１６からの電気エネルギーをバッテリー26へ加える工程、を更に含む。 - 特許庁

The vicinity of the joined part is kept at a temperature not lower than (At transformation temperature -100°C) and lower than At transformation temperature for at least 30 seconds so that the ratio of the maximum hardness of the vicinity of the joined part to the hardness of the metallic pipes before joined becomes 1.4 or smaller, and then cooled (tempering process).例文帳に追加

次に、金属管の接合前の硬度に対する接合部近傍の最大硬度の比が１．４以下となるように、接合部近傍を（Ａ_１変態温度−１００℃）以上、かつ、Ａ_１変態温度より低い温度で少なくとも３０秒間保持し、次いで冷却する（焼戻し工程）。 - 特許庁

This method of manufacturing the solid electrolyte battery has a laminate forming process to form a laminate wherein a lower collector layer 12, an intermediate layer 13, and an upper collector layer 14 are laminated in this order on a substrate 11, and a process to apply a voltage to the laminate.例文帳に追加

この固体電解質電池の製造方法は、基板上１１に、下部集電体層１２と中間層１３と上部集電体層１４とがこの順で積層された積層体を形成する、積層体形成工程と、積層体に対して電圧を加える工程とを有する。 - 特許庁

The method for producing highly purified activated carbon includes: a process for washing activated carbon containing an inorganic acid with water at a temperature lower than its boiling point; and a process for washing the washed activated carbon with a basic substance which is removable by heating.例文帳に追加

本発明の高純度化活性炭の製造方法は、無機酸を含有している活性炭を、沸点未満の水で洗浄する工程と、前記水で洗浄した活性炭を、加熱除去可能な塩基性物質を用いて洗浄する工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

In the manufacturing method for the coating liquid used in the formation of the ink receiving layer of the inkjet recording medium, the method has a preparation process of preparing a polyvinyl alcohol aqueous solution of pH 5.0 or lower, and an addition process of adding an alumina hydrate as a powdered matter to the polyvinyl alcohol aqueous solution.例文帳に追加

インクジェット用記録媒体のインク受容層の形成に用いる塗工液の製造方法であって、 ｐＨ５．０以下のポリビニルアルコール水溶液を調製する調製工程と、該ポリビニルアルコール水溶液にアルミナ水和物を粉体として添加する添加工程と、を有する塗工液の製造方法。 - 特許庁

The calculating means calculates the defocusing quantity with the first and the second image signals having received the first process when a contrast value is higher than a predetermined value, and when the contrast value is lower than the predetermined value, calculates the defocusing quantity with the first and the second image signals having received the second process.例文帳に追加

演算手段は、コントラスト値が所定値より高い場合は第１の処理を受けた第１および第２の像信号を用いてデフォーカス量を演算し、コントラスト値が該所定値より低い場合は第２の処理を受けた第１および第２の像信号を用いてデフォーカス量を演算する。 - 特許庁

To provide a multilayered wiring board which is profitably manufactured at a lower cost through a simple manufacturing process by eliminating a process of filling through-holes with resin and carrying out a flattening operation and has the high reliability and durability of interlayer conductive connections, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

予めスルーホールに樹脂を充填して平坦化する工程を省略できるため、簡易な製造工程でコスト的に有利に製造でき、好ましくは層間の導電接続の信頼性と耐久性が高い多層配線基板、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor manufacturing method to form a high-k film 21 and a gate electrode 24 on a silicon substrate 11; the annealing process 23 is executed in the fluorine atmosphere after formation of the high-k film, and the subsequent process temperature is set to 600°C or lower.例文帳に追加

シリコン基板１１上にｈｉｇｈ−ｋ膜２１とゲート電極２４を形成する半導体装置の製造方法において、ｈｉｇｈ−ｋ膜形成後にフッ素雰囲気でアニール処理２３を施し、その後のプロセス温度を６００℃以下で行う、半導体装置の製造方法。 - 特許庁

In the nonvolatile semiconductor memory device using a multi-value recording system and the nonvolatile memory system, a first verify voltage is used when data are written before a packaging process, and a second verify voltage lower than the first verify voltage is selected when the data are written after the packaging process.例文帳に追加

多値記憶方式の不揮発性半導体記憶装置および不揮発性メモリシステムにおいて、パッケージング工程前にデータを書き込む場合には第一のベリファイ電圧を用い、パッケージ工程後にデータを書き込む場合には第一のベリファイ電圧よりも低い第二のベリファイ電圧に切り替える。 - 特許庁

Consequently, troubles resulting from flowing of the thermosetting resin 6b are prevented in a blackening treatment process, and filling performance is ensured on the lower surface of the electronic component 7 by permitting proper fluidity of the thermosetting resin 6b in a press process after lamination of a prepreg.例文帳に追加

これにより、黒化処理工程において熱硬化性樹脂６ｂが流動することによる不具合を防止するとともに、プリプレグ積層後のプレス工程において熱硬化性樹脂６ｂの適正な流動を許容して電子部品７の下面への充填性を確保することができる。 - 特許庁

To provide a tap with which a process for forming hexadecagon needing the expert skill from an octagon can be eliminated in order to improve the productivity of a forging process from a steel block to a round bar, and flaws do not occur even when being caught between an upper tap and a lower tap.例文帳に追加

鋼塊から丸棒への鍛造における生産性の向上を目的に、熟練技能の必要な８角形から１６角形を成形する工程が省略でき、かつ、上タップおよび下タップに挟まれても疵が発生しない形状としたタップを提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of a ferroelectric memory device comprises: a process for forming the ferroelectric capacitor 3, having at least a lower electrode 8, a ferroelectric film 9, and an upper electrode 10, on a substrate 2; and a process for annealing the ferroelectric capacitor 3 under an oxygen atmosphere.例文帳に追加

基体２上に少なくとも下部電極８と強誘電体膜９と上部電極１０とを有してなる強誘電体キャパシタ３を形成する工程と、強誘電体キャパシタ３を酸素雰囲気下にてアニール処理する工程と、を備えた強誘電体メモリ装置の製造方法である。 - 特許庁

Gas flow is confined at the edge of the workpiece within a gap at the edge of the workpiece, the gap being configured to be about one percent of the diameter of the chamber, the gap defining a boundary between an upper process zone containing the front side and a lower process zone containing the backside.例文帳に追加

ガス流はワークピース縁部の間隙内でワークピース縁部で閉じ込められ、間隙はチャンバ直径の約１％となるように構成されており、間隙により正面側を含む上方処理ゾーンと背面を含む下方処理ゾーンとの間の境界が規定される。 - 特許庁

The liquid crystal display device is manufactured by using a three-mask process so that a mask process is completed in the state that insulation layers of a gate pad part and a data pad part are not etched and the insulation layers of the gate pad part and data pad part are etched after assembling the upper part and lower part substrates.例文帳に追加

ゲートパッド部及びデータパッド部の絶縁層をエッチングしない状態でマスク工程を完了し、上部及び下部基板を合着後ゲートパッド部及びデータパッド部の絶縁層をエッチングする方法を利用して３マスク工程により液晶表示装置を製造する。 - 特許庁

In order to locate the recess on the side of the metal wiring layer, after the current density of an intermediate process is made lower than a current density of before/after process to form a plating layer of a fine metal crystal when depositing the metal wiring layer by plating, the recess can be obtained by carrying out an etching treatment.例文帳に追加

金属配線層の側面に窪みを設けるには、金属配線層をメッキにより析出させるに際して、中間工程の電流密度を前後の工程の電流密度よりも低くして微細金属結晶のメッキ層とした後、エッチング処理を行うことにより得られる。 - 特許庁

In the hot stamping device which performs a hot stamping process by heating a stamping part at a hot stamping temperature suited for the hot stamping process by a heater 2, the stamping part is adjusted to a stand-by temperature level which is lower than the hot stamping temperature with the help of a control device 4 for controlling the heater 2.例文帳に追加

スタンプ部をヒータ２によりホットスタンプに適したホットスタンプ温度に加熱してからホットスタンプを行なうホットスタンプ装置において、ヒータ２を制御する制御装置４により、スタンプ部をホットスタンプ温度よりも低い温度である待機温度に調整できるようにしている。 - 特許庁

To provide an ending machine for joining a preceding yarn at its rear end tangled with the front end of a following yarn while making the yarn travel at a predetermined tension and a carbon fiber producing method for improving operativeness in a firing process by continuously supplying the yarn to the firing process to achieve lower cost.例文帳に追加

糸条を所定の張力で走行させたまま、先行糸条の後端に後続糸条の先端を絡合して接合できる糸継ぎ機と、糸条を焼成工程へ連続供給し焼成工程の操業性を向上させ低コスト化を図る炭素繊維の製造方法とを提供する。 - 特許庁

To disperse failure risk of a lower communication channel when a communication channel of a multilayer communication network is controlled based on a communication channel control technique based on a conventional autonomous dispersion process or concentrated control process, and to reduce an instantaneous interruption time of an upper transferring path as much as possible.例文帳に追加

従来の自律分散処理、もしくは集中制御処理に基づく通信路制御技術に基づきマルチレイヤ通信網の通信路を制御する際に下位通信路の故障リスクを分散し、かつ、できる限り上位の転送用パスの瞬断時間を短縮する。 - 特許庁

The reinforcement binding machine comprises: a means for detecting a supply voltage in the process of the binding wire wrenching process which requires the largest load, and comparing a CPU operating voltage with the supply voltage; and a control means for reversely driving a motor when the voltage drops lower than the CPU operating voltage, and returning a binding wire wrenching mechanism to an initial position.例文帳に追加

最も負荷がかかる結束線捩じり工程中の電源電圧を検出して、CPU動作電圧と電源電圧を比較する手段と、電圧がCPU動作電圧以下に低下したときにモータを逆転駆動して結束線捩り機構を初期位置へ復帰させる制御手段を設ける。 - 特許庁