| 例文 |
lower processの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1989件
The trousers are made through the following process: superimposing a front body part 1 and a back body part 2 on each other; sewing up both of their right and left ends; and attaching a lower face 3 to a crotch part between the front body part 1 and the back body part 2.例文帳に追加
パンツの前身頃(1)と後身頃(2)を重ね合わせて、左右両端を縫い合わせ、前身頃(1)と後身頃(2)との間の股下部分に下面(3)を付けたことを特徴とする。 - 特許庁
The process for producing styrene-based prefoamed particles comprises using a heating temperature not lower than 96°C and not higher than 104°C at least at an initial foaming step when prefoaming.例文帳に追加
発泡性スチレン系樹脂粒子を予備発泡させる際に、少なくとも発泡初期に96℃以上104℃以下の加熱温度を用いて、発泡させるスチレン系予備発泡粒子の製造方法。 - 特許庁
In this process, ultrasonic vibration is applied to the treated water by using the ultrasonic device 13 to promote a reaction to make the organic compounds in the treated water to compounds of lower molecular weight and thereby the organic compounds are efficiently electrolyzed.例文帳に追加
このとき、超音波素子13によって処理水に超音波振動が与えられ、処理水中の有機化合物の低分子化反応が促進されて有機化合物が効率よく電気分解される。 - 特許庁
In the step (d), a gap d is created in between the lower surface of the main body 21 and the upper surface of the printed circuit board 1, and, in a releasing process (e, f), fingers 31, 32 prevent the electronic component 2 from inclination or fall.例文帳に追加
この工程で本体部21の下面とプリント板1の上面との間に間隔dが確保され、開放工程(e、f)で指部31および32が部品2を傾斜、転倒させない。 - 特許庁
A pair of right and left side members is positioned in an under body 1 with a first jig, and the lower portion welding edges are fit to the right and left welding edges of the under body 1 (a first process).例文帳に追加
アンダーボディ1に対して左右一対のサイドメンバー3を第1治具を使用して位置決めすると共にその下位溶接縁をアンダーボディ1の左右溶接縁に合わせて取付ける(第1工程)。 - 特許庁
Meanwhile, for a rinse liquid process, the intermediate cup wall 30 is raised to stop an opening 15a, while the opening 16a on the lower side is opened wide for recovering the rinse liquid with the cup 16.例文帳に追加
一方、リンス液処理のときは中間カップ壁30を上昇させて開口15aを閉塞するとともに、下側の開口16aを大きく開いてリンス液をカップ16で回収する。 - 特許庁
In a vapor-phase growth process, by supplying monosilane gas at a level not lower than 550°C to less than 750°C to the principal surface of the silicon substrate W in the reaction vessel, the silicon epitaxial layer is formed in vapor phase growth.例文帳に追加
反応容器内のシリコン基板Wの主表面上に、550℃以上750℃未満でモノシランガスを供給することによりシリコンエピタキシャル層を気相成長させる気相成長工程を行う。 - 特許庁
When finishing the operation of loading the process cartridge 2 to the printer main body, the upper resist roller 12a is positioned by using a spring 45 so that a prescribed pressurizing force may be applied on the lower resist roller 12b.例文帳に追加
プロセスカートリッジ2のプリンタ本体に対する装着が完了した段階では、バネ45により上側レジストローラ12aを下側レジストローラ12bに所定の押圧力が得られるように位置決めする。 - 特許庁
To provide a floor panel for a free-access floor that uses a particle board as base material and allows for the long-term, stable use without deformation and the lower material and process costs.例文帳に追加
パーティクルボードを基材として採用し、長期にわたり変形を生じないで安定的に使用することができ、材料費や加工費がより安価であるフリーアクセス床用床パネルを提供すること。 - 特許庁
To process a higher-priority module at a higher speed in a priority control system that allows a lower-priority module to access a memory during consecutive memory accesses from higher-priority modules.例文帳に追加
優先順位が上位のモジュールの連続するメモリーアクセスの間に、優先順位が下位のモジュールのメモリーアクセスが可能な優先制御方式において、上位のモジュールの処理をより高速化する。 - 特許庁
To manufacture ceramic hollow particles at a lower cost than before in a method for manufacturing ceramic hollow particles using a pressure welding mixing apparatus, in which a process for mixing resin powder and ceramic powder is unnecessary and there is neither material loss.例文帳に追加
圧接混合装置を用いてセラミックス中空粒子を製造する方法において、樹脂粉末とセラミックス粉末とを混合する工程が不要で材料ロスもなく、これまでよりも安価に製造する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a ferroelectric memory device in which a sufficient selection ratio of etching to a lower layer of a hydrogen barrier film can be obtained and whose contact hole forming process is simplified.例文帳に追加
水素バリア膜の下層との間においてエッチングの十分な選択比が得られると共に、コンタクトホールの形成工程を簡略化した強誘電体メモリ装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁
To exactly measure the position deviation values of a lower layer circuit pattern and an upper layer resist pattern caused by the lens aberration of a stepper to be used for exposure in the lithography of a semiconductor manufacturing process.例文帳に追加
半導体製造工程のリソグラフィー工程において、露光に使用されるステッパーのレンズ収差に起因する下層回路パターンと上層レジストパターンとの位置ずれ量を正確に計測する。 - 特許庁
To obtain lower resistance of a p-type contact layer, and to obtain a current constriction structure without applying a ridge-like process to the p-type semiconductor layer in a semiconductor laser element.例文帳に追加
p型コンタクト層の低抵抗化を図れるようにすると共に半導体レーザ素子においてはp型半導体層にリッジ状の加工を施すことなく電流狭窄構造を実現できるようにする。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a hollow structure which enables a fine hollow structure having openings on both upper and lower sides to be formed stably and rapidly in a single process of forming the hollow structure.例文帳に追加
上下両側に開口を有する微細な中空構造体を中空構造体形成の工程内で安定して迅速に形成することができる中空構造体の製造方法を提供する。 - 特許庁
As a second process, the other fastener piece is attached to a substantially rectangular pocket upper part cloth extending over the upper side and both sides, with both edges thereof projected to the lower side of the pocket upper part cloth.例文帳に追加
第二工程として、略長方形状のポケット上部生地に、その上辺と両側辺に渡って、他方のファスナー片を、その両端が該ポケット上部生地の下方に突出するようになして取り付ける。 - 特許庁
When an ITO is etched, amorphous carbon is deposited at the same time, and an amorphous carbon film 103 is formed in the ITO film etched part, that is, in a clearance between lower electrodes 101a formed in this process.例文帳に追加
ITOがエッチングされると同時にアモルファスカーボンを堆積し、ITO膜がエッチングされた部分、すなわち形成される下部電極101aの間に、アモルファスカーボンの膜103を形成する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which can raise the Vth at the lower portion of a fin and can constrain leak current by a sub-channel between the source region and the drain region, and to provide its fabrication process.例文帳に追加
フィン下部でのVthの上昇が得られると共に、サブチャネルによるソース領域とドレイン領域との間のリーク電流を抑えることを可能とした半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
A method whose process temperature is lower like vapor-phase deposition can be employed by using the method of forming the thin film 2 of nickel oxide and the 2nd sapphire substrate 3 in order.例文帳に追加
酸化ニッケルからなる薄膜2及び第2のサファイヤ基板3を順次成膜する方法を取ることにより、気相成長などのようにプロセス温度がより低い方法を用いることが出来る。 - 特許庁
When this process is adequately explosive, the diameter of air bubbles expands beyond the diameter of an incident laser beam, and it causes the uppermost layer at the outside of the exposed area and imaging layer at the lower side thereof to be separated from the base body.例文帳に追加
この過程が十分に爆発的であると、気泡の頚は入射レーザビーム径を越えて拡がり、曝露領域の外側で、最上層とその下側のイメージング層を基体から引き剥がす。 - 特許庁
An Sr poor SRO film 15 is formed in a barrier metal film side alone by making a film formation temperature in the first half of a film formation process of a SRO film as a lower capacitor electrode than that in the latter half.例文帳に追加
下部キャパシタ電極としてのSRO膜の成膜工程の前半の成膜温度を後半のそれよりも高くして、バリアメタル膜側でのみSrプアーなSRO膜15を形成する。 - 特許庁
To lower the cost of a digital image forming apparatus, which is provided selectively with a printer function, a copying function, and a facsimile function, by facilitating process control by making its production line common.例文帳に追加
プリンタ機能とコピー機能とファクシミリ機能とを選択的に設けるデジタル画像形成装置において、その生産ラインの共通化を図って工程管理などを容易にし、大幅なコストダウンを実現する。 - 特許庁
The process (B) temporarily stops the passing water, intermittently bubbling inert gas from the lower part of the fixed-bed reactor to agitate the catalyst and water so as to clean the catalyst, then passes the water again therethrough.例文帳に追加
(B)一時的に通水を停止し、当該固定床反応器の下部から、不活性ガスを間歇的にバブリングさせ、触媒と水とを攪拌して、触媒を洗浄した後、再度通水する工程。 - 特許庁
When a threshold voltage of the reset transistor 2 rises due to the process variation, a threshold voltage of the transistor 8 also rises to reduce the output voltage of the source- follower circuit 10 and hence lower the reset drain voltage.例文帳に追加
プロセスばらつきによりリセットトランジスタ2のしきい値電圧が高くなるとトランジスタ8のしきい値電圧も高くなり、ソースフォロワ回路10の出力電圧が減少してリセットドレイン電圧が低くなる。 - 特許庁
To achieve scale inhibition under such conditions that calcium oxalate scale may be formed in a lower pH condition, just as the step D at which chlorine dioxide is used as a bleaching agent in the process for producing paper or pulp.例文帳に追加
紙・パルプ製造工程の漂白行程の二酸化塩素を用いたD段のように、低いpHでシュウ酸カルシウムのスケール化が生じる条件下において、スケールを防止できるようにする。 - 特許庁
The method for manufacturing the aerosol product for odor elimination has a process step of preparing the stock solution by adding the lower aliphatic alcohol to the ion exchanged water containing the living odor eliminating bacteria.例文帳に追加
消臭用エアゾール製品の製造方法は、生きている消臭性バクテリアを含有するイオン交換水に低級脂肪族アルコールを添加することにより、原液を調製する工程を有する。 - 特許庁
An airtightness holding layer in the panel is formed outside a seal material for sealing, thereby introducing dry gas into the panel from a temperature lower than a softening temperature of a sealing member during the sealing process.例文帳に追加
封着用シール材の外側にパネル内の気密保持層を形成することによって、封着工程中に封着部材の軟化温度よりも低い温度からパネル内に乾燥ガスを導入する。 - 特許庁
The washing method of clothing has a process for contacting the clothing with electrolytic water of pH 3.5-5.8, containing hypochlorous acid, and having sodium ion concentration of 200 ppm or lower.例文帳に追加
次亜塩素酸を含有し、pHが3.5〜5.8であり、かつナトリウムイオン濃度が200ppm以下である電解水に衣類を接触させる工程を有することを特徴とする衣類の洗浄方法。 - 特許庁
Additionally, when Fuel< Fmin, the fuel injection timing IJT is set as timing Tstr for stratified combustion Tstr (compression process) (step 107-109) by guard-treating the fuel injection quantity Fuel by the lower limit value Fmin.例文帳に追加
また、Fuel <Fmin であれば燃料噴射量Fuel を下限値Fminでガード処理して燃料噴射時期IJTを成層燃焼用タイミングTstr (圧縮行程)に設定する(ステップ107〜109)。 - 特許庁
In the protruding portion forming process, the upper surface of a metal plate 130 is pressed with a punch 151, thereby forming a protruding portion 141 which downwardly protrudes from the lower surface 133 in the metal plate 130.例文帳に追加
隆起部形成工程では、金属プレート130の上面をパンチ151で押圧することによって、下面133から下方に向かって隆起した隆起部141を金属プレート130に形成する。 - 特許庁
To provide a capacitor with an MIM structure capable of ensuring a sufficient capacity in a limited cell area by forming unevenness on the surface of a lower electrode without an additional complex process.例文帳に追加
複雑な工程を追加することなく下部電極表面に凹凸を形成することにより、限られたセル面積の中で十分な容量を確保することができるMIM構造のキャパシタを提供する。 - 特許庁
The method for recovering a metal comprises a process that a protonema derived from a moss plant belonging to the Funaria is contacted with a metal-containing solution in which a metal having an ionization tendency lower than that of silver is dissolved.例文帳に追加
ヒョウタンゴケ科に属するコケ植物由来の原糸体を、銀よりイオン化傾向が低い金属を溶解した金属含有溶液と接触させることを含む、前記金属の回収方法。 - 特許庁
To prevent a magnetic recording layer in an anodic oxidation process from peeling off without using a soft magnetic oxide such as ferrite as a soft magnetic layer which constitutes a lower layer in a perpendicular magnetic recording medium.例文帳に追加
垂直磁気記録媒体に関し、下部層を構成する軟磁性層としてフェライト等の軟磁性酸化物を使用することなく陽極酸化工程における磁気記録層の剥離を防止する。 - 特許庁
To provide a method for keeping airtightness without causing the position slippage of a face plate and a rear plate in a method for sealing upper and lower plates with frit glass in the process for assembling a plane image forming device.例文帳に追加
SEDの封着において、室温にて上・下のガラスプレートを位置決めし、以後水平方向は動かず、上・下方向はフリット押しつぶしのため動く構造とする、位置決め、封着方法が必要である。 - 特許庁
To provide methods for depositing on a substrate in a process chamber an insulating thin film of nitrofluorinated silicate glass(NFG) which has lower dielectric constant and better adhesion properties than those of fluorosilicate glass.例文帳に追加
フルオロケイ酸塩ガラスより薄膜の誘電率が低くかつ接着特性が良好である、プロセスチャンバ内で基板上にニトロフッ化ケイ酸塩ガラスの絶縁薄膜を堆積する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a filter element which can lower a manufacturing cost by simplifying a production process and can restrain a pressure drop of a fluid passing through the filter element.例文帳に追加
製造工程を簡素化して製造コストを低減することができるとともに、フィルタエレメントを透過する流体の圧力損失を抑制することができるフィルタエレメントの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device, along with its manufacturing method, which has such structure as lowers a contact interface resistance between a contact plug and a lower electrode of a capacitor, in a microfabrication process, for improved yield.例文帳に追加
微細化加工において、コンタクトプラグとキャパシタの下部電極との接触界面抵抗を低下させ、歩留まりを向上させる構造の半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
Then, HFE used as rinse liquid is supplied onto both the surfaces Wa and Wb of the wafer W from the upper and lower nozzles 64 and 14, and the fluoric acid on the surface of the wafer W is cleaned away (a rinsing process).例文帳に追加
次に、上ノズル64および下ノズル14よりリンス液としてのHFEのウエハWの両面Wa,Wbに供給されて、ウエハW表面のふっ酸が洗い流される(リンス工程)。 - 特許庁
The treating process is such that a halogen-containing, flame- retardant resin composition 3 is made to contact with a mixed material 2 of a dehalogenizing material and a dehalogenation-accelerating material at a temperature lower than the decomposition temperature of the resin composition.例文帳に追加
ハロゲンを含む難燃性樹脂組成物3を、樹脂組成物の熱分解温度未満の温度で、脱ハロゲン化材料と脱ハロゲン化促進材料からなる混合材料2に接触させる。 - 特許庁
Here, if no request overlap portion is found on the way, a control target value is decided without performing request overlap portion calculation process for the requests having the priority ranks lower than it.例文帳に追加
その際、途中で要求重複部分が存在しなくなった場合には、それより下位の優先順位の要求に対する要求重複部分算出処理を省略して、制御目標値を決定する。 - 特許庁
The demand of a value (data or an instruction) is issued by a process 104 and is transferred to a lower level cache before it is decided whether a cache mistake of the value is generated at a cache of an upper level.例文帳に追加
値(データまたは命令)の要求は、プロセッサによって発行され、その値のキャッシュ・ミスが上位レベルのキャッシュで発生したかどうかを判定する前に下位レベルのキャッシュに転送される。 - 特許庁
In a first embodiment, a first pair of lower and upper frequency limits are established as a function of the sampled power supply frequency, after a new process step begins or after the conditions of a sample control signal change.例文帳に追加
第1の態様において、第1の対の周波数の上下限が、新たなプロセスステップ開始後、又はサンプル制御信号の状態変化後、サンプリングされた電源の周波数の関数として設定される。 - 特許庁
To provide a device for suppressing advance of silicide formation of a lower electrode part in a selection gate transistor at the time of forming a silicide film of a control gate electrode film in a post-process and to provide a manufacturing method of the device.例文帳に追加
制御ゲート電極膜のシリサイド膜を後工程で形成する際に、選択ゲートトランジスタの下部電極部のシリサイド化の進行を抑制できる装置及び製造方法の提供。 - 特許庁
To achieve practical application of a pattern transfer process by using a gray-tone mask having a gray-tone part which is constituted by a micro- light-shielding pattern lower than a limit of resolution of an exposing equipment that uses the gray-tone mask.例文帳に追加
グレートーンマスクを使用する露光機の解像限界以下の微細遮光パターンで構成されるグレートーン部を有するグレートーンマスクを用いたパターン転写プロセスの実用化を目的とする。 - 特許庁
In a curing process, the softened planar panel 1B is formed into a curved shape by a correction stand 2 having the curved shape corresponding to the lower invert part of a tunnel-shaped water channel before cured.例文帳に追加
硬化工程では、当該軟化状態の平面パネル1Bを、トンネル状水路の下部インバート部に対応する曲面形状を有した矯正台2で曲面状に形成した後に硬化させる。 - 特許庁
To provide a semiconductor manufacturing apparatus and a method of forming a thin-film on a semiconductor substrate utilizing the same with which productivity of the total semiconductor manufacturing process is remarkably improved by not forming the film on the lower surface.例文帳に追加
下面に膜を形成させず全体の半導体製造工程の生産性を大幅向上させる半導体製造装置及びこれを利用した半導体基板の薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁
A fusion part is formed by drawing them at 1 to 15μm/sec while heating them at a temperature of 1,460 to 1,560°C lower than that of the drawing process, to fuse them to have predetermined optical characteristics of almost a round cross section.例文帳に追加
延伸工程より低い温度の1460〜1560℃で加熱しつつ、1〜15μm/秒で延伸し、所定の光学特性となる断面略円形に融着させて融着部を形成する。 - 特許庁
To provide an MR element wherein upper and lower shield layers can be electrically connected without complicating a manufacturing process and areas of the shield layers which overlap an MR film are made a single magnetic domain, and also to provide a thin film magnetic head comprising the same.例文帳に追加
製造プロセスを複雑化させることなく、上下シールドの電気的接続を実現しつつ、MR膜と重なるシールド層領域を単磁区化したMR素子、薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁
At the time, a word in which a coincident part is longest is selected out of words in which the head parts coincide out of words in which words number are lower than itself by a coincident part longest word selecting process 3.例文帳に追加
このとき、単語番号が自身より低いもののうちで、先頭部分が一致するもののうち、一致部分が最も長い単語を一致部分最長単語選択工程3で選択する。 - 特許庁
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